增加透明导电层电导率的方法

专利名称：增加透明导电层电导率的方法
技术领域：
本发明涉及一种增加透明层导电率的方法，特别是用在像素设备，如有源矩阵液晶显示器的制造中。本发明也涉及在这样的显示器制造中使用的晶体管衬底，被称为有源板极。
典型情况下，液晶显示器包括一个有源板极和一个无源板极，将液晶材料夹在其中。该有源板极包括一个晶体管开关设备阵列，典型的做法是一个晶体管与显示器的每个像素关联。每个像素也与有源板极上的一个像素电极关联，将信号施加在上面用以控制各个像素的亮度。可将液晶显示器安排成能透射的或反射的设备。


图1示出制成一种已知的LCD有源板极的例子中的像素的电气元件。将这些像素安排成行和列。将像素的行导体10连到TFT 12的栅极。将列电极14连到源极。在像素上所提供的液晶材料有效地限定在晶体管12的漏极和公共接地面18之间延伸的一个液晶单元16。一个可选的像素存储电容器20被连接在晶体管12的漏极和与像素相邻的行关联的行导体10之间。
大面积的有源板极至少是部分透明的，这是需要的，因为典型情况下显示器被背光照亮。在通常的显示设备中，像素电极必须是透明的，而将行和列导体形成为金属的不透明线。金属层，如铬，钼，铝，合金或多层结构由于高的导电率被用于行和列导体，以改进设备的性能。像素驱动信号所施加的线的导电率(通常是列线)在大显示器中特别重要，因为相当大的压降出现在线的长度上，使它不可能均匀地沿着线(列)驱动所有的像素。
使用金属列导体的一个问题是，为了形成列导体和像素电极需要分离的沉积和平版印刷步骤，像素电极必须是透明的，典型情况下是由一种透明的导电氧化物膜组成，众所周知，在制造过程中平版印刷步骤对于制造过程的费用来说是主要的影响因素。每个平版印刷步骤可被认为是减少过程的产量及增加成本。
通常用于LCD有源板极的制造过程是一个5掩模的工序。参考图2中所示的底栅TFT LCD源板极，每步需要一个分离的掩模定义，该方法的步骤如下
(i)规定衬底21上的栅极22(它是行导体的部分)；(ii)规定无定形的硅岛(安放在覆盖整个结构的栅极电介质23上)，包括一个下本征层24和一个上涂料接触层26；(iii)规定金属源极28，漏极30和列电极32；(iv)规定在覆盖整个衬底的钝化层36中的一个接触孔34；和(v)规定透明的像素电极38，通过孔34与漏极10接触。
通过提供一个像素电极与相邻行的行/栅极导体的一部分的重迭面积可以简单地从栅极电介质形成图1中所示的电容器。
为了降低成本和增加产量，已经有各种各样减少制造过程中平版印刷步骤的数目，从而减少掩膜数的建议。
例如，已经提议，从相同的透明导电氧化物膜作为像素电极来形成列导体，使得这些像素结构的组分可在一起被沉积和成型。另一种措施可导致一个两掩模的工序，参考图3中所示的底栅TFT LCD有源板极对此进行解释。每步需要一个分离的掩膜定义，该方法的步骤是(i)规定栅极22(和行导体)；和(ii)规定透明列电极32(也形成TFT源极28)和像素电极38(也形成TFT漏极30)。
通过利用栅极22的自调准过程，例如，利用UV通过衬底曝光，可以达到对半导体岛24，26的限定。当然，利用一个第三掩模步骤(在以上的步骤(i)和(ii)之间)可以同样形成半导体。在阵列的周围，将栅极电介质23利用一种低精度的步骤腐蚀掉，使得在显示器的周围能够接触栅极线。
在这种结构中，用于列线的透明导电氧化物膜的高阻抗妨碍了这种结构在大(TV尺寸)显示器或较高分辨率显示器，例如VGA以上中的使用。
