一种新型AMOLED屏体驱动电路

本发明涉及oled显示，特别涉及一种新型amoled屏体驱动电路。

背景技术：

1、有源矩阵有机发光二极体(active-matrix organic light emitting diode，oled)显示面板具有体积小，结构简单、自主发光、亮度高、画质好、可视角大、功耗低及响应速度短等优点，成为当前领域研究热点。amoled采用薄膜晶体管(tft)构建像素电路为oled器件提供相应的电流。多采用低温多晶硅薄膜晶体管(ltps tft)或氧化物薄膜晶体管(oxide tft)。与一般的非晶硅薄膜晶体管(amorphous-si tft)相比，ltps tft和oxidetft具有更高的迁移率和更稳定的特性，更适合应用于amoled显示中。但是由于晶化工艺的局限性，在大面积玻璃基板上制作的ltps tft，常常在诸如阈值电压、迁移率等电学参数上具有非均匀性，这种非均匀性会转化为oled显示器件的电流差异和亮度差异，并被人眼所感知，即mura现象。

2、如图1所示，现有技术通常采用7t1c像素电路对阈值电压进行补偿的方式来提高整个显示画面的亮度均匀性。但是因为与驱动tft栅极相连的两个支路t3&t4，因其漏电流随着灰阶变化而存在差异，因此7t1c像素电路在低刷新频率情况下，驱动tft栅极电压保持率较低，从而导致dtft的vgs电压保持率低，使得在一帧发光时间内，亮度发生变化，从而引起闪烁。

技术实现思路

1、本发明的目的是提供一种新型amoled屏体驱动电路，用以补偿阈值电压非均匀性造成的显示不均匀，同时补偿不同像素因上一时刻stress差异造成的特性差异。

2、为实现上述目的，本发明提供了如下方案：

3、一种新型amoled屏体驱动电路，包括：第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管、第七薄膜晶体管、第一电容、第二电容和二极管；

4、所述第二薄膜晶体管的第一电极连接数据信号，所述第二薄膜晶体管的第二电极连接所述第一薄膜晶体管的第一电极和所述第六薄膜晶体管的第二电极，所述第六薄膜晶体管的第二电极连接电源信号，所述第一薄膜晶体管的第二电极连接所述第三薄膜晶体管的第一电极和所述第七薄膜晶体管的第一电极，所述第一薄膜晶体管的栅极连接所述第四薄膜晶体管的第一电极、所述第三薄膜晶体管的第二电极和第二电容的一端，所述第七薄膜晶体管的第二电极连接所述二极管的正极和所述第五薄膜晶体管的第二电极，所述二极管的负极接地，所述第五薄膜晶体管的第一电极连接第二基准电压信号，所述第四薄膜晶体管的第二电极连接第一基准电压信号，所述第二电容的另一端连接电源信号，所述第三薄膜晶体管的漏极和所述第四薄膜晶体管的漏极连接所述第一电容的一端和第一发光控制信号，所述第一电容的另一端接地。

5、可选地，所述第一薄膜晶体管为驱动管，用于确定所述新型amoled屏体驱动电路的驱动电流；

6、所述第二薄膜晶体管用于控制数据信号的传输；

7、所述第三薄膜晶体管用于控制所述第一薄膜晶体管的源极和漏极的导通；

8、所述第四薄膜晶体管用于控制所述第一薄膜晶体管的栅极复位；

9、所述第五薄膜晶体管用于控制有机发光二极体的阳极；

10、所述第六薄膜晶体管和所述第七薄膜晶体管用于控制所述有机发光二极体是否发光。

11、可选地，所述第三薄膜晶体管和所述第四薄膜晶体管为双栅设计，所述第三薄膜晶体管的第一栅极和所述第四薄膜晶体管的第一栅极的宽长比分别大于第三薄膜晶体管的第二栅极和所述第四薄膜晶体管的第二栅极的宽长比，所述第三薄膜晶体管的第二栅极和所述第四薄膜晶体管的第二栅极的沟道长度分别是所述第三薄膜晶体管的第一栅极和所述第四薄膜晶体管的第一栅极的沟道长度的1.5倍。

