专利名称：：成像光学系统和投射曝光设备的制作方法成像光学系统和投射曝光设备本发明涉及如权利要求1、7和8的前序部分的成像光学系统。本发明还涉及包括该类型的成像光学系统的投射曝光设备、利用该类型的投射曝光设备来生产微结构部件的方法、和通过该方法生产的微结构部件。从US6，750，948B2、US2006/0232867AUEP0267766A2、US7，209，286B2和WO2006/069725A1可知开始所提到的成像光学系统。由于当光通过成像光学系统时在镜上的高的反射损失，在这些文件中所描述的成像光学系统具有透过性能，但当使用EUV辐射尤其是具有小于IOnm的波长的EUV辐射时，不能容忍该透过性能。因此，本发明的目的是开发开始提到的成像光学系统类型，从而创造镜的反射涂层的好条件，利用该反射涂层，当成像光通过该成像光学系统时，尤其甚至在小于IOnm的EUV范围内的波长，对于成像光仍能够实现低反射损失。通过具有权利要求1、4、7和8中所指出的技术特征的成像光学系统，实现了该目的。根据本发明，已经发现，具有最大入射角和数值孔径的非常低的比的成像光学系统导致，为成像光学系统的多个镜的所有反射表面提供多层涂层的可能性，该多层涂层对于入射角以低接受带宽值的代价具有高的反射率。因为在根据本发明的成像光学系统中，入射角仅非常轻微变化，所以对于入射角，可以以低接受带宽使用该类型的多层涂层。最小入射角和数值孔径的比可以小于33.0°、小于32.5°、小于32.0°、小于31.5°、甚至小于30.7°。如权利要求2所述的至少一个遮拦镜使得对于给定像方数值孔径就最小化最大入射角方面有助于构建成像光学系统。已经发现如权利要求3所述的构造特别适于最小化最大入射角和像方数值孔径的比。如权利要求4至6所述的镜上的反射涂层允许小于IOnm的结构分辨率。如权利要求4所述的成像光学系统还具有之前已经解释过的与至少一个遮拦镜相关联的优点。利用该类型的遮拦镜，能够实现光瞳遮拦，即遮挡入射到像场上的成像光的特定入射角。利用权利要求5所述的成像光学系统，可以实现6nm的结构分辨率或者甚至更小结构的分辨率。B4C/CsI多层可以用作反射涂层。每一多层反射涂层可以从300fB4C/CsI双层构造。单个双层的层厚可以随该层距成像光学系统的光轴的距离的增加而抛物线地增加。以该方式，对于在镜边缘更大偏离垂直入射的入射角，镜的反射率增加。具有如权利要求7或8所述的分辨能力的成像光学系统允许最精细结构的分辨率。以该方式，可以生产最高集成化的微结构或纳米结构部件。如权利要求8所述的数值孔径仍还算适于实现该分辨能力，优选最多使用0.4的像方数值孔径。这有助于构建成像光学系统。根据本发明的成像光学系统除了所要求保护的那些外，还可以包括上述讨论的特征的组合。如权利要求9和10所述的投射曝光设备的优点相应于在前参照根据本发明的成像光学系统解释的那些。投射曝光设备的光源可以配置为宽带并例如可以具有大于lnm、大于IOnm或大于IOOnm的带宽。此外，投射曝光设备可以配置以使能够利用不同波长的光源工作。其他波长特别是用于微光刻的那些波长的光源也可以与根据本发明的成像光学系统结合使用，例如具有365nm、248nm、193nm、157nm、126nm、109nm的光源，和尤其还有具有小于IOOnm的波长的光源。因此，取决于使用的波长，需要光学表面适当适配的涂层。如权利要求10所述的光源需要镜上的反射涂层，其对入射角仅具有小的接受带宽，以便获得最小的反射率。利用如本发明所述的成像光学系统，可以满足对于入射角的低接受带宽的该要求。如权利要求11所述的生产方法和从而产生的如权利要求12所述的纳米结构部件具有相应的优点。