驱动芯片、显示装置及驱动芯片的调试方法与流程

1.本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种驱动芯片、显示装置及驱动芯片的调试方法。


背景技术：

2.电磁辐射干扰(emi)是显示行业的产品整机测试中非常常见且又非常棘手的问题，当产品的系统电路受到emi干扰时，会在电源线或者信号线上产生具有一定频率、一定幅值的电磁辐射干扰波。而产品受到严重的emi干扰时可能会产生错误的信号与数据，从而导致产生错误的显示效果。当发生emi超标问题时，印刷电路板上能够调试以改善emi的位置也不多。


技术实现要素：

3.本发明实施例提供一种驱动芯片、一种显示装置及驱动芯片的调试方法，可以改善电磁辐射干扰，降低成本。
4.本发明实施例提供一种驱动芯片，包括存储模块、控制模块以及电磁辐射抑制模块。所述存储模块被配置为存储电磁辐射频率与电磁辐射抑制参数之间的映射关系；所述控制模块被配置为根据实际电磁辐射的频率和所述映射关系输出控制信号；其中，所述控制信号包括第一控制信号和第二控制信号；在所述实际电磁辐射的所述频率小于或等于第一电磁辐射阈值时，所述控制模块被配置为输出所述第一控制信号；在所述实际电磁辐射的所述频率大于第二电磁辐射阈值时，所述控制模块被配置为输出所述第二控制信号。所述电磁辐射抑制模块被配置为根据所述控制信号提供具有对应的电磁辐射抑制参数的器件以抑制所述实际电磁辐射；其中，所述电磁抑制模块包括低频抑制单元和高频抑制单元，所述低频抑制单元被配置根据所述第一控制信号抑制所述实际电磁辐射，所述高频抑制单元被配置根据所述第二控制信号抑制所述实际电磁辐射。
5.可选地，在本发明的一些实施例中，所述驱动芯片还包括数字地模块、模拟地模块及非数模地模块。所述低频抑制单元串联于所述非数模地模块与所述数字地模块之间；和/或，所述低频抑制单元串联于所述非数模地模块与所述模拟地模块之间；或，所述低频抑制单元串联于所述非数模地模块与所述驱动芯片的接地输出端口之间。所述高频抑制单元串联于所述非数模地模块与所述数字地模块之间；和/或，所述高频抑制单元串联于所述非数模地模块与所述模拟地模块之间；或，所述高频抑制单元串联于所述非数模地模块与所述驱动芯片的接地输出端口之间。
6.可选地，在本发明的一些实施例中，所述低频抑制单元和所述高频抑制单元中的一个串联于所述非数模地模块与所述接地输出端口之间。所述低频抑制单元和所述高频抑制单元中的另一个串联于所述非数模地模块与所述数字地模块之间；和/或，所述低频抑制单元和所述高频抑制单元中的另一个串联于所述非数模地模块与所述模拟地模块之间。
7.可选地，在本发明的一些实施例中，所述低频抑制单元包括多条并联的低频抑制
支路，每一所述低频抑制支路包括串联的第一开关管及第一抑制器件，所述第一抑制器件包括电阻。其中，每一所述第一开关管的控制端与所述控制模块电性连接，所述控制模块将所述第一控制信号输出至对应的所述第一开关管，多个所述低频抑制支路的所述电阻的阻值不同，所述电磁辐射抑制参数包括多个所述低频抑制支路的所述电阻的所述阻值。
8.可选地，在本发明的一些实施例中，所述高频抑制单元包括多个并联的高频抑制支路，每一所述高频抑制支路包括串联的第二开关管及第二抑制器件，所述第二抑制器件包括电容。其中，每一所述第二开关管的控制端与所述控制模块电性连接，所述控制模块将所述第二控制信号输出至对应的所述第二开关管，多个所述高频抑制支路的所述电容的电容值不同，所述电磁辐射抑制参数包括多个所述高频抑制支路的所述电容的所述电容值。
9.可选地，在本发明的一些实施例中，所述低频抑制单元还包括第三开关管，所述第三开关管与多个所述低频抑制支路并联，所述第三开关管的控制端与所述控制模块电性连接，所述第三开关管被配置为根据对应的所述第一控制信号，于所述低频抑制单元包括的多个所述低频抑制支路中的所述第一开关管均处于截至状态时导通。
