显示面板的制作方法

显示面板的制作方法
【专利摘要】一种显示面板，包括：第一基板、第二基板、以及介于第一基板和第二基板之间的液晶层。第一基板包括：凹部，从公共电极的表面凹入到第一基板中；以及第一配向层阻挡部，其在与第一配向层的端部的至少一部分的位置对应的区域中从凹部突出。
【专利说明】显示面板
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2012年11月14日提交的第10-2012-0129039号韩国专利申请的优先权，该申请的全部内容通过引用方式结合于此。
【技术领域】
[0003]本公开涉及一种显示面板。更具体地，本公开涉及一种能够提高显示质量的液晶显示面板。
【背景技术】
[0004]通常，液晶显示面板包括两个透明基板以及介于这两个基板之间的液晶层。基板上的电极驱动液晶层的液晶分子来控制每个像素中的光的透射率，从而显示期望的图像。
[0005]液晶显示面板包括用于初始配向液晶层的液晶分子的配向层(alignmentlayer)。配向层设置在每个基板的表面上。当配向层在基板的表面上被过多地涂覆或涂覆不足时，两个基板不能适当地相互粘附，或者在图像上出现斑点。

【发明内容】

[0006]本公开提供了一种能够防止由于配向而出现缺陷的显示面板。
[0007]本公开提供了一种制造显示面板的方法。
[0008]在一个方面，提供了一种显不面板，包括:第一基板，包括第一基底、设置在第一基底上的公共电极、以及设置在公共电极上的第一配向层；第二基板，包括第二基底、设置在第二基底上的像素电极、以及设置在像素电极上的第二配向层；以及液晶层，介于第一基板和第二基板之间，其中，第一基板包括:凹部，从公共电极的表面凹入到第一基板中；以及第一配向层阻挡部，在第一基板的与第一配向层的端部的至少一部分的位置对应的区域中从凹部突出。
[0009]第一配向层阻挡部可以包括与第一配向层隔开的第一阻挡部和与第一配向层重叠的第二阻挡部，并且第一配向层的所述端部介于第一阻挡部与第二阻挡部之间。
[0010]第一配向层阻挡部的上表面可以位于与公共电极的表面相同的平面。第一基板可以进一步包括设置在第一基底与公共电极之间的保护层，并且凹部通过去除公共电极和保护层的一部分而形成。
[0011]第二基板可进一步包括:间隔件，设置在第二基板上，以保持第一基板与第二基板之间的距离；以及第二配向层阻挡部，设置在第二基底的非显示区中，并在与第二配向层的端部的至少一部分的位置对应的区域中从第二基底突出。
[0012]第二配向层阻挡部可设置在与凹部的区域对准的区域中，并且从平面图观看时，第二配向层阻挡部与第一配向层阻挡部间隔开。
[0013]第二配向层阻挡部可包含与间隔件相同的材料，并且具有与该间隔件相同的高度。[0014]第二配向层阻挡部可包括与第二配向层间隔开的第三阻挡部以及与第二配向层重叠的第四阻挡部，并且第二配向层的端部介于第三阻挡部与第四阻挡部之间。第三阻挡部和第四阻挡部中的至少一者可设置成多个。
[0015]根据上述内容，可防止在显示面板上出现由配向层和密封剂部分造成的缺陷。
【专利附图】

【附图说明】
[0016]通过参考以下结合附图所考虑的详细描述，本公开的以上以及其他优点将变得更显然，附图中:
[0017]图1是示出根据示例性实施方式的显示面板的平面图；
[0018]图2是示出图1所示的显示面板的一个像素的平面图；
[0019]图3是沿图2中的线1-1’截取的截面图；
[0020]图4是图2所示像素的等效电路图；
[0021]图5是沿图1中的线P-P’截取的截面图；
[0022]图6是示出图1所示的显示面板的一部分的平面图；
[0023]图7是根据本公开的一示例性实施方式的制造显示面板的方法的流程图；
