Amoled像素驱动电路及像素驱动方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种AMOLED像素驱动电路及像素驱动方法。
【背景技术】
[0002]有机发光二极管(Organic Light Emitting Display，OLED)显示装置具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽，可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示
目.ο
[0003]OLED显示装置按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(Passive Matrix OLED,PM0LED)和有源矩阵型OLED (Active Matrix OLED, AM0LED)两大类，即直接寻址和薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)矩阵寻址两类。其中，AMOLED具有呈阵列式排布的像素，属于主动显示类型，发光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。
[0004]AMOLED是电流驱动器件，当有电流流过有机发光二极管时，有机发光二极管发光，且发光亮度由流过有机发光二极管自身的电流决定。大部分已有的集成电路(IntegratedCircuit, IC)都只传输电压信号，故AMOLED的像素驱动电路需要完成将电压信号转变为电流信号的任务。传统的AMOLED像素驱动电路通常为2T1C，即两个薄膜晶体管加一个电容的结构，将电压变换为电流。
[0005]如图1所述，一种现有的用于AMOLED的2T1C像素驱动电路，包括一第一薄膜晶体管T10、一第二薄膜晶体管T20、及一电容Cs，所述第一薄膜晶体管TlO为驱动薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管T20为开关薄膜晶体管，所述电容Cs为存储电容。具体地，所述第二薄膜晶体管T20的栅极电性连接扫描信号电压Vsel，源极电性连接数据信号电压Vdata，漏极与第一薄膜晶体管TlO的栅极、及电容Cs的一端电性连接；所述第一薄膜晶体管TlO的源极电性连接交流电源电压Vdd，漏极电性连接有机发光二级管D的阳极；有机发光二级管D的阴极电性连接接地端；电容Cs的一端电性连接第二薄膜晶体管T20的漏极，另一端电性连接第一薄膜晶体管T1的源极。
[0006]请参阅图2，图2为图1电路对应的时序图，由图2可知，图1所示的2T1C像素驱动电路的工作过程分为四个阶段，具体如下:一、复位阶段:所述扫描信号电压Vsel提供高电位，控制第二薄膜晶体管T20打开，数据信号电压Vdata经过第二薄膜晶体管T20向第一薄膜晶体管TlO的栅极提供第一参考电压Vrefl，即第一薄膜晶体管TlO的栅极电压Va =Vrefl，第一薄膜晶体管TlO打开，交流电源电压Vdd提供低电位Vdl，则第一薄膜晶体管的源极电压Vb = Vdl ;二、阈值电压检测阶段:所述扫描信号电压Vsel提供高电位，控制第二薄膜晶体管T20打开，数据信号电压Vdata经过第二薄膜晶体管T20向第一薄膜晶体管TlO的栅极提供第二参考电压Vref2，且Vref2 < Vrefl,即第一薄膜晶体管TlO的栅极电压Va=Vref 2，第一栅极薄膜晶体管TlO打开，交流电源电压Vdd提供高电位，第一薄膜晶体管的源极电压Vb提升至Vb = Vref2-Vth，Vth为第一薄膜晶体管TlO的阈值电压；三、阈值电压补偿阶段:所述扫描信号电压Vsel提供高电位，控制第二薄膜晶体管T20打开，数据信号电压Vdata经过第二薄膜晶体管T20向第一薄膜晶体管TlO的栅极及电容Cs提供数据信号电压Vdata，即第一薄膜晶体管TlO的栅极电压Va = Vdata，第一栅极薄膜晶体管TlO打开，交流电源电压Vdd提供高电位，第一薄膜晶体管的源极电压Vb改变至Vb = Vref2-Vth+AV,Δ V为数据信号电压Vdata对所述第一薄膜晶体管Tl的源极电压所产生的影响；四、发光阶段，所述扫描信号电压Vsel提供低电位，第二薄膜晶体管T20闭合，由于电容Cs的存储作用，第二薄膜晶体管T20的栅极电压仍可继续保持数据信号电压Va = Vdata,使得第一薄膜晶体管TlO处于导通状态，第一薄膜晶体管TlO的源极电压为Vb = Vref2-Vth+ Δ V,第一薄膜晶体管TlO的栅源极电压Vgs = Va-Vb = Vdata-Vref2+Vth- Δ V,即可补偿驱动薄膜晶体管的阈值电压。然而，如图1所示的2T1C像素驱动电路的存在数据信号电压复杂和补偿时间短的缺点。
