发光电路的制作方法

1.本公开是有关于一种发光电路，特别是有关于一种具有旁通电路的发光电路，可降低发光单元于暗态时发光的可能性。


背景技术：

2.目前，显示技术中所使用的发光单元驱动电路，主要包括薄膜晶体管的元件。随电子产品蓬勃发展，对于电子产品上的显示品质的要求越来越高。随着薄膜晶体管于显示装置上的尺寸越来越大，薄膜晶体管不被导通时所产生的漏电流越来越大，甚至可能造成发光单元于暗态时发光，影响显示效果的呈现。
3.因此，有必要针对发光电路中漏电流的问题进行优化。


技术实现要素：

4.有鉴于此，本公开的实施例提出一种发光电路，其特征在于，包括一发光单元、一驱动晶体管以及一旁通电路。所述驱动晶体管产生一驱动电流以驱动所述发光单元，且产生一漏电流。所述旁通电路电性连接至所述发光单元以及所述驱动晶体管之间的节点，并且所述旁通电路根据一数据信号，转移所述漏电流，以降低所述漏电流流经所述发光单元的可能性。
附图说明
5.为让本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，以下结合附图对本发明的具体实施方式作详细说明，其中：
6.图1是显示根据本公开的一实施例所述的发光电路的方块图；
7.图2是显示根据本公开的一实施例所述的发光电路的电路图；
8.图3是显示根据本公开的另一实施例所述的发光电路的电路图；
9.图4是显示根据本公开的另一实施例所述的发光电路的电路图；
10.图5是显示根据本公开的另一实施例所述的发光电路的电路图；
11.图6a是显示根据本公开的一实施例所述的发光电路的电路图；
12.图6b是显示根据本公开的图6a的发光电路的时序图；
13.图7a是显示根据本公开的另一实施例所述的发光电路的电路图；
14.图7b是显示根据本公开的图7a的发光电路的时序图；
15.图8a是显示根据本公开的另一实施例所述的发光电路的电路图；
16.图8b是显示根据本公开的图8a的发光电路的时序图；
17.图9a是显示根据本公开的另一实施例所述的发光电路的电路图；
18.图9b是显示根据本公开的图9a的发光电路的时序图；
19.图10a是显示根据本公开的另一实施例所述的发光电路的电路图；
20.图10b是显示根据本公开的图10a的发光电路的时序图；
21.图11a是显示根据本公开的另一实施例所述的发光电路的电路图；以及
22.图11b是显示根据本公开的图11a的发光电路的时序图。
23.符号说明：
24.100,200,300,400,500,600,700,800,900,1000,1100:发光电路
25.110:输入电路
26.120:储存电路
27.130:驱动电路
28.140:发光元件
29.150,650,750,850,950,1050,1150:旁通电路
30.scn:扫描信号
31.dt:数据信号
32.em:发光信号
33.id:驱动电流
34.il:漏电流
35.vdd:供应电压
36.vss:接地电压
37.t1:第一开关晶体管
38.t2:第二开关晶体管
39.cst:储存电容
40.td:驱动晶体管
41.g:栅极端
42.tem:发光晶体管
43.led:发光单元
44.tbp1:第一旁通晶体管
45.tbp2:第二旁通晶体管
46.tbp3:第三旁通晶体管
47.tbp4:第四旁通晶体管
48.tbp5:第五旁通晶体管
49.tbp6:第六旁通晶体管
50.tbp7:第七旁通晶体管
51.cbp1:第一旁通电容
52.cbp2:第二旁通电容
53.cbp3:第三旁通电容
54.nm:中间节点
55.nbp1:第一旁通节点
56.nbp2:第二旁通节点
57.nbp3:第三旁通节点
58.v1:第一电压
59.v2:第二电压
60.a:第一状态
61.b:第二状态
具体实施方式
62.以下说明为本公开的实施例。其目的是要举例说明本公开一般性的原则，不应视为本公开的限制，本公开的范围当以权利要求所界定者为准。
