发光二极管显示装置及其驱动方法与流程

本发明涉及一种发光二极管显示装置，具体涉及一种包括具有n型晶体管和p型晶体管的像素的发光二极管显示装置及其驱动方法。

背景技术：

1、有机发光二极管显示装置(organic light emitting diode display device)或微型发光二极管显示装置(micro light emitting diode display device)由n型晶体管和p型晶体管中的一种晶体管构成像素，从而节省了制造成本。

2、但是，存在电源电压变化等可能导致特性变化或其他动作限制事项的问题。

3、图1是示出根据從來第一示例的有机发光二极管显示装置的一个像素的示意图，图2是示出根据從來第一示例的有机发光二极管显示装置中利用的信号的波形图(waveform diagram)。

4、如图1所示，根据從來的第一示例的有机发光二极管显示装置的一个像素(p)包括p型第一至第七晶体管(m1至m7)、第一电容器(c1，capacitor)和发光二极管(del)。

5、第1晶体管(m1)根据发光信号(em)切换(swiching)高电位电压(evdd)及第1电容器(c1)和第2及第4晶体管(m2、m4)之间的连接，并且第2晶体管(m2)根据第n栅极信号(gate(n))切换(swiching)数据信号(data)和第1及第4晶体管(m1、m4)之间的连接。

6、第3晶体管(m3)根据第一(n-1)栅极信号(gate(n-1))切换(swiching)第一电容器(c1)、第4和第5晶体管(m4、m5)和初始化电压(vint)及第晶体管(m7)之间的连接，

7、第4晶体管(m4)根据第1电容器(c1)、第3和第5晶体管(m3、m5)的连接节点的电压来切换(swiching)第1和第2晶体管(m1、m2)和m5和m6之间的连接。

8、第5晶体管(m5)根据第n栅极信号(gate(n))切换(swiching)第1电容器(c1)、第3及第4晶体管(m3、m4)和第4及第6晶体管(m4、m6)之间的连接，

9、第6晶体管(m6)根据发光信号(em)切换(swiching)第4及第5晶体管(m4、m5)和发光二极管(del)之间的连接。

10、第7晶体管(m7)根据第n栅极信号(gate(n))切换(swiching)初始化电压(vint)及第3晶体管(m3)和发光二极管(del)之间的连接。

11、第1电容器(c1)的第1电极连接到高电位电压(evdd)及第1晶体管(m1)，第1电容器(c1)的第2电极连接到第3、第4及第5晶体管(m3、m4、m5)。

12、发光二极管(del)的正极连接到第6及第7晶体管(m6、m7)，发光二极管(del)的负极连接到低电位电压(evss)。

13、如图2所示，数据信号(data)每帧具有有效(valid)区间，第(n-1)栅极信号(gate(n-1))在与数据信号(data)的前一帧的有效区间对应的初始化区间(tin)期间具有低电平，

14、第n栅极信号(gate(n))在与数据信号(data)的当前帧的有效区间对应的感测及程序设计区间(tsp)期间具有低电平，发光信号(em)在数据信号(data)的下一帧的有效区间之后，对应的发光区间(tem)期间具有低电平。

15、因此，在初始化区间(tin)期间，第3晶体管(m3)被转接(turn-on)，初始化电压(vint)被充电到第1电容器(c1)。

16、在感测和程序设计区间(tsp)期间，第2晶体管(m2)被变成(turn-on)，数据信号(data)被施加到第4晶体管(m4)的源极，第5晶体管(m5)被变成(turn-on)，数据信号(data)和第4晶体管(m4)的门槛电压被充电到第1电容器(c1)，第7晶体管(m7)被变成(turn-on)，初始化电压(vin)被施加到发光二极管(del)。

17、在发光区间(tem)期间，第1晶体管(m1)被变成(turn-on)，高电位电压(evdd)被施加到第4晶体管(m4)的源极，第6晶体管(m6)被变成(turn-on)，与数据信号(data)相对应的电流被提供给发光二极管(del)，发光二极管(del)发射与数据信号(data)相对应的光。

