专利名称：一种光刻版及其实现方法
技术领域：
本发明主要涉及到步进式光刻机的光刻版，其优点在于标记位于窄划片线中，不 占用主管芯面积，提高芯片利用率。本发明还包括该光刻版的实现方法。
背景技术：
光刻版的套准标记(1)，是光刻机能够完成套准的必要条件，故每种光刻版都存在 套准标记(1)，套准标记(1)有一定尺寸大小的要求，需要占用芯片的面积。通常将套准标 记(1)布局于宽的划片线(3)中或占用主管芯(4)的面积，不能同时使用窄划片线、不占主 管芯布局设计，使芯片的利用率降低。图2示出通常光刻版的套准标记布局于宽的划片线中示意图，宽的划片线指线宽 在100Um-200Um之间，宽的划片线占用面积，使芯片的利用率降低；本发明的光刻版，划片 线可以设计为50um-80um之间，提高芯片利用率。图3示出通常光刻版的套准标记布局占用主管芯(4)面积的示意图，占用面积= (光刻版BLOK面积*标记占用数/光刻版BLOK管芯数)，通常占用的面积在0. 5 % -8 %之 间，使芯片的利用率降低；本发明的光刻版，不占用主管芯位置，提高芯片利用率。
发明内容
本发明提供一种光刻版及其实现方法。1、一种步进式光刻机的光刻版及其实现方法，其特征在于A、光刻版套准标记(1)布局于光刻版BLOK区(0)划片线(3)中，位于划片线(3) 的交叉点上，不占用主管芯(4)面积，提高芯片利用率。B、光刻版套准标记(1)布局于光刻版BLOK区(0)的顶部，布阵列时与下一个光刻 版BLOK区(0)的底部相互叠加，叠加区(5)进行反处理保护，不影响主管芯图形。C、光刻版套准标记(1)布局于光刻版BLOK区(0)的顶部，布阵列时与下一个光刻 版BLOK的底部相互叠加，光刻版BLOK区(0)底部的标记叠加区(2)进行反处理保护，保证 为下一次套刻保留完整的套准标记。D、光刻版BLOK区(0)布阵列过程，采用重叠步进叠加区(5)的布阵列万法。2、如权利要求1所述的一种适用于步进式光刻机的光刻版及其实现方法，其特征 在于所述的光刻版套准标记⑴布局于光刻版BLOK区(0)的顶部窄划片线(3)交叉区。3、如权利要求1所述的一种适用于步进式光刻机的一种光刻版及其实现方法， 其特征在于所述的光刻版BLOK区(0)的顶部的叠加区(5)，为布阵列时与下一个光刻版 BLOK区(0)底部重叠区。4、如权利要求1所述的一种适用于步进式光刻机的一种光刻版及其实现方法，其 特征在于所述的光刻版BLOK区(0)的顶部标记叠加区O)，为布阵列时与下一个光刻版 BLOK区(0)底部重叠区。5、如权利要求1所述的一种适用于步进式光刻机的光刻版及其实现方法，其特征在于所述的光刻版BLOK区(0)布阵列采用重叠步进叠加区(5)布阵列。6、如权利要求1所述的一种适用于步进式光刻机的光刻版及其实现方法，其特征 在于每层光刻版BLOK区(0)都采用增加相同的叠加区(5)。
图1为本发明一种光刻版BLOK区示意图；图2为套准标记布局于宽的划片线中的光刻版示意图；图3为套准标记布局占用主管芯(4)面积的光刻版示意图；图4为本发明第二种光刻版BLOK区示意图。图5为本发明实施具体案例示意图。图6为采用图5案例布局效果示意图。