63.能理解的是，虽然在此可使用用语“第一”、“第二”、“第三”等来叙述各种元件、组成成分、区域、层、及/或部分，这些元件、组成成分、区域、层、及/或部分不应被这些用语限定，且这些用语仅是用来区别不同的元件、组成成分、区域、层、及/或部分。因此，以下讨论的一第一元件、组成成分、区域、层、及/或部分可在不偏离本公开一些实施例的启示的情况下被称为一第二元件、组成成分、区域、层、及/或部分。
64.值得注意的是，以下所公开的内容可提供多个用以实践本公开的不同特点的实施例或范例。以下所述的特殊的元件范例与安排仅用以简单扼要地阐述本公开的精神，并非用以限定本公开的范围。此外，以下说明书可能在多个范例中重复使用相同的元件符号或文字。然而，重复使用的目的仅为了提供简化并清楚的说明，并非用以限定多个以下所讨论的实施例以及/或配置之间的关系。
65.在本公开一些实施例中，关于接合、连接的用语例如“连接”、“互连”等，除非特别定义，否则可指两个结构是直接接触，或者亦可指两个结构并非直接接触，其中有其它结构设于此两个结构之间。且此关于接合、连接的用语亦可包括两个结构都可移动，或者两个结构都固定的情况。此外，用语“耦接”包含任何直接及间接的电性连接手段。
66.本公开中所叙述的电性连接或耦接，皆可以指直接连接或间接连接，于直接连接的情况下，两电路上组件的端点直接连接或以一导体线段互相连接，而于间接连接的情况下，两电路上组件的端点之间具有开关、二极管、电容、电感、电阻、其他适合的组件或上述组件的组合，但不限于此。
67.图1是显示根据本公开的一实施例所述的发光电路的方块图。如图1所示，发光电路100包括输入电路110、储存电路120、驱动电路130以及发光元件140。输入电路110根据扫描信号scn，将数据信号dt提供至储存电路120储存，并且用以控制驱动电路130。驱动电路130根据数据信号dt产生适当的驱动电流id，并且根据发光信号em而将驱动电流id提供至发光元件140，使得发光元件140根据驱动电流id的大小，而产生不同的亮度(亦即，不同的灰度值)。
68.根据本公开的一实施例，当发光元件140操作于暗态时，由于驱动电路130尺寸过大而于不导通时产生漏电流il，使得尽管发光元件140操作于暗态但仍会根据漏电流il而发光。如图1所示，发光电路100还包括旁通电路150。旁通电路150根据数据信号dt，转移漏电流il，以降低漏电流il流经发光元件140。因此当发光元件140操作于暗态时，旁通电路150转移了驱动电路130的漏电流il，降低发光元件发光的可能性，利于提升显示品质。。
69.图2是显示根据本公开的一实施例所述的发光电路的电路图。如图2所示，发光电路200是由供应电压vdd以及接地电压vss所供电，且包括第一开关晶体管t1、第二开关晶体管t2、储存电容cst、驱动晶体管td、发光晶体管tem以及发光单元led，其中第一开关晶体管t1以及第二开关晶体管t2是对应至图1的输入电路110，储存电容cst是对应至图1的储存电
路120，驱动晶体管td以及发光晶体管tem是对应至图1的驱动电路130，发光单元led是对应至图1的发光元件140。
70.根据本公开的一实施例，当扫描信号scn是为低逻辑位准时，数据信号dt是提供至驱动晶体管td的栅极端g，并且储存电容cst用以储存提供至栅极端g的数据信号dt的电位。驱动晶体管td根据栅极端g的数据信号dt的电压位准，而产生驱动电流id。当发光信号em是为低逻辑位准时，发光晶体管tem是为导通，发光单元led随即根据驱动电流id，而产生对应的亮度。换句话说，数据信号dt是用以控制发光单元led产生的亮度(亦即，发光单元led的灰度值)，而发光信号em是用以控制发光单元led是否点亮。
71.根据本公开的一些实施例，发光单元led可以包括液晶(liquid crystal，lc)、有机发光二极管(organic light-emitting diode，oled)、迷你发光二极管(mini light-emitting diode，mini led)、微型发光二极管(micro light-emitting diode，micro led)、量子点发光二极管(quantum dot light-emitting diode，qled/qdled)、量子点(quantum dot，qd)、荧光粉、荧光或其他发光单元，但不限于此。
