非活跃的哑像素的制作方法

非活跃的哑像素的制作方法
【专利摘要】本公开提供了用于具有非活跃哑像素的显示器的系统、方法和装置，其包括编码在计算机存储介质上的计算机程序。显示装置可包括具有第一电极层和第二电极层的子像素。边缘子像素的第一电极层可包括开口，可使该开口足够大以防止该边缘子像素致动。开口的大小还可被选择成达到边缘子像素阵列的期望整体反射率。举例而言，各开口的大小可被选择为使边缘像素阵列的反射率与布线区域的反射率相似。
【专利说明】非活跃的哑像素
[0001]优先权要求
[0002]本申请要求于2011年3月15日提交且题为“Inactive Dummy Pixels (非活跃的哑像素)”的美国临时申请号61/453，089 (代理人案号QUALP043P/102795P1)以及于2011年12月19日提交且题为“Inactive Dummy Pixels (非活跃的哑像素)”的美国申请号13/329, 502 (代理人案号QUALP073/110571)的优先权，这两篇申请通过援引并出于所有目的被包括于此。
【技术领域】
[0003]本公开涉及显示设备，包括但不限于纳入了机电系统的显示设备。
[0004]相关技术描述
[0005]机电系统(EMS)包括具有电气及机械元件、致动器、换能器、传感器、光学组件(包括镜子)以及电子器件的设备。EMS可以在各种尺度上制造，包括但不限于微米尺度和纳米尺度。例如，微机电系统(MEMS)器件可包括具有范围从大约一微米到数百微米或以上的大小的结构。纳米机电系统(NEMS)器件可包括具有小于一微米的大小(包括例如小于几百纳米的大小)的结构。机电元件可使用沉积、蚀刻、光刻和/或蚀刻掉基板和/或所沉积材料层的部分、或添加层以形成电气及机电器件的其它微机械加工工艺来制作。
[0006]一种类型的EMS器件被称为干涉测量(interferometric)调制器(IM0D)。如本文所使用的，术语MOD或干涉测量光调制器是指使用光学干涉原理来选择性地吸收和/或反射光的器件。在一些实现中，頂OD可包括一对导电板，这对导电板中的一者或两者可以完全或部分地是透明的和/或反射性的，且能够在施加恰适电信号时进行相对运动。在一实现中，一块板可包括沉积在基板上的静止层，而另一块板可包括与该静止层相隔一气隙的反射膜。一块板相对于另一块板的位置可改变入射在该頂OD上的光的光学干涉。MOD器件具有非常广范围的应用，且预期将用于改善现有产品以及创造新产品，尤其是具有显示能力的那些产品。
[0007]在许多显示器中，除了在边缘处以外，贯穿显示器使得像素是均匀的。一般使用相同的基本掩模、工艺等来制造所有其他像素。然而，边缘像素被不同地对待。举例而言，在一些实现中，边缘像素是阵列中仅有的在两侧上不具有相同类型结构的像素。
[0008]一般而言，这些边缘像素不用作被用于显示器的像素“活跃区域”的部分。在一些像素阵列中，光阻材料或黑色掩模材料可被用来遮掩边缘像素。一些边缘像素会汲取功率、移动等，即使它们不是活跃显示区域的一部分。
[0009]概述
[0010]本公开的系统、方法和设备各自具有若干个创新性方面，其中并不由任何单个方面全权负责本文中所公开的期望属性。
[0011]本公开中所描述的主题内容的一个创新性方面可在一种显示装置中实现。该显示装置可包括具有第一电极层和第二电极层的子像素。边缘子像素的第一电极层可包括开口。开口的尺寸可被选择成达到该边缘子像素的期望致动电压。在一些实现中，可以使该开口足够大以防止该边缘子像素致动。举例而言，该期望致动电压可以大于将在显示器的活跃区域中的第一电极层与第二电极层之间施加的电压。
[0012]开口的大小还可被选择成达到边缘子像素阵列的期望整体反射率。举例而言，开口的大小可被选择为使边缘像素阵列看上去类似于布线区域。开口可使得边缘子像素具有与布线区域的第二反射率基本相似的第一反射率。
[0013]本公开中所描述的主题内容的另一个创新性方面可在一种包括布线区域、包括多个活跃子像素的活跃子像素阵列、阵列驱动器和边缘子像素阵列的装置中实现。边缘子像素阵列可包括配置成提供布线区域与活跃子像素阵列之间的电连通性的多个边缘子像素。边缘子像素和活跃子像素中的每一个可包括第一导电层和第二导电反射层。边缘子像素的第一导电层中可形成有开口，该开口足够大以在阵列驱动器经由边缘子像素向活跃子像素阵列施加活跃子像素致动电压时防止该边缘子像素致动。
[0014]该开口可使得边缘子像素具有比活跃子像素致动电压高的边缘子像素致动电压。该开口可允许环境光直接从边缘子像素的第二导电反射层反射并从该边缘子像素显现出来。该开口可使得边缘子像素具有与布线区域的反射率基本相似的反射率。
[0015]该装置可包括显示器以及配置成与该显示器通信的处理器。该处理器可配置成处理图像数据。该装置可包括配置成与该处理器通信的存储器设备。该装置可包括配置成将至少一个信号发送给该显示器的驱动器电路以及配置成将图像数据的至少一部分发送给该驱动器电路的控制器。该装置可包括图像源模块，该图像源模块被配置成将图像数据发送给该处理器。该图像源模块可包括接收机、收发机和发射机中的至少一者。该装置可包括配置成接收输入数据并将输入数据传达给处理器的输入设备。
[0016]本公开中所描述的主题内容的另一创新性方面可在一种涉及在基板上方形成光学堆叠的方法中实现。该光学堆叠可包括第一导电层。该方法可包括:在该光学堆叠上或在该基板上形成多个支承结构；在该支承结构上形成第二导电反射层；以及形成包括第一导电层、支承结构和第二导电反射层的活跃子像素阵列，从而在向该活跃子像素施加活跃子像素致动电压时，该第二导电反射层可在第一位置与第二位置之间移动。
[0017]该方法可涉及在活跃子像素阵列之外形成布线区域以及形成包括边缘子像素的行和列的边缘子像素阵列。这些边缘子像素可被配置成提供布线区域与活跃子像素之间的电连通性。边缘子像素中的每一个可包括第一导电层、第二导电反射层和支承结构。边缘子像素在第一导电层中可包括开口，该开口足够大以在向活跃子像素施加致动电压时防止该边缘子像素致动。
[0018]形成边缘子像素阵列的过程可包括:在每个边缘子像素中形成开口。形成边缘子像素阵列的过程可包括:形成开口以防止该边缘子像素调制入射光。布线区域可具有布线区域反射率。形成边缘子像素阵列的过程可包括:形成开口以使边缘子像素区域反射率与布线区域反射率基本匹配。
[0019]本公开中所描述的主题内容的另一创新性方面可在一种其上编码有软件的非瞬态介质中实现。该软件可包括用于控制至少一个设备接收指示用于活跃子像素阵列的致动电压的数据并确定包括第一导电层和第二导电层的多个边缘子像素的该第一导电层中的开口的大小的指令。边缘子像素可被配置用于与活跃子像素的电连通性。该确定过程可涉及确定在经由边缘子像素向活跃子像素施加致动电压时防止该边缘子像素致动的最小开口大小。
[0020]该软件可包括用于控制该至少一个设备确定各自具有该最小开口大小的开口的边缘子像素的阵列的边缘子像素区域反射率的指令。确定该边缘子像素区域反射率可包括计算该边缘子像素区域反射率。确定该边缘子像素区域反射率可包括接收指示该边缘子像素区域反射率的数据。
[0021]该软件可包括用于控制该至少一个设备确定与边缘子像素阵列毗邻的布线区域的布线区域反射率和/或确定边缘子像素区域反射率与布线区域反射率之间的反射率差的指令。该软件可包括用于控制该至少一个设备接收对期望反射率差的指示和确定该反射率差大于、小于还是等于该期望反射率差的指令。如果确定该反射率差大于期望反射率差，则该软件可包括用于控制该至少一个设备确定是否存在会产生小于或等于期望反射率差的反射率差的经修改开口大小的指令。如果确定存在会产生小于或等于期望反射率差的反射率差的经修改开口大小，其中该软件包括用于控制该至少一个设备确定该经修改开口大小是否大于或等于最小开口大小的指令。
[0022]本公开中所描述的主题内容的另一创新性方面可在一种包括具有布线区域反射率的布线装置以及包括第一导电层和第二导电反射层的活跃子像素装置的设备中实现。该活跃子像素装置可包括用于通过使第二导电反射层从第一位置移动到第二位置来控制光学腔的装置。该设备可包括阵列驱动器装置以及用于提供布线装置与活跃子像素装置之间的电连通性的边缘子像素装置。
[0023]该边缘子像素装置可包括用于使得边缘子像素区域反射率与布线区域反射率之间的反射率差小于或等于期望反射率差的反射率调制装置。该反射率调制装置可包括用于防止边缘子像素区域中的边缘子像素致动的装置。该反射率调制装置可包括边缘子像素区域中的边缘子像素中的开口。
[0024]本说明书中所描述的主题内容的一个或多个实现的细节在附图及以下描述中阐述。尽管本概述提供的示例主要在基于MEMS的显示器的方面进行描述，但是本文提供的构思可适用于其他类型的显示器，诸如有机发光二极管(“0LED”)显示器和场致发射显示器。其他特征、方面和优点将从该描述、附图和权利要求书中变得明了。注意，以下附图的相对尺寸可能并非按比例绘制。