由于这个原因，有另一些提议来对付该层的列导体部分，以便增加导电率而不影响像素电极的透明度。例如，文章“CondnetivityEnhancement of Transparent Electrode by Side-Wall CopperElectroplating”，J.Liu et al，SID 93 Digest，Page 554公开了一种通过将铜制总线电镀到金属氧化物列线的边上来增强电导率的方法。该方法包含一种不完全的腐蚀过程，以便留下起着使铜增长的晶粒作用的金属氧化物残渣。这种过程是复杂的并难以控制。另外，铜制总线将在源和漏电极的周围，存在着由于形成总线时快速的侧向的铜增长引起的源极和漏极之间短路的风险。在源和漏电极周围的铜制总线也影响TFT的沟道长度，因而使TFT特性不可预测。
WO 99/59024公开了一种通过提供与透明电极相邻的成型的金属层来增强透明电极电导率的方法。
对于一种简单的用于增加透明的金属氧化物层如ITO电导率，而没有剧烈地增加过程复杂性的方法仍然有需要。这样一种方法将在有源矩阵LCD制造中得到应用，但对于可实施掩模数减少的其他技术也是有用的，如果透明导电层可被制成更加导电而没有损失透明度的话。这对于聚合物LEI和大面积图象传感器可能是有益的。
依据本发明的第一方面，在此提供一种增加透明导电层电导率的方法，包括将光阻层沉积和成型成为与所希望的透明导电层的型式对应的形状；和利用光阻层将透明导电层成型，其中提供光阻层的边缘区域锥度，该方法还包括以下步骤对光阻层部分腐蚀，使得至少部分边缘区域被完全地除去，从而使下面的透明导电层暴露；选择性地将透明导体层已暴露部分覆以金属层。
这种方法有一个单独的成型阶段，但是利用对锥形阻抗层的部分腐蚀，以便露出透明层的小的边缘区域，以便用导电层覆盖(可以是不透明的)。
可以通过光阻材料再流通技术提供锥形边缘区域。这并不需要任何掩模步骤，可以利用升温烘烤过程来实现。
选择性喷镀的步骤可以包括激活透明导电层的暴露部分；除去部分腐蚀的光阻层；对透明导电层被激活的区域实施无电喷镀。
除去光阻可以替换成在喷镀操作以后进行。
金属层最好包括铜或银，该透明导体层包括导电氧化物，例如ITO。
增加电导率的透明导电层可被用在液晶显示器制造中。为此目的，依据本发明的第二方面，在此提供一种形成用于液晶显示器的有源板极的方法，包括在绝缘的衬底上沉积和形成栅极导体层；在已成型的栅极导体层上沉积一个栅极绝缘体层；在栅极绝缘体层上沉积一个硅层；在硅层上沉积一个透明导电体层；在具有限定源极和漏极区域，像素电极区域和与源极或漏极导电体有关的线导电体区域形状的透明层上沉积和成型一个光阻层；和利用光阻层成型透明导电体层；其中提供光阻层边缘区域锥度，该方法还包括部分地腐蚀光阻层，使得至少部分边缘区域被完全地除去，从而暴露下面的透明导电体层；用金属层有选择地覆盖透明导电体层的暴露部分。
这种方法可以使一个两掩模过程能够被使用，其中栅极导电体被利用一个第一平版印刷方法沉积和成型，光阻层被利用一个第二平版印刷方法沉积和成型，硅层被自调准与栅极导电体成一线。
依据本发明的第三方面，在此提供一种用于液晶显示器的有源板极，包括一个栅极导电体层，一个栅极绝缘体层，和一个硅层，一起限定像素晶体管；一个透明导电体层限定用于像素晶体管的源极和漏极导电体，也限定到导电体，每个被连到一个有关联的晶体管的源极和漏极之一，也限定像素电极；和一个覆盖透明导电体层的边缘区域的金属层。
覆盖边缘区域的金属层是本发明的方法的结果。