72.如图2的实施例所示，储存电容cst是电性连接于供应电压vdd以及栅极端g之间。根据本公开的另一实施例，储存电容cst亦可电性连接于接地电压vss以及栅极端g之间。根据本公开的其他实施例，储存电容cst也可电性连接于任意参考电压以及栅极端g之间。
73.根据本公开的一实施例，当发光单元led操作于暗态时，尽管驱动晶体管td根据数据信号dt而不导通，然而驱动晶体管td仍会产生漏电流il。旁通电路150根据数据信号dt而于发光单元led之前产生一旁通路径，并且旁通路径的阻抗是小于发光单元led的阻抗，使得漏电流il经旁通电路150而至接地电压vss，并且发光单元led的亮度仅由驱动电流id所控制。
74.图3是显示根据本公开的另一实施例所述的发光电路的电路图。如图3所示，发光电路300是由n型晶体管所实现，因此在发光电路300的操作中，扫描信号scn、发光信号em以及数据信号dt的逻辑位准是与图2的逻辑位准相反。如图3所示，储存电容cst是电性连接于栅极端g以及接地电压vss之间。根据本公开的其他实施例，储存电容cst是电性连接于栅极端g以及供应电压vdd或任何参考电压之间。当发光单元led操作于暗态时，旁通电路150根据数据信号dt而于发光单元led旁产生较小阻抗的旁通路径，使得漏电流il流经旁通电路150所产生的旁通路径而使发光单元led维持在暗态。
75.图4是显示根据本公开的另一实施例所述的发光电路的电路图。如图4所示，发光电路400的第一开关晶体管t1、第二开关晶体管t2以及发光晶体管tem是为n型晶体管，发光电路400的驱动晶体管td是为p型晶体管，其中发光电路400的电路操作以及信号的逻辑位准是与图2的发光电路200以及图3的发光电路300的电路操作相似，在此不再重复赘述。如图4所示，储存电容cst是电性连接于栅极端g以及供应电压vdd之间。根据本公开的其他实施例，储存电容cst亦可电性连接于栅极端g以及接地电压vss之间，或栅极端g以及其他任何参考电压之间。
76.图5是显示根据本公开的另一实施例所述的发光电路的电路图。如图5所示，发光电路500的第一开关晶体管t1、第二开关晶体管t2以及发光晶体管tem是为p型晶体管，发光电路500的驱动晶体管td是为n型晶体管，其中发光电路500的电路操作以及信号的逻辑位准是与图2的发光电路200以及图3的发光电路300的电路操作相似，在此不再重复赘述。如
图5所示，储存电容cst是电性连接于栅极端g以及接地电压vss之间。根据本公开的其他实施例，储存电容cst亦可电性连接于栅极端g以及供应电压vdd之间，或栅极端g以及其他任何参考电压之间。
77.综上所述，发光电路可由p型晶体管实现、由n型晶体管实现或是结合p型晶体管以及n型晶体管实现，并且旁通电路150需对应的电性连接至供应电压vdd或接地电压vss，各个信号也需对应的调整触发的逻辑位准。为了简化说明，以下针对旁通电路的叙述将以图2的发光电路200作为说明解释，本公开并非以任何形式限定于此。此外，本领域熟知此技艺人士者亦可根据将发光电路200的旁通电路的概念，经简单的修正与改变后，直接应用至仅由n型晶体管所实现的图3的发光电路300、或由p型晶体管以及n型晶体管混和所实现的图4的发光电路400以及图5的发光电路500。
78.图6a是显示根据本公开的一实施例所述的发光电路的电路图。如图6a所示，发光电路600包括旁通电路650，其中旁通电路650包括第一旁通晶体管tbp1以及第一旁通电容cbp1。第一旁通晶体管tbp1的一端电性连接于发光晶体管tem以及发光单元led之间的节点，第一旁通晶体管tbp1的另一端电性连接于发光单元led以及接地电压vss之间的节点，并且第一旁通晶体管tbp1的栅极端是电性连接至第一开关晶体管t1以及第二开关晶体管t2之间的中间节点nm，以接收数据信号dt。
