显示装置、电子设备及半导体装置的制造方法与流程

本发明的一个方式涉及一种显示装置、电子设备及半导体装置的制造方法。本发明的一个方式不局限于上述。本说明书等所公开的发明的涉及一种物体、驱动方法或制造方法。此外，本发明的一个方式涉及一种工序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或者组合物(composition of matter)。因此，具体而言，作为本说明书所公开的本发明的一个方式的的例子可以举出半导体装置、显示装置、液晶显示装置、发光装置、蓄电装置、摄像装置、存储装置、信号处理装置、处理器、电子设备、系统、它们的驱动方法、它们的制造方法或它们的检查方法。

背景技术：

1、可应用于vr(virtual reality：虚拟现实)、ar(augmented reality：增强现实)等xr(cross reality(交叉现实)或extended reality(扩展现实))的显示装置被要求。具体而言，例如，为了提高现实感及沉浸感，该显示装置被要求清晰度高且颜色再现性高等。

2、作为上述显示装置，例如可以应用液晶显示装置、具备有机el(electroluminescence：电致发光)、发光二极管(led：light emitting diode)等发光器件的发光装置等。此外，专利文献1公开了具备包含有机el的发光器件的高像素数、高清晰度显示装置。

3、[先行技术文献]

4、[专利文献]

5、[专利文献1]国际专利申请公开第2019/220278号

技术实现思路

1、发明所要解决的技术问题

2、如上所述，作为用于xr的设备，显示质量高的显示装置被需求。此外，用于xr的显示装置例如需要被安装在眼镜型外壳、护目型外壳中，从而优选减小显示装置的尺寸。具体而言，例如，作为用于vr的设备，显示装置的尺寸(对角长度)优选为1英寸以上且2英寸以下。此外，例如，作为用于ar的设备，显示装置的尺寸优选为3英寸以下，更优选为2英寸以下，进一步优选为1.5英寸以下。

3、另一方面，作为用于xr的设备所具有的显示装置，为了增强真实感及沉浸感，需要提高分辨率。在此情况下，例如，通过在规定尺寸中进行如减小像素间、布线间的间距宽度或者减小像素尺寸等设计，可以增加该尺寸内的像素个数。但是，在显示装置内的像素个数增多的情况下，每帧的数据量增多，由此驱动显示装置的驱动电路(源极驱动电路、栅极驱动电路等)被要求高速工作。

4、另外，当提高显示装置的分辨率时，因为显示装置中的像素数增加，所以驱动显示装置的驱动电路的规模变大。由此，优选缩小用于xr的设备的显示装置中的驱动电路的电路面积。作为缩小驱动电路的电路面积的方法，例如可以举出缩小晶体管等电路元件的尺寸等。然而，当缩小电路元件的尺寸时，该电路元件的特性有可能产生不均匀，这有可能导致驱动电路不能正常工作(在驱动电路中产生工作故障)。

5、本发明的一个方式的目的之一是提供一种驱动电路具有冗余性的显示装置。此外，本发明的一个方式的目的之一是提供一种成品率高的显示装置。此外，本发明的一个方式的目的之一是提供一种显示质量高的显示装置。此外，本发明的一个方式的目的之一是提供一种新颖的显示装置。此外，本发明的一个方式的目的之一是提供一种具有上述任意显示装置的电子设备。此外，本发明的一个方式的目的之一是提供一种使驱动电路具有冗余性的半导体装置的制造方法。此外，本发明的一个方式的目的之一是提供一种新颖的半导体装置的制造方法。

6、注意，本发明的一个方式的目的不局限于上述目的。上述目的并不妨碍其他目的的存在。其他目的是指将在后面描述的上述目的以外的目的。本领域技术人员可以从说明书或附图等的记载中导出并适当抽出上述目的以外的目的。本发明的一个方式实现上述目的及其他目的中的至少一个目的。此外，本发明的一个方式不一定需要实现所有的上述目的及其他目的。

7、解决技术问题的手段

8、(1)

