光刻设备和辐射至少两个目标部分的方法

专利名称：光刻设备和辐射至少两个目标部分的方法
技术领域：
本发明涉及一种光刻设备和一种辐射至少两个目标部分的方法。
背景技术：
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上(通常是衬底的目标部分上)的机器。 例如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩 模或掩模版的图案形成装置用于生成在所述IC的单层上待形成的电路图案。可以将该图 案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯) 上。通常，图案的转移是通过把图案成像到提供到衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上 进行的。通常，单独的衬底将包含被连续形成图案的相邻目标部分的网络。公知的光刻设 备包括所谓的步进机，在所述步进机中，通过将整个图案一次曝光到所述目标部分上来辐 射每一个目标部分；和所谓的扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向("扫描"方 向)扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向同步地扫描所述衬底来辐射每 一个目标部分。也可能通过将图案压印(imprinting)到衬底上的方式从图案形成装置将 图案转移到衬底上。 已经提出将光刻投影设备中的衬底浸入到具有相对高折射率的液体(例如水) 中，以便填充投影系统的最终元件和衬底之间的空间。在一实施例中，所述液体是蒸馏水， 但是可以使用其他液体。本发明的实施例将参考液体进行描述。然而，其它流体也可能是适 合的，尤其是润湿性流体、不可压縮的流体和/或具有比空气的折射率高的折射率的流体， 期望是具有比水的折射率高的折射率的流体。不含气体的流体是尤其希望的。这样能够实 现更小特征的成像，因为在液体中曝光辐射将会具有更短的波长。(液体的效果也可以被看 成提高系统的有效数值孔径(NA)和增加焦深)。还提出了其他浸没液体，包括其中悬浮有 固体颗粒(例如石英)的水，或具有纳米颗粒悬浮物(例如具有最大尺寸达10nm的颗粒) 的液体。这种悬浮的颗粒可以具有或不具有与它们悬浮所在的液体相似或相同的折射率。 其他可能合适的液体包括烃，例如芳香烃、氟化烃和/或水溶液。 将衬底或衬底与衬底台浸入液体浴器(参见，例如美国专利US4， 509， 852)意味着 在扫描曝光过程中需要加速很大体积的液体。这需要额外的或更大功率的电动机，而液体 中的湍流可能会导致不希望的或不能预期的效果。 在浸没设备中，浸没流体通过流体处理系统、结构或设备进行处理。在一实施例 中，流体处理系统可以供给浸没流体并且因此可以是流体供给系统。在一实施例中，流体处 理系统可以至少部分地限制浸没流体，并且由此可以是流体限制系统。在一实施例中，流体 处理系统可以形成浸没流体的阻挡件，因而可以是阻挡构件，例如流体限制结构。在一实施 例中，流体处理系统可以产生或利用气流，例如以帮助控制浸没流体的流动和/或位置。气 流可以形成密封以限制浸没流体并且因此流体处理结构可以称为密封构件；这种密封构件 可以是流体限制结构。在一实施例中，浸没液体用作浸没流体。在这种情形中，流体处理系 统可以是液体处理系统。参考前面的描述，在本段中提到的相对于流体进行限定的特征可
4以理解为包括相对于液体进行限定的特征。 提出来的布置之一是液体供给系统，所述液体供给系统用以通过使用液体限制结 构将液体仅提供到衬底的局部区域和在投影系统的最终元件与衬底之间(通常衬底具有 比投影系统的最终元件更大的表面积)。提出来的一种用于上述布置的方法在公开号为 W099/49504的PCT专利申请出版物中公开了。如图2和图3所示，液体期望地沿着衬底相 对于最终元件移动的方向，通过至少一个入口供给到衬底上，并且在已经通过投影系统下
面之后，通过至少一个出口去除。也就是说，当衬底在所述元件下沿着-x方向扫描时，液体
在元件的+X —侧供给并且在-X —侧去除。图2是所述布置的示意图，其中液体通过入口 供给，并在元件的另一侧通过与低压源相连的出口去除。衬底W上方的箭头示出液体流的 方向，衬底W下方的箭头示出衬底台的运动方向。在图2中，液体沿着衬底相对于最终元件 的移动方向供给，但这并不是必须的。可以在最终元件周围设置各种方向和数目的入口和 出口。图3示出了一个实例，其中在最终元件的周围在每侧上以规则的重复方式设置了四 组入口和出口。液体供给装置和液体回收装置中的箭头表示液体流的方向。
在图4中示出了另一个采用液体局部供给系统的浸没式光刻方案。液体由两个槽 状入口沿着如位于投影系统PS每一侧上的箭头所示朝向衬底的方向供给，并由布置在入 口沿径向向外的位置上的多个离散的出口沿着如箭头所示远离衬底的方向去除。所述入口 和出口可以布置在板上，所述板可在其中心设置有孔，投影束通过该孔投影。液体由位于投 影系统PS的一侧上的一个槽状入口供给，而由位于投影系统PS的另一侧上的多个离散的 出口去除，这造成投影系统PS和衬底W之间的液体薄膜流。选择使用哪组入口和出口组合 可以依赖于衬底W的移动方向(另外的入口和出口组合是不起作用的)。在图4的横截面 视图中，箭头示出液体流进入和出离入口 /出口的方向。 在欧洲专利申请公开出版物EP1420300和美国专利申请公开出版物 US2004/0136494中，公开了一种成对的或双台浸没式光刻设备的方案。这种设备具有两个 台用以支撑衬底。调平(levelling)测量在没有浸没液体的工作台的第一位置处进行，曝 光在存在浸没液体的工作台的第二位置处进行。可选的是，设备仅具有一个台。
PCT专利申请公开出版物WO 2005/064405公开一种"全浸湿"布置，其中浸没液 体是不受限制的。在这种系统中，衬底的整个顶表面覆盖在液体中。这可以是有利的，因为 之后衬底的整个顶表面暴露在基本上相同的条件下。这对于衬底的温度控制和处理是有利 的。在W0 2005/064405中，液体供给系统提供液体到投影系统的最终元件和衬底之间的间 隙。液体被允许泄漏到衬底的其他部分上。衬底台的边缘处的阻挡件防止液体逸出，使得 液体可以从衬底台的顶表面以受控制的方式去除。虽然这样的系统改善了衬底的温度控制 和处理，但仍然可能出现浸没液体的蒸发。帮助缓解这个问题的一种方法在美国专利申请 公开出版物No. US 2006/0119809中有记载。其中，设置一构件，所述构件覆盖衬底W的所 有位置，并且布置成使浸没液体在所述构件和衬底和/或保持衬底的衬底台的顶表面之间 延伸。 浸没式光刻设备的许多表面由对于在所述设备中所使用的浸没液体具有疏液性 的材料制成。所述材料可以是施加于下层表面上方的涂层。例如，所述表面材料的疏液性 质有助于干燥所述表面或者控制浸没液体的位置。

发明内容