79.如图6a所示，第一旁通电容cbp1是电性连接于供应电压vdd以及第一旁通晶体管tbp1的栅极端之间。根据本公开的另一实施例，第一旁通电容cbp1亦可电性连接于接地电压vss以及第一旁通晶体管tbp1的栅极端之间。根据本公开的其他实施例，第一旁通电容cbp1也可电性连接于任何参考电压以及第一旁通晶体管tbp1的栅极端之间。
80.图6b是显示根据本公开的图6a的发光电路的时序图。根据本公开的一实施例，当发光电路600操作于图6b的第一状态a(数据写入状态)时，扫描信号scn是为低逻辑位准，发光信号em是为高逻辑位准，因此第一开关晶体管t1以及第二开关晶体管t2基于低逻辑位准的扫描信号scn是为导通，发光晶体管tem基于高逻辑位准的发光信号em是为不导通。当第一开关晶体管t1以及第二开关晶体管t2导通时，数据信号dt提供至中间节点nm以及栅极端g，并且第一旁通电容cbp1储存提供至中间节点nm的数据信号dt。
81.根据本公开的实施例，当发光电路600操作于图6b的第二状态b(显示状态)时，扫描信号scn是为高逻辑位准，发光信号em是为低逻辑位准，因此第一开关晶体管t1以及第二开关晶体管t2基于高逻辑位准的扫描信号scn是为不导通，发光晶体管tem基于低逻辑位准的发光信号em是为导通，第一旁通晶体管tbp1为n型晶体管，第一旁通晶体管tbp1基于第一旁通电容cbp1所储存的中间节点nm的数据信号决定其导通程度，当驱动电流id越大，第一旁通晶体管tbp1导通程度越低，当驱动电流id越小，第一旁通晶体管tbp1导通程度越高，漏电流可通过旁通电路至接地电压vss，降低漏电流经发光单元led的可能性，降低发光单元led于暗态时发光的可能性。
82.图7a是显示根据本公开的另一实施例所述的发光电路的电路图。如图7a所示，发光电路700包括旁通电路750，其中旁通电路750包括第一旁通晶体管tbp1、第一旁通电容cbp1、第二旁通晶体管tbp2以及第二旁通电容cbp2。第一旁通晶体管tbp1为n型晶体管，第一旁通晶体管tbp1的一端电性连接于发光晶体管tem以及发光单元led之间的节点，第一旁通晶体管tbp1的另一端电性连接于发光单元led以及接地电压vss之间的节点，第一旁通晶
体管tbp1的栅极端是电性连接至第一旁通节点nbp1。第二旁通晶体管tbp2是电性连接于中间节点nm以及第一旁通节点nbp1之间，并且第二旁通晶体管tbp2的栅极端是接收发光信号em。如图7a所示，第一旁通电容cbp1是与图6a的第一旁通电流cbp1相同，在此不再重复赘述。第二旁通电容cbp2电性连接于中间节点nm以及供应电压vdd之间。
83.图7b是显示根据本公开的图7a的发光电路的时序图。根据本公开的一实施例，当发光电路700操作于图7b的第一状态a时，扫描信号scn是为低逻辑位准，发光信号em是为高逻辑位准，因此第一开关晶体管t1以及第二开关晶体管t2基于低逻辑位准的扫描信号scn是为导通，发光晶体管tem以及第二旁通晶体管tbp2基于高逻辑位准的发光信号em是为不导通。当第一开关晶体管t1以及第二开关晶体管t2导通时，数据信号dt提供至中间节点nm以及栅极端g，并且第二旁通电容cbp2储存提供至中间节点nm的数据信号dt。
84.根据本公开的实施例，当发光电路700操作于图7b的第二状态b时，扫描信号scn是为高逻辑位准，发光信号em是为低逻辑位准，因此第一开关晶体管t1以及第二开关晶体管t2基于高逻辑位准的扫描信号scn是为不导通，发光晶体管tem以及第二旁通晶体管tbp2基于低逻辑位准的发光信号em是为导通。因此第二旁通晶体管tbp2将储存于第二旁通电容cbp2的数据信号dt提供至第一旁通节点nbp1，并且第一旁通电容cbp1储存提供至第一旁通节点nbp1的电位(数据信号)。第一旁通晶体管tbp1基于第一旁通电容cbp1所储存的电位(数据信号)决定其导通程度，当驱动电流id越大，第一旁通晶体管tbp1导通程度越低，当驱动电流id越小，第一旁通晶体管tbp1导通程度越高，漏电流il可通过第一旁通晶体管tbp1至接地电压vss，以降低漏电流il经发光单元led的可能性，并降低发光单元led于暗态时发光的可能性。此外，第一旁通电容cbp1可在第二旁通晶体管tbp2导通后关闭时，持续导通第一旁通晶体管tbp1以转移漏电流il。