10.可选地，在本发明的一些实施例中，所述高频抑制单元还包括第四开关管，所述第四开关管与多个所述高频抑制支路并联，所述第四开关管的控制端与所述控制模块电性连接，所述第四开关管被配置为根据对应的所述第二控制信号，于所述高频抑制单元包括的多个所述高频抑制支路中的所述第二开关管均处于截至状态时导通。
11.本发明还提供一种显示装置，包括显示面板及与所述显示面板电性连接的驱动模块，所述驱动模块包括任一项上述的驱动芯片。
12.本发明还提供一种驱动芯片的调试方法，所述驱动芯片包括存储模块、控制模块和电磁辐射抑制模块，所述调试方法包括：
13.在每个具有电磁辐射的环境中，控制所述控制模块依次发送多个控制信号至所述电磁辐射抑制模块，以使所述电磁辐射抑制模块依次提供多个电磁辐射抑制参数；其中，所述驱动芯片被配置为依次设置在具有不同频率的电磁辐射的环境中；
14.根据多个所述电磁辐射抑制参数对所述电磁辐射的抑制效果，从多个所述电磁辐射抑制参数中确定第一电磁辐射抑制参数；
15.存储所述第一电磁辐射抑制参数与所述电磁辐射的频率的映射关系至所述存储模块内。
16.可选地，在本发明的一些实施例中，所述控制信号包括第一控制信号和第二控制信号；其中，在所述电磁辐射的所述频率小于或等于第一电磁辐射阈值时，所述控制模块被配置为输出所述第一控制信号；在所述电磁辐射的所述频率大于第二电磁辐射阈值时，所述控制模块被配置为输出所述第二控制信号。
17.所述电磁抑制模块包括低频抑制单元和高频抑制单元；其中，所述低频抑制单元包括多个第一抑制器件，所述低频抑制单元被配置为根据所述第一控制信号以使多个所述第一抑制器件提供多个所述电磁辐射抑制参数；所述高频抑制单元包括与所述第一抑制器件的类型不同的多个第二抑制器件，所述高频抑制单元被配置为根据所述第二控制信号以使多个所述第二抑制器件提供多个电磁辐射抑制参数。
18.本发明实施例提供一种驱动芯片、一种显示装置及驱动芯片的调试方法，驱动芯片包括存储模块、控制模块以及电磁辐射抑制模块。通过使控制模块根据实际电磁辐射的
频率、存储模块存储的电磁辐射频率与电磁辐射抑制参数之间的映射关系，以在实际电磁辐射的频率小于或等于第一电磁辐射阈值时向电磁辐射抑制模块输出第一控制信号，在实际电磁辐射的频率大于第二电磁辐射阈值时向电磁辐射抑制模块输出第二控制信号，以使电磁辐射抑制模块的低频抑制单元根据第一控制信号抑制实际电磁辐射，高频抑制单元根据第二控制信号抑制实际电磁辐射。因电磁辐射抑制模块集成于驱动芯片内，因而无需在水平电路板上设置焊盘，可以降低显示装置的成本，并可以用于改善不同显示面板中的电磁辐射干扰问题，兼容性高。显示装置包括显示面板和驱动芯片。驱动芯片的调试方法是将驱动芯片依次设置在具有不同频率的电磁辐射的环境中，通过控制控制模块依次发送多个控制信号至电磁辐射抑制模块，以使电磁辐射抑制模块依次提供多个电磁辐射抑制参数，以根据多个电磁辐射抑制参数对电磁辐射的抑制效果，从多个电磁辐射抑制参数中确定第一电磁辐射抑制参数，并将第一电磁辐射抑制参数与电磁辐射的频率的映射关系存储至存储模块内，以便于调用映射关系改善电磁辐射问题。
附图说明
19.为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
20.图1是现有技术中的驱动芯片的结构示意图；
21.图2a～图2h是本发明实施例提供的驱动芯片的结构示意图；
22.图3a～图3b是本发明实施例提供的仿真结果示意图；
23.图4是本发明实施例提供的显示装置的结构示意图；
24.图5是本发明实施例提供的驱动芯片调试方法的流程图。
具体实施方式
25.下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明，并不用于限制本发明。在本发明中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
26.具体地，图2a～图2h是本发明实施例提供的驱动芯片dic的结构示意图。本发明实施例提供一种驱动芯片dic，包括存储模块、控制模块cu以及电磁辐射抑制模块。