[0025]附图简述
[0026]图1示出描绘了干涉测量调制器(IMOD)显示设备的一系列像素中的两个毗邻像素的等轴视图的示例。
[0027]图2示出解说纳入了 3X3IM0D显示器的电子设备的系统框图的示例。
[0028]图3示出解说针对图1的IMOD的可移动反射层位置相对于所施加电压的图示的示例。
[0029]图4示出解说在施加各种共用电压和分段电压时IMOD的各种状态的表的示例。
[0030]图5A示出解说图2的3X3IM0D显示器中的一巾贞显示数据的图示的示例。
[0031]图5B示出可用于写图5A中所解说的该帧显示数据的共用信号和分段信号的时序图的示例。
[0032]图6A示出图1的IMOD显示器的局部横截面的示例。
[0033]图6B - 6E示出MOD的不同实现的横截面的示例。[0034]图7示出解说IMOD的制造过程的流程图的示例。
[0035]图8A - 8E示出制造MOD的方法中的各个阶段的横截面示意图解的示例。
[0036]图9示出包括如本文中所提供的具有开口的边缘子像素阵列的显示器的示例。
[0037]图1OA示出描绘MOD显示设备中两个毗邻子像素的等轴视图的示例。
[0038]图1OB示出解说根据本文中所提供的一些实现的制造显示器的过程的流程图的示例。
[0039]图11示出解说确定边缘子像素的开口大小的过程的流程图的示例。
[0040]图12A和12B示出解说包括多个IMOD的显示设备的系统框图的示例。
[0041]各个附图中相似的附图标记和命名指示相似要素。
[0042]详细描述
[0043]以下描述针对旨在用于描述本公开的创新性方面的某些实现。然而，本领域普通技术人员将容易认识到本文的教示可以多种不同方式来应用。所描述的实现可在能配置成显示图像的任何设备或系统中实现，无论该图像是运动的(例如，视频)还是不动的(例如，静止图像)，且无论其是文本的、图形的还是画面的。具体而言，构想了所描述的实现可包括在诸如但不限于以下设备的各种各样的电子设备中或与其相关联:移动电话、具有因特网能力的多媒体蜂窝电话、移动电视接收机、无线设备、智能电话、蓝牙?设备、个人数据助理(PDA)、无线电子邮件接收器、手持式或便携式计算机、上网本、笔记本、智能本、平板电脑、打印机、复印机、扫描仪、传真设备、GPS接收机/导航仪、相机、MP3播放器、摄录像机、游戏控制台、手表、钟表、计算器、电视监视器、平板显示器、电子阅读设备(即，电子阅读器)、计算机监视器、汽车显示器(包括里程表和速度表显示器等)、驾驶座舱控件和/或显示器、相机取景显示器(诸如车辆中的后视相机的显示器)、电子照片、电子告示牌或招牌、投影仪、建筑结构、微波炉、冰箱、立体音响系统、卡式录音机或播放器、DVD播放器、CD播放器、VCR、无线电、便携式存储器芯片、洗衣机、烘干机、洗衣机/烘干机、停车计时器、封装(诸如在机电系统(EMS )、微机电系统(MEMS)和非MEMS应用中)、美学结构(例如，关于一件珠宝的图像的显示)以及各种各样的EMS器件。本文中的教示还可用在非显示器应用中，诸如但不限于:电子交换设备、射频滤波器、传感器、加速计、陀螺仪、运动感测设备、磁力计、用于消费者电子设备的惯性组件、消费者电子产品的部件、可变电抗器、液晶设备、电泳设备、驱动方案、制造工艺以及电子测试装备。因此，这些教示无意被局限于只是在附图中描绘的实现，而是具有如本领域普通技术人员将容易明白的广泛应用性。
[0044]—些边缘像素会汲取功率、移动等，即使它们不是活跃显示区域的一部分。举例而言，一些显示器使用与活跃显示区域中的像素的驱动方案分开的驱动方案来主动地驱动边缘像素。按照这种方式驱动边缘像素会浪费功率和增加复杂度。其他显示器包括遮掩边缘子像素的黑色掩模材料层。
[0045]根据本文中所提供的一些实现，被动地寻址的显示器的边缘子像素是非活跃的“哑(dummy)”子像素。一些此类实现是通过在每个边缘子像素的第一电极层中包括开口而成为非活跃的。开口的大小可被选择成达到该边缘子像素的期望致动电压。在一些实现中，可以使该开口足够大以防止该边缘子像素致动。举例而言，该期望致动电压可以大于将在显示器的活跃区域中的第一电极层与第二电极层之间施加的电压。
[0046]该开口可允许从另一个反射性更强的电极层反射的光从边缘子像素显现出来。因此，包括此类开口的边缘子像素比不具有此类开口的边缘子像素的反射性更强。开口的大小可被选择成达到边缘子像素阵列的期望整体反射率。举例而言，开口的大小可至少部分地选择为使边缘子像素的反射率与近旁布线区域的反射率相似。
[0047]可实现本公开中所描述的主题内容的具体实现以达成以下潜在优点中的一项或多项。由于开口使得边缘子像素变成非活跃的，因此这些边缘子像素不汲取功率并且不需要分开的驱动方案。因此，包括如本文中所述的边缘子像素的显示器可以是功率效率更高的并且可以在一定程度上更易于操作。
[0048]如果通过向边缘子像素添加开口来使边缘子像素的反射率与布线区域的反射率相似，则包括此类边缘子像素的显示器不需要黑色掩模来遮掩这些边缘子像素。省略该黑色掩模材料成本效率更高并且还能得到功能的改善。举例而言，此类实现可减小由本来会在黑色掩模层与边缘像素的电极层之间发生的氧化物击穿引起的收得率损失。
[0049]此外，边缘子像素的视觉外观可以独立于活跃阵列中的驱动电压，并且因此这些边缘子像素可以适合于用作显示器的均匀观看区域边界。在一些驱动方案中，不可能预测未被完全寻址(行和列两者上的有效波形)的普通子像素的行为。本文中所描述的各种实现消除了具有额外驱动器输出以控制边缘子像素的视觉外观的需要。
[0050]所描述实现可应用于其中的合适EMS或MEMS器件的示例是反射式显示设备。反射式显示设备可纳入干涉测量调制器(IMOD)以使用光学干涉原理来选择性地吸收和/或反射入射在其上的光。IMOD可包括吸收体、可相对于该吸收体移动的反射体、以及在该吸收体与反射体之间限定的光学谐振腔。反射体可被移至两个或两个以上不同位置，这可以改变光学谐振腔的大小并由此影响IMOD的反射。IMOD的反射谱可创建相当广的光谱带，这些光谱带可跨可见波长移位以产生不同颜色。谱带的位置可通过改变光学谐振腔的厚度来调节。改变光学谐振腔的一种方法是通过改变反射体的位置。
[0051]图1示出描绘了干涉测量调制器(IMOD)显示设备的一系列像素中的两个毗邻像素的等轴视图的示例。该IMOD显示设备包括一个或多个干涉测量MEMS显示元件。在这些设备中，MEMS显示元件的像素可处于亮状态或暗状态。在亮(“松弛”、“打开”或“接通”)状态，显示元件将入射的可见光的很大部分反射掉(例如，去往用户)。相反，在暗(“致动”、“关闭”或“关断”)状态，显示元件几乎不反射入射的可见光。在一些实现中，可颠倒接通和关断状态的光反射性质。MEMS像素可配置成主导性地在特定波长上发生反射，从而除了黑白以外还允许彩色显示。
[0052]IMOD显示设备可包括MOD的行/列阵列。每个頂OD可包括一对反射层，即，可移动反射层和固定的部分反射层，这对反射层位于彼此相距可变且可控的距离处以形成气隙(也称为光学间隙或腔)。可移动反射层可在至少两个位置之间移动。在第一位置(即，松弛位置)，可移动反射层可位于离该固定的部分反射层有相对较大距离处。在第二位置(即，致动位置)，该可移动反射层可位于更靠近该部分反射层。取决于可移动反射层的位置，从这两个层反射的入射光可相长地或相消地干涉，从而产生每个像素总体上的反射或非反射的状态。在一些实现中，IMOD在未致动时可处于反射状态，由此反射可见谱内的光，并且在未致动时可处于暗状态，由此吸收和/或相消地干涉可见范围内的光。然而，在一些其它实现中，IMOD可在未致动时处于暗状态，而在致动时处于反射状态。在一些实现中，所施加电压的引入可驱动像素改变状态。在一些其它实现中，所施加电荷可驱动像素改变状态。[0053]图1中所描绘的像素阵列部分包括两个毗邻的M0D12 (B卩，MOD像素)。在左侧(如图所示)的M0D12中，可移动反射层14图解为处于离光学堆叠16有一距离(该距离可基于设计参数被预先确定)的松弛位置，光学堆叠16包括部分反射层。跨左侧的IM0D12施加的电压Vtl不足以引起对可移动反射层14的致动。在右侧的IM0D12中，可移动反射层14图解为处于靠近、Btt邻或触及光学堆叠16的致动位置。跨右侧的IM0D12施加的电压Vbias(ViM)足以移动可移动反射层14并可将可移动反射层14维持在致动位置。
[0054]在图1中，像素12的反射性质用指示入射在像素12上的光的箭头13、以及从左侧的像素12反射的光15来一般化地解说。本领域普通技术人员将容易认识到，入射在像素12上的光13的大部分可透射穿过透明基板20去往光学堆叠16。入射在光学堆叠16上的光的一部分可透射穿过光学堆叠16的部分反射层，且一部分将被反射回去穿过透明基板20。光13透射穿过光学堆叠16的那部分光可在可移动反射层14处朝向透明基板20反射回去(并穿过透明基板20)。从光学堆叠16的部分反射层反射的光与从可移动反射层14反射的光之间的干涉(相长的或相消的)将决定从像素12反射的光15的(诸)波长。