[0024]图8A至图SG是示出根据本公开的一示例性实施方式的显示面板的制造方法中的制造第一基板的方法的截面图；
[0025]图9是示出根据本公开的另一示`例性实施方式的显示面板的一部分的平面图；
[0026]图10是示出根据本公开的另一示例性实施方式的显示面板的截面图；
[0027]图11是示出根据本公开的另一示例性实施方式的显示面板的平面图；以及
[0028]图12是在根据本公开的该另一示例性实施方式中沿着图1中的对应线P-P’截取的截面图。
【具体实施方式】
[0029]可以理解，当提到一元件或层位于另一元件或层“上”、“连接至”或“耦接至”另一元件或层时，该元件或层可直接位于另一元件或层上、直接连接至或直接耦接至另一元件或层，或者可存在中间的元件或层。相反，当提到一元件或层“直接位于…上”、“直接连接至”或“直接耦接至”另一元件或层时，则不存在中间的元件或层。相似标号始终表示相似元件。如这里使用的，术语“和/或”包括相关所列项目中的一个或多个中的任一个以及全部组合。
[0030]可以理解，虽然可以在此使用术语第一、第二等来描述各种元件、部件、区域、层、和/或部分，但是这些元件、部件、区域、层、和/或部分不应该受这些术语的限制。这些术语仅用来将一个元件、部件、区域、层或部分与另一元件、部件、区域、层或部分区别开来。这样，在不脱离本公开教导的前提下，下面讨论的第一元件、部件、区域、层或部分也可以称为第二元件、部件、区域、层或部分。
[0031]本文可能使用诸如“在…之下”、“在…下方”、“下面的”、“在…之上”、“上面的”等的空间相对术语来描述图中所示出的一个元件或特征相对于另一个(些)元件或特征的关系。可以理解，除了图中描述的方位以外，空间相对术语意欲包括装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果将图中的装置翻转，则描述为在其它元件或特征“之下”或“下面”的元件将定向为在其它元件或特征“之上”。这样，示例性术语“在…之下”可以包含在上方和在下方两种方位，这取决于装置的定向。装置可以其它方式定向(旋转90度或在其它方位)，并且此处使用的空间相对描述可以进行相应地解释。
[0032]在这里使用的术语仅是为了描述【具体实施方式】的目的，并不旨在限制本发明。除非文中另有明确规定以外，此处使用的单数形式“一个”、“一”和“这个”同样包括复数形式。还可以理解，在说明书中所使用的术语“包括”和/或“包含”指存在所述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或部件，但不排除存在或附加有一个或多个其它的特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组合。
[0033]除非另有规定，在此使用的所有术语(包括技术和科技术语)的含义与本领域普通技术人员的一般理解相同。还可以理解，术语(如在普通词典中定义的那些术语)应该理解为具有与它们在相关技术的上下文中一致的含义，且除了在此明确限定的之外，不应理解为理想化的或过于正式的含义。
[0034]下文中，将参照附图详细描述示例性实施方式。
[0035]图1是示出根据本公开的示例性实施方式的显示面板的平面图，图2是示出图1所示的显示面板的一个像素的平面图，图3是沿图2中的线1-1’截取的截面图，并且图4是图2所示像素的等效电路图。
[0036]参照图1是图4，显示面板可以为具有一对长边和一对短边的矩形形状。
[0037]显示面板包括上基板SUBl、面对上基板SUBl的下基板SUB2、以及介于上基板SUBl与下基板SUB2之间的液晶层LC。显示面板包括:显示区DA,该显示区包含多个像素PXL,以显示图像；以及非显示区NDA，该非显示区围绕显示区DA。