【发明内容】
[0007]本发明的目的在于提供一种AMOLED像素驱动电路，能够有效补偿驱动薄膜晶体管的阈值电压变化，简化数据信号电压，减小数据信号电压的复杂度，增加补偿时间，提升显示品质。
[0008]本发明的目的还在于提供一种AMOLED像素驱动方法，能够有效补偿驱动薄膜晶体管的阈值电压变化，简化数据信号电压，减小数据信号电压的复杂度，增加补偿时间，提升显示品质。
[0009]为实现上述目的，本发明提供了一种AMOLED像素驱动电路，包括:第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第一电容、第二电容、及有机发光二极管；
[0010]所述第一薄膜晶体管的栅极电性连接于第一节点，源极电性连接于第二节点，漏极电性连接于交流电源电压；
[0011]所述第二薄膜晶体管的栅极电性连接于扫描信号电压，源极电性连接于数据信号电压，漏极电性连接于第三节点；
[0012]所述第三薄膜晶体管的栅极电性连接于第二全局信号，源极电性连接于第一节点，漏极电性连接于参考电压；
[0013]所述第四薄膜晶体管的栅极电性连接于第一全局信号，源极电性连接于第三节点，漏极电性连接于第一节点；
[0014]所述第一电容的一端电性连接于第三节点，另一端电性连接于有机发光二极管的阴极及接地端；
[0015]所述第二电容的一端电性连接于第一节点，另一端电性连接于第二节点；
[0016]所述有机发光二极管的阳极电性连接于第二节点，阴极电性连接于接地端；
[0017]所述第一薄膜晶体管为驱动薄膜晶体管。
[0018]所述第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、及第四薄膜晶体管均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管、或非晶硅薄膜晶体管。
[0019]所述第一全局信号、及第二全局信号均通过外部时序控制器产生。
[0020]所述第一全局信号、第二全局信号、扫描信号电压、及交流电源电压相组合先后对应于复位阶段、阈值电压检测阶段、阈值电压补偿阶段、及驱动发光阶段；
[0021]在所述复位阶段，所述扫描信号电压与第二全局信号为高电位，第一全局信号与交流电源电压为低电位；
[0022]在所述阈值电压检测阶段，所述第二全局信号与交流电源电压为高电位，扫描信号电压与第一全局信号为低电位；
[0023]在所述阈值电压补偿阶段，所述扫描信号电压与第二全局信号为低电位，第一全局信号与交流电源电压为高电位；
[0024]在所述驱动发光阶段，所述扫描信号电压、第一全局信号、及第二全局信号为低电位，交流电源电压为高电位。
[0025]所述参考电压为一恒定电压。
[0026]本发明还提供一种AMOLED像素驱动方法，包括如下步骤:
[0027]步骤1、提供一 AMOLED像素驱动电路；
[0028]所述AMOLED像素驱动电路包括:第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第一电容、第二电容、及有机发光二极管；
[0029]所述第一薄膜晶体管的栅极电性连接于第一节点，源极电性连接于第二节点，漏极电性连接于交流电源电压；
[0030]所述第二薄膜晶体管的栅极电性连接于扫描信号电压，源极电性连接于数据信号电压，漏极电性连接于第三节点；
[0031]所述第三薄膜晶体管的栅极电性连接于第二全局信号，源极电性连接于第一节点，漏极电性连接于参考电压；
[0032]所述第四薄膜晶体管的栅极电性连接于第一全局信号，源极电性连接于第三节点，漏极电性连接于第一节点；
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