[0055]光学堆叠16可包括单层或若干层。该(些)层可包括电极层、部分反射且部分透射层以及透明介电层中的一者或多者。在一些实现中，光学堆叠16是导电的、部分透明且部分反射的，并且可以例如通过将上述层中的一者或多者沉积到透明基板20上来制造。电极层可由各种各样的材料形成，诸如各种金属，例如氧化铟锡(ΙΤ0)。部分反射层可由各种各样的部分反射的材料形成，诸如各种金属(诸如铬(Cr))、半导体以及电介质。部分反射层可由一层或多层材料形成，且每一层可由单种材料或由诸材料的组合形成。在一些实现中，光学堆叠16可包括单个半透明厚度的金属或半导体，其既用作光学吸收体又用作电导体，而(例如，IMOD的光学堆叠16或其它结构的)不同的、更导电的层或部分可用于在IMOD像素之间汇流信号。光学堆叠16还可包括覆盖一个或多个导电层或导电/光吸收层的一个或多个绝缘或介电层。
[0056]在一些实现中，光学堆叠16的(诸)层可被图案化为平行条带，并且可如下文进一步描述地形成显示设备中的行电极。如本领域普通技术人员将理解的，术语“图案化”在本文中用于指掩模以及蚀刻工艺。在一些实现中，可将高导电性和高反射性的材料(诸如，铝(Al))用于可移动反射层14，且这些条带可形成显示设备中的列电极。可移动反射层14可形成为一个或数个沉积金属层的一系列平行条带(与光学堆叠16的行电极正交)，以形成沉积在柱子18以及各个柱子18之间所沉积的居间牺牲材料顶上的诸列。当该牺牲材料被蚀刻掉时，便可在可移动反射层14与光学堆叠16之间形成所限定的间隙19或即光学腔。在一些实现中，各个柱子18之间的间距可近似为1- lOOOum，而间隙19可近似小于10，000埃
(A) ο
[0057]在一些实现中，MOD的每个像素(无论处于致动状态还是松弛状态)实质上是由该固定反射层和移动反射层形成的电容器。在无电压被施加时，可移动反射层14保持在机械松弛状态，如由图1中左侧的像素12所解说的，其中在可移动反射层14与光学堆叠16之间存在间隙19。然而，当将电位差(例如，电压)施加到所选行和列中的至少一者时，在对应像素处的行电极和列电极的交叉处形成的电容器变为带电的，且静电力将这些电极拉向一起。若所施加的电压超过阈值，则可移动反射层14可形变并且移动到靠近或倚靠光学堆叠
16。光学堆叠16内的介电层(未示出)可防止短路并控制层14与层16之间的分隔距离，如图1中右侧的致动像素12所解说的。不管所施加电位差的极性如何，行为都是相同的。虽然阵列中的一系列像素在一些实例中可被称为“行”或“列”，但本领域普通技术人员将容易理解，将一个方向称为“行”并将另一方向称为“列”是任意的。要重申的是，在一些取向中，行可被视为列，而列可被视为行。此外，显示元件可均匀地排列成正交的行和列(“阵列”)，或排列成非线性配置，例如关于彼此具有某些位置偏移(“马赛克”)。术语“阵列”和“马赛克”可以指任一种配置。因此，虽然将显示器称为包括“阵列”或“马赛克”，但在任何实例中，这些元件本身不一定要彼此正交地排列、或布置成均匀分布，而是可包括具有不对称形状以及不均匀分布的元件的布局。
[0058]图2示出解说纳入了 3X3M0D显示器的电子设备的系统框图的示例。该电子设备包括处理器21，该处理器21可被配置成执行一个或多个软件模块。除了执行操作系统以夕卜，处理器21还可被配置成执行一个或多个软件应用，包括web浏览器、电话应用、电子邮件程序、或任何其它软件应用。
[0059]处理器21可配置成与阵列驱动器22通信。阵列驱动器22可包括例如向显示阵列或面板30提供信号的行驱动器电路24和列驱动器电路26。图1中所解说的MOD显示设备的横截面由图2中的线1-1示出。尽管图2为清晰起见解说了 3X3的IMOD阵列，但显示阵列30可包含很大数目的M0D，并且可在行中具有与列中不同的MOD数目，反之亦然。
[0060]图3示出解说图1的IMOD的可移动反射层位置相对于所施加电压的图示的示例。对于MEMS IM0D，行/列(S卩，共用/分段)写规程可利用这些器件的如图3中所解说的滞后性质。IMOD可能需要例如约10伏的电位差以使可移动反射层或镜从松弛状态改变为致动状态。当电压从该值减小时，可移动反射层随电压降回至例如10伏以下而维持其状态，然而，可移动反射层并不完全松弛，直至电压降至2伏以下。因此，如图3中所示，存在一电压范围(大约为3至7伏)，在此电压范围中存在该器件要么稳定于松弛状态要么稳定于致动状态的所施加电压窗口。该窗口在本文中称为“滞后窗”或“稳定态窗”。对于具有图3的滞后特性的显示阵列30，行/列写规程可被设计成一次寻址一行或多行，以使得在对给定行寻址期间，被寻址行中要被致动的像素暴露于约10伏的电压差，而要被松弛的像素暴露于接近O伏的电压差。在寻址之后，这些像素暴露于约5伏的稳态或偏置电压差，以使得它们保持在先前的闸选状态中。在该示例中，在被寻址之后，每个像素都经受落在约3-7伏的“稳定态窗”内的电位差。该滞后性质特征使得(例如图1中所解说的)像素设计能够在相同的所施加电压条件下保持稳定在要么致动要么松弛的事先存在的状态中。由于每个MOD像素(无论是处于致动状态还是松弛状态)实质上是由固定反射层和移动反射层形成的电容器，因此该稳定状态在落在该滞后窗内的平稳电压处可得以保持，而基本上不消耗或损失功率。此外，若所施加电压电位保持基本上固定，则实质上很少或没有电流流入MOD像素中。
[0061]在一些实现中，可根据对给定行中像素的状态的期望改变(若有)，通过沿该组列电极施加“分段”电压形式的数据信号来创建图像的帧。可轮流寻址该阵列的每一行，以使得以每次一行的形式写入该帧。为了将期望数据写到第一行中的像素，可在诸列电极上施加与该第一行中的像素的期望状态相对应的分段电压，并且可向第一行电极施加特定的“共用”电压或信号形式的第一行脉冲。该组分段电压随后可被改变为与对第二行中像素的状态的期望改变(若有)相对应，且可向第二行电极施加第二共用电压。在一些实现中，第一行中的像素不受沿诸列电极施加的分段电压上的改变的影响，而是保持于它们在第一共用电压行脉冲期间被设定的状态。可按顺序方式对整个行系列(或替换地对整个列系列)重复此过程以产生图像帧。通过以每秒某个期望帧数来不断地重复此过程，便可用新图像数据来刷新和/或更新这些帧。
[0062]跨每个像素施加的分段信号和共用信号的组合(S卩，跨每个像素的电位差)决定每个像素结果所得的状态。图4示出解说在施加各种共用电压和分段电压时IMOD的各种状态的表的示例。如本领域普通技术人员将容易理解的，可将“分段”电压施加于列电极或行电极，并且可将“共用”电压施加于列电极或行电极中的另一者。
[0063]如图4中(以及图5B所示的时序图中)所解说的，当沿共用线施加有释放电压VC.时，沿共用线的所有MOD元件将被置于松弛状态，替换地称为释放状态或未致动状态，而不管沿各分段线所施加的电压如何(即，高分段电压VSh和低分段电压VSJ。具体而言，当沿共用线施加释放电压VC.时，在沿该像素的对应分段线施加高分段电压VSh和低分段电压这两种情况下，跨该调制器的电位电压(替换地称为像素电压)皆落在松弛窗(参见图3，也称为释放窗)内。
[0064]当在共用线上施加有保持电压(诸如高保持电压VC_ H或低保持电压VC_ J时，IMOD的状态将保持恒定。例如，松弛的IMOD将保持在松弛位置，而致动的IMOD将保持在致动位置。保持电压可被选择成使得在沿对应的分段线施加高分段电压VSh和低分段电压VSl这两种情况下，像素电压皆将保持落在稳定态窗内。因此，分段电压摆幅(即，高分段电压VSh与低分段电压VSlj之差)小于正稳定态窗或负稳定态窗任一者的宽度。
[0065]当在共用线上施加有寻址或即致动电压(诸如高寻址电压VCaddh或低寻址电压VCadd J时，通过沿各自相应的分段线施加分段电压，就可选择性地将数据写到沿该线的各调制器。分段电压可被选择成使得致动取决于所施加的分段电压。 当沿共用线施加寻址电压时，施加一个分段电压将产生落在稳定态窗内的像素电压，从而使该像素保持未致动。相反，施加另一个分段电压将产生超出该稳定态窗的像素电压，从而导致该像素的致动。引起致动的特定分段电压可取决于使用了哪个寻址电压而变化。在一些实现中，当沿共用线施加高寻址电压VCadd H时，施加高分段电压VSh可使调制器保持在其当前位置，而施加低分段电压V&可引起该调制器的致动。作为推论，当施加有低寻址电压VCadi^时，分段电压的效果可以是相反的，其中高分段电压VSh引起该调制器的致动，而低分段电对该调制器的状态无影响(即，保持稳定)。
[0066]在一些实现中，可使用产生相同极性的跨调制器电位差的保持电压、寻址电压和分段电压。在一些其它实现中，可使用使调制器的电位差的极性交变的信号。跨调制器的极性的交变(即，写规程的极性的交变)可减少或抑制在反复的单极性写操作之后可能发生的电荷累积。