[0038]在本示例性实施 方式中，上面设置有薄膜晶体管的基板被称为下基板SUB2，并且面对下基板SUB2的基板被称为上基板SUB1，但它们不限于此。例如，上基板SUBl和下基板SUB2可分别被称为第一基板和第二基板,反之亦然。
[0039]上基板SUBl包括第一基底BS1、保护层0C、公共电极CE、配向层限定图案、以及第一配向层ALNl。
[0040]第一基底BSl是绝缘基板并且可以是透明的。
[0041]第一配向层ALNl用于初始配向液晶层LC的液晶分子，并包含聚合物材料，在该聚合物材料中，通过光(例如，紫外线或激光)发生分解、二聚化作用或异构化反应。另外，第一配向层ALNl可包括聚合反应性液晶基元(mesogen)。
[0042]保护层OC设置在第一基底BSl上并且由有机或无机绝缘材料形成。公共电极CE和第一配向层ALNl顺序地堆叠在第一基底BSl上。
[0043]配向层限定图案用于控制第一配向层ALNl的位置。具体地，在配向层限定图案中，第一配向层ALNl的端部位于上基板SUBl的预定区域中，例如，位于与密封剂部分SLP间隔开的非显示区NDA中。
[0044]第一配向层ALNl设置在上面设置有公共电极CE的第一基底BSl上。
[0045]下基板SUB2包括第二基底BS2、设置在第二基底BS2上的线部分(下面描述)、连接至线部分的像素PXL、以及设置在像素PXL上的第二配向层ALN2。
[0046]第二基底BS2是绝缘基板并且可以是透明的。
[0047]线部分包括多条GL、多条数据线DL、以及公共线CML，并且栅极线GL和数据线DL通过设置在非显示区NDA中的栅极焊盘GP和数据焊盘DP连接至外部线。公共线CML通过设置在非显示区NDA中的接触部分CP电连接至公共电极CE。接触部分CP可以通过用导电材料(例如，银)打点而形成。接触部分CP设置在非显示区NDA中，并且与密封剂部分SLP重叠或者与密封剂部分SLP相邻设置。
[0048]多个像素PXL中的每一个均具有相同的构造和功能，并且因此为了便于解释，一个像素PXL与栅极线GL和数据线DL —起示出，栅极线GL和数据线DL邻近于所述一个像素PXL。在图2至图4中，为了便于解释，第η栅极线GLn、第n+1栅极线GLn+Ι、第m数据线DLm和第m+Ι数据线DLm+1与该一个像素PXL —起示出。下文中，第η栅极线GLn和第n+1栅极线GLn+Ι分别被称为第一栅极线和第二栅极线，并且第m数据线DLm和第m+Ι数据线DLm+1分别被称为第一数据线和第二数据线。
[0049]第一栅极线GLn和第二栅极线GLn+Ι设置在第二基底BS2上并且在第一方向Dl上延伸，使得它们基本上彼此平行。第一数据线DLm和第二数据线DLm+1设置在第二基底BS2上并且在第二方向D2上延伸，使得它们基本上彼此平行。第一绝缘层INSl设置在第一栅极线GLn和第二栅极线GLn+Ι与第一数据线DLm和第二数据线DLm+1之间。
[0050]每个像素PXL均包括第一子像素SPXl和第二子像素SPX2。第一子像素SPXl包括第一薄膜晶体管Trl、第一子像素电极PE1、以及第一存储电极部分(下面描述)。第二子像素SPX2包括第二薄膜晶体管Tr2、第二存储电极部分(下面描述)、第三薄膜晶体管Tr3、第二子像素电极PE2、以及耦连电容器CCP。第一子像素SPXl和第二子像素SPX2设置在彼此相邻的第一数据线DLm和第二数据线DLm+1之间。
[0051]第一子像素SPXl的第一薄膜晶体管Trl连接至第一数据线DLm和第一栅极线GLn。