85.根剧本公开的一实施例，当第二旁通晶体管tbp2不导通时，第一旁通节点nbp1是为浮接状态(floating)。
86.图8a是显示根据本公开的另一实施例所述的发光电路的电路图。如图8a所示，发光电路800包括旁通电路850，其中旁通电路850包括第一旁通晶体管tbp1、第一旁通电容cbp1、第二旁通晶体管tbp2、第二旁通电容cbp2以及第三旁通晶体管tbp3。第一旁通晶体管tbp1是n型晶体管，第一旁通晶体管tbp1的一端电性连接于发光晶体管tem以及发光单元led之间的节点，第一旁通晶体管tbp1的另一端电性连接于发光单元led以及接地电压vss之间的节点，第一旁通晶体管tbp1的栅极端是电性连接至第一旁通节点nbp1。
87.如图8a所示，第一旁通电容cbp1是与图6a的第一旁通电容cbp1相同，在此不再重复赘述。第二旁通晶体管tbp2是电性连接于中间节点nm以及第一旁通节点nbp1之间，并且第二旁通晶体管tbp2的栅极端是接收发光信号em。根据本公开的一实施例，如图8a所示，第二旁通电容cbp2是与图7a的第二旁通电容cbp2相同，在此不再重复赘述。
88.第三旁通晶体管tbp3是电性连接于第一旁通电容cbp1的相异两端(即第一端与第二端)，且第三旁通晶体管tbp3的栅极端接收扫描信号scn，用以基于上述扫描信号scn重置第一旁通电容cbp1所储存的电压。如图8a所示，第三旁通晶体管tbp3是电性连接于供应电压vdd以及第一旁通节点nbp1之间。根据本公开的其他实施例，当第一旁通电容cbp1电性连接于任何参考电压以及第一旁通节点nbp1之间或电性连接于接地电压vss以及第一旁通节点nbp1之间时，第三旁通晶体管tbp3亦随的电性连接于任何参考电压以及第一旁通节点
nbp1之间或电性连接于接地电压vss以及第一旁通节点nbp1之间。
89.图8b是显示根据本公开的图8a的发光电路的时序图。根据本公开的一实施例，当发光电路800操作于图8b的第一状态a时，扫描信号scn是为低逻辑位准，发光信号em是为高逻辑位准，因此第一开关晶体管t1、第二开关晶体管t2以及第三旁通晶体管tbp3基于低逻辑位准的扫描信号scn是为导通，发光晶体管tem以及第二旁通晶体管tbp2基于高逻辑位准的发光信号em是为不导通。因此，数据信号dt经第一晶体管t1以及第二晶体管t2而分别提供至中间节点nm以及栅极端g，第二旁通电容cbp2储存提供至中间节点nm的数据信号dt，第三旁通晶体管tbp3重置第一旁通电容cbp1所储存的电压。换句话说，第三旁通晶体管tbp3将供应电压vdd提供至第一旁通节点nbp1，降低第一旁通节点nbp1的电压不稳定的可能性进而改善画面呈现的品质。
90.根据本公开的实施例，当发光电路800操作于图8b的第二状态b时，扫描信号scn是为高逻辑位准，发光信号em是为低逻辑位准，因此第一开关晶体管t1、第二开关晶体管t2以及第三旁通晶体管tbp3基于高逻辑位准的扫描信号scn是为不导通，发光晶体管tem以及第二旁通晶体管tbp2基于低逻辑位准的发光信号em是为导通。因此，第二旁通晶体管tbp2将第二旁通电容cbp2所储存的中间节点nm的数据信号dt提供至第一旁通节点nbp1，并且第一旁通电容cbp1储存提供至第一旁通节点nbp1的数据信号dt。第一旁通晶体管tbp1基于第一旁通电容cbp1所储存的电位(数据信号)决定其导通程度，当驱动电流id越大，第一旁通晶体管tbp1导通程度越低，当驱动电流id越小，第一旁通晶体管tbp1导通程度越高，漏电流il可通过第一旁通晶体管tbp1至接地电压vss，以降低漏电流il经发光单元led的可能性，并降低发光单元led于暗态时发光的可能性。
91.图9a是显示根据本公开的另一实施例所述的发光电路的电路图。如图9a所示，发光电路900包括旁通电路950，其中旁通电路950包括第一旁通晶体管tbp1、第一旁通电容cbp1、第二旁通晶体管tbp2、第二旁通电容cbp2、第三旁通晶体管tbp3、第三旁通电容cbp3以及第四旁通晶体管tbp4。第一旁通晶体管tbp1是n型晶体管，第一旁通晶体管tbp1的一端电性连接于发光晶体管tem以及发光单元led之间的节点，第一旁通晶体管的另一端电性连接于第一电压v1，第一旁通晶体管tbp1的栅极端是电性连接至第一旁通节点nbp1。根据本公开的一些实施例，第一电压v1是为不大于接地电压vss。亦即，第一电压v1是为小于或等于接地电压vss。