使用疏液材料的困难在于，这种材料在被来自于光学系统的辐射所辐射时可能劣 化。例如，所述材料可能损失其疏液性质，并可能成为亲液的。所述材料，例如涂层材料，可 能劣化以释放污染物，例如以颗粒的形式。期望地，例如，提供能够阻止表面材料(例如涂 层)的劣化的光刻设备。 根据一个方面，提供一种光刻设备，包括台；至少两个目标部分，所述至少两个 目标部分位于所述台上或者位于所述台上的物体上，在所述至少两个目标部分之间设置有 表面材料；光学系统，所述光学系统配置用于沿着光路朝向所述台投影辐射束，所述辐射束 的横截面能够同时辐射所述至少两个目标部分；和屏蔽件，所述屏蔽件可移动入所述光路 中，以限制辐射束的横截面，从而限制所述至少两个目标部分之间的照射，其中，在所述至 少两个目标部分之间的所述表面材料在被来自所述光学系统的辐射所辐射时将产生劣化、 或变形或者劣化和变形两者。 根据一个方面，提供一种用于辐射光刻设备中的台的或台上的物体的至少两个目 标部分的方法，其中在所述至少两个目标部分之间的表面材料在受辐射时劣化，所述方法 包括步骤朝向所述目标部分投影辐射束，所述辐射束具有足够大的横截面以同时辐射所 述至少两个目标部分；和限制所述辐射束的横截面以限制在所述至少两个目标部分之间的 表面材料的照射。 根据一个方面，提供一种用于辐射光刻设备中的台的或台上的物体的至少两个目 标部分的方法，其中在所述至少两个目标部分之间的表面材料在被辐射时产生变形，所述 方法包括步骤朝向所述目标部分投影辐射束，所述辐射束具有足够大的横截面以同时辐 射所述至少两个目标部分；和限制所述辐射束的横截面以限制在所述至少两个目标部分之 间的表面材料的照射。 根据一个方面，提供一种框架构件，所述框架构件配置用于限制光刻设备的光学
系统中的辐射束的横截面，所述框架构件在其中限定有孔，以允许辐射从中通过，所述孔位
于所述框架构件的一部分中，而不需要在衬底的成像过程中限制辐射束的横截面。
根据一个方面，提供一种光刻设备，包括台；光学系统，所述光学系统配置用于
沿着光路朝向所述台投影辐射束；目标部分，所述目标部分位于所述台上或位于由所述台
支撑的物体上，其中， 一表面材料与所述目标部分相邻，所述表面材料在被来自所述光学系
统的辐射所辐射时是可劣化的；和框架构件，所述框架构件构造和布置用于能够移动入所
述光路中，所述框架构件限定穿过所述框架构件的主体的开口 ，其中，当所述框架构件位于
所述光路中时，辐射束通过所述开口 ，且所述开口配置用于限制辐射束的横截面，以限制由
辐射束对所述目标部分的辐射。 根据一个方面，提供一种用于辐射位于台上或由所述台支撑的物体上的目标部分 的方法， 一表面材料与所述目标部分相邻，所述表面材料在受辐射时是可劣化的，所述方法 包括步骤朝向所述目标部分投影辐射束；和移动框架构件进入辐射束的路径中，以使得 辐射束的横截面由限定在所述框架构件中的开口所限制，以将由辐射束对所述目标部分的 辐射进行限制。


下面仅通过示例的方式，参考附图对本发明的实施例进行描述，其中示意性附图
中相应的标记表示相应的部件，在附图中 图1示出根据本发明实施例的光刻设备； 图2和图3示出用于光刻投影设备中的液体供给系统； 图4示出用在光刻投影设备中的另一液体供给系统； 图5示出用在光刻投影设备中的另一液体供给系统； 图6示出衬底台的顶表面的平面图； 图7示出TIS传感器的顶表面的平面图；禾口 图8示出根据本发明的实施例的y方向框架构件的平面图。
具体实施例方式图1示意地示出了根据本发明的一个实施例的光刻设备。所述光刻设备包括
-照射系统(照射器)IL，其配置用于调节辐射束B(例如，紫外(UV)辐射或深紫 外(DUV)辐射);-支撑结构(例如掩模台)MT，其构造用于支撑图案形成装置(例如掩模)MA，并与
配置用于根据确定的参数精确地定位图案形成装置的第一定位装置PM相连；-衬底台(例如晶片台)WT，其构造成用于保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片)
W，并与配置用于根据确定的参数精确地定位衬底的第二定位装置PW相连；禾口 投影系统(例如折射式投影透镜系统)PS，其配置成用于将由图案形成装置MA赋
予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括一根或多根管芯)上。 照射系统可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静
电型或其它类型的光学部件、或其任意组合，以引导、成形、或控制辐射。 所述支撑结构MT保持图案形成装置。支撑结构MT以依赖于图案形成装置的方向、
光刻设备的设计以及诸如图案形成装置是否保持在真空环境中等其他条件的方式保持图案
形成装置。所述支撑结构MT可以采用机械的、真空的、静电的或其它夹持技术保持图案形成
装置。所述支撑结构MT可以是框架或台，例如，其可以根据需要成为固定的或可移动的。所
述支撑结构MT可以确保图案形成装置位于所需的位置上(例如相对于投影系统)。在这里
任何使用的术语"掩模版"或"掩模"都可以认为与更上位的术语"图案形成装置"同义。 这里所使用的术语"图案形成装置"应该被广义地理解为表示能够用于将图案在
辐射束的横截面上赋予辐射束、以便在衬底的目标部分上形成图案的任何装置。应当注意，
被赋予辐射束的图案可能不与在衬底的目标部分上的所需图案完全相符(例如如果该图
案包括相移特征或所谓辅助特征)。通常，被赋予辐射束的图案将与在目标部分上形成的器
件中的特定的功能层相对应，例如集成电路。 图案形成装置可以是透射式的或反射式的。图案形成装置的示例包括掩模、可编 程反射镜阵列以及可编程液晶显示(LCD)面板。掩模在光刻术中是公知的，并且包括诸如 二元掩模类型、交替型相移掩模类型、衰减型相移掩模类型和各种混合掩模类型之类的掩 模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，每一个小反射镜可以独立地 倾斜，以便沿不同方向反射入射的辐射束。所述已倾斜的反射镜将图案赋予由所述反射镜矩阵反射的辐射束。 这里使用的术语"投影系统"应该广义地解释为包括任意类型的投影系统，投影系 统的类型可以包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、电磁型和静电型光学系统、或其任 意组合，如对于所使用的曝光辐射所适合的、或对于诸如使用浸没液或使用真空之类的其 他因素所适合的。这里任何使用的术语"投影透镜"可以认为是与更上位的术语"投影系 统"同义。 如这里所示的，所述设备是透射型的(例如，采用透射式掩模)。替代地，所述设备 可以是反射型的(例如，采用如上所述类型的可编程反射镜阵列，或采用反射式掩模)。