具体实施例方式图1示出了本发明一种光刻版BLOK区(0)，下面结合图1详细说明本发明的光刻版。一种光刻版包括光刻版BLOK区(0)中的套准标记(1)，为光刻机套准提供识别 信号的图形，布局于窄的划片线(3)交叉位置；标记叠加区O)，位于光刻版BLOK区底部标 记叠加位置，尺寸比标记长，比标记宽，但宽度能超过划片线(3)宽度，采用反处理保护，即 标记叠加区(2)与套准标记(1)使用相反的透光性；叠加区(5)，为光刻版BLOK区(0)的 顶部，布阵列时与下一个光刻版BLOK区(0)底部形成叠加的区域，叠加区(5)为不透光区。图2示出一种套准标记布局于宽的划片线中的光刻版示意图，通常宽的划片线指 线宽在100Um-200Um之间，宽的划片线占用面积大，使芯片的利用率降低本；本发明的光刻 版，划片线可以设计为50um-80um之间，提高芯片利用率。图3示出一种将套准标记布局占用主管芯的面积示意图，占用面积=(光刻 版BLOK面积*标记占用数/光刻版BLOK管芯数)，通常占用的面积在0. 5% -8%之间，使 芯片的利用率降低；本发明的光刻版，标记不占用主管芯位置，提高芯片利用率。图4示出第二种光刻版BLOK(O)示意图，叠加区( 增加，增加量为具有N* (主管 芯宽+划片线宽)，进一步减少套刻标记的干扰信号。图5示出本发明实施具体案例示意图，包括UT1000光刻机光刻版，采用本发明 的光刻版及其实现方法，经实际测算，提高芯片利用率，以管芯尺寸为2mm*2mm计，提升 3. 08%芯片利用率。图6示出本发明实施具体案例示意图，包括UT1000光刻机采用本发明的光刻版及 其实现方法，布阵后最终效果图，布阵叠加量为叠加区大小。通过上述实施例阐述了本发明，同时也可以采用其它实施例实现本发明。本发明 不局限于上述具体实施例，因此本发明由所附权利要求范围限定。
权利要求
1.一种步进式光刻机的光刻版及其实现方法，其特征在于A、光刻版套准标记(1)布局于光刻版BLOK区(0)划片线(3)中，位于划片线(3)的交 叉点上，不占用主管芯(4)面积，提高芯片利用率。B、光刻版套准标记(1)布局于光刻版BLOK区(0)的顶部，布阵列时与下一个光刻版 BLOK区(0)的底部相互叠加，叠加区(5)进行反处理保护，不影响主管芯图形。C、光刻版套准标记(1)布局于光刻版BLOK区(0)的顶部，布阵列时与下一个光刻版 BLOK的底部相互叠加，光刻版BLOK区(0)底部的标记叠加区(2)进行反处理保护，保证为 下一次套刻保留完整的套准标记。D、光刻版BLOK区(0)布阵列过程，采用重叠步进叠加区(5)的布阵列方法。
2.如权利要求1所述的一种适用于步进式光刻机的光刻版及其实现方法，其特征在 于所述的光刻版套准标记(1)布局于光刻版BLOK区(0)的顶部窄划片线(3)交叉区。
3.如权利要求1所述的一种适用于步进式光刻机的一种光刻版及其实现方法，其特征 在于所述的光刻版BLOK区(0)的顶部的叠加区(5)，为布阵列时与下一个光刻版BLOK区 (0)底部重叠区。
4.如权利要求1所述的一种适用于步进式光刻机的一种光刻版及其实现方法，其特征 在于所述的光刻版BLOK区(0)的顶部标记叠加区O)，为布阵列时与下一个光刻版BLOK 区(0)底部重叠区。
5.如权利要求1所述的一种适用于步进式光刻机的光刻版及其实现方法，其特征在 于所述的光刻版BLOK区(0)布阵列采用重叠步进叠加区(5)布阵列。
6.如权利要求1所述的一种适用于步进式光刻机的光刻版及其实现方法，其特征在 于每层光刻版BLOK区(0)都采用增加相同的叠加区(5)。
全文摘要
本发明公开了一种步进式光刻机的光刻版及其实现方法，该发明结合步进式光刻机的工作特点，采用将光刻版BLOK区(0)中步进叠加区(5)及标记叠加区(2)保护处理，将其套准标记(1)布局在窄的划片线(3)内，不占用主管芯(4)面积，较只能将标记设计在宽的划片线或者是占用主管芯位置的光刻版，可以提高芯片的利用率。
文档编号G03F1/42GK102087470SQ20111000063
公开日2011年6月8日 申请日期2011年1月4日 优先权日2011年1月4日
发明者任宏志, 关世瑛, 冷国庆, 杨忠武, 王金秋, 赵晖 申请人:黑龙江八达通用微电子有限公司