每个像素可以与至少两个列导电体关联，每个列导电体具有覆盖两个边缘的一个金属层，两个列导电体被一个桥接部分连接在一起。这就进一步降低列的电阻，而没有增加所需的金属层的厚度。桥接部分可被金属层完全覆盖。
另一种方案是，每个列导电体可以包括一种栅格形状，栅格的所有边缘具有覆盖的金属层。
现在将参考附图详细描述本发明的例子，其中
图1示出一种有源板极的像素组分；图2示出一种利用底栅TFT的通常的有源板极，并利用一个5掩模过程制造成；图3示出一种利用底栅TFT和利用一个两掩模过程制成的所提议的有源板极；图4被用于解释本发明背后的原理；图5示出用于制造LCD显示器的有源板极的本发明制造过程；图6示出另一种列方案；和图7示出一种完整的液晶显示器结构。
应该指出，这些图是图解用的，并未按比例画出。在图中为了简单和方便起见，这些图的相对尺寸和部件的比例在尺寸上已被夸大或缩小表示出。
参考图4解释本发明后面的原理。本发明包含利用一种标准腐蚀过程，例如利用一种聚合物抗蚀剂的型式，如光阻材料，使透明导电线40，如ITO成型。抗蚀剂必须留在ITO上，并使在线的边缘41a上比中心部分41b薄，如图4A所示。这可利用光阻剂的重新流动来实现。然后抗蚀剂在一种等离子过程中通过部分腐蚀(或烧成灰烬)被变薄，以便可控地留下被暴露的ITO的区域43，如图4B中所示。图4简要地示出具有直线锥度的光阻材料。例如，具有大约26°的角θ的锥度边缘的2μm光阻材料被用于对ITO成型。然后，如果腐蚀过程被用于除去1μm厚度的光阻材料，而不腐蚀下面的层，则2μm的ITO43将被暴露在线的边缘上。
然后被暴露的ITO有选择地用高导电金属，如银或铜，通过电解作用或无电喷涂过程覆盖。任何玻璃或其他的下面的层必须保持未被覆盖。电解镀方法需要对ITO线完成电连接，然后给于衬底一种适当的电镀工序。另一方案是，可以实施对被暴露的ITO进行有选择的无电喷涂。为了这么做，被暴露的ITO43被浸泡在适当的无电镀溶液中以前必须被敏化和/或激活。光阻材料可以在衬底被浸泡在无电镀溶液中以前或以后被除去。最好，在光阻材料被除去以前进行电镀，因为这层可被用于避免金属附着到未被处理的ITO表面的可能性。其结果是无电覆盖的金属将只沉积在光阻材料已被部分腐蚀过程除去的ITO区域上。计算表明，将铜无电覆盖在ITO列两侧的2μm宽的带上，750nm的厚度将允许驱动45英寸对角线，SXGA分辨率的显示器。正如以下将进一步解释的那样，通过安排列增加边缘区域，所需的金属厚度可被减少，或显示器尺寸或分辨率可以增加。
现在将参考图5描述本发明对一种用于制造有源矩阵液晶显示器的有源板极的低掩模数过程的应用。过程的第一步与已知的2-掩模过程是共同的。
图5A是一种低掩模数过程第一阶段的简图。栅极金属45已被沉积和限定在衬底46上，一种标准的背沟道腐蚀TFT堆栈沉积已被实施。这提供一个硅氮化物栅极绝缘体层47，一个无定形的硅层48和一个加添加剂的硅层49，起着一个接触面的作用。图5A右面的区域将被用于形成开关晶体管(图1中的12)，而图5A的左面将形成行引入区域，在此驱动信号可被施加到行导电体。典型情况下，SiN栅极绝缘体47是400nm厚，本征无定形硅48是160nm厚，加添加剂的无定形硅是40nm厚，虽然可以使用其他厚度的层。加添加剂的硅层49可以是微晶质硅，以便对硅触点提供良好质量的ITO。
TFT堆必须从行引入区域腐蚀掉。这只需要粗略的调整而不是腐蚀精细的形状。这种掩模步骤可通过在腐蚀前将一塑料薄片印刷，层压在阵列区域上实现，或利用粗略调准的印制的光阻材料50实现，如图5B中所示。在图5C中，TFT堆已被从行引入区域腐蚀掉，一种正的光阻材料51被应用到整个板极。