27.所述存储模块被配置为存储电磁辐射频率与电磁辐射抑制参数之间的映射关系。可选地，所述存储模块包括非易失性存储器。可选地，所述存储模块可被集成于所述控制模块cu上。
28.所述控制模块cu被配置为根据实际电磁辐射的频率和所述映射关系输出控制信号。可选地，所述控制模块cu包括逻辑器。可选地，所述逻辑器包括可编程逻辑门阵列等。
29.所述电磁辐射抑制模块被配置为根据所述控制信号提供具有对应的电磁辐射抑制参数的器件以抑制所述实际电磁辐射。
30.由于所述电磁辐射抑制模块集成于所述驱动芯片dic内，因而无需在水平电路板xb上设置焊盘，可以降低显示装置的成本，并可以用于改善不同显示面板中的电磁辐射干扰问题，兼容性高。
31.可选地，所述控制模块cu可根据所述实际电磁辐射的所述频率输出不同类型的控制信号，从而使所述电磁抑制模块中不同的抑制单元对应根据不同的控制信号实现对不同频率的电磁辐射问题的改善。
32.可选地，所述控制信号包括第一控制信号和第二控制信号。其中，在所述实际电磁辐射的所述频率小于或等于第一电磁辐射阈值时，所述控制模块cu被配置为输出所述第一控制信号；在所述实际电磁辐射的所述频率大于第二电磁辐射阈值时，所述控制模块cu被配置为输出所述第二控制信号。
33.可选地，所述第一电磁辐射阈值和所述第二电磁辐射阈值相等或不等。
34.可选地，所述第一电磁辐射阈值和/或所述第二电磁辐射阈值等于100mhz。
35.所述电磁抑制模块包括低频抑制单元100和高频抑制单元200。其中，所述低频抑制单元100被配置根据所述第一控制信号抑制所述实际电磁辐射，所述高频抑制单元200被配置根据所述第二控制信号抑制所述实际电磁辐射。
36.可选地，所述控制信号还包括第三控制信号，在所述实际电磁辐射的所述频率小于或等于第三电磁辐射阈值时，所述控制模块被配置为输出所述第三控制信号，所述电磁抑制模块还包括中频抑制单元，所述中频抑制单元被配置根据所述第三控制信号抑制所述实际电磁辐射。可选地，所述第三电磁辐射阈值介于所述第一电磁辐射阈值和所述第二电磁辐射阈值之间。
37.可选地，请继续参阅图2a～图2h，所述驱动芯片dic还包括数字地模块dgnd、模拟地模块agnd及非数模地模块gnd。
38.所述低频抑制单元100串联于所述非数模地模块gnd与所述数字地模块dgnd之间；和/或，所述低频抑制单元100串联于所述非数模地模块gnd与所述模拟地模块agnd之间；或，所述低频抑制单元100串联于所述非数模地模块gnd与所述驱动芯片dic的接地输出端口之间。
39.所述高频抑制单元200串联于所述非数模地模块gnd与所述数字地模块dgnd之间；和/或，所述高频抑制单元200串联于所述非数模地模块gnd与所述模拟地模块agnd之间；或，所述高频抑制单元200串联于所述非数模地模块gnd与所述驱动芯片dic的接地输出端口之间。
40.可选地，所述低频抑制单元100可与所述高频抑制单元200并联设置在所述非数模地模块gnd与所述数字地模块dgnd之间；和/或，所述低频抑制单元100可与所述高频抑制单元200并联设置在所述非数模地模块gnd与所述模拟地模块agnd之间；或，所述低频抑制单元100可与所述高频抑制单元200并联设置在所述非数模地模块gnd与所述驱动芯片dic的接地输出端口之间。
41.可选地，为节省布局空间，所述低频抑制单元100和所述高频抑制单元200中的一个串联于所述非数模地模块gnd与所述驱动芯片dic的接地输出端口之间；所述低频抑制单
元100和所述高频抑制单元200中的另一个串联于所述非数模地模块gnd与所述数字地模块dgnd之间；和/或，所述低频抑制单元100和所述高频抑制单元200中的另一个串联于所述非数模地模块gnd与所述模拟地模块agnd之间。。
42.可选地，所述接地输出端口与水平电路板xb电性连接。
43.可选地，所述低频抑制单元100包括多个第一抑制器件；所述高频抑制单元200包括多个第二抑制器件。其中，所述第一抑制器件与所述第二抑制器件的类型不同。
