连接于数据信号(Data)，漏极电性连接于第三节点(A); 所述第五薄膜晶体管(T5)的栅极电性连接于第二全局信号(G2)，源极电性连接于第三节点(A)，漏极电性连接于参考电压(Vref)； 所述电容(C)的一端电性连接于第三节点(A)，另一端电性连接于第一节点(G); 所述有机发光二极管(OLED)的阳极电性连接于第一薄膜晶体管(Tl)的源极，阴极电性连接于电源负电压(VSS); 所述第一薄膜晶体管(Tl)为驱动薄膜晶体管，通过将驱动薄膜晶体管短路为二极管的方式进行阈值电压的补偿。
2.如权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，所述第一薄膜晶体管(Tl)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、及第五薄膜晶体管(T5)均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管、或非晶硅薄膜晶体管。
3.如权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，所述第一全局信号(Gl)、及第二全局信号(G2)均通过外部时序控制器产生。
4.如权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，所述第一全局信号(Gl)、第二全局信号(G2)、及扫描信号(Scan)相组合先后对应于初始化阶段(I)，数据信号写入阶段(2)和阈值电压补偿阶段(3)、及驱动发光阶段(4);所述数据信号写入阶段(2)和阈值电压补偿阶段(3)同时进行，同时完成数据信号(Data)的写入和阈值电压的补偿； 在所述初始化阶段(I)，所述第一全局信号(Gl)为高电位、第二全局信号(G2)为高电位； 在所述数据信号写入阶段(2)和阈值电压补偿阶段(3)，所述第一全局信号(Gl)为高电位，第二全局信号(G2)为低电位，所述扫描信号(Scan)逐行提供脉冲信号； 在所述驱动发光阶段(4)，所述第一全局信号(Gl)为低电位、第二全局信号(G2)为高电位。
5.如权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，多个所述AMOLED像素驱动电路阵列排布于显示面板中，同一行的每一 AMOLED像素驱动电路均通过同一扫描信号线和同一参考电压线分别电性连接于用于提供扫描信号(Scan)的扫描信号输入电路和用于提供参考电压(Vref)的参考电压输入电路；同一列的每一 AMOLED像素驱动电路均通过同一数据信号线电性连接于用于提供数据信号(Data)的图像数据输入电路；每一 AMOLED像素驱动电路均电性连接于用于提供第一全局信号(Gl)的第一全局信号控制电路、及用于提供第二全局信号(G2)的第二全局信号控制电路。
6.如权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，所述参考电压(Vref)为一恒定电压。
7.一种AMOLED像素驱动方法，其特征在于，包括如下步骤: 步骤1、提供一 AMOLED像素驱动电路； 所述AMOLED像素驱动电路包括:第一薄膜晶体管(Tl)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、第五薄膜晶体管(T5)、电容(C)、及有机发光二极管(OLED)； 所述第一薄膜晶体管(Tl)的栅极电性连接于第一节点(G)，漏极电性连接于第二节点(K)，源极电性连接于有机发光二极管(OLED)的阳极； 所述第二薄膜晶体管(T2)的栅极电性连接于第二全局信号(G2)，源极电性连接于电源正电压(VDD)，漏极电性连接于第二节点(K); 所述第三薄膜晶体管(T3)的栅极电性连接于第一全局信号(G1)，源极电性连接于第二节点(K)，漏极电性连接于第一节点(G); 所述第四薄膜晶体管(T4)的栅极电性连接于扫描信号(Scan)，源极电性连接于数据信号(Data)，漏极电性连接于第三节点(A); 所述第五薄膜晶体管(T5)的栅极电性连接于第二全局信号(G2)，源极电性连接于第三节点(A)，漏极电性连接于参考电压(Vref)； 