18、但是，由于像素(p)基于高电位电压(evdd)操作，因此当提供给显示面板中的每个像素(p)的高电位电压(evdd)发生波动时，流过作为驱动晶体管的第4晶体管(m4)的电流发生变化，从而可以改变每个像素(p)显示的光的亮度，并且可以根据显示面板的平均亮度或映像形状改变整体亮度特性。

19、这种发光亮度的不均匀性在一个显示面板中可能不太被用户认知，但是与tiled显示装置一样当通过连接两个或更多个显示面板来构成一个大型显示系统时，存在显示面板之间的亮度差异以棉污点形式被用户认知的有不良现象出现的问题。

20、图3是根据從來第二示例的有机发光二极管显示装置的一个像素的示意图。

21、如图3所示，根据從來第2示例的有机发光二极管显示装置的一个像素(p)包括n型第1至第3晶体管(m1至m3)、第1电容器(c1)和发光二极管(del)。

22、第1晶体管(m1)的栅极，第2晶体管(m2)的源极，第1电容器(c1)的第1电极彼此连接以构成第1节点(n1)，第1晶体管(m1)的源极，第3晶体管(m3)的源极，第1电容器(c1)的第2电极，以及发光二极管(del)的阳极彼此连接以构成第2节点(n2)。

23、第1晶体管(m1)根据第1节点(n1)的电压切换(swiching)高电位电压(evdd)和第2节点(n2)之间的连接，第2晶体管(m2)根据栅极信号(gate)切换(swiching)数据信号(data)和第1节点(n1)之间的连接。

24、第3晶体管(m3)根据基准信号(ref)切换(swiching)基准电压(vref)和第2节点(n2)之间的连接。

25、第1电容器(c1)的第1电极连接到第1节点(n1)，第1电容器(c1)的第2电极连接到第2节点(n2)。

26、发光二极管(del)的正极连接到第2节点(n2)，发光二极管(del)的负极连接到低电位电压(evss)。

27、因此，在栅极信号(gate)和基准信号(ref)分别具有高电平的区间内，第2晶体管(m2)被变成(turn-on)，数据信号(data)被施加到第1节点(n1)，第3晶体管(m3)被变成(turn-on)，基准电压(vref)被认可到第2节点(n2)，第一电容器(c1)的第1电极和第2电极分别输入数据信号(data)及基准电压(vref)。

28、在栅极信号(gate)和参考信号(ref)分别具有低电平的区间内，第二和第三晶体管(m2、m3)分别切换(turn-off)，从而第一节点(n1)的电压升压(boosting)以对应阈值电压，，并且根据低电位电压(evss)的水平，升压的程度会有所不同，从而可以导致亮度不均匀。

29、即，当提供给显示面板每个像素(p)的低电位电压(evss)发生波动时，流过作为驱动晶体管的第1晶体管(m1)的电流发生变化，从而每个像素(p)显示的光的亮度可以被改变，并且根据显示面板的平均亮度或映像形态，整体亮度特性可能会发生变化。

30、这种发光亮度的不均匀性在一个显示面板中可能不太被用户认知，但是与tiled显示装置一样当通过连接两个或更多个显示面板来构成一个大型显示系统时，存在显示面板之间的亮度差异以棉污点形式被用户识别的有不良现象出现的问题。

31、图4是從來的大型显示系统的示意图。

32、如图4所示，從來的大型显示系统包括以3*3矩阵形式布置在第1至第3面板行(pr1至pr3)及第1至第3面板行(pc1至pc3)的多个发光二极管显示面板。

33、当驱动晶体管的电流因高电位电压(evdd)或低电位电压(evss)的波动而改变时，在一个发光二极管显示面板中，可能无法认知发光亮度不均匀，但在二维地tiling的的多数发光二极管显示面板中，如果发光亮度不均匀，则可能会被认知为污点等不良现象。

技术实现思路

1、要解决的技术问题

2、本发明的目的是解决所述问题，并且通过将电流源晶体管和源极跟随器晶体管分别连接到发光二极管的正极和负极，即使在电源电压波动时，也向发光二极管提供均匀的电流，从而提供提高发光亮度均匀性的发光二极管显示装置及其驱动方法。

3、另外，本发明的目的是提供一种发光二极管显示装置及其驱动方法，该发光二极管显示装置通过将测试晶体管连接到发光二极管的正极和负极来提高制造工艺中的缺陷检测能力，并且易于修缮缺陷，从而降低了制造成本。