所述光刻设备可以是具有两个(双台)或更多衬底台(和/或两个或更多的图案 形成装置台)的类型。在这种"多台"机器中，可以并行地使用附加的台，或可以在一个或 更多个台上执行预备步骤的同时，将一个或更多个其它台用于曝光。 参照图l，所述照射器IL接收从辐射源S0发出的辐射束。该源和所述光刻设备可 以是分立的实体(例如当该源为准分子激光器时)。在这种情况下，不会将该源考虑成形成 光刻设备的一部分，并且通过包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器的束传递系统BD的 帮助，将所述辐射束从所述源S0传到所述照射器IL。在其它情况下，所述源可以是所述光 刻设备的组成部分(例如当所述源是汞灯时)。可以将所述源SO和所述照射器IL、以及如 果需要时设置的所述束传递系统BD —起称作辐射系统。 所述照射器IL可以包括用于调整所述辐射束的角强度分布的调整器AD。通常，可 以对所述照射器的光瞳平面中的强度分布的至少所述外部和/或内部径向范围( 一般分别 称为o-外部和o-内部)进行调整。此外，所述照射器IL可以包括各种其它部件，例如 积分器IN和聚光器C0。可以将所述照射器IL用于调节所述辐射束，以在其横截面中具有 所需的均匀性和强度分布。 所述辐射束B入射到保持在支撑结构(例如，掩模台)MT上的所述图案形成装置 (例如，掩模)MA上，并且通过所述图案形成装置MA来形成图案。已经穿过图案形成装置MA 之后，所述辐射束B通过投影系统PS，所述投影系统PS将辐射束B聚焦到所述衬底W的目 标部分C上。通过第二定位装置PW和位置传感器IF (例如，干涉仪器件、线性编码器或电容 传感器)的帮助，可以精确地移动所述衬底台WT，例如以便将不同的目标部分C定位于所述 辐射束B的路径中。类似地，例如在从掩模库的机械获取之后，或在扫描期间，可以将所述 第一定位装置PM和另一个位置传感器(图1中未明确示出)用于相对于所述辐射束B的 路径精确地定位图案形成装置MA。通常，可以通过形成所述第一定位装置PM的一部分的长 行程模块(粗定位)和短行程模块(精定位)的帮助来实现支撑结构MT的移动。类似地， 可以采用形成所述第二定位装置PW的一部分的长行程模块和短行程模块来实现所述衬底 台WT的移动。在步进机的情况下(与扫描器相反)，支撑结构MT可以仅与短行程致动器相 连，或可以是固定的。可以使用图案形成装置对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对 准图案形成装置MA和衬底W。尽管所示的衬底对准标记占据了专用目标部分，但是它们可 以位于目标部分之间的空间(这些公知为划线对准标记)中。类似地，在将多于一个的管芯 设置在图案形成装置MA上的情况下，所述图案形成装置对准标记可以位于所述管芯之间。
可以将所示的设备用于以下模式中的至少一种中 1.在步进模式中，在将支撑结构MT和衬底台WT保持为基本静止的同时，将赋予所述辐射束的整个图案一次投影到目标部分C上(即，单一的静态曝光)。然后将所述衬底 台WT沿X和/或Y方向移动，使得可以对不同目标部分C曝光。在步进模式中，曝光场的 最大尺寸限制了在单一的静态曝光中成像的所述目标部分C的尺寸。 2.在扫描模式中，在对支撑结构MT和衬底台WT同步地进行扫描的同时，将赋予所 述辐射束的图案投影到目标部分C上(即，单一的动态曝光)。衬底台WT相对于支撑结构 MT的速度和方向可以通过所述投影系统PS的(縮小)放大率和图像反转特征来确定。在 扫描模式中，曝光场的最大尺寸限制了单一动态曝光中所述目标部分的宽度(沿非扫描方 向)，而所述扫描运动的长度确定了所述目标部分的高度(沿所述扫描方向)。
3.在另一个模式中，将用于保持可编程图案形成装置的支撑结构MT保持为基本 静止，并且在对所述衬底台WT进行移动或扫描的同时，将赋予所述辐射束的图案投影到目 标部分C上。在这种模式中，通常采用脉冲辐射源，并且在所述衬底台WT的每一次移动之 后、或在扫描期间的连续辐射脉冲之间，根据需要更新所述可编程图案形成装置。这种操作 模式可易于应用于利用可编程图案形成装置(例如，如上所述类型的可编程反射镜阵列) 的无掩模光刻术中。 也可以采用上述使用模式的组合和/或变体，或完全不同的使用模式。 用于在投影系统的最终元件和衬底之间提供液体的布置可以分成至少两种主要
类别。它们是浴器型(或浸入型)布置和局部浸没系统。在浸入型布置中，基本上整个衬
底和可选的一部分衬底台浸入到液体中(例如在浴器中或在液体膜下)。局部浸没系统采
用仅将液体提供到衬底的局部区域的液体供给系统。在后一种类别中，液体所填充的空间
在平面视图中小于衬底的顶表面。在衬底在所述空间下面移动的同时，所述空间内覆盖衬
底的液体体积体相对于投影系统基本上保持静止。 本发明实施例可以涉及的另一种布置是全浸湿方案，其中液体是不受限制的。在 这种布置中，衬底的基本上整个顶表面和衬底台的全部或一部分被浸没液体覆盖。用于至 少覆盖衬底的液体的深度小。所述液体可以是位于衬底上的液体膜，例如位于衬底上的液 体薄膜。图2-5中的任何液体供给装置都可以用于这种系统。然而，在液体供给装置中，密 封特征并不存在，不起作用，不如正常状态那样有效，或者以其它方式不能有效地仅将液体 密封在局部区域。图2-5中示出了四种不同类型的液体局部供给系统。以上描述了图2-4 中公开的液体供给系统。 已经提出的另一个布置是为液体供给系统提供流体限制结构。图5中示出了液体 局部供给系统或具有阻挡构件的流体处理结构或流体限制结构12，其沿投影系统的最终元 件和衬底台WT或衬底W之间的空间的边界的至少一部分延伸(值得注意的是，如果没有相 反的说明，在下文中提到的衬底W的表面还可以可选地或附加地表示衬底台的表面)。尽管 可以在Z方向上存在一些相对移动(在光轴的方向上)，但是流体限制结构12相对于投影 系统在XY平面内基本上是静止的。在一实施例中，在流体限制结构和衬底W的表面之间形 成密封，并且所述密封可以是非接触密封，例如气体密封或流体密封。 所述流体限制结构12至少部分地将液体包含在所述投影系统PS的最终元件和所 述衬底W之间的空间11内。对衬底W的非接触密封16可以围绕所述投影系统的像场形成， 使得液体被限制在衬底W的表面和所述投影系统PS的最终元件之间的空间内。所述空间 至少部分地由位于投影系统PS的最终元件下面并围绕投影系统PS的所述最终元件的流体通过液体入口 13被引入到投影系统下面的所述空间和流体限制 结构12内。液体可以通过液体出口 13去除。流体限制结构12可以延伸略微超过投影系 统的最终元件上方。液面高于最终元件，使得提供液体的缓冲。在一实施例中，流体限制结 构12具有内周，所述内周在上端处与投影系统或其最终元件的形状接近一致，并且可以是 例如圆形的。在底端，所述内周与像场的形状接近一致，例如矩形，但这不是必需的。