[0052]第一薄膜晶体管Trl包括从第一栅极线GLn分支出来的第一栅电极GE1、从第一数据线DLm分支出来的第一源电极SE1、以及电连接至第一子像素电极PEl的第一漏电极DEl。
[0053]第一存储电极部分包括在第一方向Dl上延伸的第一存储线SLn、以及从第一存储线SLn分支出来并在第二方向D2上延伸的第一分支电极LSLn和第二分支电极RSLn。
[0054]第一子像素电极PEl与第一存储线SLn以及第一分支电极LSLn和第二分支电极RSLn部分地重叠，以形成第一存储电容器。
[0055]第一子像素电极PEl包括主干部PEla以及从主干部PEla以径向形式延伸的多个分支部PElb。
[0056]例如，主干部PEla可以具有如图2所示的交叉形状。在这种情况下，第一子像素电极PEl被主干部PEla分成多个区域。第一子像素电极PEl被主干部PEla分成多个域(domain)。分支部PElb根据各域在不同方向上延伸。在本示例性实施方式中，第一子像素电极PEl包括第一、第二、第三和第四域DM1、DM2、DM3和DM4。分支部PElb基本上彼此平行地延伸，并在每个域中彼此间隔开。彼此相邻的分支部PElb以微米范围的距离彼此间隔开。由于上述结构，液晶层LC的液晶分子可以相对于与第一基底BSl平行的平面以特定角度配向。
[0057]第二薄膜晶体管Tr2包括从第一栅极线GLn分支出来的第二栅电极GE2、从第一数据线DLm分支出来的第二源电极SE2、以及电连接至第二子像素电极PE2的第二漏电极DE2。
[0058]第二存储电极部分包括在第二方向D2上延伸的第二存储线SLn+Ι、以及从第二存储线SLn+Ι分支出来并在第二方向D2上延伸的第三分支电极LSLn+Ι和第四分支电极RSLn+I。
[0059]第二子像素电极PE2与第二存储线SLn+Ι以及第三分支电极LSLn+Ι和第四分支电极RSLn+Ι部分地重叠，以形成第二存储电容器。
[0060]第二子像素电极PE2包括主干部PE2a以及从主干部PE2a以径向形式延伸的多个分支部PE2b。主干部PE2a可以具有如图2所示的交叉形状。在这种情况下，第二子像素电极PE2被主干部PE2a分成多个区域。第二子像素电极PE2被主干部PE2a分成多个域。分支部PE2b根据各域在不同方向上延伸。在本示例性实施方式中，第二子像素电极PE2包括第五、第六、第七和第八域DM5、DM6、DM7和DM8。分支部PE2b基本上彼此平行地延伸，并在每个域中彼此间隔开。彼此相邻的分支部PE2b以微米级彼此间隔开。由于上述结构，液晶层LC的液晶分子可以相对于与第二基底BS2平行的平面以特定角度配向。
[0061]第三薄膜晶体管Tr3包括从第二栅极线GLn+Ι分支出来的第三栅电极GE3、从第二漏电极DE2延伸的第三源电极SE3、以及连接至耦连电容器电极CEl的第三漏电极DE3。耦连电容器CCP包括耦连电容器电极CEl和从第二分支电极RSLn延伸的相对电极CE2，以形成耦连电容器CCP，但耦连电容器CCP不限于此。
[0062]第一子像素电极PEl和第二子像素电极PE2形成像素电极PE。像素电极PE可以由透明导电材料形成。具体地，像素电极PE可以由透明导电氧化物形成，例如，氧化铟锡、氧化铟锌、氧化铟锡锌等。
[0063]参照图3，下基板SUB2包括第一绝缘层INS1、第二绝缘层INS2、滤色器CF、黑色矩阵BM、第三绝缘层INS3、以及间隔件SP。滤色器CF和黑色矩阵BM设置在第二绝缘层INS2上。各滤色器CF分别设置在与各像素的位置对应的位置中，并且每个滤色器CF具有红色R、绿色G或蓝色B。黑色矩阵BM设置在滤色器CF之间，以阻挡光穿过滤色器CF之间。黑色矩阵BM覆盖第一、第二和第三薄膜晶体管Trl、Tr2和Tr3的通道部分。第三绝缘层INS3设置在黑色矩阵BM和滤色器CF上。