44.可选地，所述低频抑制单元100包括多条并联的低频抑制支路，每一所述低频抑制支路包括串联的第一开关管及所述第一抑制器件，所述第一抑制器件包括电阻。其中，每一所述第一开关管的控制端与所述控制模块cu电性连接，所述控制模块cu将所述第一控制信号输出至对应的所述第一开关管，每一所述第一开关管的输入端和输出端串联于所述数字地模块dgnd、所述模拟地模块agnd及所述非数模地模块gnd中的一个与对应的所述电阻之间。多个所述低频抑制支路的所述电阻的阻值不同，所述电磁辐射抑制参数包括多个所述低频抑制支路的所述电阻的所述阻值。
45.可选地，多个所述低频抑制支路的所述电阻的所述阻值可大于或等于10ω，且小于或等于1kω。
46.如图2c～图2h，多条并联的低频抑制支路包括第一低频抑制支路、第二低频抑制支路、第三低频抑制支路、
……
、第n低频抑制支路；其中，第一低频抑制支路包括第一开关管t11和第一电阻r1，第一电阻r1对应的阻值为r1；第二低频抑制支路包括第一开关管t12和第二电阻r2，第二电阻r2对应的阻值为r2；第三低频抑制支路包括第一开关管t13和第三电阻r3，第三电阻r3对应的阻值为r3；
……
；第n低频抑制支路包括第一开关管t1n和第n电阻rn，第n电阻rn对应的阻值为rn。那么，r1≠r2≠r3≠
……
≠rn。所述电磁辐射抑制参数包括r1、r2、r3、
……
、rn。其中，n为正整数。
47.在所述实际电磁辐射的所述频率小于或等于所述第一电磁辐射阈值时，所述控制模块cu根据所述实际电磁辐射的所述频率于所述存储模块存储的所述映射关系中查找与所述实际电磁辐射的所述频率对应的电磁辐射抑制参数，并根据所述电磁辐射抑制参数输出对应的第一控制信号，以控制对应的低频抑制支路改善所述实际电磁辐射。如当所述实际电磁辐射的所述频率为70mhz时，所述存储模块存储的所述映射关系中，用于对应改善所述实际电磁辐射的所述频率为70mhz时的电磁辐射的所述电磁辐射抑制参数为r2，那么，所述控制模块cu输出控制第二低频抑制支路中的第一开关管t12导通的第一控制信号，以利用第二电阻r2对应的阻值r2改善频率为70mhz的所述实际电磁辐射。通过多个所述低频抑制支路中所包括的电阻，以消耗低频段所述电磁辐射的能量。
48.可选地，所述高频抑制单元200包括多个并联的高频抑制支路，每一所述高频抑制支路包括串联的第二开关管及所述第二抑制器件，所述第二抑制器件包括电容。其中，每一所述第二开关管的控制端与所述控制模块cu电性连接，所述控制模块cu将所述第二控制信号输出至对应的所述第二开关管，每一所述第二开关管的输入端和输出端串联于所述数字地模块dgnd、所述模拟地模块agnd及所述非数模地模块gnd中的一个与对应的所述电容之间。多个所述高频抑制支路的所述电容的电容值不同，所述电磁辐射抑制参数包括多个所述高频抑制支路的所述电容的所述电容值。
49.如图2c～图2h，多条并联的高频抑制支路包括第一高频抑制支路、第二高频抑制
支路、第三高频抑制支路、
……
、第n高频抑制支路；其中，第一高频抑制支路包括第二开关管t21和第一电容c1，第一电容c1对应的电容值为c1；第二高频抑制支路包括第二开关管t22和第二电容c2，第二电容c2对应的电容值为c2；第三高频抑制支路包括第二开关管t23和第三电容c3，第三电容c3对应的电容值为c3；
……
；第n高频抑制支路包括第二开关管t2n和第n电容cn，第n电容cn对应的电容值为cn；。那么，c1≠c2≠c3≠
……
≠cn。所述电磁辐射抑制参数包括c1、c2、c3、
……
、cn。其中，n为正整数。
50.在所述实际电磁辐射的所述频率大于所述第二电磁辐射阈值时，所述控制模块cu根据所述实际电磁辐射的所述频率于所述存储模块存储的所述映射关系中查找与所述实际电磁辐射的所述频率对应的电磁辐射抑制参数，并根据所述电磁辐射抑制参数输出对应的第二控制信号，以控制对应的高频抑制支路改善所述实际电磁辐射。如当所述实际电磁辐射的所述频率为160mhz时，所述存储模块存储的所述映射关系中，用于对应改善所述实际电磁辐射的所述频率为160mhz时的电磁辐射的所述电磁辐射抑制参数为c3，那么，所述控制模块cu输出控制第三高频抑制支路中的第二开关管t23导通的第二控制信号，以利用第三电容c3对应的电容值c3改善频率为160mhz的所述实际电磁辐射。通过多个所述低频抑制支路中所包括的电容，以过滤干扰信号。