92.如图9a所示，第一旁通电容cbp1是与图6a的第一旁通电容cbp1相同，在此不再重复赘述。第二旁通晶体管tbp2是电性连接于中间节点nm以及第二旁通节点nbp2之间，并且第二旁通晶体管tbp2的栅极端是接收发光信号em。根据本公开的一实施例，如图9a所示，第二旁通电容cbp2是与图7a的第二旁通电容cbp2相同，在此不再重复赘述。
93.第三旁通晶体管tbp3是电性连接于第一旁通电容cbp1的相异两端，且第三旁通晶体管tbp3的栅极端接收扫描信号scn，用以基于上述扫描信号scn重置第一旁通电容cbp1所储存的电压。如图9a所示，第三旁通晶体管tbp3是电性连接于供应电压vdd以及第一旁通节点nbp1之间。根据本公开的其他实施例，当第一旁通电容cbp1电性连接于任何参考电压以及第一旁通节点nbp1之间或接地电压vss以及第一旁通节点nbp1之间时，第三旁通晶体管tbp3亦随的电性连接于任何参考电压以及第一旁通节点nbp1之间或接地电压vss以及第一旁通节点nbp1之间。
94.如图9a所示，第三旁通电容cbp3是电性连接于第一旁通节点nbp1以及第二旁通节点nbp2之间，第四旁通晶体管tbp4是电性连接于供应电压vdd以及第二旁通节点nbp2之间，且第四旁通晶体管tbp4的栅极端接收扫描信号scn，用以基于上述扫描信号scn重置第二旁通节点nbp2的电压。
95.图9b是显示根据本公开的图9a的发光电路的时序图。根据本公开的一实施例，当发光电路900操作于图9b的第一状态a时，扫描信号scn是为低逻辑位准，发光信号em是为高逻辑位准，因此第一开关晶体管t1、第二开关晶体管t2、第三旁通晶体管tbp3以及第四旁通晶体管tbp4基于低逻辑位准的扫描信号scn是为导通，发光晶体管tem、第二旁通晶体管tbp2基于高逻辑位准的发光信号em是为不导通。因此，数据信号dt透过第一开关晶体管t1以及第二开关晶体管t2提供至中间节点nm以及栅极端g，第二旁通电容cbp2储存提供至中间节点nm的数据信号dt，第三旁通晶体管tbp3重置第一旁通电容cbp1所储存的电压而使第一旁通晶体管tbp1不导通，第四晶体管tbp4重置第二旁通节点nbp2的电压。
96.根据本公开的另一实施例，当发光电路800操作于图9b的第二状态b时，扫描信号scn是为高逻辑位准，发光信号em是为低逻辑位准，因此第一开关晶体管t1、第二开关晶体管t2、第三旁通晶体管tbp3以及第四旁通晶体管tbp4基于高逻辑位准的扫描信号scn是为不导通，发光晶体管tem以及第二旁通晶体管tbp2基于低逻辑位准的发光信号em是为导通。因此，第二旁通晶体管tbp2将中间节点nm的数据信号dt提供至第二旁通节点nbp2，且第二旁通节点nbp2的电压变化量透过第三旁通电容cbp3的耦合效应而提供至第一旁通节点nbp1。此外，第一旁通电容cbp1储存提供至第一旁通节点nbp1的数据信号dt，第一旁通晶体管tbp1基于第一旁通电容cbp1所储存的第一旁通节点nbp1的数据信号dt，而于发光单元led旁产生旁通路径，以降低流经发光单元led的驱动电流id的比例。
97.举例来说，以图9a为例，当第二旁通晶体管tbp2将数据信号dt提供至第二旁通节点nbp2时，第二旁通节点nbp2发生了(dt-vdd)的电压变化，并且(dt-vdd)的电压变化经由第三旁通电容cbp3的耦合效应而叠加至第一旁通节点nbp1，使得第一旁通节点nbp1的电压变成(vdd+(dt-vdd)＝dt)，因此数据信号dt是透过第三旁通电容cbp3的耦合效应而提供至第一旁通节点nbp1。由于耦合效应无法将一节点的电压变化完整的耦合至另一节点，因此以上叙述仅作为说明解释的用，并未以任何形式限定于此。