4、技术方案

5、为了实现所述目的，本发明包括多个像素的显示面板和；配置在所述多个像素中的每一个的发光二极管和；连接在所述发光二极管和发光高电位电压之间或所述发光二极管和发光低电位电压之间的至少一个电流源和；提供了一种发光二极管显示装置，其包括控制电路部，该控制电路部向至少一个电流源提供控制信号。

6、另外，所述至少一个电流源连接在所述发光二极管和所述发光高电位电压之间，n型和p型之一的第一晶体管和；连接在所述发光二极管和发光低电位电压之间，并且可以包括n型和p型中的另一种的第二晶体管。

7、另外，所述控制电路部，

8、连接到数字高电位电压及数字低电位电压之间，利用映像数据及程序设计信号生成第1和第2输出信号的锁存器；它连接在插销高电位电压及插销低电位电压之间，可以包括生成利用所述第1及第2输出信号分别切换(swiching)所述第1及第2晶体管的第3及第4输出信号的电平移位器。

9、还有，所述闩锁，包括

10、根据所述程序信号切换(swiching)所述第1输出信号的传输的p型第1数字晶体管和；根据所述程序信号切换(swiching)所述影像数据传输的n型第2数字晶体管和；

11、根据复位信号切换所述数字低电位电压的n型第3数字晶体管和；

12、根据所述第一输出信号或所述数字低电位电压，切换所述数字高电位电压的p型第四数字晶体管和；

13、根据所述第1输出信号或所述数字低电位电压切换(swiching)所述数字低电位电压的传递的n型第5数字晶体管和；

14、根据所述第2输出信号切换(swiching)所述数字高电位电压的传递的p型第6数字晶体管和；

15、根据所述第2输出信号所述数字低电位电压的传递的包括用于切换(swiching)传输的n型第7数字晶体管；

16、所述电平移位器，可以包括

17、根据所述第3输出信号切换(swiching)所述插针高电位电压的传递的p型第8数字晶体管和；

18、根据所述第1输出信号切换(swiching)所述插针低电位电压的传递的n型第9数字晶体管和；

19、根据所述第4输出信号切换(swiching)所述插针高电位电压的传递的p型第10数字晶体管和；

20、根据所述第4输出信号切换(swiching)所述插针低电位电压的传递的n型第11数字晶体管。

21、还有，所述控制电路部，包括

22、连接到插针高电位电压和插针低电位电压之间，利用影像数据、程序设计信号及发光信号，分别切换(swiching)述第1及第2晶体管生成第1及

23、第2输出信号的集成电平移位器，

24、所述集成电平移位器，包括

25、根据所述发光信号切换(swiching)所述第1输出信号的传输的n型第1数字晶体管和；

26、根据所述程序设计信号切换(swiching)所述第1输出信号的传输的p型第2数字晶体管和；

27、根据所述程序设计信号切换(swiching)所述影像数据传输的n型第3数字晶体管和；

28、根据所述第1输出信号或所述映像数据切换(swiching)所述插针高电位电压的p型第4数字晶体管和；

29、根据所述第1输出信号或所述影像数据切换(swiching)所述插针低电位电压的传达的n型第5数字晶体管和；

30、根据所述发光信号切换(swiching)所述插针高电位电压的传达的p型第6数字晶体管和；

31、根据所述第2输出信号切换(swiching)所述插针高电位电压的传达的p型第7数字晶体管和；

32、包括根据所述第2输出信号切换(swiching)所述插针低电位电压的传达的n型第8数字晶体管。

33、还有，所述发光二极管显示装置，进一步包括连接在所述发光二极管的正极和负极之间的第三晶体管，所述第1和第3晶体管为n型，所述第2晶体管可能是p型。

34、另外，所述控制电路部，可以包括

35、根据第1程序设计信号切换(swiching)第1数据信号与第1晶体管的栅极之间的连接的n型第四晶体管和；根据第2程序设计信号切换(swiching)第2数据信号与第1晶体管的源极之间的连接的n型第5晶体管；连接在所述第1晶体管的栅极及源极之间的第1电容器。