[0064]在一示例性实施方式中，间隔件SP设置在下基板SUB2与上基板SUBl之间，以保持下基板SUB2与上基板SUBl之间的距离。作为一实例，上基板SUBl与下基板SUB2之间的距离在大约2.0微米至大约4.0微米的范围内。
[0065]间隔件SP设置在设置有像素电极PE的第二基底BS2上。间隔件SP设置在与黑色矩阵BM的位置对应的位置中并且为黑色。
[0066]第二配向层ALN2设置在设置有像素的第二基底BS2上。第二配向层ALN2用于初始地配向液晶层LC的液晶分子，并且包含聚合物材料，在该聚合物材料中，通过光(例如，紫外线或激光)发生分解、二聚化作用或异构化反应。另外，第一配向层ALNl可包括聚合反应性液晶。
[0067]液晶层LC设置在第二配向层ALN2与第一配向层ALNl之间。当像素电极PE与公共电极CE之间不存在电场时,液晶层LC的液晶分子相对于第一配向层ALNl和第二配向层ALN2竖直地配向。
[0068]液晶层LC和密封剂部分SLP (图1和图5)设置在上基板SUBl与下基板SUB2之间。密封剂部分SLP密封上基板SUBl与下基板SUB2之间的液晶层LC。当在平面图中观看时，密封剂部分SLP沿着上基板SUBl的端部设置以包围液晶层LC，并且密封剂部分SLP包含有机聚合物。
[0069]在显示面板中，当栅极信号施加于栅极线GLn时，薄膜晶体管Tr接通。因此，施加于数据线DLm的数据信号通过接通状态的薄膜晶体管Tr施加于像素电极PE。当数据信号通过接通状态的薄膜晶体管Tr施加于像素电极PE时，在像素电极PE与公共电极CE之间产生电场。液晶层LC的液晶分子通过公共电极CE与像素电极PE之间产生的电场被驱动。因此，经过液晶层LC的光的透射率发生改变，从而显示图像。
[0070]在本示例性实施方式中，每个像素连接至一条栅极线GLn以及两条数据线DLm和DLm+1，但不应局限于此。例如，每个像素可以连接至两条栅极线和一条数据线。此外，每个像素包括两个子像素电极，但子像素电极的数量不应局限于两个。也就是说，每个像素可以包括三个子像素电极。像素电极的数量取决于每个像素的设计。例如，每个像素被分成多个子像素，并且每个子像素可对应于至少一个子像素电极。
[0071]图5和图6示出了显示面板的一部分，并且将用来解释配向层限定图案。图5是沿图1中的线P-P’截取的截面图，并且图6是示出图1所示显示面板的一部分的放大图的平面图。
[0072]参照图5和图6，配向层限定图案设置在上基板SUBl上。配向层限定图案具有突出部分，例如，具有坝形的突出部分，如下面更详细描述的，以在形成配向层时允许配向层形成在预定区域中。
[0073]一般而言，配向层通过在基板上涂覆配向溶液并固化该配向溶液而形成。因为配向溶液以具有表面张力的流体形式提供，所以根据基板的拓扑结构和其他特性，配向溶液可能被过涂覆、涂覆不足、在涂覆之后脱离或者渗入显示器的其他区域中。为了避免上述缺陷，在与配向层的端部邻近的区域中形成具有坝形的突出部分，即，配向层的上表面与基板之间的接触部分。
[0074]配向层限定图案包括设置在上基板SUBl上的凹部RCS和从凹部RCS突出的配向层阻挡部ABl。
[0075]凹部RCS通过移除设置在上基板SUBl上的保护层OC和公共电极CE的部分而被限定。凹部RCS在保护层OC中具有的深度小于保护层OC的厚度，使得保护层OC的一部分仍保留在凹部RCS的底部上。例如，当保护层OC具有大约0.5微米或更大的厚度时，凹部RCS的深度小于大约0.5微米且大于大约0.3微米。
[0076]凹部RCS仅设置在上基板SUBl的非显示区NDA中，并且沿着上基板SUBl的端部设置。也就是说，凹部RCS沿着上基板SUBl的长边和短边延伸。