下面，借助于附图更详细地描述本发明的实施例，其中图1是用于EUV光刻的投射曝光设备的示意图；图2是该投射曝光设备的成像光学系统的实施例的子午截面图；图3是根据图2的成像光学系统的物场的放大图示；图4是在成像光学系统的物平面的区域中通过选择的场点和通过根据图2的成像光学系统的光轴的成像光线的截面；图5是通过图2中的平面V-V的通过根据图4的成像光线的截面；图6是通过图2中的平面VI-VI的通过根据图4的成像光线的截面；图7以简图的形式示出利用根据图2的成像光学系统，结构像的局部相干空间像的计算结果，该简图示出作为在成像光学系统的像场中的位移的函数的成像光线的相对强度；图8是类似于图7的、具有相比图7的较小的结构宽度的结构像的局部相干空间像计算结果的图示；图9是类似于图2的、根据图1的投射曝光设备的成像光学系统的另一实施例的视图；图10是类似于图4的、根据图9的成像光学系统的选择的场点的成像光线的穿透点的视图；图11是通过图9中的平面XI-XI的通过根据图10的成像光线的截面；图12是通过图9中的平面XII-XII的通过根据图10的成像光线的截面；图13是通过成像光学系统的实施例中的多个镜之一的一部分的截面，该截面垂直通过该镜的反射表面的反射涂层；以及图14是示出对于不同入射角优化的两个反射涂层，根据图13的反射涂层类型的反射率作为镜的反射表面上的成像光的入射角的函数的图示。具体实施例方式用于微光刻的投射曝光设备具有用于照明光或照明辐射3的光源2。光源2是EUV光源，其产生例如5nm与30nm之间尤其是5nm与IOnm之间的波长范围内的光。光源具体为具有6.9nm的波长的光源。其他的EUV波长也可行。通常，可见波长或其他波长的任何期望波长(例如365nm、248nm、193nm、157nm、129nm、109nm)可以用于在投射曝光设备中引导的照明光3，该波长例如可以在光刻中使用，且对于该波长，适当的激光光源和/或LED光源是可用的。在图1中相当示意地示出照明光3的光路。照明光学系统6将来自光源2的照明光3引导到物平面5中的物场4(参看图3)。物场4通过投射光学系统或成像光学系统7以预定缩小比例成像到像平面9中的像场8(参看图2)。图2所示的一个实施例和下面可以用于投射光学系统7。根据图2的投射光学系统7具有缩小因子8。其他缩小因子也是可能的，例如4x、5x、或者甚至大于8x的缩小比例。对于具有EUV波长的照明光3，8x的成像比例尤为适合，因为折射掩模10上的物方入射角因而能够保持较小。另外，8x的成像比例不需要使用不必要大的掩模。在根据图2的实施例的投射光学系统7和下面中，像平面布置平行于物平面5。以这样的方式，还称为掩模母版的反射掩模10的与物场4相吻合的部分被成像。投射光学系统7所实现的成像发生在晶片形式的基底11的表面上，该晶片由基底支撑(support)12支撑。图1示意性地示出在掩模10和投射光学系统7之间进入所述投射光学系统的照明光3的光束13，以及在投射光学系统和基底11之间离开投射光学系统7的照明光或成像光3的光束14。根据图2，像场方的投射光学系统7的数值孔径为0.40。这未按图1中的比例示出。为了有助于描述投射曝光设备1和投射光学系统7的各种实施例，在图中指定xyz系统，该xyz系统示出在要用的图中所表示的部件所取的各个位置。在图1中，χ方向垂直于且进入画平面延伸。y方向向右延伸，而ζ方向朝下延伸。投射曝光设备1是扫描曝光机类型设备。在投射曝光设备1的工作期间在y方向上扫描掩模母版10和基底11两者。用于投射曝光设备1的步进曝光机类型设备也是可行的，在该步进曝光机类型设备中，基底11的各个曝光之间发生掩模母版10和基底11在y方向上的步进位移。图2示出投射光学系统7的第一实施例的光学构造。这示出三个单个光线15中的每一个的光路径，在每种情况中该光路径从两个物场点出发，图2中该两个物场点在y方向上彼此远离。属于这些两个物场点中的一者的三个单个光线15中的每个与关于两个物场点的三个不同照明方向相关联。为了简洁的原因，图2中仅示出通过投射光学系统7的光瞳平面17的光瞳中心延伸的主光线16，因为归因于中心光瞳遮拦，这些不是投射光学系统7的真实的成像光路径。从物平面5出发，这些主光线16最初发散延伸。下面将这称为投射光学系统7的入瞳的负后焦长。根据图2的投射光学系统7的入瞳没有位于投射光学系统7内部，而是在光路径中的物平面5之前。