51.相较于如图1所示的现有技术中的驱动芯片dic的结构示意图(在所述数字地模块dgnd、所述模拟地模块agnd及所述非数模地模块gnd之间未设置所述电磁辐射抑制模块)，本技术在所述数字地模块dgnd、所述模拟地模块agnd及所述非数模地模块gnd之间设有所述电磁辐射抑制模块，且通过所述控制模块cu控制选择的所述电阻及所述电容的大小，使所述数字地模块dgnd、所述模拟地模块agnd及所述非数模地模块gnd之间具有电阻匹配给所述电磁辐射泄放路径提供抑制环路电流及削弱干扰信号，通过所述电容过滤干扰信号。由于所述低频抑制单元100和所述高频抑制单元200被集成在所述驱动芯片dic内部，因而也降低了水平电路板xb的元件成本，同时，由于对所述驱动芯片dic的尺寸不会有影响，所以也不会影响所述驱动芯片dic的制备成本。
52.可选地，为在所述电磁辐射抑制模块不工作时，仍可实现所述数字地模块dgnd、所述模拟地模块agnd及所述非数模地模块gnd之间的连通，所述低频抑制单元100还包括第三开关管t3，所述第三开关管t3与多个所述低频抑制支路并联，所述第三开关管t3的控制端与所述控制模块cu电性连接，所述第三开关管t3被配置为根据对应的所述第一控制信号，于所述低频抑制单元100包括的多个所述低频抑制支路中的所述第一开关管均处于截至状态时导通。
53.可选地，所述第三开关管t3的输入端和输出端串联于所述非数模地模块gnd与所述数字地模块dgnd之间；和/或，所述第三开关管t3的输入端和输出端串联于所述非数模地模块gnd与所述模拟地模块agnd之间；或，所述第三开关管t3的输入端和输出端串联于所述非数模地模块gnd与所述接地输出端口之间。
54.可选地，为在所述电磁辐射抑制模块不工作时，仍可实现所述数字地模块dgnd、所述模拟地模块agnd及所述非数模地模块gnd之间的连通，所述高频抑制单元200还包括第四开关管t4，所述第四开关管t4与多个所述高频抑制支路并联，所述第四开关管t4的控制端与所述控制模块cu电性连接，所述第四开关管t4被配置为根据对应的所述第二控制信号，于所述高频抑制单元200包括的多个所述高频抑制支路中的所述第二开关管均处于截至状
态时导通。
55.可选地，所述第四开关管t4的输入端和输出端串联于所述非数模地模块gnd与所述数字地模块dgnd之间；和/或，所述第四开关管t4的输入端和输出端串联于所述非数模地模块gnd与所述模拟地模块agnd之间；或，所述第四开关管t4的输入端和输出端串联于所述非数模地模块gnd与所述接地输出端口之间。
56.如图3a～图3b是本发明实施例提供的仿真结果示意图，本技术发明人对频率为70mhz、160mhz的实际电磁辐射进行仿真实验证明，改善后的电磁辐射的辐射值大于6db，符合设计规格。
57.图4是本发明实施例提供的显示装置的结构示意图。本发明还提供一种显示装置，包括显示面板300及与所述显示面板300电性连接的驱动模块400，所述驱动模块400包括任一项上述的驱动芯片dic。
58.可选地，所述显示装置包括可移动显示装置(如笔记本电脑、手机等)、固定终端(如台式电脑、电视等)、测量装置(如运动手环、测温仪等)等。
59.如图5是本发明实施例提供的驱动芯片dic调试方法的流程图。
60.本发明还提供一种驱动芯片的调试方法，所述驱动芯片包括存储模块、控制模块和电磁辐射抑制模块，所述调试方法包括：
61.在每个具有电磁辐射的环境中，控制所述控制模块依次发送多个控制信号至所述电磁辐射抑制模块，以使所述电磁辐射抑制模块依次提供多个电磁辐射抑制参数；其中，所述驱动芯片被配置为依次设置在具有不同频率的电磁辐射的环境中。
62.根据多个所述电磁辐射抑制参数对所述电磁辐射的抑制效果，从多个所述电磁辐射抑制参数中确定第一电磁辐射抑制参数。