后部照明被使用，以便使正的光阻材料成型成具有与栅极线相同的形状，如图5D中所示。其余的光阻材料层被用于使两个硅层成型，以便留下图5E中的晶体管沟道区域52，然后，透明导电层53，例如喷涂的ITO，被应用在整个板极上。光阻材料54被应用和成型，以便限定源极和漏极区域55，56，像素电极区域57和行引入线形状58。这些步骤被示于图5F和5G。
在图5A到5G中的步骤以前已被提出。为了实施用于改进透明层53电导率的本发明的方法，光阻材料应该经受一种重新流动的过程以产生锥度。事实上，在标准的显影过程和在110℃烧烤以后，光阻材料可以具有小的锥度。为了部分地腐蚀以便留下足够宽(例如大于1μm宽)的未覆盖的带，锥度的角度必须较小。这可通过较高温度的烧烤，使光阻材料重新流动来实现。光阻材料的重新流动是一种标准的处理技术，被用于产生下面层的锥形腐蚀。已重新流动过的光阻材料层被示于图5A中。
图5I示出重新流动过的光阻材料已被用于将透明导电层53成型以后的衬底。这可通过一种湿的或干的腐蚀过程来完成，但是为了使对ITO的欠腐蚀为最小，干腐蚀可能是优选的。
重新流动的锥形光阻材料过去已被用于产生锥形层。通常，衬底是一个被利用一种以类似速率将光阻材料和下面的层腐蚀的过程腐蚀的等离子体。这就将光阻材料的锥形形状转移到该层。在本发明的过程中，下面层的锥度并不需要，所以利用一种并不腐蚀下面层的等离子体过程使光阻材料变薄。
因此，对光阻材料的部分腐蚀是在并不浸蚀任何下面的ITO，a-Si，或SiN层的条件下进行的。这可以在一种氧等离子体中完成，或许添加其他的气体，如SF6或CF4，以便改进对过程的控制。图5J示出部分腐蚀的效果，在被成型的透明导电体53的每个区域的任一侧上留下薄的被暴露的带59。
然后，这些被暴露的带59被激活(在图5K中用60作简要地表示)，用于通过浸渍在含钯的溶液中进行无电沉积。然后光阻材料被除去，铜或银61被通过无电沉积有选择地沉积在被激活的区域，如图6L中所示，图上也示出通过标准的腐蚀过程从TFT沟道区域除去的加添加剂的硅层49的一个区域。
在过程结束时，列导电体和像素在靠近边缘处有一个铜带。这就保证光可以通过像素，而列导电体下的铜给出高的电导率，以便对大的，高分辨率显示器寻址。
在以上所描述的过程的例子中，在将抗蚀剂重新流动和部分腐蚀以后，需要将ITO被暴露的带59激活的步骤，这是在无电镀以前通过浸渍在钯溶液中实现的，其他被暴露的区域可能有风险，例如，硅氮化物层47的区域，成为沾染钯，从而影响电镀的自选择方式。为了避免这种情况，使用一种替代的过程可能是优选的，在其中ITO材料在处理的较早阶段被适当地激活。在这种修改的方法中，紧接着在图5F中所示的阶段上将透明导电材料(ITO)层53喷涂以后，未从沉积设备中除去结构，通过喷涂在层53的表面施加适当的激活材料薄层。这意味着在后继的将抗蚀剂重新流动和腐蚀的阶段(图5J)以后，层53的被暴露区域59已经被适当地激活，钯对结构其他区域粘附的可能性被消除。在这种情况下，当进行电镀时，当然必须将抗蚀剂留在位置中。
在ITO被喷涂的方法步骤的上一阶段中，为了通过应用钯层电镀激活ITO也有这样的优点，即由于处理步骤数量减少，过程被简化到一定的程度，鉴于钯被沉积在与TIO相同的喷涂设备中，避免了对清理步骤的需要。而且，钯粘附到ITO可能比通过一个湿的化学沉积层实现好得多。喷涂被沉积的激活层最好顶多只有大约几毫微米的厚度。因此并不过分影响像素电极区域38上ITO的透明度。铂可被用来代替钯作为激活材料使用并同样被沉积。