9、本发明的一个方式是一种包括第一层以及位于所述第一层上方的第二层的显示装置。第一层包括第一驱动电路以及第二驱动电路，第二层具有第一像素区域以及第二像素区域。另外，第一像素区域包括第一像素电路，第二像素区域包括第二像素电路。另外，第一像素区域具有与第一电路重叠的区域，第二像素区域具有与第二电路重叠的区域。第一像素电路通过第一布线与第一驱动电路电连接，第二像素电路通过第二布线与第二驱动电路电连接，第一布线通过开关与第二布线电连接。第一驱动电路具有在开关处于关闭状态时向第一像素电路传送图像数据的功能以及在开关处于开启状态时向第二像素电路传送图像数据的功能。另外，第二驱动电路具有在开关处于关闭状态时向第二像素电路传送图像数据的功能以及在开关处于开启状态时向第一像素电路传送图像数据的功能。

10、(2)

11、此外，在具有上述(1)的结构的本发明的一个方式中，开关也可以包括在第一层或第二层中。

12、(3)

13、此外，在具有上述(1)或(2)的结构的本发明的一个方式中，第一层也可以包括第一衬底，第二层也可以包括第二衬底。此外，优选的是，第一衬底及第二衬底都是以硅为材料的半导体衬底。此外，优选的是，第一驱动电路及第二驱动电路各自中的晶体管的沟道形成区域包含第一衬底中的硅，第一像素区域及第二像素区域各自中的晶体管的沟道形成区域包含第二衬底中的硅。

14、(4)

15、此外，在具有上述(1)或(2)的结构的本发明的一个方式中，第一层也可以包括第一衬底。此外，优选的是，第一衬底是以硅为材料的半导体衬底。此外，优选的是，第一驱动电路及第二驱动电路各自中的晶体管是形成在第一衬底上的晶体管，第一像素区域及第二像素区域各自中的晶体管都是在沟道形成区域中包含金属氧化物的晶体管。

16、(5)

17、此外，本发明的一个方式是一种电子设备，包括上述(1)至(4)中任一所示的显示装置、以及外壳。

18、(6)

19、此外，本发明的一个方式是一种包括第二衬底的半导体装置的制造方法。在半导体装置中，第二衬底是以硅为材料的半导体衬底。半导体装置的制造方法包括第一步骤至第七步骤。第一步骤包括在第二衬底上形成分离层的步骤。第二步骤包括在第二衬底的形成有分离层的区域以外的部分中形成阱的步骤。第三步骤包括在第二衬底的形成有阱的区域上的一部分上形成第一绝缘体的步骤。第四步骤包括在第二衬底的形成有分离层及第一绝缘体的区域以外的部分中形成第一低电阻区域以及第二低电阻区域的步骤。第五步骤包括如下步骤：在第一衬底中的第一驱动电路和第二驱动电路中的一个产生工作故障时进到第六步骤，在第一衬底中的第一驱动电路和第二驱动电路都不产生工作故障时进到第七步骤。第六步骤包括去除第一绝缘体的步骤以及在第二衬底的第一绝缘体的形成区域中形成第三低电阻区域的步骤。第七步骤包括在第二衬底上形成第二绝缘体的步骤以及在第二绝缘体的与分离层、第一低电阻区域及第二低电阻区域重叠的区域中设置开口部且在开口部中形成导电体的步骤。

20、在本说明书等中，半导体装置是指利用半导体特性的装置以及包括半导体元件(晶体管、二极管、光电二极管等)的电路及包括该电路的装置等。此外，半导体装置是指能够利用半导体特性而发挥作用的所有装置。例如，作为半导体装置的例子，有集成电路、具备集成电路的芯片、封装中容纳有芯片的电子构件。此外，有时存储装置、显示装置、发光装置、照明装置以及电子设备等本身是半导体装置，或者包括半导体装置。

21、此外，在本说明书等中，当记载为“x与y连接”时，表示在本说明书等中公开了如下情况：x与y电连接的情况；x与y在功能上连接的情况；以及x与y直接连接的情况。因此，不局限于附图或文中所示的连接关系，例如其他的连接关系也在附图或文中所记载的范围内记载。x和y都是对象物(例如，装置、元件、电路、布线、电极、端子、导电膜、层等)。

22、作为x和y电连接的情况的一个例子，可以在x和y之间连接一个以上的能够电连接x和y的元件(例如开关、晶体管、电容器、电感器、电阻器、二极管、显示器件、发光器件、负载等)。此外，开关具有控制开启或关闭的功能。换言之，通过使开关处于导通状态(开启状态)或非导通状态(关闭状态)来控制是否使电流流过。