98.图10a是显示根据本公开的另一实施例所述的发光电路的电路图。如图10a所示，发光电路1000包括旁通电路1050，其中旁通电路1050包括第一旁通晶体管tbp1、第五旁通晶体管tbp5以及第一旁通电容cbp1。第一旁通晶体管tbp1是n型晶体管，第一旁通晶体管tbp1电性连接于接地电压vss以及第五旁通晶体管tbp5之间，第一旁通晶体管tbp1的栅极端是电性连接至中间节点nm。第五旁通晶体管tbp5的一端电性连接于发光晶体管tem以及发光单元led之间的节点，第五旁通晶体管tbp5的另一端电性连接于第一旁通晶体管tbp1，且第五旁通晶体管tbp5的栅极端是接收发光信号em。如图10a所示，第一旁通电容cbp1是与图6a的第一旁通电流cbp1相同，在此不再重复赘述。
99.图10b是显示根据本公开的图10a的发光电路的时序图。根据本公开的一实施例，当发光电路1000操作于图10b的第一状态a时，扫描信号scn是为低逻辑位准，发光信号em是为高逻辑位准，因此第一开关晶体管t1以及第二开关晶体管t2基于低逻辑位准的扫描信号scn是为导通，发光晶体管tem以及第五旁通晶体管tbp5基于高逻辑位准的发光信号em是为
不导通。因此，数据信号dt经第一开关晶体管t1以及第二开关晶体管t2提供至中间节点nm以及栅极端g，第一旁通电容cbp1储存提供至中间节点nm的数据信号dt。
100.根据本公开的实施例，当发光电路1000操作于图10b的第二状态b时，扫描信号scn是为高逻辑位准，发光信号em是为低逻辑位准，第一开关晶体管t1以及第二开关晶体管t2基于高逻辑位准的扫描信号scn是为不导通，发光晶体管tem以及第五旁通晶体管tbp5基于低逻辑位准的发光信号em是为导通。因此，第一旁通晶体管tbp1基于第一旁通电容cbp1所储存的中间节点nm的数据信号dt，而于发光单元led旁产生旁通路径，以降低流经发光单元led的驱动电流id的比例。
101.图11a是显示根据本公开的另一实施例所述的发光电路的电路图。如图11a所示，发光电路1100包括旁通电路1150，其中旁通电路1150包括第一旁通晶体管tbp1、第五旁通晶体管tbp5、第一旁通电容cbp1、第六旁通晶体管tbp6以及第七旁通晶体管tbp7。第一旁通晶体管tbp1以及第五旁通晶体管tbp5是串联连接于发光晶体管tem以及发光单元led之间的节点以及接地电压vss之间，其中第一旁通晶体管tbp1是n型晶体管，第一旁通晶体管tbp1的栅极端是电性连接至第三旁通节点nbp3，第五旁通晶体管tbp5的栅极端是接收发光信号em。
102.如图11a所示，第一旁通电容cbp1是电性连接于接地电压vss以及第三旁通节点nbp3之间。根据本公开的另一实施例，第一旁通电容cbp1亦可电性连接于供应电压vdd以及第三旁通节点nbp3之间。根据本公开的其他实施例，第一旁通电容cbp1也可电性连接于任何参考电压以及第三旁通节点nbp3之间。
103.第六旁通晶体管tbp6是电性连接于供应电压vdd以及第三旁通节点nbp3之间，且第六旁通晶体管tbp6的栅极端是电性连接至栅极端g。第七旁通晶体管tbp7是电性连接于第三旁通节点nbp3以及第二电压v2之间，且第七旁通晶体管tbp7的栅极端是接收第二电压v2。换句话说，第七旁通晶体管tbp7是电性连接为二极管形式，并电性连接于第三旁通节点nbp3以及第二电压v2之间。根据本公开的一实施例，第六旁通晶体管tbp6以及第七旁通晶体管tbp7是作为一反相器。
104.图11b是显示根据本公开的图11a的发光电路的时序图。根据本公开的一实施例，当发光电路1100操作于图11b的第一状态a时，扫描信号scn是为低逻辑位准，发光信号em是为高逻辑位准，因此第一开关晶体管t1以及第二开关晶体管t2基于低逻辑位准的扫描信号scn是为导通，发光晶体管tem以及第五旁通晶体管tbp5基于高逻辑位准的发光信号em是为不导通。因此，数据信号dt透过第一开关晶体管t1以及第二开关晶体管t2提供至中间节点nm以及栅极端g，第六旁通晶体管tbp6以及第七旁通晶体管tbp7作为反相器，基于栅极端g的电压而产生第三旁通节点nbp3的电压。此外，第一旁通电容cbp1储存第三旁通节点nbp3的电压。
