一种薄膜晶体管以及显示装置的制作方法

1.本技术涉及显示领域，具体涉及一种薄膜晶体管以及显示装置。


背景技术：

2.由于在不同的画面下模拟电源avdd的抽载电流不一样，而在模拟电源avdd电流的保护都是一样的情况下，会出现因为保护电流太小导致一些重载画面会误触发的情况，如果设置过小，一些模拟电源avdd的微小短路无法起到保护作用，可能引起烧毁器件的状况。


技术实现要素：

3.本技术的目的在于，提供一种薄膜晶体管以及显示装置，可以解决现有的薄膜晶体管在模拟电源的电流一样的情况下，集成电路的电流保护精度低，出现误侦测等技术问题。
4.为实现上述目的，本技术提供一种薄膜晶体管，薄膜晶体管在工作驱动时每一帧有一个空白区，所有画面的模拟电源的电流相同；在集中分散控制系统拉低时启动侦测，当电流值超过阈值电流时，会启动过流保护；当电流值不超过阈值电流时，则不启动过流保护。
5.进一步地，所述薄膜晶体管包括控制板；电源管理集成电路，所述电源管理集成电路包括第一输入端、第二输入端以及输出端，所述第一输入端连接至所述控制板，所述第二输入端连接至一电阻，所述输出端连接至一mos管。
6.进一步地，所述输出端连接至所述mos管的栅极，所述第二输入端连接至所述mos管的源漏极；所述电阻的一端连接至所述mos管的源漏极，其另一端接地。
7.进一步地，所述薄膜晶体管还包括：一二极管的一端连接至所述mos管的源漏极，其另一端连接至模拟电源。
8.进一步地，所述电源管理集成电路包括：一非门，其一端连接至所述输入端，其另一端连接至一与门的输入端；所述与门的另一输入端连接至一比较器，所述与门的输出端连接至一控制器；所述控制器的输出端即为所述电源管理集成电路的输出端；所述比较器的输入端即为所述第二输入端。
9.进一步地，在所述薄膜晶体管的显示区内，所述控制板给所述电源管理集成电路输入高电平信号，所述高电平信号经过所述非门后输出低电平，再经过所述与门输出低电平，所述控制器的信号正常输出，不会启动过流保护功能。
10.进一步地，在所述薄膜晶体管的空白区内，所述控制板给所述电源管理集成电路输入低电平信号，所述低电平信号经过所述非门后输出高电平，如果所述模拟电源的电流大于所述阈值电流，传感电压大于参考电压，则所述比较器输出高电平，所述与门的输出端输出高电平，启动过流保护功能，所述控制器的输出端不输出；如果所述模拟电源的电流小于所述阈值电流，传感电压小于参考电压，则所述比较器输出低电平，所述与门的输出端输出低电平，不启动过流保护功能，所述控制器的输出端正常输出。
11.进一步地，所述薄膜晶体管还包括：一电感的一端连接至所述mos管的源漏极。
12.进一步地，所述薄膜晶体管还包括：一电容的一端连接至所述二极管远离所述mos管的一端，其另一端接地。
13.为实现上述目的，本技术还提供一种显示装置，包括如前文所述的薄膜晶体管。
14.本技术的技术效果在于，在薄膜晶体管工作时，每一帧中的空白区内所有画面的电流都一样，接近于0，在集中分散控制系统prc拉低时启动侦测，当电流值超过阈值电流时，会启动过流保护，当电流值不超过阈值电流时，则不启动过流保护，提高集成电路的电流保护精度，防止出现误侦测的问题。
附图说明
15.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
16.图1是本技术实施例提供的薄膜晶体管工作时的示意图；
17.图2是本技术实施例提供的薄膜晶体管的电路图。
18.附图标记：
19.10、第一输入端；20、第二输入端；30、输出端。
具体实施方式
20.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本技术，并不用于限制本技术。在本技术中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
21.本技术实施例提供一种薄膜晶体管以及显示装置，所述显示装置包括所述薄膜晶体管，以下主要对所述薄膜晶体管进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。
22.如图1至图2所示，本技术实施例提供一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管在工作驱动时每一帧有一个空白区，所有画面的模拟电源的电流相同；在集中分散控制系统prc拉低时启动侦测，当电流值超过阈值电流时，会启动过流保护(参见图1iavdd2)；当电流值不超过阈值电流时，则不启动过流保护(参见图1iavdd1)。