63.存储所述第一电磁辐射抑制参数与所述电磁辐射的频率的映射关系至所述存储模块内。
64.可选地，所述驱动芯片可被设置在低频电磁辐射(如频率低于或等于100mhz)的环境中，也可被设置在高频电磁辐射(如频率高于100mhz)的环境中。
65.可选地，可根据多个所述电磁辐射抑制参数对所述电磁辐射的抑制效果，从多个所述电磁辐射抑制参数中选择对所述电磁辐射抑制效果最优的电磁辐射抑制参数作为所述第一电磁辐射抑制参数。
66.可选地，所述控制信号包括第一控制信号和第二控制信号。
67.在所述电磁辐射的所述频率小于或等于第一电磁辐射阈值时，所述控制模块被配置为输出所述第一控制信号；在所述电磁辐射的所述频率大于第二电磁辐射阈值时，所述控制模块被配置为输出所述第二控制信号。
68.可选地，所述第一电磁辐射阈值和所述第二电磁辐射阈值相等或不等。可选地，所述第一电磁辐射阈值和/或所述第二电磁辐射阈值等于100mhz。
69.可选地，所述电磁抑制模块包括低频抑制单元和高频抑制单元。
70.可选地，所述低频抑制单元串联于非数模地模块与数字地模块之间；和/或，所述低频抑制单元串联于所述非数模地模块与模拟地模块之间；或，所述低频抑制单元串联于所述非数模地模块与所述驱动芯片的接地输出端口之间。
71.所述高频抑制单元串联于所述非数模地模块与所述数字地模块之间；和/或，所述
高频抑制单元串联于所述非数模地模块与所述模拟地模块之间；或，所述高频抑制单元串联于所述非数模地模块与所述驱动芯片的接地输出端口之间。
72.可选地，所述低频抑制单元和所述高频抑制单元中的一个串联于所述非数模地模块与所述驱动芯片的接地输出端口之间，所述低频抑制单元和所述高频抑制单元中的另一个串联于所述驱动芯片的非数模地模块与所述数字地模块之间，和/或，所述低频抑制单元和所述高频抑制单元中的另一个串联于所述驱动芯片的非数模地模块与所述模拟地模块之间。
73.可选地，所述低频抑制单元包括多个第一抑制器件，所述低频抑制单元被配置为根据所述第一控制信号以使多个所述第一抑制器件提供多个所述电磁辐射抑制参数。
74.可选地，所述第一抑制器件包括电阻，多个所述电阻的阻值不同。
75.可选地，所述低频抑制单元包括多个第一开关管，每一所述第一开关管的输入端和输出端与一所述电阻串联，每一所述第一开关管的控制端与所述控制模块电性连接。
76.在所述驱动芯片被依次设置在频率小于或等于所述第一电磁辐射阈值的电磁辐射的环境中时，可以通过所述控制模块控制多个所述第一抑制器件所对应的多个所述第一开关管，以选择对应的所述第一抑制器件，从而依次试验所述电磁辐射改善情况，继而根据不同的改善情况，从多个所述电磁辐射抑制参数中确定所述第一电磁辐射抑制参数，并将所述第一电磁辐射抑制参数与所述电磁辐射的所述频率的所述映射关系存储至所述存储模块内。
77.可选地，所述高频抑制单元包括与所述第一抑制器件的类型不同的多个第二抑制器件，所述高频抑制单元被配置为根据所述第二控制信号以使多个所述第二抑制器件提供多个电磁辐射抑制参数。
78.可选地，所述第二抑制器件包括电容，多个所述电容的电容值不同。
79.可选地，所述高频抑制单元包括多个第二开关管，每一所述第二开关管的输入端和输出端与一所述电容串联，每一所述第二开关管的控制端与所述控制模块电性连接。
80.在所述驱动芯片被依次设置在频率大于所述第二电磁辐射阈值的电磁辐射的环境中时，可以通过所述控制模块控制多个所述第二抑制器件所对应的多个所述第二开关管，以选择对应的所述第二抑制器件，从而依次试验所述电磁辐射改善情况，继而根据不同的改善情况，从多个所述电磁辐射抑制参数中确定所述第一电磁辐射抑制参数，并将所述第一电磁辐射抑制参数与所述电磁辐射的所述频率的所述映射关系存储至所述存储模块内。
81.可以理解的，对所述低频抑制单元和所述高频抑制单元的调试过程可以同时进行，也可以单独进行。
82.本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。