105.举例而言，当数据信号dt传送至栅极端g而使栅极端g为供应电压vdd时，第七旁通晶体管tbp7将第三旁通节点nbp3的电压下拉至第二电压v2；当栅极端g是为接地电压vss时，第六旁通晶体管tbp6将第三旁通节点nbp3的电压上拉至供应电压vdd。根据本公开的一实施例，第二电压v2是为不大于接地电压vss，因此第六旁通晶体管tbp6以及第七旁通晶体管tbp7组成的反相器可随时基于栅极端g的电压而产生第三旁通节点nbp3的电压。根据本公开的另一实施例，第二电压v2亦可为扫描信号scn，因此第六旁通晶体管tbp6以及第七旁
通晶体管tbp7组成的反相器仅于数据信号dt提供至中间节点nm以及栅极端g(即，扫描信号scn是为低逻辑位准)时才进行操作。
106.换句话说，当驱动晶体管td产生最大的驱动电流id时，第一旁通晶体管tbp1是不导通；当驱动晶体管td不输出驱动电流id时，第一旁通晶体管tbp1完全导通。因此，当产生最大的驱动电流id而使发光单元led操作于最亮时，第一旁通晶体管tbp1不动作以减少功率损耗；当未输出驱动电流id而使发光单元led操作于最暗时，第一旁通晶体管tbp1完全导通，使得发光单元led得以不发光。
107.根据本公开的一实施例，当第六旁通晶体管tbp6以及第七旁通晶体管tbp7作为反相器且根据栅极端g的电压而产生第三旁通节点nbp3的电压时，发光晶体管tem以及第五旁通晶体管tbp5是为不导通，因此第一旁通电容cbp1用以储存第六旁通晶体管tbp6以及第七旁通晶体管tbp7所产生的第三旁通节点nbp3的电压，并且第一旁通晶体管tbp1不会干扰到发光晶体管tem以及发光单元led之间的节点的电压。
108.根据本公开的一实施例，当第二电压v2是为扫描信号scn时，第六旁通晶体管tbp6以及第七旁通晶体管tbp7所组成的反相器仅于扫描信号scn为低逻辑位准时操作，因此数据信号dt可预先储存于第一旁路电容cbp1，进而缩短发光单元led点亮所需的等待时间。
109.根据本公开的另一实施例，当发光电路1100操作于图11b的第二状态b时，扫描信号scn是为高逻辑位准，发光信号em是为低逻辑位准，第一开关晶体管t1以及第二开关晶体管t2基于高逻辑位准的扫描信号scn是为不导通，发光晶体管tem以及第五旁通晶体管tbp5基于低逻辑位准的发光信号em是为导通。因此，第一旁通晶体管tbp1基于第一旁通电容cbp1所储存的第三旁通节点nbp3的电压，而于发光单元led旁产生旁通路径。根据本公开的一实施例，当驱动晶体管td产生最大的驱动电流id时，第一旁通晶体管tbp1是为不导通而不产生旁通路径，以减少功率损耗且提升发光单元led的亮度。根据本公开的另一实施例，当驱动晶体管td未输出驱动电流id时，第一旁通晶体管tbp1完全导通使得发光单元led得以不发光。
110.本公开实施例是提出具有旁通电路的发光电路，当发光单元越暗时，旁通电路的导通程度越高，降低漏电流造成发光单元于暗态时发光的可能性，进而降低功率损耗及/或提升发光单元的亮度。
111.虽然本公开的实施例及其优点已公开如上，但应该了解的是，任何本领域技术人员，在不脱离本公开的精神和范围内，当可作更动、替代与润饰。此外，本公开的保护范围并未局限于说明书内所述特定实施例中的制程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤，任何本领域技术人员可从本公开一些实施例的揭示内容中理解现行或未来所发展出的制程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤，只要可以在此处所述实施例中实施大抵相同功能或获得大抵相同结果皆可根据本公开一些实施例使用。因此，本公开的保护范围包括上述制程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤。另外，每一权利要求构成个别的实施例，且本公开的保护范围也包括各个权利要求及实施例的组合。