[0067]图5A示出解说图2的3X3M0D显示器中的一帧显示数据的图示的示例。图5B示出可用于写图5A中所解说的该帧显示数据的共用信号和分段信号的时序图的示例。可将这些信号施加于例如图2的3X3阵列，这将最终导致图5A中所解说的线时间60e的显示布局。图5A中的致动调制器处于暗状态，即，其中所反射光的大体部分在可见光谱之外，从而给例如观看者造成暗观感。在写图5A中所解说的帧之前，这些像素可处于任何状态，但图5B的时序图中所解说的写规程假设了在第一线时间60a之前，每个调制器皆已被释放且驻留在未致动状态中。
[0068]在第一线时间60a期间:在共用线I上施加有释放电压70 ;在共用线2上施加的电压始于高保持电压72且移向释放电压70 ;并且沿共用线3施加有低保持电压76。因此，沿共用线I的调制器(共用1，分段I)、(1，2)和(1，3)在第一线时间60a的历时里保持在松弛或即未致动状态，沿共用线2的调制器(2，I)、(2，2)和(2，3)将移至松弛状态，而沿共用线3的调制器(3，1)、(3，2)和(3，3)将保持在其先前状态中。参考图4，沿分段线1、2和3施加的分段电压将对诸IMOD的状态没有影响，这是因为在线时间60a期间，共用线1、2或3皆不暴露于引起致动的电压电平(即，VC.-松弛和VCmiU-稳定)。
[0069]在第二线时间60b期间，共用线I上的电压移至高保持电压72，并且由于没有寻址或即致动电压施加在共用线I上，因此沿共用线I的所有调制器皆保持在松弛状态中，不管所施加的分段电压如何。沿共用线2的诸调制器由于释放电压70的施加而保持在松弛状态中，而当沿共用线3的电压移至释放电压70时，沿共用线3的调制器(3，I)、(3，2)和(3，3)将松弛。
[0070]在第三线时间60c期间，通过在共用线I上施加高寻址电压74来寻址共用线I。由于在该寻址电压的施加期间沿分段线I和2施加了低分段电压64，因此跨调制器(1，I)和(1,2)的像素电压大于这些调制器的正稳定态窗的高端(即，电压差分超过了预定义阈值)，并且调制器(1，I)和(1，2)被致动。相反，由于沿分段线3施加了高分段电压62，因此跨调制器(1，3)的像素电压小于跨调制器(1，I)和(1，2)的像素电压，并且保持在该调制器的正稳定态窗内；调制器(1，3)因此保持松弛。同样在线时间60c期间，沿共用线2的电压减小至低保持电压76，且沿共用线3的电压保持在释放电压70，从而让沿共用线2和3的调制器留在松弛位置。
[0071]在第四线时间60d期间，共用线I上的电压返回至高保持电压72，从而让沿共用线I的调制器处于其各自相应的被寻址状态中。共用线2上的电压减小至低寻址电压78。由于沿分段线2施加了高分段电压62，因此跨调制器(2，2)的像素电压低于该调制器的负稳定态窗的下端，从而导致调制器(2，2)致动。相反，由于沿分段线I和3施加了低分段电压64，因此调制器(2，I)和(2，3)保持在松弛位置。共用线3上的电压增大至高保持电压72，从而让沿共用线3的调制器留在松弛状态中。
[0072]最终，在第五线时间60e期间，共用线I上的电压保持在高保持电压72，且共用线2上的电压保持在低保持电压76，从而使沿共用线I和2的调制器留在其各自相应的被寻址状态中。共用线3上的电压增大至高寻址电压74以寻址沿共用线3的调制器。由于在分段线2和3上施加了低分段电压64，因此调制器(3，2)和(3，3)致动，而沿分段线I施加的高分段电压62使调制器(3，I)保持在松弛位置。因此，在第五线时间60e结束时，该3X3像素阵列处于图5A中所示的状态，且只要沿这些共用线施加有保持电压，该3 X 3像素阵列就将保持在该状态中，而不管在沿其它共用线(未示出)的调制器正被寻址时可能发生的分段电压的变动。
[0073]在图5B的时序图中，给定的写规程(即，线时间60a_60e)可包括高保持和寻址电压的使用、或低保持和寻址电压的使用。一旦针对给定的共用线已完成该写规程(且该共用电压被设为与致动电压具有相同极性的保持电压)，该像素电压就保持在给定的稳定态窗内且不会穿过松弛窗，直至在该共用线上施加释放电压。此外，由于作为该写规程的一部分使每个调制器在被寻址之前被释放，因此调制器的致动时间而非释放时间可决定必需的线时间。具体地，在调制器的释放时间大于致动时间的实现中，释放电压可被施加达长于单个线时间，如图5B中所描绘的。在一些其它实现中，沿共用线或分段线施加的电压可变化以考虑到不同调制器(诸如不同颜色的调制器)的致动电压和释放电压的变化。
[0074]根据上文阐述的原理来操作的MOD的结构细节可以广泛地变化。例如，图6A-6E示出包括可移动反射层14及其支承结构的IMOD的不同实现的横截面的示例。图6A示出图1的IMOD显示器的部分横截面的示例，其中金属材料条带(S卩，可移动反射层14)沉积在从基板20正交延伸出的支承18上。在图6B中，每个MOD的可移动反射层14为大体正方形或矩形的形状，且在隅角处或隅角附近靠系带32附连到支承。在图6C中，可移动反射层14为大体正方形或矩形的形状且悬挂于可形变层34，可形变层34可包括柔性金属。可形变层34可围绕可移动反射层14的周界直接或间接地连接到基板20。这些连接在本文中称为支承柱。图6C中所示的实现具有源自可移动反射层14的光学功能与其机械功能(这由可形变层34实施)解耦的附加益处。这种解耦允许用于反射层14的结构设计和材料与用于可形变层34的结构设 计和材料彼此独立地被优化。
[0075]图6D示出IMOD的另一示例,其中可移动反射层14包括反射子层14a。可移动反射层14支托在支承结构(诸如，支承柱18)上。支承柱18提供了可移动反射层14与下静止电极(即，所解说MOD中的光学堆叠16的部分)的分离，从而使得(例如当可移动反射层14处在松弛位置时)在可移动反射层14与光学堆叠16之间形成间隙19。可移动反射层14还可包括导电层14c和支承层14b，该导电层14c可配置成用作电极。在此示例中，导电层14c布置在支承层14b的、在基板20远端的一侧上，而反射子层14a布置在支承层14b的、在基板20近端的另一侧上。在一些实现中，反射子层14a可以是导电性的并且可布置在支承层14b与光学堆叠16之间。支承层14b可包括一层或多层介电材料，例如氧氮化硅(SiON)或二氧化硅(Si02)。在一些实现中，支承层14b可以是诸层的堆叠，诸如举例而言Si02/Si0N/Si02三层堆叠。反射子层14a和导电层14c中的任一者或者两者可包括例如具有约0.5%铜(Cu)的铝(Al)合金、或其它反射性金属材料。在介电支承层14b上方和下方采用导电层14a、14c可平衡应力并提供增强的导电性。在一些实现中，反射子层14a和导电层14c可由不同材料形成以用于各种各样的设计目的，诸如达成可移动反射层14内的特定应力分布。
[0076]如图6D中所解说的，一些实现还可包括黑色掩模结构23。黑色掩模结构23可形成于光学非活跃区域中(例如，在各像素之间或在柱子18下方)以吸收环境光或杂散光。黑色掩模结构23还可通过抑制光从显示器的非活跃部分反射或透射穿过显示器的非活跃部分来改善显示设备的光学性质，由此提高对比度。另外，黑色掩模结构23可以是导电性的并且配置成用作电汇流层。在一些实现中，行电极可连接到黑色掩模结构23以减小所连接的行电极的电阻。黑色掩模结构23可使用各种各样的方法来形成，包括沉积和图案化技术。黑色掩模结构23可包括一层或多层。例如，在一些实现中，黑色掩模结构23包括用作光学吸收体的钥铬(MoCr)层、SiO2层、以及用作反射体和汇流层的铝合金，其厚度分别在约30-80 A、500-1000 A和500-6000 A的范围中。这一层或多层可使用各种各样的技术来图案化，包括光刻和干法蚀刻，包括例如用于MoCr及SiO2层的四氟化碳(CF4^P /或氧气(O2),以及用于铝合金层的氯(Cl2)和/或三氯化硼(BC13)。在一些实现中，黑色掩模23可以是标准具(etalon)或干涉测量堆叠结构。在此类干涉测量堆叠黑色掩模结构23中，导电性的吸收体可用于在每行或每列的光学堆叠16中的下静止电极之间传送或汇流信号。在一些实现中，分隔层35可用于将吸收体层16a与黑色掩模23中的导电层大体上电隔离。
[0077]图6E示出IMOD的另一示例，其中可移动反射层14是自支承的。与图6D形成对t匕，图6E的实现不包括支承柱18。作为代替，可移动反射层14在多个位置触及底下的光学堆叠16，且可移动反射层14的曲度提供足够的支承以使得在跨IMOD的电压不足以引起致动时，可移动反射层14返回至图6E的未致动位置。为清晰起见，可包含多个若干不同层的光学堆叠16在此处被不为包括光学吸收体16a和电介质16b。在一些实现中，光学吸收体16a既可用作固定电极又可用作部分反射层。