36、另外，所述控制电路部，可以包括

37、根据第1程序设计信号切换(swiching)第1数据信号与第1晶体管的栅极之间的连接的n型第四晶体管和；根据程序设计信号切换(swiching)第2数据信号与第1晶体管的源极之间的连接的n型第5晶体管；连接在所述第1晶体管的栅极及源极之间的第1电容器。

38、另外，所述控制电路部，可以包括

39、根据程序设计信号切换(swiching)数据信号与所述第1晶体管的栅极之间的连接的n型第4晶体管和；根据感测信号切换(swiching)基准信号与所述第1晶体管的源极之间的连接的n型第5晶体管和；连接在所述第1晶体管的栅极与所述第5晶体管的漏极之间的第1电容器。

40、然后，所述控制电路部，包括

41、连接到插针高电位电压及插针低电位电压之间，利用第1及第2映像数据，程序设计信号，输入信号，生成第1及第2输出信号的电平移位器和；

42、连接在所述销高电位电压及所述销低电位电压之间，根据所述第1及第2输出信号分别切换所述第1及第2晶体管的第3及第4输出信号的锁存器，

43、所述电平移位器，可以包括

44、根据所述第1输出信号，切换(swiching)所述插针高电位电压和第3数字晶体管的漏极之间的连接的第1数字晶体管和；

45、根据所述第2输出信号，切换(swiching)所述插针高电位电压和第四数字晶体管的漏极之间的连接的第2数字晶体管和；

46、根据所述第1输出信号，切换(swiching)所述第1数字晶体管的漏极和第9数字晶体管的漏极之间的连接的所述第3数字晶体管和；

47、根据所述第2输出信号，切换(swiching)所述第二数字晶体管的漏极与所述第九数字晶体管的漏极之间的连接的所述第4数字晶体管和；

48、据第1电容器的第1电极的电压，切换(swiching)第1数字晶体管的漏极与第9数字晶体管的漏极之间的连接的第5数字晶体管和；

49、根据第2电容器第1电极的电压，切换(swiching)第2数字晶体管的漏极与第9数字晶体管的漏极之间的连接的第6数字晶体管和；

50、根据所述程序设计信号，切换(swiching)所述第1映像数据和所述第5数字晶体管的栅极之间的连接的第7数字晶体管和；

51、根据所述程序设计信号，切换(swiching)所述第2影像数据和所述第6数字晶体管的栅极之间的连接的第8数字晶体管和；

52、根据所述输入信号，切换(swiching)所述第3至第6数字晶体管的源极和所述插针低电位电压之间的连接的所述第9数字晶体管和；

53、连接在所述第7数字晶体管的源极和所述插针低电位电压之间的所述第1电容器；

54、连接在所述第8数字晶体管的源极和所述插针低电位电压之间的所述第2电容器。

55、而且，所述控制电路部，包括

56、连接到插针高电位电压和插针低电位电压之间，利用映像数据，程序设计信号和预充(pre-charge)电信号生成输出信号的电平移位器和；

57、连接在所述销高电位电压及所述销低电位电压之间，利用所述输出信号分别切换(swiching)所述第1及第2晶体管生成第3和第4输出信号的锁存器，

58、所述电平移位器，可以包括

59、根据所述预充电信号，切换(swiching)所述插针高电位电压和第3数字晶体管的漏极之间的连接的第1数字晶体管和；

60、根据所述第2电容器第1电极的电压，切换(swiching)所述插针高电位电压和第4数字晶体管的漏极之间的连接的第2数字晶体管和；

61、根据所述预充电，切换(swiching)所述第1数字晶体管的漏极和第6数字晶体管的漏极之间的连接的所述第3数字晶体管和；

62、根据所述第2电容器的第1电极的电压，切换(swiching)所述第2数字晶体管的漏极和所述销低电位电压之间的连接的所述第4数字晶体管和；

63、根据所述程序设计信号，切换(swiching)所述影像数据和第6数字晶体管的栅极之间的连接的第5数字晶体管和；

64、根据第1电容器的第一电极的电压，切换(swiching)第3数字晶体管的源极与插针低电位电压之间的连接的第6数字晶体管和；

65、连接在所述第5数字晶体管的源极和所述插针低电位电压之间的第1电容器；

66、连接在所述第2数字晶体管的栅极和所述插销低电位电压之间的所述第2电容器。

67、另外，所述至少一个电流源连接在所述发光二极管和发光高电位电压之间，包括n型和p型之一的第一晶体管，所述发光二极管显示装置进一步包括连接在所述发光二极管的正极和测试电压之间的第三晶体管，所述发光二极管的负极可以连接在发光低电位电压上。