23、作为x与y在功能上连接的情况的一个例子，例如可以在x与y之间连接有一个以上的能够在功能上连接x与y的电路(例如，逻辑电路(反相器、nand电路、nor电路等)、信号转换电路(数字模拟转换电路、模拟数字转换电路、伽马校正电路等)、电位电平转换电路(电源电路(升压电路、降压电路等)、改变信号的电位电平的电平转移电路等)、电压源、电流源、切换电路、放大电路(能够增大信号振幅或电流量等的电路、运算放大器、差分放大电路、源极跟随电路、缓冲电路等)、信号产生电路、存储电路、控制电路等)。注意，例如，即使在x与y之间夹有其他电路，当从x输出的信号传送到y时，就可以说x与y在功能上是连接着的。

24、此外，当明确地记载为“x与y电连接”时，包括如下情况：x与y电连接的情况(换言之，以中间夹有其他元件或其他电路的方式连接x与y的情况)；以及x与y直接连接的情况(换言之，以中间不夹有其他元件或其他电路的方式连接x与y的情况)。

25、另外，在本说明书中，采用布线(供应恒定电位的布线或发送信号的布线)与多个元件电连接的电路结构。例如，在本说明书中，有时将x与布线直接电连接且y与该布线直接电连接的情况记为“x与y直接电连接”。

26、例如，可以表现为“x、y、晶体管的源极(或第一端子等)与晶体管的漏极(或第二端子等)互相电连接，x、晶体管的源极(或第一端子等)、晶体管的漏极(或第二端子等)与y依次电连接”。或者，可以表现为“晶体管的源极(或第一端子等)与x电连接，晶体管的漏极(或第二端子等)与y电连接，x、晶体管的源极(或第一端子等)、晶体管的漏极(或第二端子等)与y依次电连接”。或者，可以表达为“x通过晶体管的源极(或第一端子等)及晶体管的漏极(或第二端子等)与y电连接，x、晶体管的源极(或第一端子等)、晶体管的漏极(或第二端子等)、y依次设置”。通过使用与这种例子相同的表达方法规定电路结构中的连接顺序，可以区分晶体管的源极(或第一端子等)与漏极(或第二端子等)而决定技术范围。注意，这种表达方法是一个例子，不局限于上述表达方法。在此，x和y为对象物(例如，装置、元件、电路、布线、电极、端子、导电膜、层等)。

27、此外，即使在电路图上独立的构成要素彼此电连接，也有时一个构成要素兼有多个构成要素的功能。例如，在布线的一部分用作电极时，一个导电膜兼有布线和电极的两个构成要素的功能。因此，本说明书中的“电连接”的范畴内还包括这种一个导电膜兼有多个构成要素的功能的情况。

28、在本说明书等中，“电阻元件”例如包括具有高于0ω的电阻值的电路元件、具有高于0ω的电阻值的布线等。因此，在本说明书等中，“电阻元件”包括具有电阻值的布线、电流流过源极和漏极之间的晶体管、二极管、线圈等。因此，“电阻元件”也可以称为“电阻”、“负载”、“具有电阻值的区域”等，与此相反，“电阻”、“负载”、“具有电阻值的区域”也可以称为“电阻元件”等。作为电阻值，例如优选为1mω以上且10ω以下，更优选为5mω以上且5ω以下，进一步优选为10mω以上且1ω以下。此外，例如也可以为1ω以上且1×109ω以下。

29、在本说明书等中，“电容器”例如包括具有高于0f的静电电容值的电路元件、具有高于0f的静电电容值的布线的区域、寄生电容、晶体管的栅极电容等。此外，“电容器”、“寄生电容”、“栅极电容”等也可以称为“电容”等，与此相反，“电容”也可以称为“电容器”、“寄生电容”、“栅极电容”等。此外，“电容”的“一对电极”也可以称为“一对导电体”、“一对导电区域”、“一对区域”等。静电电容值例如可以为0.05ff以上且10pf以下。此外，例如，也可以为1pf以上且10μf以下。