这使得可以例如将照明光学系统6的光瞳部件布置在光路中投射光学系统7之前的投射光学系统7的入瞳中，而在该光瞳部件和物平面5之间没有必须存在的另外成像光学部件。作为替代，正的入瞳后焦长，或者作为另一替代的物方远心光路也是可行的。第二替代被使用，例如使用分束元件且与作为物平面5中的掩模母版10的反射掩模相关，或结合在物平面5中作为掩模母版的透射掩模。根据图2的投射光学系统7具有总共6个镜，其从物场4开始在单个光线15的光路中顺序编号Ml至M6。图2仅仅示出镜Ml至M6的计算反射表面。通常，镜Ml至M6大于实际使用的反射表面。根据图2的投射光学系统7的光学数据通过两个表格在下面示出。在“半径”列中，第一表格示出镜Ml至M6的各个曲率半径。第三列(厚度)描述了在每一情况中从物平面5开始到ζ方向上随后表面的距离。第二表格描述了镜Ml至M6的反射表面的精确表面形状，其中常数K和A至E用在下面关于弧失高度ζ的方程中<formula>formulaseeoriginaldocumentpage6</formula>=X+SQRT{X-{1+Kyh^+Ahi+Bh6+Ch8+Dh10+Ehn这里，h表示投射光学系统7距光轴8的距离。因此，h2=x2+y2。对于c，使用半径的倒数。<table>tableseeoriginaldocumentpage6</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage6</column></row><table>E<table>tableseeoriginaldocumentpage7</column></row><table>第一镜组19的镜Ml和镜M2以环形段且关于光轴18离轴使用。镜Ml和M2的所使用的光学反射表面因此位于距光轴18的一距离处。物场4和像场8布置在距光轴18的一距离处。全部镜Ml至M6的反射表面根据用于弧失高度ζ的上述方程关于光轴18成旋转对称。镜Ml和M2的光学利用区域对成像光的穿过不具有通孔，即不被遮拦。第一镜组19因此是非遮拦镜组。镜Ml和M2的反射表面彼此相面对。镜M1、M4、M5和M6是凹镜。镜M2和M3是凸镜。单个光线15在成像光路中经过在镜M2和M3之间的镜M4的通孔20。镜M4围绕通孔20使用。镜M4因此是遮拦镜。如M4，镜M3、M5和M6也都被遮拦且相似地每个也包括大致中心通孔20。总体上，在投射光学系统7中因此最初呈现出两个非遮拦镜(即镜Ml和M2)以及四个遮拦镜(即镜M3至M6)。光瞳平面17在投射光学系统7的光路中位于镜M3上单个光线15的反射区域中。镜Ml和M4就其反射表面的取向而言背对布置。投射光学系统7的中间像平面21在成像光路中位于镜M4和M5之间。单个光线15经过镜M3的通孔20之后直接穿过中间像平面21。镜M3和M4代表光瞳平面17和中间像平面21之间的投射光学系统7的第一遮拦镜组22，该第一遮拦镜组22在成像光路中布置在非遮拦镜组19的后面。镜M3和M4的反射表面彼此相面对。单个光线15穿过光路中在中间像平面和镜M5之间的镜M6中的通孔20。在镜M5上的单个光线15的反射区域中存在有投射光学系统7的另一光瞳平面23。镜M5和M6代表中间像平面20和像平面9之间的投射光学系统7的另一遮拦镜组24，该另一遮拦镜组24布置在遮拦镜组22的后面。镜M5和M6的反射表面彼此相面对。单个光线15在镜M6上反射后，单个光线15经过镜M5中的通孔20并到达像场8。下表示出根据图2的截面图中单个光线15的最大和最小入射角。<table>tableseeoriginaldocumentpage8</column></row><table>因此，到镜Ml至Μ6的反射表面上的成像光的最大入射角和投射光学系统7的数值孔径的比通过镜Μ2上的最大入射角(该最大入射角为12.35°)规定。在根据图2的投射光学系统7中，该最大入射角和数值孔径的比因而为30.9°。低的最大入射角提供甚至对于低的EUV波长而使用反射表面的可能性，例如在6.9nm的范围内，因为低的最大入射角该6.9nm的范围对于入射角具有相对大的可接受带宽。