68、另外，所述控制电路部可以包括连接在数字高电位电压和数字低电位电压之间，利用影像数据和程序设计信号生成第1和第2输出信号的锁存器和；连接在插针高电位电压和插针低电位电压之间，利用所述第1和第2输出信号生成切换(swiching)所述第1晶体管的第3输出信号的电平移位器。

69、另外，所述控制电路部可以包括集成电平移位器，该集成电平移位器连接在插针高电位电压和插针低电位电压之间，并利用映像数据，程序设计信号和可以包括生成用于切换第一晶体管的第一输出信号的集成电平移位器。

70、另外，所述控制电路部可以包括

71、根据第1程序设计信号切换(swiching)第1数据信号与第1晶体管的栅极之间的连接的n型第4晶体管和；

72、根据第2程序设计信号切换(swiching)第2数据信号与第1晶体管的源极之间的连接的n型第5晶体管；

73、可以包括连接在所述第1晶体管的栅极和源极之间的第1电容器进一步。

74、还有，所述控制电路部，可以包括

75、根据程序设计信号切换(swiching)数据信号与第1晶体管的栅极之间的连接的n型第4晶体管和；

76、根据程序设计信号切换(swiching)第2数据信号与第1晶体管的源极之间的连接的n型第5晶体管；

77、连接在所述第1晶体管的栅极和源极之间的第1电容器。

78、还有，所述控制电路部，可以包括

79、根据程序设计信号切换(swiching)数据信号与所述第1晶体管的栅极之间的连接的n型第四晶体管和；

80、根据感测信号切换(swiching)基准信号与所述第1晶体管的源极之间的连接的n型第5晶体管和；

81、连接在所述第1晶体管的栅极和所述第5晶体管的漏极之间的第1电容器。

82、还有，所述控制电路部，可以包括

83、连接到数字高电位电压和数字低电位电压之间，利用影像数据及程序设计信号生成第1及第2输出信号的锁存器和；

84、根据基准信号，切换(swiching)所述第1输出信号与所述第1晶体管的源极之间的连接的n型第4晶体管和；

85、根据所述基准信号，切换(swiching)所述第2输出信号与所述第1晶体管的栅极之间的连接的n型第5晶体管和；

86、根据第1发光信号，切换(swiching)发光高电位电压与第1晶体管的源极之间的连接的p型第6晶体管和；

87、根据第2发光信号，切换(swiching)所述第1晶体管的漏极和所述发光二极管的阳极之间的连接的n型第7晶体管和；

88、连接在所述第一晶体管的栅极和所述第一晶体管的源极之间的第一电容器。

89、而且，所述控制电路部，可以包括

90、连接到数字高电位电压和数字低电位电压之间，利用影像数据及程序设计信号生成第1及第2输出信号的锁存器和；

91、根据基准信号，切换(swiching)所述第1输出信号与所述第1晶体管的栅极之间的连接的n型第4晶体管和；

92、根据所述基准信号，切换(swiching)所述第2输出信号与所述第1晶体管的源极之间的连接的n型第5晶体管和；

93、根据第1发光信号，切换(swiching)发光高电位电压与第1晶体管的漏极之间的连接的p型第6晶体管和；

94、根据第2发光信号，切换(swiching)所述第1晶体管的源极和所述发光二极管的阳极之间的连接的n型第7晶体管和；

95、连接在所述第一晶体管的栅极和所述第一晶体管的源极之间的第一电容器。

96、技术效果

97、在本发明中，通过将电流源晶体管和源极跟随器晶体管分别连接到发光二极管的正极和负极，即使在电源电压波动时，也可以向发光二极管提供均匀的电流，从而提高了发光亮度的均匀性。

98、另外，本发明通过将测试晶体管连接到发光二极管的正极和负极，提高了制造工艺中的缺陷检测能力，并且易于修缮缺陷，从而降低了制造成本。