液体通过在使用过程中形成在流体限制结构12的底部和衬底W的表面之间的气 体密封16而被限制在空间11中。气体密封由气体形成，例如空气或合成空气，但是在一实 施例中是通过氮气或其他惰性气体形成。气体密封中的气体在压力下通过入口 15提供到 流体限制结构12和衬底W之间的间隙。气体通过出口14被抽取。在气体入口15上的过 压、出口 14上的真空水平和间隙的几何形状布置成使得存在向内的、限制所述液体的高速 气流16。气体作用在流体限制结构12和衬底W之间的液体上的力将液体限制在空间11中。 入口 /出口可以是围绕空间11的环形槽。环形槽可以是连续的或非连续的。气流16有效 地将液体限制在空间11中。这样的系统在美国专利申请公开出版物No.US 2004-0207824 中公开。 本发明的实施例可以用于任何光刻设备，尤其是浸没式光刻设备中，而不必考虑 所使用的液体供给类型。图5中的示例是所谓的局部区域布置，其中液体在任何一次仅提 供到衬底W的顶表面的局部部分(即区域)。在一实施例中，所述液体处理系统可以具有覆 盖有多孔构件的开口 ，例如出口 。 其他的布置和变形也是可以的，包括使用如例如在美国专利申请出版物第 US2006-0038968号中公开的单相抽取器(不管其是否以两相模式工作)的流体处理系统。 就此而言，应当注意，单相抽取器的实施例可以工作在两相模式下。在一实施例中，单相抽 取器可以包括入口，所述入口由多孔材料(例如可以呈板形式的多孔构件)覆盖。所述多 孔材料用于将液体与气体隔离开以实现单液相的液体抽取。在多孔材料下游的腔被保持在 小的负压下并且填充有液体。在所述腔内的负压使得形成在所述多孔材料的孔中的弯液面 阻止周围的气体被抽入到所述腔中。然而，当所述多孔表面与液体接触时，没有弯液面限 制流动并且液体可以自由地流入到所述腔中。所述多孔材料具有大量的小孔，例如直径在 5-50ym范围的孔。在一实施例中，所述多孔材料至少是稍微亲液性的(例如在水存在的情 况下是亲水性的)，即，与浸没液体(例如水)具有小于90。的接触角。
另一种布置或变体基于气体拖曳原理工作。所谓的气体拖曳原理已经在例如 2008年5月8日递交的美国专利申请出版物第US2008-0212046和美国专利申请出版物第 US61/071621号中描述。在所述系统中，抽取开口 (例如孔)布置成具有角的形状。所述角 可以与步进和扫描方向对准。相比于两个出口与扫描方向垂直对准的情况，对于在步进或 扫描方向上在衬底台WT(包括衬底W)和流体限制结构之间的给定的相对速度，这减小了作 用在流体处理结构的表面上两个开口之间的弯液面上的力。 本发明的实施例可以应用到用于全浸湿设备中的流体处理结构。在全浸湿实施例
中，例如通过允许液体从将液体限制在投影系统的最终元件和衬底之间的限制结构中泄漏
出来，允许流体覆盖衬底台的基本上整个顶表面。用于全浸湿实施例的流体处理结构的一
个示例可以在2008年9月2日递交的美国专利申请US61/136，380中找到。 其它的布置也是可以的，且如从下文描述可清楚地得知那样，使用哪种类型的液
10体供给系统或液体限制系统或者这种系统的细致构造并不重要。 图6示出衬底台WT的顶表面的平面图。衬底台WT支撑衬底W。衬底台WT可以支 撑封闭盘或伪衬底80。在衬底台WT的顶表面上可以存在多个传感器50、60和70。
封闭盘80的尺寸大于流体限制结构12的横截面积，例如，封闭盘80的横截面积 大于限定在流体限制结构12的下表面中的孔口的径向内缘。封闭盘可以大于流体限制结 构12的下表面面积。封闭盘的使用通过将封闭盘80定位在流体限制结构下面而允许所述 孔口被阻塞(即关闭)。封闭盘80可以是可从衬底台WT释放的或不可释放的。以这种方 式，可以在例如衬底交换期间保持通过空间10的液体流。 封闭盘可以作为遮蔽构件操作。遮蔽构件的其它实施例可以包括(在非限制列表 中)分离的台(例如另一个衬底台)或第二台(例如清洁台、测量台或测量台和清洁台两 者)；或者具有在例如衬底交换过程中将两个台的表面互连的表面的组件，使得所述台可 以在流体限制结构12下面平滑地移动。这种组件可以被称为可回縮桥，且所述桥可以被移 动至用于例如衬底交换的位置。清洁台可以具有用于清洁浸没系统的一部分的部件。清洁 台可以具有用于测量例如投影系统的参数的传感器。清洁台和测量台中每个可以配置用于 支撑衬底或配置成不能支撑衬底。 在浸没式光刻设备的使用过程中，安装在衬底台WT的顶表面上的一个或更多个 传感器50、60和70用于进行特定的测量。所述传感器可以被用于进行例如投影系统PS、衬 底W和/或衬底台WT的测量。传感器50、60和70可以包括透射图像传感器(TIS)、透镜干 涉仪(ILIAS)、斑传感器等。这些传感器中的一种或多种可以覆盖有浸没液体(例如当对 传感器进行成像以采用该传感器进行测量时)。随着传感器在流体限制结构12下面通过， 液体可以通过流体限制结构12被置于传感器上。被置于表面(例如传感器)上的液体可 以蒸发，将热载荷施加到表面上。所述热载荷可以使得所述表面变形。置于传感器上的液 体可以通过曝光辐射来加热，从而对液体的折射率和液体的光学性质产生作用。残留在传 感器上的液体可以使得污染物附着于所述传感器的表面。这种污染物可以存在于浸没液体 中，或可以由于液体(例如水)与存在于浸没式设备表面中的材料相互作用而形成，也许所 述相互作用是在照射辐射的影响下进行的。 因此，传感器上的污染物、液体、过量的热独立地或以任意组合对其测量性能产生 负面影响。另一部件可能也遭受这种污染和/或受热。这种部件可以包括但不限于用于 以单流体相或两相流体供给或抽取浸没流体的开口 ；和/或可以存在于台(例如衬底台) 的表面上的编码器印记。 为了使衬底台和/或其它部件(例如，安装到衬底台WT上的传感器50、60和70) 的暴露给浸没液体的表面对于浸没液体是疏液的，所述表面的材料或应用于所述表面的材 料是疏液的。这种表面材料(例如涂层)可以在紫外(UV)辐射中劣化(例如，用于浸没式 光刻中的辐射波长通常是193nm且疏液材料可以在该波长的辐射中被劣化，所述劣化可能 尤其出现在存在浸没液体(例如水)的情况下)。术语"劣化"意味着表面材料的所需性质 被辐射所去除。这种去除可以逐渐出现，并可以随着对UV辐射的曝光的增加而出现。所述 术语与对辐射敏感并且具有被辐射所改变的性质的抗蚀剂的情况形成对比，但所述抗蚀剂 的情况不能被说成是劣化(因为性质的改变是正面的和需要的属性)。另外，抗蚀剂的时间 响应比之前所述的表面材料快得多曝光单个管芯所花费的时间，而不是曝光成百个管芯
11的衬底所花费的时间。 具有疏液表面材料(例如涂层)的原因是增加衬底台WT和投影系统PS及限制结 构12之间的相对速度。在扫描过程中，衬底台WT可以在投影系统PS和液体限制系统12 下面并相对于投影系统PS和液体限制系统12移动。浸没液体的弯液面在具有更大的疏液 性质的表面上具有更高的后退接触角。在弯液面和由液体覆盖的表面之间的这种接触角可 以是九十度或更大。更大的后退接触角表示更大的弯液面稳定性。更大的弯液面稳定性能 够使得衬底台WT和/或衬底W与空间11中限定在限制结构12中的液体的相对运动的速 度更快。疏液表面可以帮助维持弯液面的稳定性。由此，在例如衬底上形成液滴和使气泡 在投影系统PS和衬底W之间的储液槽ll中形成的风险被降低。因此，疏液涂层的使用可 以帮助获得更高的扫描速度。 下面的描述以TIS50作为示例，示出本发明的实施例如何可以被施加至传感器。
所述描述并不意图以任何方式将本发明限制到该种类型的传感器。所述描述仅仅意图表示
本发明的实施例的各个方面以及它们如何应用至浸没式光刻设备的部件特征。 图7示出TIS50的顶表面的平面图。TIS由至少两个TIS标记110、 120构成。TIS