30、在本说明书等中，晶体管包括栅极、源极以及漏极这三个端子。栅极用作控制晶体管的导通状态的控制端子。用作源极或漏极的两个端子是晶体管的输入输出端子。根据晶体管的导电型(n沟道型、p沟道型)及对晶体管的三个端子施加的电位的高低，两个输入输出端子中的一方用作源极而另一方用作漏极。因此，在本说明书等中，源极和漏极可以相互调换。在本说明书等中，在说明晶体管的连接关系时，使用“源极和漏极中的一个”(第一电极或第一端子)、“源极和漏极中的另一个”(第二电极或第二端子)的表述。此外，根据晶体管的结构，有时除了上述三个端子以外还包括背栅极。在此情况下，在本说明书等中，有时将晶体管的栅极和背栅极中的一个称为第一栅极，将晶体管的栅极和背栅极的另一个称为第二栅极。并且，在相同晶体管中，有时可以将“栅极”与“背栅极”相互调换。此外，在晶体管包括三个以上的栅极时，在本说明书等中，有时将各栅极称为第一栅极、第二栅极、第三栅极等。

31、例如在本说明书等中，作为晶体管的一个例子可以采用具有两个以上的栅电极的多栅结构晶体管。当采用多栅结构时，由于将沟道形成区域串联连接，所以成为多个晶体管串联连接的结构。因此，通过采用多栅结构，可以降低关态电流(off-state current)，且提高晶体管的耐压性(提高可靠性)。或者，通过利用多栅结构，当晶体管在饱和区域工作时，即便漏极-源极间的电压发生变化，漏极-源极间电流的变化也不太大，从而可以得到倾斜角平坦的电压-电流特性。当利用倾斜角平坦的电压-电流特性时，可以实现理想的电流源电路或电阻值极高的有源负载。其结果是，可以实现特性良好的差动电路或电流反射镜电路等。

32、此外，电路图示出一个电路元件的情况有时包括该电路元件具有多个电路元件的情况。例如，电路图示出一个电阻器的情况包括两个以上的电阻器串联连接的情况。此外，例如，电路图示出一个电容器的情况包括两个以上的电容器并联连接的情况。此外，例如，电路图示出一个晶体管的情况包括两个以上的晶体管串联连接且各晶体管的栅极彼此电连接的情况。同样，例如，电路图示出一个开关的情况包括该开关具有两个以上的晶体管，两个以上的晶体管串联电连接或者并联电连接并且各晶体管的栅极彼此电连接的情况。

33、此外，在本说明书等中，节点也可以根据电路结构、器件结构等称为端子、布线、电极、导电层、导电体或杂质区域等。此外，端子、布线等也可以称为节点。

34、此外，在本说明书等中，可以适当地调换“电压”和“电位”。“电压”是指与基准电位之间的电位差，例如在基准电位为地电位(接地电位)时，也可以将“电压”称为“电位”。接地电位不一定意味着0v。此外，电位是相对性的，根据基准电位的变化而供应到布线的电位、施加到电路等的电位、从电路等输出的电位等也产生变化。

35、此外，在本说明书等中，“高电平电位”、“低电平电位”不意味着特定的电位。例如，在两个布线都被记为“用作供应高电平电位的布线”的情况下，两个布线所供应的高电平电位也可以互不相同。同样，在两个布线都被记为“用作供应低电平电位的布线”的情况下，两个布线所供应的低电平电位也可以互不相同。

36、“电流”是指电荷的移动现象(导电)，例如，“发生正带电体的导电”的记载可以替换为“在与其相反方向上发生负带电体的导电”的记载。因此，在本说明书等中，在没有特别的说明的情况下，“电流”是指载流子移动时的电荷的移动现象(导电)。在此，作为载流子可以举出电子、空穴、阴离子、阳离子、络离子等，载流子根据电流流过的系统(例如，半导体、金属、电解液、真空中等)不同。此外，布线等中的“电流的方向”是带正电的载流子移动的方向，以正电流量记载。换言之，带负电的载流子移动的方向与电流方向相反，以负电流量记载。因此，在本说明书等中，在没有特别的说明的情况下，关于电流的正负(或电流的方向)，“电流从元件a向元件b流过”等记载可以替换为“电流从元件b向元件a流过”等记载。此外，“对元件a输入电流”等记载可以替换为“从元件a输出电流”等记载。

37、此外，在本说明书等中，“第一”、“第二”、“第三”等序数词是为了避免构成要素的混淆而附加上的。因此，该序数词不限制构成要素的个数。此外，该序数词不限制构成要素的顺序。此外，例如，本说明书等的实施方式之一中附有“第一”的构成要素有可能在其他的实施方式或权利要求书中附有“第二”的构成要素。此外，例如，在本说明书等中，一个实施方式中的“第一”所指的构成要素有可能在其他实施方式或权利要求书中被省略。