这在下面通过图14进一步解释。关于入射角的反射层的可接受带宽随着最大入射角的减少而增加，对于该最大入射角构建该反射涂层。形成为具有大量的具体为连续交替的具有不同反射率的层材料的叠层的反射涂层也是可行的。当使用波长小于IOnm的照明光2时，该类型的涂层具有对于入射角的相应低的可接受带宽。因此，即使在该类型的低波长，透镜系统7也能够被使用而相比目前技术具有相对低的反射损失，以及在单个镜的反射表面上具有反射率的较小差别。光轴18在图2中示出为虚线。根据图2，该虚线同时表示主分界平面25(图2中的XZ平面)与子午平面(图2中的yz平面)的交叉线。该主分界平面25与图2中的绘图平面垂直。光轴18位于主分界平面25中。此外，在光轴18上位于图2的子午平面中的中心物场点的法线26与主分界平面25垂直。该法线还位于图2的绘图平面中并与物平面5(图2中的xy平面)和子午平面(即，图2中的绘图平面)的交叉线相一致。在子午截面中延伸的光学系统的成像光线不经过投射光学系统7的第一、非遮拦镜组19中的主分界平面25。单个光线15在镜M2上反射后首先在成像光路中的镜M2和M3之间(即镜组19和22之间的转换处)通过主分界平面25。主光线16在光瞳平面17中首先通过主分界平面25。图3是投射光学系统7的物场4的放大图示。像场8具有完全相同的形状，除了减少8倍。场4是弧形场，其由相同半径R的两个弧27、28界定，该两个弧27、28在y方向上彼此平行移动距离YS。场4还由分别与弧27、28的两端相连接且平行于法线26延伸的两个边界线29、30界定。两个边界线29、30彼此相距距离XS(扫描狭缝宽)。主分界平面25经过两个边界线29、30的中心。因此，光轴18精确位于两个边界线29、30的中心之间。因为边界线29、30之间光轴18的该布置，场4因此为具有最小环形场半径R的场。这通过下面的表达式给出<formula>formulaseeoriginaldocumentpage8</formula>在图2的投射光学系统7中，物场4具有XS=104mm(扫描狭缝宽)和YS=8mm(扫描狭缝长)的尺寸。这对于物场4产生52.154mm的环形场半径R。在边界线29、30与图3的顶部示出的弧28之间，场4具有边界过渡31、32，这里弧28过渡到以直线延伸的边界线29、30。在边界过渡31、32之间，场半径矢量33覆盖方位角α，利用下面的公式计算该方位角αα=2arcsin(V2XS/R)这对于物场4产生171.2°的方位角α。像场8具有相同的方位角。该高方位角意味着对于给定的XS范围场4尽可能靠近光轴18布置。这有助于当在物场4和像场8之间通过投射物镜7成像时容易校正成像误差。此外，大方位角导致镜Ml至Μ6的小的基础直径(parentdiameter)和低的非球面性。镜的基础直径在D.A.Tichenor等的专业论JCuEmEngineeringTestStand(EUVXfM^IlJfeit)LawrenceLivermoreNationalLaboratory,14.02.2000,图6(预印UCRL-JC-137668)中定义。利用大的方位角，还可以使得镜Ml至M6上的入射角保持小。图4至6示出非遮拦镜组19内到选择的物场点的光束34的路径。下面结合图4至图6讨论的所有光束组的光束34中的每一个都与相同的物场点25相关联。示出总共5个光束组35、36、37、38、39的光束34。光束组35至39在图4中从左到右编号。每一光束组35至39具有5个光束34，该5个光束34属于具有相同χ值但在y方向上彼此等距的物场点。图4中的中心光束组37属于位于子午平面中的物场点。图4示出物平面5附近的光束34，从而能够看到弧形物场4的形状。边缘处的两个光束组35和39来自位于边界29、30的物场点。图4的视图在y方向上被压缩，以使弧场半径R显示出在y方向上比χ方向上小。在图4的上部示出属于中心光束组37的场半径段R。图4中，光束组35至39形成关于光轴18的向下开口的半圆。