12、可选地，所述第二薄膜晶体管的栅极和所述第三薄膜晶体管的栅极连接第二驱动控制信号；

13、所述第四薄膜晶体管的栅极和所述第五薄膜晶体管的栅极连接第一驱动控制信号；

14、所述第六薄膜晶体管的栅极和所述第七薄膜晶体管的栅极连接第二发光控制信号。

15、可选地，所述第二薄膜晶体管的栅极和所述第三薄膜晶体管的栅极连接第二驱动控制信号；

16、所述第四薄膜晶体管的栅极连接第一驱动控制信号；

17、所述第五薄膜晶体管的栅极连接第三驱动控制信号；

18、所述第六薄膜晶体管的栅极和所述第七薄膜晶体管的栅极连接第二发光控制信号。

19、可选地，所述第二薄膜晶体管的栅极和所述第五薄膜晶体管的栅极连接第三驱动控制信号；

20、所述第三薄膜晶体管的栅极连接第二驱动控制信号；

21、所述第四薄膜晶体管的栅极连接第一驱动控制信号；

22、所述第六薄膜晶体管的栅极和所述第七薄膜晶体管的栅极连接第二发光控制信号。

23、可选地，所述第一发光控制信号和所述第二发光控制信号是由同一组gip控制的相邻两级的输出产生。

24、可选地，所述amoled屏体驱动电路的驱动过程包括：重置阶段、补偿阶段和发光阶段；

25、重置阶段：第一驱动控制信号为低电压，第二驱动控制信号、第一发光控制信号和第二发光控制信号为高电压，第四薄膜晶体管打开，第一基准电压信号对第二电容放电，重置第一薄膜晶体管的栅极电位，第五薄膜晶体管打开，第二基准电压信号对有机发光二极体的电容放电，重置有机发光二极体的阳极电位；

26、补偿阶段：第二驱动控制信号为低电压，第一驱动控制信号、第一发光控制信号和第二发光控制信号为高电压，第二薄膜晶体管和第三薄膜晶体管打开，数据信号经过第二薄膜晶体管、第一薄膜晶体管和第三薄膜晶体管对第二电容充电，然后第一薄膜晶体管关闭，同时完成了阈值电压补偿和数据信号写入；

27、发光阶段：第二发光控制信号为低电压，第一驱动控制信号、第二驱动控制信号和第一发光控制信号为高电压，第六薄膜晶体管和第七薄膜晶体管打开，电源信号流过第六薄膜晶体管、第一薄膜晶体管、第七薄膜晶体管和有机发光二极体，使得有机发光二极体发光。

28、根据本发明提供的具体实施例，本发明公开了以下技术效果：

29、本发明提供的新型amoled屏体驱动电路由7个薄膜晶体管和2个电容构成。其驱动过程分为补偿阶段和发光阶段。补偿阶段又分为重置、补偿两个阶段，在发光阶段发光电流大小由第一薄膜晶体管决定，与阈值电压无关，从而可以补偿阈值电压非均匀性造成的显示不均匀，同时还可以补偿不同像素因上一时刻stress差异造成的特性差异。

技术特征：

1.一种新型amoled屏体驱动电路，其特征在于，包括：第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管、第七薄膜晶体管、第一电容、第二电容和二极管；

2.根据权利要求1所述的amoled屏体驱动电路，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的amoled屏体驱动电路，其特征在于，所述第三薄膜晶体管和所述第四薄膜晶体管为双栅设计，所述第三薄膜晶体管的第一栅极和所述第四薄膜晶体管的第一栅极的宽长比分别大于第三薄膜晶体管的第二栅极和所述第四薄膜晶体管的第二栅极的宽长比，所述第三薄膜晶体管的第二栅极和所述第四薄膜晶体管的第二栅极的沟道长度分别是所述第三薄膜晶体管的第一栅极和所述第四薄膜晶体管的第一栅极的沟道长度的1.5倍。

4.根据权利要求1所述的amoled屏体驱动电路，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的amoled屏体驱动电路，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的amoled屏体驱动电路，其特征在于，

7.根据权利要求4、5或6所述的amoled屏体驱动电路，其特征在于，所述第一发光控制信号和所述第二发光控制信号是由同一组gip控制的相邻两级的输出产生。

8.根据权利要求4所述的amoled屏体驱动电路，其特征在于，所述amoled屏体驱动电路的驱动过程包括：重置阶段、补偿阶段和发光阶段；

技术总结
本发明公开了一种新型AMOLED屏体驱动电路，涉及OLED显示技术领域，包括：第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管、第七薄膜晶体管、第一电容、第二电容和二极管。本发明提供的新型AMOLED屏体驱动电路的驱动过程分为补偿阶段和发光阶段。补偿阶段又分为重置、补偿两个阶段，在发光阶段发光电流大小由第一薄膜晶体管决定，与阈值电压无关，从而可以补偿阈值电压非均匀性造成的显示不均匀，同时还可以补偿不同像素因上一时刻stress差异造成的特性差异。

技术研发人员：李喜峰,赵夏冬,彭聪,陈龙龙,张建华
受保护的技术使用者：上海大学
技术研发日：
技术公布日：2024/1/25