在这个修改方法的变更中，双层堆Ti/pd，Cr/Pd或Mo/Pd(或合金)可被用于在ITO上沉积的激活层。在这些堆中，Ti，Cr或Mo层作为粘附层起作用，这一层形成得非常薄，典型情况下小于5nm，所以并不吸收任何可见光，只是稍稍将它散射。
为了增强对于较大显示器的电导率，或者减少所需的电镀金属厚度，列导电体可被分成两个或更多，这需要用交叉束连接几次，以保证电流传送到两个列上。
图6A示出两个被电镀的列62，64以便使电导率加倍、每个列导电体在两个边缘上有一个金属层65，两个列导电体被通过许多桥接部分66连接在一起，它们被金属层完全覆盖，这是通过提供桥接部分达到的，桥接部分的宽度小于光阻材料从边缘拉回的距离的两倍。
图6B示出一种方案，其中每个列导电体包括一种栅格配置，栅格的所有边缘有覆盖的金属层。在这种情况下，电导率几乎是单个列的导电率的三倍。
当利用低掩模数技术使用增强电导率列时，如以上实施方案中所示的那样，放在行上的无定形硅引入寄生TFT，这将影响显示器的驱动，这些影响可在驱动方案中进行协调，可以通过小心的设计将它们减至最小。
图7示出整个液晶显示器的结构。液晶材料层70被提供在包括上述结构的有源板极72上。进一步的衬底73覆盖液晶材料层。这种进一步的衬底73可被与一种彩色滤波器74和限定公共电极18(图1中所示)的板极的装置一起提供在一个面上。一种极化板极76也被提供在衬底72的相对边上。
因为本发明专门涉及晶体管衬底，液晶显示器的操作和结构将不作任何更详细的描述，因为这对于本领域的技术人员将是明显的。
所描述的特定的例子在ITO透明电极上提供铜，或银的镀层。可以使用其他的导电氧化物透明电极，可以电镀其他的金属。这些可能性归入本发明的范围。
可以对所描述的那些提供附加层，有各种各样可选方案，这对于本领域的技术人员将是明显的。在本申请中没有详细描述具体的处理参数和材料，因为本发明是基于已知的各种处理步骤和材料。这些步骤，和可能的方案的范围，对于本领域的技术人员将是明显的。
以上特定的例子在LCD的有源板极中使用无定形的硅TFT，但其他的半导体装置是可能的，如多晶质或微晶质。
在所描述的特定的例子中，使用底栅极晶体管，但也可以使用顶栅极晶体管。事实上，本发明可应用到需要透明像素电极的任何像素设备中，在其中将对限定像素电极的层的沉积与线(行或列)导电体组合可能是有益的。
权利要求
1.一种增加透明导电层电导率的方法，包括将光阻材料层沉积和成型为与透明导电层所希望的样式对应的形状；和利用光阻材料层将透明导电层成型，其中光阻材料层的边缘区域有锥度，该方法进一步包括以下步骤将光阻材料层部分腐蚀，使得至少部分的边缘区域被完全除去，从而露出下面的透明导电层；利用金属层将透明导电层的暴露部分有选择地覆盖。
2.一种依据权利要求1的方法，其中光阻材料层的边缘区域有锥度，在利用光阻材料层对透明导电体层成型以前提供。
3.一种依据权利要求1或2的方法，其中通过一种光阻材料重新流动技术提供有锥度的边缘区域。
4.一种依据任何一项前面的权利要求的方法，其中有选择地覆盖的步骤包括激活透明导电层的暴露部分；除去被部分腐蚀的光阻材料层；实施对透明导电层被激活区域的无电覆盖。
5.一种依据权利要求1到3中任一项的方法，其中透明导电层的暴露部分被激活用以无电覆盖，其中有选择地覆盖的步骤包括实施对透明导电层暴露部分的无电覆盖；除去被部分腐蚀的光阻材料层。
6.一种依据权利要求5的方法，其中在对光阻材料层沉积和成型步骤以前，透明导电层被激活。