标记110、120在x方向上间隔开。TIS标记110、 120中的每个包括两个光栅112、 114、 122、
124。 TIS标记110、 120中的每一个另外包括块115、 125。将被照射的传感器的每个部分
(TIS标记110、 120或更具体地是块115、125和光栅112、 114、 122、 124)可以被看作目标部分。 TIS包括透明板，在所述透明板上形成有不透明涂层。所述不透明涂层可以是铬。 所述不透明涂层可以被图案化。在所述透明板的下面是冷光层，所述冷光层在被来自辐射 束(例如束B)的辐射所辐射时发出冷光。在冷光层下面是光电二极管。
块115、 125中的每个包括不被不透明涂层所涂覆的区域。块115、 125是在透明板 上的不透明涂层的图案结构的一部分。因此，当辐射束照射块115时，在块115. 125下面的 光电二极管将接收大的冷光辐射。当该冷光辐射具有足够的强度时，所述二极管操作用以 使该二极管所连接的电子电路发出信号。这种布置可以被用于光刻设备的定位系统中。尤 其，该布置可以用于例如衬底台WT相对于投影系统PS的粗定位。 光栅112和122具有包含垂直光栅的x对准标记。光栅114和124具有包含水平 光栅的y对准标记。 图案形成装置MA包括如图1所示的对准标记M1、M2。图案形成装置MA，尤其是对 准标记Ml、 M2采用辐射束被照射，以在其照射到TIS50上之前在辐射束的横截面中形成图 案。在辐射束的横截面中的图案与光栅112、114、122、124的图案基本相同。每个光栅112、 114、122、124的图案是透明板上的不透明涂层的图案结构的一部分。四个光栅112、114、 122U24中的至少一个且可能为全部同时被照射。然后，衬底台WT在x/y平面中移动，直 到实现在图案形成装置MA和衬底台WT之间的最佳对准。期望地，所述最佳对准是优化的 对准。最佳对准可以通过图案形成装置MA上的对准标记M1、M2与TIS50的光栅112、 114、 122、124之间的对准来指示。所述对准由从在光栅112、114、122、124中的每个下面的光电 二极管接收的信号来确定。衬底台WT可以在z方向上移动，以通过类似方式确定例如优化 聚焦。 疏液(例如疏水)涂层可以被设置在TIS50的顶表面上方。所述疏液涂层可以是透明的。疏液表面在如上所述的UV辐射下丧失其疏液性质(即，劣化)以降低其接触角。 所述表面可以是亲液的，例如亲水的。这在TIS标记110、120上是可以容许的，尤其是在块 115、125上，有时在光栅112、114、122、124上也是可以的。然而，损失接触角可能导致在传 感器上其它位置处的困难。例如，在TIS标记110、120之间的区域140和/或光栅112、 114 和块115之间的区域150或光栅122、 124和块125之间的区域150，如果被UV辐射所辐射， 可能不期望地损失接触角，并可能成为亲液的。如果辐射在存在浸没液体(例如水)的情 况下出现，则劣化可能被更为关注。 附加地或替代地，照射UV辐射可能加热传感器(例如TIS50)的表面。传感器表 面温度的增加可能造成传感器变形，以导致在测量中由传感器造成的误差。例如，温度的增 加可能影响标记110、120之间的距离和/或光栅112、 114和块115之间的区域150或光栅 122、 124和块125之间的区域150 。在这些位置中，热量将导致表面扭曲，因为所述表面的 该部分不由具有低的有效热膨胀系数的材料制成。这种材料可以吸收曝光辐射，反射曝光 辐射或者吸收和反射曝光辐射。该材料可以是辐射吸收器或反射器。这种材料可以包括铬 或钼的硅化物(例如MoSi)或这两者，或者可以由铬或钼的硅化物(例如MoSi)或这两者 构成。 传感器50的表面的特征中的至少一些可以在使用中用作在辐射性质测量过程中 入射辐射的孔口。例如，所述孔口可以用于扫描被引导到传感器处的、例如被标记所图案化 的辐射的空间图像。这种配置可以在图案形成装置MA(例如掩模版和掩模)的对准过程中 使用。用于形成所述孔口周围的表面的材料可以与用于形成图案形成装置MA上的特征的 材料相同。因此，具有低的热膨胀系数的材料可以存在于标记110、120、光栅112、114、122、 124和块115U25中的至少一个中。这些部件的辐射导致传感器变形的可能性较小。
存在于传感器(例如TIS50)上的浸没液体将被曝光辐射加热。所述液体可以蒸 发，将热载荷施加到传感器上。随着其被加热，液体的折射率改变，其可以影响其光学性质， 并可以影响经过所述液体进行的测量。附加地或替代地，所加热的液体可以返回到限定在 液体限制结构12中(S卩，在空间11中)的浸没液体。受热液体可以影响限制在液体限制 结构中的所调节的浸没液体的温度，其可以被直接供给到空间11。将受热液体与所调节的 浸没液体混合可以影响限定在空间中的浸没液体的光学性质。 在一实施例中，传感器的表面可以接受来自辐射束的热载荷。传感器的该表面可 以在液体接触该表面之前被辐射束曝光。在传感器50的操作过程中，浸没空间可以位于传 感器的上方。在浸没空间ll中的液体是热调节的。因此，液体的光学性质受控。热量可以 在传感器的该表面和浸没液体之间容易地传递；在该表面和液体之间可以存在有效的和有 效率的热传导。所述辐射束可以直接地加热浸没液体。随着热量被传递到液体，其折射率 发生变化。所述液体可以在该表面上流动到浸没空间11的另一部分，例如，流入辐射束的 光路中的液体中。辐射束可以沿着所述光路通过浸没空间ll，以使得例如在图案形成装置 的对准过程中可以采用传感器进行测量。 随着液体在受热表面上朝向并通过光路流动，其温度和折射率可以被影响。空间 11中的浸没液体的热稳定性可以被影响。浸没液体的光学性质可以被危及(例如扭曲)， 将误差引入采用传感器进行的测量中。 如图1所示，图案形成装置MA上的对准标记M1、M2以一间距分离布置在器件图案C的侧部。对准标记M1、M2的间隔可以是对于在图案形成装置MA和衬底台WT之间待进行 的精确的和/或可靠的转动对准而言是足够大的。使用者能够根据它们的要求自由地使用 在两个对准标记M1、 M2之间的区域，例如对于其它标记。然而，如果使用者利用此，则其导 致在TIS的TIS标记110、 120的照射过程中辐射通过图案形成装置MA到区域140上。这 种到区域140上的辐射可以导致区域140的表面材料(可以是涂层)的劣化。这种劣化是 不期望的。在常规的设备中，可能不能保证辐射不到达区域140或150。