[0077]配向层阻挡部ABl (以下称为第一配向层阻挡部，以区别于另一实施方式中的配向层)设置在凹部RCS中。第一配向层阻挡部ABl沿着上基板SUBl的长边和短边延伸，如同凹部RCS—样。在本示例性实施方式中，第一配向层阻挡部ABl沿着上基板SUBl的所有边(长边和短边)延伸，但不应局限于此。也就是说，第一配向层阻挡部ABl可以仅在上基板SUBl的每个边的一些部分上延伸。此外，当在平面图中观看时，第一配向层阻挡部ABl在长边和短边的一些部分中可以具有Z字形，或者可以相对于长边和短边在竖直方向上弯曲，只要第一配向层阻挡部ABl沿着长边和短边延伸即可。[0078]第一配向层阻挡部ABl包括防止配向溶液涂覆在用于密封剂部分SLP的区域上的第一阻挡部BRl以及防止配向溶液在制造显示面板时回流到显示区DA中的第二阻挡部BR2。当在平面图中观看时，第一阻挡部BRl和第二阻挡部BR2设置在密封剂部分SLP与显示区DA之间，并且第一阻挡部BRl位于第二阻挡部BR2外侧，接近上基板SUBl的边缘。
[0079]在本示例性实施方式中，密封剂部分SLP与第一配向层阻挡部ABl的第一阻挡部BRl间隔开。在这种情况下，配向溶液不会渗入到形成有密封剂部分SLP的区域中，并且因此可提高密封剂部分SLP相对于上基板SUBl和下基板SUB2的粘附强度。此外，根据实施方式，当在平面图中观看时，密封剂部分SLP可与第一配向层阻挡部ABl的第一阻挡部BRl重叠，即使密封剂部分SLP与第一阻挡部BRl部分地重叠，也可以保持密封剂部分SLP的粘附强度，因为配向层仅形成在预定区域中。
[0080]第一配向层ALNl覆盖整个显示区DA以及非显示区NDA的一部分，并且第一配向层的端部位于与第一配向层阻挡部ABl邻近的位置处。具体地，因为第一配向层ALNl的端部受第一阻挡部BRl和第二阻挡部BR2的限制，所以第一配向层ALNl的端部设置在第一阻挡部BRl与第二阻挡部BR2之间。第二阻挡部BR2与第一配向层ALNl重叠。
[0081]第一阻挡部BRl和第二阻挡部BR2从凹部RCS突出，但第一阻挡部BRl和第二阻挡部BR2通过移除公共电极CE和保护层OC的一部分而形成。因此，第一阻挡部BRl和第二阻挡部BR2的上表面位于与公共电极CE的上表面位相同的平面内。
[0082]当在平面图中观看时，第一阻挡部BRl和第二阻挡部BR2中的每一个均具有大约
0.3微米或更大的宽度W1，并且第一阻挡部BRl与第二阻挡部BR2之间的距离W2为大约
0.3微米或更大。
[0083]在上基板SUBl中，桥接部BRG设置在形成有接触部分CP的区域中，以连接公共线和公共电极CE。桥接部BRG连接公共电极CE、第一阻挡部BRl和第二阻挡部BR2。公共电压从接触部分CP通过桥接部BRG施加于公共电极CE。在公共电极CE与第一阻挡部BRl之间、以及第一阻挡部BRl与第二阻挡部BR2之间可设置多个桥接部BRG。每个桥接部BRG和与之相邻的桥接部间隔开，以防止配向溶液沿着桥接部BRG移动，并且这些桥接部为Z字形布置。
[0084]根据示例性实施方式，在下基板SUB2中，第二配向层ALN2的端部设置在密封剂部分SLP与显示区DA之间。下基板SUB2包括线部分、薄膜晶体管和绝缘层，并且在上述元件形成在下基板SUB2上时，下基板SUB2的表面的拓扑结构很容易控制。因此，第二配向层ALN2的端部可以形成为位于期望的位置。
[0085]在具有上述结构的显示面板中，配向层可以形成在期望的位置或区域中，并且可以防止由配向层的失配(misalignment,未对准)导致的缺陷。也就是说,可以防止配向溶液过涂覆、涂覆不足、在涂覆之后脱离或者渗入其他区域中。尤其是，由于配向溶液与密封剂部分重叠的区域减少，所以可以提高密封剂部分的粘附强度。此外，可以防止由于配向溶液的回流导致的显示区未被完全覆盖的缺陷。而且，可以防止配向溶液过涂覆在接触部分上，从而可以防止公共电极与公共线之间的接触缺陷。而且，配向溶液的位置很容易确定，密封剂部分的宽度可以设定为各种值，并且可以防止用于密封剂部分的材料被过涂覆、涂覆不足、在涂覆之后脱离或者渗入其他区域中。