38、在本说明书中，为了方便起见，有时使用“上”、“下”等表示配置的词句以参照附图说明构成要素的位置关系。此外，构成要素的位置关系根据描述各构成要素的方向适当地改变。因此，不局限于说明书等中所说明的词句，根据情况可以适当地换词句。例如，在“位于导电体的顶面的绝缘体”的表述中，通过将所示的附图的方向旋转180度，也可以称为“位于导电体的下面的绝缘体”。

39、此外，“上”或“下”这样的术语不局限于构成要素的位置关系为“正上”或“正下”且直接接触的情况。例如，如果是“绝缘层a上的电极b”的表述，则不一定必须在绝缘层a上直接接触地形成有电极b，也可以包括在绝缘层a与电极b之间包括其他构成要素的情况。

40、在本说明书中有时使用“行”、“列”等词句以说明配置为矩阵状的构成要素及其位置关系。此外，构成要素的位置关系根据描述各构成要素的方向适当地改变。因此，不局限于说明书等中所说明的词句，根据情况可以适当地换词句。例如，在“行方向”的表述中，通过将所示的附图的方向旋转90度，也可以称为“列方向”。

41、此外，在本说明书等中，根据状况，可以互相调换“膜”和“层”等词句。例如，有时可以将“导电层”调换为“导电膜”。此外，有时可以将“绝缘膜”变换为“绝缘层”。此外，根据情况或状态，可以使用其他词句代替“膜”和“层”等词句。例如，有时可以将“导电层”或“导电膜”变换为“导电体”。此外，例如有时可以将“绝缘层”或“绝缘膜”变换为“绝缘体”。

42、注意，在本说明书等中，“电极”、“布线”、“端子”等的词句不在功能上限定其构成要素。例如，有时将“电极”用作“布线”的一部分，反之亦然。再者，“电极”或“布线”的词句还包括多个“电极”和“布线”中的至少一个被形成为一体的情况等。此外，例如，有时将“端子”用作“布线”、“电极”等的一部分，反之亦然。再者，“端子”的词句包括多个“电极”、“布线”、“端子”等被形成为一体的情况等。因此，例如，“电极”可以为“布线”或“端子”的一部分，例如，“端子”可以为“布线”或“电极”的一部分。此外，“电极”、“布线”、“端子”等的词句有时置换为“区域”等的词句。

43、在本说明书等中，根据情况或状态，可以互相调换“布线”、“信号线”及“电源线”等词句。例如，有时可以将“布线”变换为“信号线”。此外，例如有时可以将“布线”变换为“电源线”。反之亦然，有时可以将“信号线”或“电源线”变换为“布线”。有时可以将“电源线”变换为“信号线”。反之亦然，有时可以将“信号线”变换为“电源线”。此外，根据情况或状态，可以互相将施加到布线的“电位”变换为“信号”。反之亦然，有时可以将“信号”变换为“电位”。

44、在本说明书等中，半导体的杂质是指构成半导体膜的主要成分之外的物质。例如，浓度低于0.1atomic％的元素是杂质。当包含杂质时，例如，半导体中的缺陷态密度有可能提高，载流子迁移率有可能降低或结晶性有可能降低。在半导体是氧化物半导体时，作为改变半导体特性的杂质，例如有第1族元素、第2族元素、第13族元素、第14族元素、第15族元素或主要成分之外的过渡金属等，尤其是，例如有氢(也包含于水中)、锂、钠、硅、硼、磷、碳、氮等。具体而言，当半导体是硅层时，作为改变半导体特性的杂质，例如有第1族元素、第2族元素、第13族元素、第15族元素等(有时不包含氧、氢)。

45、在本说明书等中，开关是指具有通过变为导通状态(开启状态)或非导通状态(关闭状态)来控制是否使电流流过的功能的元件。或者，开关是指具有选择并切换电流路径的功能的元件。因此，除了控制端子之外，开关有时还包括两个或三个使电流流过的端子。作为开关的一个例子，可以使用电开关或机械开关等。换而言之，开关只要可以控制电流，就不局限于特定的元件。