在本发明的实施例中，在朝向期望辐射束照射的区域引导的辐射束的光路中使用 屏蔽件。所述屏蔽件用于阻挡辐射到达与所述区域邻近或甚至邻接的表面。在一实施例中， 所述屏蔽件用于限制对准标记110、120之间的区域140的照射(例如阻挡辐射束到达区域 140)和/或在光栅112、114之间和/或光栅120、124之间的区域150的照射。期望地，所 述屏蔽件是可移动的，使得其可以在衬底W的照射过程中移出光路。 图8示出可移入光路的屏蔽件的实施例。在使用中，所述屏蔽件阻挡朝向辐射束 所期望照射的区域引导的辐射束的横截面的一部分，例如，光栅112、114、120、124中的任 何光栅和/或块115、 125中的任何块。以这种方式，在使用中，例如在传感器50的至少两 个TIS标记110、120之间的区域150的照射受到限制。存在于区域150上的液体的照射也 可以被以这种方式限制。图8示出顶部和底部框架构件210、220，它们用于限制在衬底W沿 y方向辐射的过程中的辐射束的横截面。这种框架构件210、220位于辐射束的光路中，在照 射系统IL之后和图案形成装置MA和投影系统PS之前。S卩，所述框架构件可以位于照射系 统IL和图案形成装置MA之间的光路中的中间焦平面处。其它位置可以是合适的，尤其是 在任意中间焦平面位置处。其它框架构件可以存在，尤其是对于在x方向上的框架。这种 框架构件将具有它们的边缘，其位于与如图8所示的两个框架构件210、220的相面对的边 缘211、221基本上垂直的位置上。 在常规操作过程中，框架构件210、220用于限定辐射束的横截面，例如在辐射束 通过图案形成装置MA之前。在本发明的一实施例中，框架构件210、220被制成足够大，以 使得它们可以设置在一起，从而它们的相互面对的最内边缘211、221可以接触。
在框架构件210、220中的一个中，限定通孔(或开口 ) 301、302、303、311、312、313。 所述通孔被限定在框架构件210、220的一部分中，所述框架构件不用于在常规操作过程中 框定辐射束B。通孔301、302、303、311、312、313在位置上分别对应于TIS上的光栅112、块 115、光栅114、光栅122、块125、光栅124。因此，仅仅将照射到TIS的光栅112、114、122、 124和块115、125(和可选地在这些区域上存在的液体)上的辐射没有被框架构件所阻挡。 因此，框架构件限制了在每个独立的TIS标记中在TIS标记110、120之间以及在光栅和块 之间的区域140、 150的照射。因此，所述传感器可以被设计成使得当TIS标记110、 120被 照射时期望不被辐射束照射的特征可以位于两个TIS标记110、 120之间的区域140和/或 150中。因此，这些特征可以被移动到所需位置和/或所述传感器的尺寸可以被减小。
在使用中，框架构件210、220可以在照射和图案化衬底W的过程中正常使用。然 而，在图案形成装置MA与TIS对准(以及由此与衬底台WT对准)的过程中，框架构件 210(可以称为叶片(blade))中的一个被进一步移动到辐射束的横截面中。在一实施例中， 具有通孔的框架构件210跨过辐射束的路径移动。在一实施例中，框架构件210、220两者 都可以位于辐射束的路径中。框架构件210、220中的一个或多个可以被移动以使得它们相对的边缘211、221相会合。替代地，框架构件210、220沿相同方向移动，以使得相对的边缘211、221不相会合。 以这种方式，照射到块115、 125中的一个或更多个上和/或光栅112、 114、 122、 124中的一个或多个上的辐射通过框架构件210(例如通过各个对应的通孔301、302、303、311、312、313)。然而，其它辐射被限制了。 在辐射束已经通过通孔301、302、303、311、312、313之后，辐射可以通过图案形成
装置MA。尤其，辐射可以通过用于TIS所必需的被图案化的对准标记M1、M2。因此，性质
(例如相对于图案形成装置MA的位置)可以被检测/测量。 通孔301、302、303、311、312、313可以被设置在多于一个框架构件中。 在辐射束B的光路中的屏蔽件或框架构件210、220的其它位置可以是合适的。例
如，屏蔽件或框架构件210、220可以位于光路中照射系统IL之前、照射系统IL中、照射系
统IL和投影系统PS之间、投影系统PS中或者投影系统PS之后的中间焦平面处。在一实施
例中，屏蔽构件可以是图案形成装置MA，其被图案化以在传感器的相关部分(例如，块115、
125中的一个或更多个和/或光栅112、 114、 122、 124中的一个或多个上)上对辐射束进行
图案化。这可以比使用框架构件210、220的情况更不期望，因为可能要用额外的时间来将
图案形成装置用在衬底W曝光过程中对辐射束进行图案化的图案形成装置来替代。 如果仅仅屏蔽在两个TIS标记110、 120之间的区域140 (以及期望地围绕所述两
个TIS标记110、 120的区域)和可选地存在于区域140上的液体，则可以获得优势。本发明
的一实施例提供了在例如仅仅屏蔽光栅112、114之间和光栅112与块115之间的区域150
以及可选地屏蔽存在于区域150上的液体的情况下的优点。 出于以下原因中的一个或多个期望限制例如被辐射曝光的传感器的表面区域(即，屏蔽所述表面的一部分)。限制被辐射曝光的区域可以帮助限制存在于所述表面上的材料的劣化。通过限制被照射辐射所曝光的表面的区域，可以降低表面的扭曲的风险。如果液体存在于所述表面上，则通过限制被辐射束曝光的浸没液体的体积及所述表面，在测量过程中被传递到空间中的浸没液体的热量可以被降低。当所述表面是用于实现图案形成装置与衬底台和/或衬底的更好的对准的传感器表面时，这是期望的。
本发明的一实施例可能对于在照射除TIS之外的部件过程中使用是期望的。例如，照射另一种类型的传感器或浸没式光刻设备的其它特征可能对屏蔽与所照射的目标部分相邻或甚至邻接的表面有益。例如，合适的特征可以是可能存在于衬底台上的编码器印记(例如所述台的一个或多个边缘)。所述特征可以具有需要被辐射束所照射的被限定的表面，且所述被限定的表面与由材料(例如涂层)制成的表面相邻或甚至邻接，所述材料具有可能需要保护免受辐射束辐射的选定的或限定的接触角性质。本发明的一实施例可以用于这些情形中。 在一实施例中，屏蔽构件，例如框架构件210、220中的一个，具有一个通孔，其赋予辐射束以对应于待照射的目标部分的横截面形状。然而，目标部分可以位于另一目标部分附近(如在TIS中)。在这种情况中，屏蔽构件具有多个通孔，每个通孔对应于辐射束的路径中的目标部分。每个孔或开口可以布置用于将辐射引导到可能对应于传感器的表面的一部分的位置上，所述位置具有相对低的有效热膨胀系数。在这个位置周围的材料可能具有相对高的有效热膨胀系数(例如不是反射器)。因此，每个孔可以与在由具有较高的显著