[0078]在诸实现中，诸如图6A-6E中所示的那些实现中，MOD用作直视设备，其中是从透明基板20的前侧(即，与布置调制器的一侧相对的那侧)来观看图像。在这些实现中，可对该设备的背部(即，该显示设备的在可移动反射层14后面的任何部分，包括例如图6C中所解说的可形变层34)进行配置和操作而不会冲突或不利地影响该显示设备的图像质量，因为反射层14光学地屏蔽了该设备的那些部分。例如，在一些实现中，在可移动反射层14后面可包括总线结构(未图解)，这提供了将调制器的光学性质与该调制器的机电性质(诸如，电压寻址和由此类寻址所导致的移动)分离的能力。另外，图6A - 6E的实现可简化处理(诸如，图案化)。
[0079]图7示出解说MOD的制造过程80的流程图的示例，并且图8A - 8E示出此类制造过程80的相应阶段的横截面示意图解的示例。在一些实现中，可实现制造过程80加上图7中未示出的其它框以制造例如图1和6中所解说的一般类型的IM0D。参考图1、6和7，过程80在框82处开始于在基板20上方形成光学堆叠16。图8A解说了在基板20上方形成的此类光学堆叠16。基板20可以是透明基板(诸如，玻璃或塑料)，其可以是柔性的或是相对坚硬且不易弯曲的，并且可能已经历了在先制备工艺(例如，清洗)以便于高效地形成光学堆叠16。如上文所讨论的，光学堆叠16可以是导电的、部分透明且部分反射的，并且可以是例如通过将具有期望性质的一层或多层沉积到透明基板20上来制造的。在图8A中，光学堆叠16包括具有子层16a和子层16b的多层结构，虽然在一些其它实现中可包括更多或更少的子层。在一些实现中，子层16a、子层16b中的一者可配置成具有光学吸收和导电性质两者，诸如组合式导体/吸收体子层16a。另外，子层16a、子层16b中的一者或多者可被图案化成平行条带，并且可形成显示设备中的行电极。此类图案化可通过掩模和蚀刻工艺或本领域已知的另一合适工艺来执行。在一些实现中，子层16a、子层16b中的一者可以是绝缘层或介电层，诸如沉积在一个或多个金属层(例如，一个或多个反射和/或导电层)上方的子层16b。另外，光学堆叠16可被图案化成形成显示器的诸行的个体的且平行的条带。
[0080]过程80在框84处继续以在光学堆叠16上方形成牺牲层25。牺牲层25稍后被移除(例如，在框90)以形成腔19，且因此在图1中所解说的结果所得的IM0D12中未示出牺牲层25。图SB解说包括在光学堆叠16上方形成的牺牲层25的经部分制造的器件。在光学堆叠16上方形成牺牲层25可包括以所选厚度来沉积二氟化氙(XeF2)可蚀刻材料(诸如，钥(Mo)或非晶硅(Si))，该厚度被选择成在后续移除之后提供具有期望设计大小的间隙或腔
19(也参见图1和8E)。沉积牺牲材料可使用沉积技术来实施，诸如物理气相沉积(PVD，例如溅镀)、等离子体增强型化学气相沉积(PECVD)、热化学气相沉积(热CVD)、或旋涂等。
[0081]过程80在框86处继续以形成支承结构(例如，图1、6和SC中所解说的柱子18)。柱子18的形成可包括:图案化牺牲层25以形成支承结构孔，然后使用沉积方法(诸如PVD、PECVD、热CVD或旋涂)将材料(例如，聚合物或无机材料，诸如氧化硅)沉积到该孔中以形成柱子18。在一些实现中，在牺牲层中形成的支承结构孔可延伸穿过牺牲层25和光学堆叠16两者到达底下的基板20，从而柱子18的下端触及基板20，如图6A中所解说的。替换地，如图SC中所描绘的，在牺牲层25中形成的孔可延伸穿过牺牲层25，但不穿过光学堆叠16。例如，图8E解说了支承柱18的下端与光学堆叠16的上表面接触。可通过在牺牲层25上方沉积支承结构材料层并对位于远离牺牲层25中的孔的支承结构材料部分图案化来形成柱子18或其它支承结构。这些支承结构可位于这些孔内(如图SC中所解说的)，但是也可至少部分地在牺牲层25的一部分上方延伸。如上所述，对牺牲层25和/或支承柱18的图案化可通过图案化和蚀刻工艺来执行，但也可通过替换的蚀刻方法来执行。
[0082]过程80在框88处继续以形成可移动反射层或膜，诸如图1、6和8D中所解说的可移动反射层14。可移动反射层14可通过采用一个或多个沉积步骤(例如，反射层(诸如铝、铝合金)沉积)连同一个或多个图案化、掩模和/或蚀刻步骤来形成。可移动反射层14可以是导电的，且被称为导电层。在一些实现中，可移动反射层14可包括如图8D中所示的多个子层14a、14b、14c。在一些实现中，这些子层中的一者或多者(诸如子层14a、14c)可包括为其光学性质所选择的高反射性子层，且另一子层14b可包括为其机械性质所选择的机械子层。由于牺牲层25仍存在于在框88处形成的经部分制造的MOD中，因此可移动反射层14在此阶段通常是不可移动的。包含牺牲层25的经部分制造的MOD在本文也可称为“未脱模”IM0D。如上文结合图1所描述的，可移动反射层14可被图案化成形成显示器的诸列的个体的且平行的条带。
[0083]过程80在框90处继续以形成腔，例如图1、6和SE中所解说的腔19。腔19可通过将(在框84处沉积的)牺牲材料25暴露于蚀刻剂来形成。例如,可蚀刻的牺牲材料(诸如钥(Mo)或非晶硅(Si))可通过干法化学蚀刻来移除，例如通过将牺牲层25暴露于气态或蒸汽蚀刻剂(诸如，由固态XeF2得到的蒸汽)长达能有效地移除期望量的材料(通常是相对于围绕腔19的结构被选择性地移除)的一段时间来移除。还可使用其它蚀刻方法，例如湿法蚀刻和/或等离子蚀刻。由于在框90期间移除了牺牲层25，因此可移动反射层14在此阶段之后通常是可移动的。在移除了牺牲材料25之后，结果所得的已完全或部分制造的MOD在本文中可被称为“已脱模” MOD。
[0084]图9示出包括具有如本文中所提供的开口的边缘子像素阵列的显示器的示例。在此示例中，每行包括相同类型的子像素。举例而言，底行图解出红色子像素I到8。然而，图9中所示的子像素的数目和排列仅仅是示例。其他实现可具有不同子像素颜色、数目和/或排列。边缘子像素阵列910提供布线区域905a及905b与活跃子像素阵列915之间的电连通性。在此示例中，活跃子像素阵列915由MOD 12c形成，IMOD12c可基本类似于以上参照图1、6A-6E或8A到8E所描述的那些。
[0085]在一些实现中，行Gl、Rl和BI不被驱动。类似地，列I到3可以不被驱动。取而代之的是，该区域中的九个“隅角”子像素921可以被全部互连。此配置会造成边缘子像素阵列910、隅角子像素921和活跃子像素阵列915之间(例如列3中边缘子像素BI与G2之间)的接口处的显著电压变化，这是因为用于驱动活跃子像素阵列915的驱动信号穿过边缘子像素G2。通过布线区域905a施加相对较大的驱动电压，布线区域905a在本文中有时可被称为“共用”。相对较小的驱动电压被施加在布线区域905b中，布线区域905b也被称为“分段”。在现有实现中，在共用布线区域中施加的相对较大的电压使布置在共用布线区域与活跃子像素阵列915之间的边缘子像素910致动。这使得一些功率被无意义地消耗掉并引起了其他问题，诸如，驱动方案的不必要的复杂化、需要(例如用黑色掩模层)对边缘子像素910进行掩蔽、或驱动器中较大数目的输出(包括致力于驱动边缘“哑”像素的那些输出)。
[0086]为了解决这些问题，在图9中所示的实现中，边缘子像素阵列910由M0D12d形成，每一个頂0D12d包括开口 920。此类配置能防止頂0D12d致动。然而，图9中所示的配置仅是示例。在替换实现中，举例而言，一些边缘子像素(例如隅角子像素921中的一些)可以不包括开口 920。
[0087]图1OA示出描绘MOD显示设备中两个毗邻子像素的等轴视图的示例。图1OA的取向可通过参照图9右侧的虚线来确定。如图9中所示，图1OA的子像素12d是边缘子像素阵列910的一部分，并且图1OA的子像素12c是活跃子像素阵列915的一部分。在图1OA中，穿过光学堆叠16的开口 920可通过基本透明的基板20看到。在此实现中，开口 920足够大以在阵列驱动器经由边缘子像素910向活跃子像素阵列915施加活跃子像素致动电压时防止边缘子像素12d致动。开口 920可使得边缘子像素12d具有比活跃子像素致动电压高的边缘子像素致动电压。由于开口 920防止边缘子像素12d致动，因此在此示例中，在活跃区域正被驱动时，IM0D12d并不消耗功率。
[0088]开口 920可允许环境光直接从边缘子像素12d的第二导电反射层14反射并经由开口 920从边缘子像素12d显现出来。开口 920可使得边缘子像素具有与布线区域的第二反射率基本相似的第一反射率，其可具有例如20%-30%的范围中的反射率。在一些实现中，开口 920的大小可被选择成产生边缘子像素区域反射率与布线区域反射率之间的、小于或等于期望反射率差(例如5%或更小)的反射率差。
[0089]图1OB示出解说根据本文中所提供的一些实现的制造显示器的过程的流程图的示例。如同本文中所描述的其它过程一样，过程1000的各框不必以所指示的次序来执行。过程1000的替换实现可涉及比图1OB中所示出的更多或更少的框。