23.所述薄膜晶体管包括控制板tcon、电源管理集成电路pmic、mos管、电感、电阻、二极管、电容等元件。
24.所述控制板tcon也叫逻辑板、屏驱动板、中心控制板，tcon板的作用是把数字板送来的lvds图像数据输入信号(输入信号包含rgb数据信号、时钟信号、控制信号三类信号)通过逻辑板处理后，转换成能驱动液晶屏的lvds信号，再直接送往液晶屏的lvds接收芯片。通
过处理移位寄存器存储将图像数据信号，时钟信号转换成屏能够识别的控制信号，行列信号rsds控制屏内的mosfet管工作而控制液晶分子的扭曲度。驱动液晶屏显示图像。逻辑板是一个具有软件和固有程序的组件，内置有移位寄存器(水平和垂直移位)的专用模块flash即使厂家也无法改变。
25.所述电源管理集成电路pmic(power management ic)是一种特定用途的集成电路，其功能是为主系统作管理电源等工作。pmic常用于以电池作为电源的装置，例如移动电话或便携式媒体播放器。由于这类装置一般有多于一个电源(例如电池及usb电源)，系统又需要多个不同电压的电源，加上要控制电池的充放电，以传统方式满足这样的需求会占用不少空间，同时增加产品开发时间，因此造就了pmic的出现。
26.所述电源管理集成电路pmic具有第一输入端10、第二输入端20以及输出端30，所述第一输入端10连接至所述控制板tcon，所述第二输入端20连接至一电阻r，所述输出端30连接至一mos管。
27.所述电源管理集成电路pmic包括：一非门，其一端连接至所述输入端10，其另一端连接至一与门的输入端，所述与门的另一输入端连接至一比较器，所述与门的输出端连接至一控制器，所述控制器的输出端即为所述电源管理集成电路的输出端30，所述比较器的输入端即为所述第二输入端20。
28.所述输出端30连接至所述mos管的栅极，所述第二输入端20连接至所述mos管的源漏极，所述电阻的一端连接至所述mos管的源漏极，其另一端接地。
29.二极管的一端连接至所述mos管的源漏极，其另一端连接至模拟电源avdd。
30.电感的一端连接至所述mos管的源漏极，其另一端接入12v的电压。
31.电容的一端连接至所述二极管远离所述mos管的一端，也连接至所述模拟电源avdd，其另一端接地。
32.如图2所示，本实施例所述薄膜晶体管的工作分为薄膜晶体管的正常显示区内以及空白区两个部分。
33.在所述薄膜晶体管的显示区内，所述控制板tcon给所述电源管理集成电路pmic输入一个prc信号，所述prc信号为高电平信号，所述高电平信号经过所述非门后在a处输出低电平，再经过所述与门在d处输出低电平，此时，所述控制器的信号在c处正常输出，不会启动过流保护功能。
34.在所述薄膜晶体管的空白区内，所述控制板tcon给所述电源管理集成电路pmic输入一个prc信号，所述prc信号为低电平信号，所述低电平信号经过所述非门后在a处输出高电平，如果所述模拟电源avdd的电流大于所述阈值电流，传感电压vsense大于参考电压vref，则所述比较器在b处输出高电平，所述与门的输出端在d处输出高电平，启动过流保护功能所述控制器的输出端不输出，关闭薄膜晶体管。
35.如果所述模拟电源avdd的电流小于所述阈值电流，传感电压vsense小于参考电压vref，则所述比较器在b处输出低电平，所述与门的输出端在d处输出低电平，不启动过流保护功能，所述控制器的输出端在c处正常输出，进而从所述输出端30输出。
36.本实施例所述显示装置以及薄膜晶体管的技术效果在于，在薄膜晶体管工作时，每一帧中的空白区内所有画面的电流都一样，接近于0，在集中分散控制系统prc拉低时启动侦测，当电流值超过阈值电流时，会启动过流保护，当电流值不超过阈值电流时，则不启
动过流保护，提高集成电路的电流保护精度，防止出现误侦测的问题。
37.以上对本技术实施例所提供的一种薄膜晶体管以及显示装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本技术的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本技术的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本技术的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本技术的限制。