7.一种依据权利要求6的方法，其中激活材料层被沉积在透明导电层的表面。
8.一种如任何以前的权利要求的方法，其中金属层包括铜或银。
9.一种如任何以前的权利要求的方法，其中透明导电体层包括一种导电氧化物。
10.一种如权利要求9的方法，其中氧化物包括ITO。
11.一种形成用于液晶显示器的有源板极的方法，包括将栅极导电体层沉积和成型在绝缘衬底上；将栅极绝缘体层沉积在已成型的栅极导电体层上；将硅层沉积在栅极绝缘体层上；将透明导电体层沉积在硅层上；将光阻材料层沉积和成型在透明层上，具有限定源极和漏极区域，像素电极区域和与源极或漏极导电体关联的线导电体区域的形状；和利用光阻材料层将透明导电体层成型，其中光阻材料层的边缘区域有一个锥度，该方法还包括将光阻材料层部分地腐蚀，使得至少部分边缘区域被完全地除去，从而暴露下面的透明导电体层；利用金属层有选择地覆盖透明导电体层的暴露部分。
12.一种依据权利要求11的方法，其中在利用光阻材料层对透明导电体层成型以前提供光阻材料层边缘区域锥度。
13.一种依据权利要求11或12的方法，其中通过一种光阻材料重新流动技术提供有锥度的边缘区域。
14.一种依据权利要求11，12或13的方法，其中有选择地覆盖的步骤包括激活透明导电层的暴露部分；除去被部分地腐蚀的光阻材料层；对透明导电层被激活的区域实施无电覆盖。
15.一种依据权利要求11，12或13的方法，其中透明导电层的暴露部分被激活用以无电覆盖，其中有选择地覆盖的步骤包括对透明导电层被激活的区域实施无电覆盖；除去被部分地腐蚀的光阻材料层。
16.一种依据权利要求15的方法，其中在对光阻材料层沉积和成型的步骤以前，透明导电层被激活。
17.一种依据权利要求16的方法，其中激活材料层被沉积在透明导电层表面上。
18.一种如权利要求11到17的任一项的方法，其中金属层包括铜或银。
19.一种如权利要求11到18的任一项的方法，其中透明导电体层包括导电的氧化物。
20.一种如权利要求19的方法，其中该氧化物包括ITO。
21.一种如权利要求11到20的任一项的方法，其中栅极导电体被利用一种第一平版印刷过程沉积和成型，光阻材料层被利用一种第二平版印刷过程沉积和成型，硅层被自行调准到与栅极导电体一致。
22.一种用于液晶显示器的有源板极，包括一个栅极导电体层，一个栅极绝缘体层，一个硅层，一起限定像素晶体管；一个透明导电体层，限定用于像素晶体管的源极和漏极导电体，也限定列导电体，每个连到一个关联的晶体管的源极和漏极之一，和也限定像素电极；和一个金属层，覆盖透明导电体层的边缘区域。
23.一种依据权利要求22的有源板极，其中每个像素与至少两个列导电体关联，每个列导电体有一个覆盖两个边缘的金属层，两个列导电体通过桥接部分连接在一起。
24.一种依据权利要求23的有源板极，其中桥接部分完全被金属层覆盖。
25.一种依据权利要求22的有源板极，其中每个列导电体包括一种栅格配置，栅格的所有边缘具有覆盖的金属层。
全文摘要
一种增加透明导电层电导率的方法，其中对透明层成型的光阻材料层具有带锥度的边缘并被部分腐蚀。部分腐蚀使被选择性地覆盖的下面的透明导电体的边缘区域暴露。本方法有一个对透明层单独成型的阶段，但使用对有锥度的光阻层的部分腐蚀，以便暴露透明层的小边缘区域，用导电层(可以是不透明的)覆盖。
文档编号G02F1/1362GK1451102SQ01804306
公开日2003年10月22日 申请日期2001年11月29日 优先权日2000年12月1日
发明者I·D·弗伦奇, P·J·范德扎阿格 申请人:皇家菲利浦电子有限公司