070] 本发明实施例提供了一种像素电路的驱动方法，该方法可以用于如图1或图2所示 的像素电路中，如图1所示，该像素电路可以包括:驱动模块10、采集模块20、数据写入模块 30、储能模块40、发光控制模块50和发光模块60,参考图3-1，该像素电路的驱动方法可以包 括：
[0071] 步骤301、第一阶段:第一控制信号端G1输入导通控制信号，第一电源信号端VDD输 入第一电压Vss，数据信号端VDATA输入数据电压Vdata，使得该数据电压Vdata写入第三控 制点C，该第一电压Vss写入第二控制点B和第一控制点A。
[0072]步骤302、第二阶段:该第一控制信号端G1输入关断控制信号，该第二控制信号端 G2输入导通控制信号，第二电源信号端VINT输入第二电压Vint，使得该第二电压Vint写入 该第三控制点C，通过该发光控制模块50的电流驱动该发光模块60发光。
[0073]综上所述，本发明实施例提供了一种像素电路的驱动方法，该驱动方法在第一阶 段中能够将数据信号端输入的数据电压写入第三控制点，并将第一电源信号端输入的第一 电压写入第二控制点B和第一控制点A;在第二阶段能够将第二电源信号端输入的第二电压 写入该第三控制点，并通过该发光控制模块的电流驱动发光模块发光。用于驱动该发光模 块的驱动电流的大小与该像素电路中驱动晶体管的阈值电压无关，因此避免了该驱动晶体 管阈值电压对发光效果的影响，提高了 0LED显示面板显示亮度的均匀性，改善了 0LED显示 面板的显示效果。
[0074]可选的，如图2所示，该驱动模块10可以包括:第一晶体管T1，该采集模块20可以包 括:第二晶体管T2，该数据写入模块30可以包括:第三晶体管T3，该储能模块40可以包括：电 容C1，该发光控制模块50可以包括:第四晶体管T4和第五晶体管T5,该发光模块60可以包 括:有机发光二极管0LED。
[0075]在本发明实施例中，该第一至第五晶体管为N型晶体管，即该第一至第五晶体管在 栅极电压为高电平时导通。图3-2是本发明实施例提供的一种控制信号的时序图，如图3-2 所示，在第一阶段P1中，该第一控制信号端G1输入导通控制信号，也即是，该第一控制信号 端G1输入高电平，该第一电源信号端VDD输入第一电压Vss，该第一电压Vss为低电平，该数 据信号端VDATA输入数据电压Vdata，此时在该第一控制信号端G1的控制下，该第二晶体管 T2和该第三晶体管T3导通，该第二晶体管T2将第一电压Vss写入第一控制点A，第三晶体管 T3将数据电压Vdata写入第三控制点C，电容C1存储该第一控制点A和该第三控制点C的电 压。
[0076] 具体的，该第一阶段P1可以为电压储存阶段，图3-3为该第一阶段的等效电路图， 从图3-3可以看出，第一阶段中，第二晶体管T2导通，使得第一晶体管T1的连接方式与二极 管连接的方式相同，此时电容C1的另一端（即第一控制点A)可以通过该第一晶体管T1放电， 直到该第一晶体管T1关闭为止，第一晶体管T1关闭后，电容C1的另一端（即第一控制点A)的 电压为Vss+Vth，其中，Vth为第一晶体管T1的阈值电压，因此该像素电路在该第一阶段可以 同时完成数据电压Vdata的储存以及第一晶体管阈值电压Vth的采集。在该第一阶段中，有 机发光二极管0LED没有长时间处于正偏压的状态，可有效的延长该有机发光二极管的使用 寿命。
[0077] 参考图3-2,第二阶段P2中，该第一控制信号端G1输入关断控制信号，该第二控制 信号端G2输入导通控制信号，也即是，该第一控制信号端G1输入低电平，该第二控制信号端 G2输入高电平;第二电源信号端VINT输入第二电压Vint，在该第二控制信号端G2的控制下， 第四晶体管T4和第五晶体管T5导通，第四晶体管T4将第二电压Vint写入第三控制点C，第五 晶体管T5将第二控制点B的电压输入至该发光模块60,驱动该发光模块60发光。
[0078] 具体的，该第二阶段P2可以为发光阶段，图3-4为该第二阶段的等效电路图，从图 3-4可以看出，在第二阶段中，由于该第二控制信号端G2输入导通控制信号，第四晶体管T4 及第五晶体管T5会被导通，由于第一控制信号端G1输入关断控制信号，第二晶体管T2及第 三晶体管T3会被关闭；第一电源信号端VDD输出第三电压Vdd，该第三电压Vdd为高电平。此 时，电容C1的一端（即第三控制点C)的电压因第四晶体管T4的导通而升高到Vint;由于第一 阶段中该第三控制点C的电压为Vdata，则该第三控制点C在该第二阶段中电压的变化量为 Vint-Vdata，与此同时电容C1的另一端（即第一控制点A)的电压会因电容的升压效应而升 高到Vint-Vdata+Vth+Vss，也即是，第二阶段中该第一晶体管T1的栅极电压为Vint_Vdata+ Vth+Vss;而第一晶体管T1第二极(第二阶段中，该第一晶体管T1的第二极为该第一晶体管 T1的源极)的电压为Vo 1 ed+Vss，其中Vo 1 ed为有机发光晶体管0LED两端的跨压，即0LED的工 作电压，因此该第二阶段中，第一晶体管T1的栅源电压Vgs可以表示为：
[0079] Vgs = Vint-Vdata+Vth+Vss_Voled-Vss = Vint-Vdata+Vth-Voled公式（1);
[0080] 进一步的，在该第二阶段中，第一晶体管T1所产生的驱动电流IQLED可以表示为：
[0081]
公式（2 ):;
[0082] 其中，
[0083] 具体的，μ为该第一晶体管T1的载流子迀移率，C为该第一晶体管T1的栅极绝缘层 的电容，W/L为第一晶体管T1的宽长比。从公式(2)可以看出，在有机发光二极管OLED正常工 作时，用于驱动0LED的驱动电流IQLED的大小只与第二电压Vint、数据电压Vdata以及0LED的 工作电压Voled有关，而与第一晶体管T1的阈值电压Vth无关，因此可以避免驱动晶体管阈 值电压对0LED发光效果的影响。此外，在0LED长时间工作后，该0LED的工作电压Voled也会 趋向于一个常数，使得该驱动电流I QLED也趋于稳定，进一步保证0LED的显示效果，提高了显 示面板显示亮度的均匀性。
[0084]图3-5是本发明各个实施例中的第一控制点A、第二控制点B和第三控制点C的电位 变化示意图，图3-6是本发明各个实施例中的驱动电流I的电流变化示意图，从图3-6中 可以看出，在第二阶段P2中，该0LED的驱动电流Iqled较为平稳，即该驱动电流Iqled受驱动晶 体管阈值电压Vth的影响较小，因此提高了 0LED显示面板显示亮度的均匀性，改善了 0LED显 示面板的显示效果。
[0085]需要说明的是，在本发明实施例中，该第一至第五晶体管均为N型晶体管，且各个 晶体管的源极和漏极并不是固定的，而是根据流过晶体管的电流的流向决定的，其中电流 流入的一端为晶体管的源极，电流流出的一端为晶体管的漏极。例如，在第一阶段P1中，第 一晶体管T1的第一极为源极，第二极为漏极，而在第二阶段P2中，由于第二控制点B的电压 较高，因此此时第一晶体管