[0090]在框1010中，在基本透明的基板上形成光学堆叠。图1OA解说了在基板20上方形成的光学堆叠16的一个示例。基板20可以是透明基板，诸如玻璃或塑料。在此示例中，光学堆叠16是部分透明且部分反射性的，并且包括第一导电层。光学堆叠16可例如通过将具有期望特性的一层或多层沉积到透明基板20上来制造。
[0091]如上所述，光学堆叠16的第一导电层可由各种各样的材料形成,诸如各种金属，例如氧化铟锡(ΙΤ0)。部分反射层可由各种各样的部分反射性材料形成，诸如各种金属，例如铬(Cr)、半导体以及电介质。部分反射层可由一层或多层材料形成，且每一层可由单种材料或由诸材料的组合形成。在一些实现中，光学堆叠16可包括单个半透明厚度的金属或半导体，其既用作光学吸收体又用作导体，而(例如，IMOD的光学堆叠16或其它结构(诸如黑色掩模的导电层)的)不同的、更导电的层或部分可用于在各IMOD像素之间汇流信号。光学堆叠16还可包括覆盖一个或多个导电层或导电/吸收层的一个或多个绝缘或介电层。[0092]在一些实现中，光学堆叠16的(诸)层可被图案化成基本平行的条带，并且可形成显示器中的行电极，诸如本文中其他地方所示和描述的那些行电极。例如，参照图9，一个此类行电极可形成红色子像素行R2的一部分并且可被配置成将信号从布线区域905a传达到活跃子像素阵列915的行R2中的红色子像素。
[0093]在过程1000的框1015中，在该光学堆叠上形成一个或多个牺牲层。该牺牲层稍后(在框1070处)被移除以形成腔。因此，牺牲层未在图1OA中示出。
[0094]在图1OB的框1020中，在光学堆叠16上形成支承结构。框1020可涉及形成柱子18，诸如在图10中所解说的柱子。柱子18的形成可包括:图案化该牺牲层以形成支承结构孔，然后使用沉积方法(诸如PVD、PECVD、热CVD或旋涂)将材料(例如，聚合物或无机材料，例如氧化硅)沉积到该孔中以形成柱子18。在一些实现中，在牺牲层中形成的支承结构孔可延伸穿过该牺牲层和光学堆叠16两者到达底下的基板20，从而柱子18的下端接触基板20，如图1OA中所解说的。替换地，如图SC中所描绘的，在该牺牲层中形成的孔可延伸穿过该牺牲层，但并不穿过光学堆叠16。
[0095]在框1030中，在支承结构上形成第二导电反射层。第二导电层的一个示例是图1OA的层14。层14可通过采用一个或多个沉积工艺连同一个或多个图案化、掩模、和/或蚀刻工艺来形成。在一些实现中，层14可包括多个子层。
[0096]在一些实现中，可将高导电性和高反射性的材料(诸如，铝或银)用于形成层14。层14可被形成为一个或多个沉积金属层的一系列基本平行的条带以形成显示设备中的列电极。此类列电极可以与光学堆叠16的行电极基本正交。例如，参照图9，一个此类列电极可形成子像素列4的一部分并且可被配置成将信号从布线区域905b传达到活跃子像素阵列915的列4中的子像素。
[0097]虽然框1040、1050和1060在图1OB中被示为顺序的框，但在一些实现中，它们可基本上同时执行。举例而言，框1040、1050和1060可被执行以基本上同时在基板的不同区域上形成相应特征。在框1040中，形成活跃子像素阵列。图9的活跃子像素阵列915提供了一个此类阵列的示例。活跃子像素阵列915可由子像素12c构成，该子像素12c可以类似于图1OA的子像素12c。子像素12c可被配置成在层14与层16之间施加活跃子像素致动电压时移动层14。
[0098]在此示例中，在框1050中形成布线区域。布线区域可被用来供电和将各种器件(诸如以下参照图12A和图12B描述的阵列驱动器22、驱动器控制器29和/或处理器21)连接到子像素阵列。布线区域可以类似于图9中所示的布线区域905a和905b。布线区域可具有布线区域反射率，该布线区域反射率取决于各种因素，包括布线区域中使用的导电材料的反射率、(例如底下基板的)本底区域的反射率和被导电材料占据的布线区域的百分t匕。在一些实现中，布线区域反射率可以在20%到40%的范围中。
[0099]在框1060中，形成边缘子像素。这些边缘子像素可被配置成提供布线区域与活跃子像素之间的电连通性。在此示例中，至少一些边缘子像素在第一导电层中包括开口。该开口可被限定在掩模中并在制造过程中通过图案化技术形成。举例而言，该开口可以类似于图9和图1OA的子像素12d中所示的开口 920之一。在一些实现中，开口的大小可以是在经由边缘子像素12d向活跃子像素12c施加致动电压时防止边缘子像素12d的第二导电层14致动的最小开口大小。开口的大小可以根据附加准则来选择，如以下参照图11所描述的。
[0100]在框1070中，释放牺牲层以在光学堆叠16与反射导电层14之间形成光学腔。在活跃子像素阵列的子像素12c中，每个活跃子像素的反射导电层14可被配置成当在第一导电层与第二导电层之间施加致动电压时可相对于光学堆叠16移动。
[0101]在框1080中，可执行最终加工及封装操作。例如，个体显示器可被切成单粒。处理器、驱动器控制器等可以与布线区域电连接。结果所得的显示设备可被纳入到便携式设备中，例如以下参照图12A和12B所描述的设备。
[0102]图11示出解说确定边缘子像素的开口大小的过程的流程图的示例。此过程可例如由编码在非瞬态介质中的软件执行。该软件可包括用于控制至少一个设备执行过程1100的操作的指令。过程1100的各框不一定按所指示的次序执行。过程1100的替换实现可涉及比图11中所示出的更多或更少的框。
[0103]在框1105中，接收指示用于活跃子像素阵列(诸如图9的活跃子像素阵列915)的致动电压的数据。在一些实现中，该致动电压可以在10伏的数量级上，例如在5伏与20伏之间。举例而言，参照图10，10伏的致动电压被施加到子像素12c和12d上。
[0104]框1110可涉及确定使得边缘子像素具有比活跃子像素致动电压高预定量(例如，高2伏或3伏)的边缘子像素致动电压的开口大小。举例而言，再次参照图10，10伏的致动电压不足以使边缘子像素12d致动。框1110可涉及确定当经由边缘子像素阵列910向活跃子像素阵列915施加10伏的致动电压(参见图9)时防止边缘子像素12d致动的(例如容限范围内的)最小开口 920大小。在一些实现中，开口 920可占据边缘子像素的整个区域的15%与60%之间。
[0105]在此实现中，框1115涉及确定具有该最小开口大小的开口的边缘子像素的阵列的边缘子像素区域反射率。在框1120中，可确定与边缘子像素阵列毗邻的布线区域的布线区域反射率。布线区域反射率可取决于各种因素，包括布线区域中使用的导电材料的反射率、(例如底下基板的)本底区域的反射率和被导电材料占据的布线区域的百分比。在一些实现中，框1115可涉及在布线区域反射率信息已被确定之后接收该布线区域反射率信息，而在其他实现中，框1115可涉及确定布线区域反射率信息，例如通过反射率测量、对在布线区域上作出的多个反射率测量取平均等等。
[0106]可随后确定边缘子像素区域反射率与布线区域反射率之间的反射率差，例如通过从一个值减去另一个值(框1125)。在框1130中可接收对期望反射率差的指示。例如，此类信息可经由用户接口响应于用户输入而被接收、可经由网络接口被接收，等等。
[0107]在框1135中，可确定该反射率差是否小于或等于该期望反射率差。举例而言，一些实现可涉及确定期望反射率差是否为5%或更小。若是，则最小开口大小提供用于边缘子像素区域的合适反射率。因此，开口大小可被设置成最小开口大小。
[0108]然而，如果在框1135中确定该反射率差大于期望反射率差，则该过程继续到框1140。在框1140中，可确定是否存在会产生小于或等于期望反射率差的反射率差的合适的经修改开口大小。例如，边缘子像素反射率可随着开口大小增加而增加。然而，可能存在为在边缘子像素中形成的最大可行开口大小的开口大小。如果存在大于最小开口大小且小于或等于最大可行开口大小、并且会产生小于或等于期望反射率差的反射率差的经修改开口大小，则这可以在框1140中确定。经修改开口大小可被设置成该经修改开口大小。[0109]然而,如果不存在大于最小开口大小且小于或等于最大可行开口大小、会产生小于或等于期望反射率差的反射率差的经修改开口大小，则开口大小可被设置成默认大小。在此示例中，该默认大小是最小开口大小(框1150)。在替换实现中，该默认大小可以是最大可行开口大小、或最小开口大小(诸如整个边缘子像素区域的10%到20%)与最大可行开口大小(诸如整个边缘子像素区域的50%到60%)之间的预定开口大小。
[0110]图12A和12B示出解说包括多个MOD的显示设备40的系统框图的示例。显示设备40可以是例如智能电话、蜂窝或移动电话。然而，显示设备40的相同组件或其稍有变动的变体也解说诸如电视、平板电脑、电子阅读器、手持式设备和便携式媒体播放器等各种类型的显示设备。