图5示出图2的截面V中即镜Ml的区域中的光束34。图5中，在镜Ml上反射的光束组40至44位于环形段上并形成关于光轴18的向下开口的外半圆。此外，光束组45至49通过平面V，该光束组45至49在光路中的镜M2和M3之间延伸。图5中光束组45至49也形成关于光轴18的向下开口的半圆。因此，光束组45至49的半圆位于光轴18和光束组40至44形成的半圆之间。由于光束组40至44一者的和光束组45至49另一者的两个半圆中的每一个都向下开口的事实，可以获得光束组40至44一者和光束组45至49另一者的单个光束34之间的足够大的最小距离，光束组40至49的紧密布置。该距离在图5中用A表示。因此，图5中用点划线所示的镜M4中的通孔20可以被界定在光束组40至44一者和45至49另一者之间而不用采取另外的步骤。距离A在实际中是必需的，因为镜Ml至M6通常不会生产为有完美的锐利边。距离A也用作组装和调整系统的容限。传统上，距离A为几微米。图6以类似于图5的视图示出布置有镜M2的区域中平面VI中的物场点25的光束34。在光束34在镜M2上反射处，光束组50、51、52、53、54位于光轴18附近。光束组50至54以半圆布置，在图6中该半圆向下开口。此半圆被光束组55至59的同样向下开口的半圆围绕，光束组55至59在成像光路中经过物平面5和镜Ml之间的平面VI。因此，与光束组50至54—者和55至59另一者相关联的多个半圆的半圆开口在平面VI中也以相同的方向开口，从而在这些光束组50至54—者和55至59另一者之间提供距离A，同时紧密布置。在该情况中，镜M2的边缘处的定界60(如图6中用点划线所指示的)也是可行的而不对光束组50至54—者和55至59另一者产生晕影。平面V和VI之间，单个光线15因此经过多通过区域61(参看图2)。该多通过区域61总共被通过3次，具体地，一方面由物平面5和镜Ml之间的单个光线15、另一方面由镜Ml和M2之间的单个光线15，并且还由镜M2和M3之间的单个光线15。在多通过区域61中不存在投射光学系统7的光瞳平面。光瞳平面17和23布置在多通过区域61的外面。图7示出投射物镜7的局部相干图像计算结果。在所示出的图中，在像场8中，相对强度I向上绘制，作为向右绘制的位置V的函数。根据图7的图示出矩形结构的成像结果，该矩形结构总共有7个具有IOnm像方结构宽的单个结构B和具有相同IOnm的像方结构距离的中间空间C。物方结构宽通过成像比例产生像方结构宽，且在当前情况下为SxlOnm=80nm。该结构布置在物场4即掩模母版10上。在通过像场8的扫描期间不同y值处的相对强度在图7的图示中画出为近似正弦线。成像光的波长为6.9nm。相对强度在近似0.06(IOnm结构B的位置处)和0.62(IOnrn中间空间C的中心处)之间波动。由于相对强度在结构区域B和结构中间空间C之间相当大的变化，该IOnm的结构能够在像平面9中分辨而不用采取进一步的步骤，且能够用于通过基底11上相应光刻胶的曝光来产生像场8中相应结构。图8为类似图7的图示，图8是根据图2的投射物镜7的局部相干空间像计算结果的图示，为具有结构中间空间C的结构B的结构分辨，在像方该结构中间空间C在每一情况中具有6nm的延伸。该情况中，也使用6.9nm的波长。在该情况中，相对强度同样地从近似0.2(结构B的中间)的值到近似0.37(结构B之间的中间空间C的中心)的值近似正弦地变化。因此，6nm的结构也被成像，具有对于光刻胶显影的足够的强度变化。在该情况中，也使用6.9nm的波长。图9示出投射光学系统7的另一实施例。相应于已经参照图1至图8解释过的部件和细节具有相同的附图标记并不再详细的讨论。下面，通过两个表重现根据图9的投射光学系统7的光学数据，这两个表相应于用于根据图2的投射光学系统7的表的布局。<table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table>根据图9的实施例具有0.50的数值孔径。