所述电容(C)的一端电性连接于第三节点(A)，另一端电性连接于第一节点(G);所述有机发光二极管(OLED)的阳极电性连接于第一薄膜晶体管(Tl)的源极，阴极电性连接于电源负电压(VSS)； 所述第一薄膜晶体管(Tl)为驱动薄膜晶体管； 步骤2、进入初始化阶段(I); 所述第一全局信号(Gl)提供高电位，第二全局信号(G2)提供高电位；所述第四薄膜晶体管(T4)关闭，所述第二、第三、第五薄膜晶体管(T2、T3、T5)均打开；第一节点(G)写入电源正电压(VDD)，第二节点(A)写入参考电压(Vref); 步骤3、进入数据信号写入阶段(2)和阈值电压补偿阶段(3); 所述数据信号写入阶段(2)和阈值电压补偿阶段(3)同时进行； 所述扫描信号(Scan)逐行提供脉冲信号，所述第一全局信号(Gl)提供高电位，第二全局信号(G2)提供低电位；第四、第三薄膜晶体管(T4、T3)打开，第二、第五薄膜晶体管(Τ2、Τ5)关闭；数据信号(Data)逐行写入第二节点(A);所述第一薄膜晶体管(Tl)的栅极与漏极短接，第一薄膜晶体管(Tl)短路为二极管，第一节点(G)放电至: Vg= VSS+V th T1+Vth 0LED 其中，Ve表示所述第一节点(G)的电压，VSS表示电源负电压，Vth n表示所述第一薄膜晶体管(Tl)即驱动薄膜晶体管的阈值电压，Vth 表示有机发光二级管(OLED)的阈值电压； 步骤4、进入驱动发光阶段(4); 所述第一全局信号(Gl)提供低电位，第二全局信号(G2)提供高电位；第三、第四薄膜晶体管(T3、T4)关闭，第二、第五薄膜晶体管(Τ2、Τ5)打开；所述第二节点(A)写入参考电压(Vref)，所述第一节点(G)的电压即所述第一薄膜晶体管(Tl)的栅极电压被所述电容(C)耦合至: Vg= VSS+V th_T1+Vth 0LED+Vref — VData 所述第一薄膜晶体管(Tl)的源极电压为:Vs= VSS+V th 0LED+f(Data) 其中，Ve表示所述第一节点(G)的电压即所述第一薄膜晶体管(Tl)的栅极电压、Vllata表示数据信号(Data)电压、Vs表示所述第一薄膜晶体管(Tl)的源极电压、f (Data)表示一关于数据信号(Data)的函数； 所述有机发光二极管(OLED)发光，且流经所述有机发光二极管(OLED)的电流与第一薄膜晶体管(Tl)的阈值电压、有机发光二极管(OLED)的阈值电压无关。
8.如权利要求7所述的AMOLED像素驱动方法，其特征在于，所述第一薄膜晶体管(Tl)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、及第五薄膜晶体管(T5)均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管、或非晶硅薄膜晶体管。
9.如权利要求7所述的AMOLED像素驱动方法，其特征在于，所述第一全局信号(Gl)、及第二全局信号(G2)均通过外部时序控制器产生。
10.如权利要求7所述的AMOLED像素驱动方法，其特征在于，所述参考电压(Vref)为一恒定电压。
【专利摘要】本发明提供一种AMOLED像素驱动电路及像素驱动方法。该AMOLED像素驱动电路采用5T1C结构，包括第一、第二、第三、第四、第五薄膜晶体管(T1、T2、T3、T4、T5)、电容(C)、及有机发光二极管(OLED)，所述第一薄膜晶体管(T1)为驱动薄膜晶体管；并引入第一全局信号(G1)、及第二全局信号(G2)二者与扫描信号(Scan)相组合先后对应于初始化阶段(1)，数据信号写入阶段(2)和阈值电压补偿阶段(3)、及驱动发光阶段(4)，其中，数据信号写入阶段(2)和阈值电压补偿阶段(3)同时进行，能够有效补偿驱动薄膜晶体管及有机发光二级管的阈值电压变化，使AMOLED的显示亮度较均匀，提升显示品质。
【IPC分类】G09G3-32
【公开号】CN104658482
【申请号】CN201510115455
【发明人】韩佰祥, 吴元均
【申请人】深圳市华星光电技术有限公司
【公开日】2015年5月27日
【申请日】2015年3月16日