[0111]显示设备40包括外壳41、显示器30、天线43、扬声器45、输入设备48、以及话筒46。外壳41可由各种各样的制造工艺(包括注模和真空成形)中的任何制造工艺来形成。另外，外壳41可由各种各样的材料中的任何材料制成，包括但不限于:塑料、金属、玻璃、橡胶、和陶瓷、或其组合。外壳41可包括可拆卸部分(未示出)，其可与具有不同颜色、或包含不同徽标、图片或符号的其它可拆卸部分互换。
[0112]显示器30可以是各种各样的显示器中的任何显示器，包括双稳态显示器或模拟显示器，如本文中所描述的。显示器30也可配置成包括平板显示器(诸如，等离子体、EL、0LED、STN IXD或TFT IXD)、或非平板显示器(诸如，CRT或其它电子管设备)。另外，显示器30可包括MOD显示器，如本文中所描述的。
[0113]在图12B中示意性地解说显示设备40的组件。显示设备40包括外壳41，并且可包括被至少部分地包封于其中的附加组件。例如，显示设备40包括网络接口 27，该网络接口 27包括耦合至收发机47的天线43。收发机47连接至处理器21，该处理器21连接至调理硬件52。调理硬件52可配置成调理信号(例如，对信号滤波)。调理硬件52连接到扬声器45和话筒46。处理器21还连接到输入设备48和驱动器控制器29。驱动器控制器29耦合至帧缓冲器28、并且耦合至阵列驱动器22，该阵列驱动器22进而耦合至显示阵列30。在一些实现中，电源系统50可向特定显示设备40设计中的几乎所有组件提供电力。
[0114]网络接口 27包括天线43和收发机47，从而显示设备40可在网络上与一个或多个设备通信。网络接口 27也可具有一些处理能力以减轻例如对处理器21的数据处理要求。天线43可发射和接收信号。在一些实现中，天线43根据IEEE16.11标准(包括IEEE16.11(a)、(b)或(g))或IEEE802.11标准(包括IEEE802.11a、b、g、η)及其进一步实现来发射和接收RF信号。在一些其它实现中，天线43根据蓝牙标准来发射和接收RF信号。在蜂窝电话的情形中，天线43被设计成接收码分多址(CDMA)、频分多址(FDMA)、时分多址(TDMA)、全球移动通信系统(GSM)、GSM/通用分组无线电服务(GPRS)、增强型数据GSM环境(EDGE)、地面集群无线电(TETRA)、宽带CDMA (W-CDMA)、演进数据优化(EV-DO)、lxEV-DO、EV-DO修订版A、EV-D0修订版B、高速分组接入(HSPA)、高速下行链路分组接入(HSDPA)、高速上行链路分组接入(HSUPA)、演进高速分组接入(HSPA+)、长期演进(LTE)、AMPS、或用于在无线网络(诸如，利用3G或4G技术的系统)内通信的其它已知信号。收发机47可预处理从天线43接收到的信号，以使得这些信号可由处理器21接收并进一步操纵。收发机47也可处理从处理器21接收到的信号，以使得可从显示设备40经由天线43发射这些信号。
[0115]在一些实现中，收发机47可由接收机代替。另外，在一些实现中，网络接口 27可由图像源代替，该图像源可存储或生成要发送给处理器21的图像数据。处理器21可控制显示设备40的整体操作。处理器21接收数据(诸如来自网络接口 27或图像源的经压缩图像数据)，并将该数据处理成原始图像数据或容易被处理成原始图像数据的格式。处理器21可将经处理数据发送给驱动器控制器29或发送给帧缓冲器28以进行存储。原始数据通常是指标识图像内每个位置处的图像特性的信息。例如，此类图像特性可包括色彩、饱和度和灰度级。
[0116]处理器21可包括微控制器、CPU、或用于控制显示设备40的操作的逻辑单元。调理硬件52可包括用于将信号传送至扬声器45以及用于从话筒46接收信号的放大器和滤波器。调理硬件52可以是显示设备40内的分立组件，或者可被纳入在处理器21或其它组件内。
[0117]驱动器控制器29可直接从处理器21或者可从帧缓冲器28获取由处理器21生成的原始图像数据，并且可适当地重新格式化该原始图像数据以用于向阵列驱动器22高速传输。在一些实现中，驱动器控制器29可将原始图像数据重新格式化成具有类光栅格式的数据流，以使得其具有适合跨显示阵列30进行扫描的时间次序。然后，驱动器控制器29将经格式化的信息发送至阵列驱动器22。虽然驱动器控制器29 (诸如，IXD控制器)往往作为自立的集成电路(IC)来与系统处理器21相关联，但此类控制器可用许多方式来实现。例如，控制器可作为硬件嵌入在处理器21中、作为软件嵌入在处理器21中、或以硬件形式完全与阵列驱动器22集成在一起。
[0118]阵列驱动器22可从驱动器控制器29接收经格式化的信息并且可将视频数据重新格式化成一组并行波形，这些波形被每秒许多次地施加至来自显示器的χ-y像素矩阵的数百条且有时是数千条(或更多条)引线。
[0119]在一些实现中，驱动器控制器29、阵列驱动器22、以及显示阵列30适用于本文中所描述的任何类型的显示器。例如，驱动器控制器29可以是常规显示器控制器或双稳态显示器控制器(诸如，IMOD控制器)。另外，阵列驱动器22可以是常规驱动器或双稳态显示器驱动器(诸如，IMOD显示器驱动器)。此外，显示阵列30可以是常规显示阵列或双稳态显示阵列(诸如，包括IMOD阵列的显示器)。在一些实现中，驱动器控制器29可与阵列驱动器22集成在一起。此类实现在高度集成的系统中可能是有用的，这些系统例如有移动电话、便携式电子设备、手表或其他小面积显示器。
[0120]在一些实现中，输入设备48可配置成允许例如用户控制显示设备40的操作。输入设备48可包括按键板(诸如，QWERTY键盘或电话按键板)、按钮、开关、摇杆、触敏屏幕、与显示阵列30集成的触敏屏幕、或者压敏或热敏膜。话筒46可配置成作为显示设备40的输入设备。在一些实现中，可使用通过话筒46的语音命令来控制显示设备40的操作。
[0121]电源系统50可包括各种能量存储设备。例如，电源系统50可包括可再充电电池，诸如镍镉电池或锂离子电池。在使用可再充电电池的实现中，该可再充电电池可以是可使用例如来自光伏设备或阵列的墙壁插座的电力来充电的。替换地，该可再充电电池可以是可无线地充电的。电源系统50也可包括可再生能源、电容器或太阳能电池，包括塑料太阳能电池或太阳能电池涂料。电源系统50也可配置成从墙上插座接收电力。
[0122]在一些实现中，控制可编程性驻留在驱动器控制器29中，驱动器控制器29可位于电子显示系统中的若干个地方。在一些其它实现中，控制可编程性驻留在阵列驱动器22中。上述优化可以用任何数目的硬件和/或软件组件并在各种配置中实现。结合本文中所公开的实现来描述的各种解说性逻辑、逻辑块、模块、电路和算法步骤可实现为电子硬件、计算机软件、或这两者的组合。硬件与软件的这种可互换性已以其功能性的形式作了一般化描述，并在上文描述的各种解说性组件、框、模块、电路、和步骤中作了解说。此类功能性是以硬件还是软件来实现取决于具体应用和加诸于整体系统的设计约束。
[0123]用于实现结合本文中所公开的方面描述的各种解说性逻辑、逻辑块、模块和电路的硬件和数据处理装置可用通用单芯片或多芯片处理器、数字信号处理器(DSP)、专用集成电路(ASIC)、现场可编程门阵列(FPGA)或其它可编程逻辑器件、分立的门或晶体管逻辑、分立的硬件组件、或其设计成执行本文中描述的功能的任何组合来实现或执行。通用处理器可以是微处理器，或者是任何常规的处理器、控制器、微控制器、或状态机。处理器还可以被实现为计算设备的组合，诸如DSP与微处理器的组合、多个微处理器、与DSP核心协作的一个或多个微处理器、或任何其他此类配置。在一些实现中，特定步骤和方法可由专门针对给定功能的电路系统来执行。
[0124]在一个或多个方面，所描述的功能可以在硬件、数字电子电路系统、计算机软件、固件(包括本说明书中所公开的结构及其结构等效物)中或其任何组合来实现。本说明书中所描述的主题内容的实现也可实现为一个或多个计算机程序，即，编码在计算机存储介质上以供数据处理装置执行或用于控制数据处理装置的操作的计算机程序指令的一个或多个模块。
[0125]如果在软件中实现，则诸功能可以作为一条或多条指令或代码存储在计算机可读介质上或藉其进行传送。本文中所公开的方法或算法的步骤可在可驻留在计算机可读介质上的处理器可执行软件模块中实现。计算机可读介质包括计算机存储介质和通信介质两者，其包括可被赋予将计算机程序从一地转移到另一地的能力的任何介质。存储介质可以是能被计算机访问的任何可用介质。作为示例而非限定，此类计算机可读介质可包括RAM、ROM、EEPROM、CD-ROM或其它光盘存储、磁盘存储或其它磁存储设备、或能被用来存储指令或数据结构形式的期望程序代码且能被计算机访问的任何其它介质。任何连接也可被恰当地称为计算机可读介质。如本文中所使用的盘和碟包括压缩碟(CD)、激光碟、光碟、数字通用碟(DVD)、软盘和蓝光碟，其中盘(disk)往往以磁的方式再现数据而碟(disc)利用激光以光学方式再现数据。上述的组合也可被包括在计算机可读介质的范围内。另外，方法或算法的操作可作为代码和指令之一或者代码和指令的任何组合或集合而驻留在可被纳入计算机程序产品中的机器可读介质和计算机可读介质上。