15的有效热膨胀系数的材料制成的表面中的由具有低的热膨胀系数的材料制成的表面的一部分相关联。 本发明的一实施例可以在清洁可以置于辐射束(例如辐射束B)下面的特征(例如传感器50)过程中使用(见于2008年3月7日递交的美国专利申请US 61/064， 487，作为这可以如何实现的示例)。即，在清洁过程中，可能期望照射目标部分，但不是该目标部分周围的区域，例如至少两个目标区域而不是在所述目标部分之间的区域(即，在至少两个目标部分之间)。因此，将清洁限制于意图被清洁的传感器的部分。 应当理解，以上描述参照疏水或亲水材料进行。这与所使用的浸没液体是水的情况是相关的。然而，另一种液体或流体可以被用作浸没液体。在这种情况下，术语"疏水的"和"亲水的"应当被理解为"疏液的"和"亲液的"或者"疏油脂的"和"亲油脂的"。"疏液的"(例如在水存在的情况下是疏水的)意味着后退接触角大于90。，期望地，大于IOO。、120° 、130°或140° 。在一个实施例中的接触角小于180° 。"亲液的"(例如在水存在的情况下是亲水的)意味着后退接触角小于9(T ，期望地，小于8(T 、小于7(T 、小于6(T或小于50° 。在一个实施例中的接触角大于O。，期望地大于IO。。这些角度可以在室温(20°C )和大气压下测量。 应当理解，上述特征中的任何特征可以与任何其它特征一起使用，且本申请并非仅仅覆盖上述明确描述的那些组合。 虽然在本文中详述了将光刻设备用于制造IC(集成电路)，但是应该理解到这里所述的光刻设备可以有制造具有微米尺度、甚至纳米尺度的特征的部件的其他的应用，例如制造集成光学系统、磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等。本领域技术人员应该认识到，在这种替代应用的情况中，可以将这里使用的任何术语"晶片"或"管芯"分别认为是与更上位的术语"衬底"或"目标部分"同义。这里所指的衬底可以在曝光之前或之后进行处理，例如在轨道( 一种典型地将抗蚀剂层涂到衬底上，并且对已曝光的抗蚀剂进行显影的工具)、量测工具和/或检验工具中。在可应用的情况下，可以将所述公开内容应用于这种和其他衬底处理工具中。另外，所述衬底可以处理一次以上，例如为产生多层IC，使得这里使用的所述术语"衬底"也可以表示已经包含多个已处理层的衬底。 这里使用的术语"辐射"和"束"包含全部类型的电磁辐射，包括紫外(UV)辐射(例如具有约365、248、193、157或126nm的波长)。在允许的情况下，术语"透镜"可以表示不同类型的光学部件中的任何一种或其组合，包括折射式的和反射式的光学部件。
尽管以上已经描述了本发明的具体实施例，但应该认识到，本发明可以以与上述不同的方式来实现。例如，本发明的实施例可以采用包含用于描述一种如上面公开的方法的一个或更多个机器可读指令序列的计算机程序的形式，或具有存储其中的计算机程序的数据存储介质(例如半导体存储器、磁盘或光盘)的形式。此外，所述机器可读指令可以嵌入在两个或更多个计算机程序中。所述两个或更多个计算机程序可以存储在一个或更多个不同的存储器和/或数据存储介质中。 当通过位于光刻设备的至少一个部件内的一个或更多个计算机处理器读取所述一个或更多个计算机程序时，这里提到的控制器可以每个单独地或结合地操作。所述控制器可以每个单独地或结合地具有用于接收、处理以及发送信号的任何合适的配置。 一个或
16更多个处理器配置成与所述控制器中的至少一个进行通信。例如，每一个控制器可以包括
用于执行包括用于上述方法的机器可读指令的计算机程序的一个或更多个处理器。所述控
制器可以包括用于存储这种计算机程序的数据存储介质和/或用以容纳这种介质的硬件。
因而，所述控制器可以根据一个或更多个计算机程序的所述机器可读指令运行。 本发明的一个或更多个实施例可以应用到任何浸没式光刻设备，尤其但不限于上
面提到的那些类型中，以及不论是否以浴器形式提供浸没液体、不论是否仅提供浸没液体
到衬底的局部表面区域上或不论是否浸没液体是非限制性的。在非限制的布置中，浸没液
体可以溢出到衬底和/衬底台的表面上，使得所述衬底和/或衬底台的基本上整个未覆盖
的表面都被浸湿。在这种非限制浸没系统中，液体供给系统可以不限制浸没流体或可以提
供一定比例的浸没液体限制，但是不是基本上完全的浸没液体限制。 这里所述的液体供给系统应该广义地进行解释。在特定的实施例中，液体供给系统可以是提供液体到投影系统和衬底和/或衬底台之间的空间的结构的组合或机构。液体供给系统可以包括一个或更多个结构、包括一个或更多个液体开口的一个或更多个流体开口 、一个或更多个气体开口或一个或更多个两相流的开口的组合。所述开口中的每一个可以为进入浸没空间的入口 (或流出流体处理结构的出口)或流出浸没空间的出口 (或进入流体处理结构的入口 )。在一实施例中，所述空间的表面可以是衬底和/或衬底台的一部分，或所述空间的表面可以完全覆盖衬底和/或衬底台的表面，或所述空间可以包围衬底和/或衬底台。可选地，液体供给系统还包括用以控制液体的位置、数量、品质、形状、流量或任何其他特征的一个或更多个元件。 在一实施例中，提供一种光刻设备，包括台、至少两个目标部分、光学系统和屏蔽件。所述至少两个目标部分位于所述台上或者位于所述台上的物体上。在所述至少两个目标部分之间存在表面材料。所述光学系统配置用于沿着光路朝向所述台投影辐射束，所述辐射束的横截面能够同时辐射所述至少两个目标部分。所述屏蔽件可移动入所述光路中，以限制辐射束的横截面，从而限制所述至少两个目标部分之间的辐射。在所述至少两个目标部分之间的表面材料在被来自所述光学系统的辐射所辐射时将产生劣化、或变形或者劣化和变形两者。 所述屏蔽件可以位于辐射束中支撑结构的上游。所述支撑结构可以配置用于支撑图案形成装置，以将图案赋予辐射束的横截面中。所述屏蔽件可以包括框架构件，所述框架构件用于在辐射衬底过程中限制辐射束的横截面。 所述框架构件可以配置用于在扫描过程中限制所述辐射束横截面。所述框架构件可以在其中具有孔，以允许辐射从其中穿过到达所述至少两个目标部分中的至少一个。所述孔可以位于所述框架构件的一部分中，所述部分在辐射衬底的过程中不用于限制辐射束的横截面。 所述光学系统可以包括照射系统和投影系统。所述屏蔽件可以位于光路中的中间焦平面处在照射系统之前、照射系统中、照射系统和投影系统之间、在投影系统中或在投影系统之后。 所述至少两个目标部分中的至少一个可以与当被来自于所述光学系统的辐射所辐射时被劣化的区域相邻。所述至少两个目标部分可以是传感器的一部分。所述传感器可以是透射图像传感器。所述至少两个目标部分中的至少一个在使用中可以以已经由图案形成装置赋予辐射束的图案来照射。在所述至少两个目标部分之间的表面可以是疏液的，其在被来自所述光学系统的辐射进行扩展照射时可以具有减小的接触角。在所述至少两个目标部分之间可以存在涂层。 所述屏蔽件可以配置用于阻挡辐射束的横截面的一部分。 在一实施例中，在所述至少两个目标部分之间的表面材料在被来自所述光学系统
以及存在于所述表面材料上的任何浸没液体的辐射所加热时将产生变形。 提供一种用于辐射光刻设备中的台的或台上的物体的至少两个目标部分的方法。
在所述至少两个目标部分之间的表面材料在受辐射时劣化。所述方法包括投影和限制步
骤。在所述投影步骤中，朝向所述目标部分投影辐射束，所述辐射束具有足够大的横截面以
同时辐射所述至少两个目标部分。在所述限制步骤中，所述辐射束的横截面被限制以限制