中间像平面21在光路中位于镜M4和M5之间，空间上位于镜M3的前面并位于其附近。镜M2是球面的。另外，根据图9的投射光学系统7的构造相应于根据图2的投射光学系统7的构造。下表总结了单个光线15在镜Ml至M6上的最大入射角。第三列附加地示出镜Ml至M6的反射表面从与该反射表面具有最小误差拟合的球面(最佳拟合球面)的最大偏离。最大偏离为180μm。因此，根据图9的投射光学系统7的所有镜Ml至M6的非球面性较小，而镜M2实际上为球面，并且这简化了镜2的反射表面的构建。<table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table>在根据图9的投射光学系统7中，根据图9的投射光学系统7的镜Ml至Μ6的反射表面上的成像光的最大入射角具体为镜Μ5上15.34°的入射角与0.5的数值孔径的比为30.68°。根据图9的投射物镜7的总结构长为2000mm。表面中的最大中心光瞳遮拦小于7/分。图10至12为对应于图4至图6的示图，图10为物平面5的区域中光束组35至39的布置，图11为镜Ml的区域中平面XI上光束组40至44和45至49的布置，而图12为镜M2的区域中平面XII上光束组50至54和55至59的布置。图2和图9的投射物镜7中光束组的布置在光束直径和光束彼此的距离的方面不同，但在光束组的半圆形布置和这些彼此相距的半圆形的各自相等取向下开口的方面没有不同。在根据图9的投射物镜7的多通过区域61中，平面XI和XII之间没有投射光学系统7的光瞳平面，这也是图2的投射物镜7中的情况。在非遮拦镜组中，每一情况中的数值孔径略比遮拦镜组的低。图13为通过根据本发明的投射光学系统7的之前公开的实施例的镜Ml至M6中之一的一部分的示意截面图。由于之前公开的实施例的所有镜Ml至M6在层的次序方面大体上具有相似构造的反射表面，所以通过对于这些镜中的一个(下面，称作镜M)的图13足以示出该层结构。根据图13的截面垂直于镜M的反射表面作出。在根据图2的投射光学系统7的实施例中，反射涂层80在镜M的基底表面81上总共构建有300个双层82，在图13中示出其中的两个上面的双层和直接施加到基底表面的双层。图13中在所表示的双层82之间断开的中间空间中，布置有其余的双层(未示出)。每一双层82具有3.5nm的层厚dQ。每一双层82具有2.Inm层厚的碳化硼(B4C)层用作间隔层83。此外，每一双层82具有1.4nm层厚的碘化铯(CsI)的吸收层84。反射涂层80具有沿光轴18的这些层厚。反射涂层80的层厚在镜M的反射表面上变化，如下将解释的。在下面的表格中总结了层数据，具体为层83、84的波长依赖折射率η和消光系数k以及表征反射涂层80的层厚分布d(r)的系数<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>反射涂层80的层厚分布因此由以下公式描述<formula>formulaseeoriginaldocumentpage13</formula>d(r)给出反射涂层80的双层82(即叠层)的局部层厚，作为镜M的反射表面上分别考虑的局部点距光轴18的径向距离的函数。反射涂层80的层厚因而对于C2兴0具有抛物线分布，对于C2>0，层厚随着距光轴的距离的增加而增加。每一个双层82内的间隔层83与吸收层84的层厚比保持恒定，而与距光轴18的距离r无关。这个比为Y=d(吸收层)/d(双层)=0.4在该情况中，d表示各个层的层厚。利用根据上面的表格的反射涂层80，镜Ml至M6对于照明光3的6.9nm的波长具有58%的平均镜反射率。产生的投射光学系统7的总体反射率因而为3.92%。因此，在根据图2的投射光学系统7的所有镜Ml至M6上反射后，来自物场4的照明光3的强度的3.92%到达像场8。根据图9的投射光学系统7的镜Ml至M6可以载有相应的多层反射涂层，诸如之前关于根据图2的实施例所解释的。用于描述抛物线层厚分布的系数CO和C2则对于镜Ml至M6上入射角的分布来调整。