[0126]对本公开中描述的实现的各种改动对于本领域技术人员可能是明显的，并且本文中所定义的普适原理可应用于其它实现而不会脱离本公开的精神或范围。由此，权利要求并非旨在被限定于本文中示出的实现，而是应被授予与本公开、本文中所公开的原理和新颖性特征一致的最广义的范围。本文中专门使用词语“示例性”来表示“用作示例、实例或解说”。本文中描述为“示例性”的任何实现不必然被解释为优于或胜过其他可能性或实现。另外，本领域普通技术人员将容易领会，术语“上”和“下/低”有时是为了便于描述附图而使用的，且指示与取向正确的页面上的附图取向相对应的相对位置，且可能并不反映如所实现的IMOD的真正取向。
[0127]本说明书中在分开实现的上下文中描述的某些特征也可组合地实现在单个实现中。相反，在单个实现的上下文中描述的各种特征也可分开地或以任何合适的子组合实现在多个实现中。此外，虽然诸特征在上文可能被描述为以某些组合的方式起作用且甚至最初是如此要求保护的，但来自所要求保护的组合的一个或多个特征在一些情形中可从该组合被切除，且所要求保护的组合可以针对子组合、或子组合的变体。
[0128]类似地，虽然在附图中以特定次序描绘了诸操作，但本领域普通技术人员将容易认识到此类操作无需以所示的特定次序或按顺序次序来执行、也无需要执行所有所解说的操作才能达成期望的结果。此外，附图可能以流程图的形式示意性地描绘一个或多个示例过程。然而，未描绘的其它操作可被纳入示意性地解说的示例过程中。例如，可在任何所解说操作之前、之后、同时或之间执行一个或多个附加操作。在某些环境中，多任务处理和并行处理可能是有利的。此外，上文所描述的实现中的各种系统组件的分开不应被理解为在所有实现中都要求此类分开，并且应当理解，所描述的程序组件和系统一般可以一起整合在单个软件产品中或封装成多个软件产品。另外，其他实现也落在所附权利要求书的范围内。在一些情形中，权利要求中叙述的动作可按不同次序来执行并且仍达成期望的结果。
【权利要求】
1.一种装置，包括: 布线区域； 包括多个活跃子像素的活跃子像素阵列； 阵列驱动器；以及 边缘子像素阵列，其包括配置成提供所述布线区域与所述活跃子像素阵列之间的电连通性的多个边缘子像素，所述边缘子像素和所述活跃子像素中的每一个包括第一导电层和第二导电反射层，所述边缘子像素的所述第一导电层中形成有开口，所述开口足够大以在所述阵列驱动器经由所述边缘子像素向所述活跃子像素阵列施加活跃子像素致动电压时防止所述边缘子像素致动。
2.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述开口使得所述边缘子像素具有比所述活跃子像素致动电压高的边缘子像素致动电压。
3.如权利要求1或权利要求2所述的装置，其特征在于，所述开口允许环境光直接从所述边缘子像素的所述第 二导电反射层反射并从所述边缘子像素显现出来。
4.如权利要求1-3中任一项所述的装置，其特征在于，所述开口使得所述边缘子像素具有与所述布线区域的反射率基本相似的反射率。
5.如权利要求1-4中任一项所述的装置，其特征在于，进一步包括: 显示器； 配置成与所述显示器通信的处理器，所述处理器被配置成处理图像数据；以及 配置成与所述处理器通信的存储器设备。
6.如权利要求5所述的装置，其特征在于，进一步包括: 驱动器电路，其配置成将至少一个信号发送给所述显示器；以及 控制器，其被配置成向所述驱动器电路发送所述图像数据的至少一部分。
7.如权利要求5或权利要求6所述的装置，其特征在于，进一步包括: 配置成向所述处理器发送所述图像数据的图像源模块，其中所述图像源模块包括接收机、收发机、和发射机中的至少一者。
8.如权利要求5-7中任一项所述的装置，其特征在于，进一步包括: 输入设备，其配置成接收输入数据并将所述输入数据传达给所述处理器。
9.一种方法，包括: 在基板上方形成光学堆叠，所述光学堆叠包括第一导电层； 在所述光学堆叠上或在所述基板上形成多个支承结构； 在所述支承结构上形成第二导电反射层； 形成包括所述第一导电层、所述支承结构和所述第二导电反射层的活跃子像素阵列，从而在向所述活跃子像素施加活跃子像素致动电压时，所述第二导电反射层能在第一位置与第二位置之间移动； 在所述活跃子像素阵列之外形成布线区域；以及 形成包括边缘子像素的行和列的边缘子像素阵列，所述边缘子像素被配置成提供所述布线区域与所述活跃子像素之间的电连通性，所述边缘子像素中的每一个包括所述第一导电层、所述第二导电反射层和所述支承结构，所述边缘子像素进一步在所述第一导电层中包括开口，所述开口足够大以在向所述活跃子像素施加所述致动电压时防止所述边缘子像素致动。
10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，形成所述边缘子像素阵列的过程包括:在每个边缘子像素中形成开口。
11.如权利要求9或权利要求10所述的方法，其特征在于，形成所述边缘子像素阵列的过程包括:形成所述开口以防止所述边缘子像素调制入射光。
12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述布线区域具有布线区域反射率，并且其中形成所述边缘子像素阵列的过程包括:形成所述开口以使所述边缘子像素区域反射率与所述布线区域反射率基本匹配。
13.一种其上编码有软件的非瞬态介质，所述软件包括用于控制至少一个设备执行以下操作的指令: 接收指示用于活跃子像素阵列的致动电压的数据；以及 确定包括第一导电层和第二导电层的多个边缘子像素的所述第一导电层中的开口的大小，所述边缘子像素被配置用于与所述活跃子像素的电连通性，其中所述确定包括确定在经由所述边缘子像素向所述活跃子像素施加所述致动电压时防止所述边缘子像素致动的最小开口大小。
14.如权利要求13所述的非瞬态介质，其特征在于，所述软件包括用于控制所述至少一个设备执行以下操作的指令: 确定各自具有所述最小开口大小的开口的边缘子像素的阵列的边缘子像素区域反射率。
15.如权利要求14所述的非`瞬态介质，其特征在于，确定所述边缘子像素区域反射率包括:计算所述边缘子像素区域反射率。
16.如权利要求14或权利要求15所述的非瞬态介质，其特征在于，确定所述边缘子像素区域反射率包括:接收指示所述边缘子像素区域反射率的数据。
17.如权利要求14-16中任一项所述的非瞬态介质，其特征在于，所述软件包括用于控制所述至少一个设备执行以下操作的指令: 确定与所述边缘子像素阵列毗邻的布线区域的布线区域反射率。
18.如权利要求17所述的非瞬态介质，其特征在于，所述软件包括用于控制所述至少一个设备执行以下操作的指令: 确定所述边缘子像素区域反射率与所述布线区域反射率之间的反射率差。
19.如权利要求18所述的非瞬态介质，其特征在于，所述软件包括用于控制所述至少一个设备执行以下操作的指令: 接收期望反射率差的指示；以及 确定所述反射率差大于、小于还是等于所述期望反射率差。
20.如权利要求19所述的非瞬态介质，其特征在于，确定所述反射率差大于所述期望反射率差，其中所述软件包括用于控制所述至少一个设备执行以下操作的指令: 确定是否存在会产生小于或等于所述期望反射率差的反射率差的经修改开口大小。
21.如权利要求20所述的非瞬态介质，其特征在于，确定存在会产生小于或等于所述期望反射率差的反射率差的经修改开口大小，其中所述软件包括用于控制所述至少一个设备执行以下操作的指令:确定所述经修改开口大小是否大于或等于所述最小开口大小。
22.—种设备,包括: 具有布线区域反射率的布线装置； 包括第一导电层和第二导电反射层的活跃子像素装置，所述活跃子像素装置包括用于通过使所述第二导电反射层从第一位置移动到第二位置来控制光学腔的装置； 阵列驱动器装置；以及 用于提供所述布线装置与所述活跃子像素装置之间的电连通性的边缘子像素装置，所述边缘子像素装置包括用于使得边缘子像素区域反射率与所述布线区域反射率之间的反射率差小于或等于期望反射率差的反射率调制装置。
23.如权利要求22所述的设备，其特征在于，所述反射率调制装置包括用于防止所述边缘子像素区域中的边缘子像素致动的装置。
24.如权利要求22或权利要求23所述的设备，其特征在于，所述反射率调制装置包括所述边缘子像素区域中 的边缘子像素中的开口。
【文档编号】G02B26/00GK103430079SQ201280013291
【公开日】2013年12月4日 申请日期:2012年3月13日 优先权日:2011年3月15日
【发明者】K·阿弗拉托尼, F·帕拉哈米, S·甘蒂 申请人:高通Mems科技公司