46、电开关的例子包括晶体管(例如双极晶体管或mos晶体管)、二极管(例如pn二极管、pin二极管、肖特基二极管、金属-绝缘体-金属(mim)二极管、金属-绝缘体-半导体(mis)二极管或者二极管接法的晶体管)或者组合这些元件的逻辑电路等。当作为开关使用晶体管时，晶体管的“导通状态”是指晶体管的源电极与漏电极在电性上短路的状态、能够使电流流过源电极与漏电极间的状态等。此外，晶体管的“非导通状态”是指晶体管的源电极与漏电极在电性上断开的状态。当将晶体管仅用作开关时，对晶体管的极性(导电型)没有特别的限制。

47、作为机械开关的例子，可以举出利用了mems(微电子机械系统)技术的开关。该开关具有以机械方式可动的电极，并且通过移动该电极来控制导通和非导通而进行工作。

48、在本说明书等中，有时将使用金属掩模或fmm(fine metal mask，高精细金属掩模)而制造的器件称为mm(metal mask)结构的器件。此外，在本说明书等中，将不使用金属掩模或fmm而制造的器件称为mml(metal mask less)结构的器件。

49、此外，在本说明书等中，有时将在各颜色的发光器件(这里为蓝色(b)、绿色(g)及红色(r))中分别形成发光层或分别涂布发光层的结构称为sbs(side by side)结构。此外，在本说明书等中，有时将可发射白色光的发光器件称为白色发光器件。白色发光器件通过与着色层(例如，滤色片)组合可以用作以全彩色显示的显示装置。

50、此外，发光器件大致可以分为单结构和串联结构。单结构的器件优选具有如下结构：在一对电极间包括一个发光单元，而且该发光单元包括一个以上的发光层。在使用两个发光层得到白色发光的情况下，以两个发光层的各发光颜色处于补色关系的方式选择发光层即可。例如，通过使第一发光层的发光颜色与第二发光层的发光颜色处于补色关系，可以得到在发光器件整体上以白色发光的结构。此外，在使用三个以上的发光层得到白色发光的情况下，三个以上的发光层的各发光颜色组合而得到在发光器件整体上以白色发光的结构即可。

51、串联结构的器件优选具有如下结构：在一对电极间包括两个以上的多个发光单元，而且各发光单元包括一个以上的发光层。为了得到白色发光，采用组合从多个发光单元的发光层发射的光来得到白色发光的结构即可。注意，得到白色发光的结构与单结构中的结构同样。此外，在串联结构的器件中，优选在多个发光单元间设置电荷产生层等中间层。

52、此外，在对上述白色发光器件(单结构或串联结构)和sbs结构的发光器件进行比较的情况下，可以使sbs结构的发光器件的功耗比白色发光器件低。在想要降低功耗的情况下优选采用sbs结构的发光器件。另一方面，白色发光器件的制造工艺比sbs结构的发光器件简单，由此可以降低制造成本或者提高制造成品率，所以是优选的。

53、在本说明书中，“平行”是指两条直线形成的角度为-10°以上且10°以下的状态。因此，也包括该角度为-5°以上且5°以下的状态。“大致平行”是指两条直线形成的角度为-30°以上且30°以下的状态。此外，“垂直”是指两条直线形成的角度为80°以上且100°以下的状态。因此，也包括该角度为85°以上且95°以下的状态。“大致垂直”是指两条直线形成的角度为60°以上且120°以下的状态。

54、发明效果

55、根据本发明的一个方式可以提供一种驱动电路具有冗余性的显示装置。此外，根据本发明的一个方式可以提供一种成品率高的显示装置。此外，根据本发明的一个方式可以提供一种显示质量高的显示装置。此外，根据本发明的一个方式可以提供一种新颖的显示装置。此外，根据本发明的一个方式可以提供一种具有上述任意显示装置的电子设备。此外，根据本发明的一个方式可以提供一种使驱动电路具有冗余性的半导体装置的制造方法。此外，根据本发明的一个方式可以提供一种新颖的半导体装置的制造方法。

56、注意，本发明的一个方式的效果不局限于上述效果。上述效果并不妨碍其他效果的存在。其他效果是指将在后面描述的上述效果以外的效果。本领域技术人员可以从说明书或附图等的记载中导出并适当抽出上述效果以外的效果。此外，本发明的一个方式具有上述效果及其他效果中的至少一个效果。因此，本发明的一个方式根据情况而有时没有上述效果。