图14示出根据两个反射涂层80的入射角的反射涂层80的反射率，该两个反射涂层80对于不同的入射角优化，具体地对于0°(实线)和对于10°(虚线)。能够清楚地看到，相比对于10°的入射角所优化的反射涂层，对于0°的入射角所优化的反射表面80的入射角可接受带宽显著较大。该入射角的可接受带宽随着用于反射涂层80优化的入射角而单调减少。镜Ml至M6中的一个镜上的最大入射角越小，可以用于反射涂层80优化的入射角越小并且可用于该镜Ml至M6的反射涂层80的入射角的可接受带宽越大。权利要求具有多个镜(M1至M6)的成像光学系统(7)，该多个镜(M1至M6)将物平面(5)中的物场(4)成像到像平面(9)中的像场(8)，其由下述比来表征-所有镜(M1至M6)的反射表面上的成像光(3)的最大入射角-和所述成像光学系统(7)的像方数值孔径该比小于33.8°。2.如权利要求1所述的成像光学系统，其特征在于，所述成像光学系统(7)包括至少一个遮拦镜(M3至M6)，该遮拦镜具有用于使成像光(15)通过的通孔(20)。3.如权利要求2所述的成像光学系统，其特征在于，所述成像光学系统(7)包括六个镜(Ml至M6)，其中至少三个镜优选正好四个镜(M3至M6)被遮挡。4.具有多个镜(Ml至M6)的成像光学系统(7)，该多个镜(Ml至M6)将物平面(5)中的物场(4)成像到像平面(9)中的像场(8)，其特征在于，镜(Ml至M6)中的每一个载有用于具有小于lOnm的波长的成像光(3)的反射涂层(80)，所述成像光学系统(7)包括具有用于使成像光(15)通过的通孔(20)的至少一个遮拦镜(M3至M6)。5.具有多个镜(Ml至M6)的成像光学系统(7)，该多个镜(Ml至M6)将物平面(5)中的物场(4)成像到像平面(9)中的像场(8)，其特征在于，镜(Ml至M6)中的每一个载有用于具有小于lOnm的波长的成像光(3)的反射涂层(80)，所述镜(Ml至M6)具有大于50%的平均反射率。6.如权利要求5所述的成像光学系统，其特征在于，镜(Ml至M6)中的每一个载有反射涂层(80)，从而所述镜(Ml至M6)对于波长为6.9nm的成像光(3)具有大于58%的平均反射率。7.用于利用波长小于lOnm的成像光(3)的成像光学系统，其特征在于分辨能力好于20nm，优选好于16nm、更优选好于llnm、更甚优选好于8nm、以及更甚优选好于6nm。8.具有至多为0.5的像方数值孔径的成像光学系统，其特征在于分辨能力好于20nm、优选好于16nm、、更优选好于llnm、更甚优选好于8nm、以及更甚优选好于6nm。9.用于微光刻的投射曝光设备，-包括如权利要求1至8的任一所述的成像光学系统(7)，-包括光源⑵，-以及包括照明光学系统(6)，用于将照明光(3)引导到所述成像光学系统(7)的物场⑷。10.如权利要求9所述的投射曝光设备，其特征在于，用于产生照明光(3)的所述光源⑵配置为具有小于lOnm的波长。11.生产微结构部件的方法，具有下述方法步骤_提供掩模母版(10)和晶片(11)，-通过如权利要求9或权利要求10所述的投射曝光设备，将所述掩模母版(10)上的结构投射到所述晶片(11)的光敏感层上，_和在所述晶片(11)上产生微结构(B、C)。12.通过如权利要求11所述的方法生产的微结构部件。全文摘要成像光学系统(7)具有多个镜(M1至M6)。这些镜将物平面(5)中的物场(4)成像到像平面(9)中的像场(8)。在成像光学系统(7)中，镜(M1至M6)的反射表面上的成像光(15)的最大入射角和成像系统(7)的像方数值孔径的比小于33.8°。这产生为镜的反射涂层提供好的条件的成像光学系统，利用该成像光学系统，当成像光通过该成像光学系统时，尤其甚至在小于10nm的EUV范围内的波长，对于成像光仍能够获得低的反射损失。文档编号G03F7/20GK101836165SQ200880113387公开日2010年9月15日申请日期2008年10月11日优先权日2007年10月26日发明者哈特穆特·恩基希,威廉·乌尔里克,斯蒂芬·马伦德,汉斯-于尔根·曼申请人:卡尔蔡司Smt股份公司