在所述至少两个目标部分之间的表面材料的照射。 所述限制步骤可以是阻挡步骤。所述方法可以进一步包括步骤将图案赋予所述辐射束的被限制的横截面。所述方法还可以包括步骤将所述台移动以改变所述辐射束在所述至少两个目标部分上的入射位置。所述方法还可以包括步骤检测由辐射束入射到所述目标部分上而导致的信号的变化。所述方法还可以包括步骤基于所述信号确定聚焦的位置和/或程度。 提供一种用于辐射光刻设备中的台的或台上的物体的至少两个目标部分的方法。在所述至少两个目标部分之间的表面材料可以在被辐射时产生变形。所述方法包括投影和限制步骤。在所述投影步骤中，朝向所述目标部分投影辐射束。所述辐射束具有足够大的横截面以同时辐射所述至少两个目标部分。在所述限制步骤中，所述辐射束的横截面被限制以限制在所述至少两个目标部分之间的表面材料的照射。 提供一种用于采用上述方法以辐射束辐射至少两个目标部分来清洁所述至少两个目标部分的方法。 提供一种框架构件，所述框架构件配置用于限制光刻设备的光学系统中的辐射束的横截面。所述框架构件在其中具有孔，以允许辐射从中通过。所述孔位于所述框架构件的一部分中，而不需要在对衬底的成像过程中限制辐射束的横截面。 提供一种光刻设备，包括台、光学系统、框架构件和目标部分。所述光学系统配置用于沿着光路朝向所述台投影辐射束。所述目标部分位于所述台上或位于由所述台支撑的物体上。 一表面材料与所述目标部分相邻。所述表面材料在被来自所述光学系统的辐射所辐射时是可劣化的。所述框架构件构造和布置用于可移动入所述光路中。所述框架构件具有穿过所述框架构件的主体的开口 。当所述框架构件位于所述光路中时，辐射束通过所述开口。所述开口配置用于限制辐射束的横截面，以限制由辐射束对所述目标部分的辐射。
所述设备还包括支撑结构，所述支撑结构配置用于保持用于对来自所述光学系统的辐射束进行图案化的图案形成装置。所述框架构件可以配置用于在辐射束到达所述图案形成装置之前限制所述辐射束的横截面。劣化可以在浸没液体存在的情况下出现。所述框架构件可以是构造和布置用于在成像过程中框定辐射束的框架组件的一部分。
提供一种用于辐射位于台上或由所述台支撑的物体上的目标部分的方法。表面材料与所述目标部分相邻。所述表面材料在受辐射时是可劣化的。所述方法包括投影和移动步骤。在所述投影步骤中，朝向所述目标部分投影辐射束。在所述移动步骤中，框架构件被移动进入辐射束的路径中，以使得辐射束的横截面由限定在所述框架构件中的开口所限制，以限制由辐射束对所述目标部分的辐射。 提供一种用于检测光刻设备中的衬底台的性质的方法，包括步骤采用所述方法对安装到衬底台上的传感器的目标部分进行辐射。 以上的描述是说明性的，而不是限制性的。因此，本领域的技术人员应当理解，在不背离所附的权利要求的保护范围的条件下，可以对本发明进行修改。
权利要求
一种光刻设备，包括台；至少两个目标部分，所述至少两个目标部分位于所述台上或者位于所述台上的物体上，在所述至少两个目标部分之间设置有表面材料；光学系统，所述光学系统配置用于沿着光路朝向所述台投影辐射束，所述辐射束的横截面能够同时辐射所述至少两个目标部分；和屏蔽件，所述屏蔽件可移动入所述光路中，以限制辐射束的横截面，从而限制所述至少两个目标部分之间的照射，其中，在所述至少两个目标部分之间的所述表面材料在被来自所述光学系统的辐射所辐射时将产生劣化、或变形、或者劣化和变形两者。
2. 根据权利要求1所述的设备，其中，所述屏蔽件位于辐射束中支撑结构的上游，所述 支撑结构配置用于支撑图案形成装置，以将图案赋予辐射束的横截面中。
3. 根据权利要求1或2所述的设备，其中，所述屏蔽件包括框架构件，所述框架构件用 于在辐射衬底过程中限制辐射束的横截面。
4. 根据权利要求3所述的设备，其中，所述框架构件在其中具有孔，以允许辐射从其中 穿过到达所述至少两个目标部分中的至少一个。
5. 根据前述权利要求中任一项所述的设备，其中，所述光学系统包括照射系统和投影 系统，其中，所述屏蔽件位于光路中的中间焦平面处并且在照射系统之前、照射系统中、照 射系统和投影系统之间、在投影系统中或在投影系统之后。
6. 根据前述权利要求中任一项所述的设备，其中，所述至少两个目标部分中的至少一 个与当被来自于所述光学系统的辐射所辐射时发生劣化的区域相邻。
7. 根据前述权利要求中任一项所述的设备，其中，所述至少两个目标部分是传感器的 一部分。
8. 根据前述权利要求中任一项所述的设备，其中，在所述至少两个目标部分之间的表 面是疏液的，其在被来自所述光学系统的辐射进行扩展照射时具有减小的接触角。
9. 根据前述权利要求中任一项所述的设备，其中，在所述至少两个目标部分之间存在 涂层。
10. 根据前述权利要求中任一项所述的设备，其中，所述屏蔽件配置用于阻挡辐射束的 横截面的一部分。
11. 一种用于辐射光刻设备中的台的或台上的物体的至少两个目标部分的方法，其中 在所述至少两个目标部分之间的表面材料在受辐射时劣化，所述方法包括步骤朝向所述目标部分投影辐射束，所述辐射束具有足够大的横截面以同时辐射所述至少 两个目标部分；禾口限制所述辐射束的横截面，以限制在所述至少两个目标部分之间的表面材料的照射。
12. —种用于辐射光刻设备中的台的或台上的物体的至少两个目标部分的方法，其中 在所述至少两个目标部分之间的表面材料在被辐射时产生变形，所述方法包括步骤朝向所述目标部分投影辐射束，所述辐射束具有足够大的横截面以同时辐射所述至少 两个目标部分；禾口限制所述辐射束的横截面，以限制在所述至少两个目标部分之间的表面材料的照射。
13. —种框架构件，所述框架构件配置用于限制光刻设备的光学系统中的辐射束的横截面，所述框架构件在其中具有孔，以允许辐射从中通过，所述孔位于所述框架构件的一部 分中，而不需要在对衬底的成像过程中限制辐射束的横截面。
14. 一种光刻设备，包括台.光学系统，所述光学系统配置用于沿着光路朝向所述台投影辐射束； 目标部分，所述目标部分位于所述台上或位于由所述台支撑的物体上，其中，一表面材料与所述目标部分相邻，所述表面材料在被来自所述光学系统的辐射所辐射时是可劣化的；和框架构件，所述框架构件构造和布置用于能够移动入所述光路中，所述框架构件具有 穿过所述框架构件的主体的开口 ，其中，当所述框架构件位于所述光路中时，辐射束通过所 述开口 ，且所述开口配置用于限制辐射束的横截面，以限制辐射束对所述目标部分的辐射。
15. —种用于辐射位于台上或由所述台支撑的物体上的目标部分的方法，一表面材料 与所述目标部分相邻，所述表面材料在受辐射时是可劣化的，所述方法包括步骤朝向所述目标部分投影辐射束；禾口移动框架构件进入辐射束的路径中，以使得辐射束的横截面由限定在所述框架构件中 的开口所限制，以限制辐射束对所述目标部分的辐射。
全文摘要
本发明提供一种光刻设备和一种辐射至少两个目标部分的方法。所述光刻设备包括台、位于所述台上的或位于所述台上的物体上的至少两个目标部分以及所述至少两个目标部分之间的表面材料。所述设备还包括光学系统，所述光学系统配置用于沿着光路朝向所述台投影辐射束，所述辐射束的横截面能够同时辐射所述至少两个目标部分。所述设备还包括屏蔽件，所述屏蔽件能够移入所述光路以限制辐射束的横截面，从而限制所述至少两个目标部分之间的照射，其中所述至少两个目标部分之间的表面材料在被来自光学系统的辐射所辐射时会产生劣化。
文档编号G03F7/20GK101750907SQ20091026060
公开日2010年6月23日 申请日期2009年12月17日 优先权日2008年12月18日
发明者B·莫埃斯特, C·L·M·范威尔特, M·A·范德克尔克豪夫 申请人:Asml荷兰有限公司