[0086]图7是示出根据本公开示例性实施方式的制造显示面板的方法的流程图。[0087]参照图7，通过以下步骤制造显示面板:制造上基板SUBl (S10);制造下基板SUB2(S20);以及在上基板SUBl与下基板SUB2之间形成液晶层LC (S30)。
[0088]上基板SUBl通过以下步骤制造:在第一基底BSl上顺序地形成保护层OC和公共电极CE (Sll和S13);利用照相平版印刷工艺图案化公共电极CE和保护层0C，以形成彼此间隔开的第一阻挡部BRl和第二阻挡部BR2 (S15);以及在公共电极CE上形成第一配向层ALNl,以允许第一配向层ALNl的端部设置在第一阻挡部BRl和第二阻挡部BR2之间(S17)。
[0089]下基板SUB2通过以下步骤制造:在第二基底BS2上形成线部分、开关器件和像素电极PE (S21和S23);以及在第二基底BS2上形成第二配向层ALN2 (S25)。
[0090]通过以下步骤在上基板SUBl与下基板SUB2之间形成液晶层LC:在上基板SUBl或下基板SUB2上形成密封剂部分SLP ;在被密封剂部分SLP包围的区域中滴注液晶；以及将上基板SUBl与下基板SUB2结合。
[0091]在下基板SUB2上形成第二配向层ALN2之前，在下基板SUB2上形成间隔件，以保持上基板SUBl与下基板SUB2之间的距离。
[0092]图8A至图SG是示出根据本公开示例性实施方式的显示面板的制造方法中的制造第一基板的方法的截面图。
[0093]参照图8A，准备第一基底BSl，并在第一基底BSl上形成保护层0C。保护层OC可以由有机或无机绝缘层形成。
[0094]参照图SB，在保护层OC上形成公共电极CE。公共电极CE可以包含透明导电材料，例如，氧化铟锡、氧化铟锌等。
[0095]参照图SC，在公共电极CE上形成光刻胶，并利用掩模对该光刻胶进行曝光和显影，以形成光刻胶图案PRP。通过曝光和显影工艺，部分地移除光刻胶，并且因此通过光刻胶图案PRP露出公共电极CE的上表面的部分。在公共电极CE的上表面被露出的区域中形成凹部RCS，但光刻胶仍保留在形成有第一配向层阻挡部的区域中。
[0096]然后，利用光刻胶图案PRP作为掩模对公共电极CE和保护层OC顺序地蚀刻。参照图8D，利用光刻胶图案PRP作为掩模对公共电极CE进行图案化。由于公共电极CE的图案化，露出保护层OC的部分。参照图SE，利用光刻胶图案PRP作为掩模对保护层OC进行灰化。利用等离子执行灰化工艺。由于灰化工艺，光刻胶图案PRP在其厚度方向被部分地移除，并且保护层OC被部分地移除。
[0097]参照图8F，移除光刻胶图案PRP，从而露出公共电极CE的上表面。
[0098]参照图SG，在公共电极CE的上表面上涂覆配向溶液，并对其固化，以形成第一配向层ALN1。涂覆配向溶液，使得其端部设置在第一阻挡部BRl和第二阻挡部BR2之间。配向溶液向第一基底BSl的端部的移动被第一阻挡部BRl和第二阻挡部BR2阻挡，并且因此配向溶液的端部被限制在第一阻挡部BRl和第二阻挡部BR2之间。尽管图中未示出，但在使用反应性液晶基元的情况下，配向层的形成进一步包括将光照射到包括反应性液晶基元的液晶层LC上。
[0099]如上所述，由于第一配向层ALNl的端部被控制成位于第一阻挡部BRl和第二阻挡部BR2之间，所以可以防止与第一配向层ALNl有关的缺陷。此外，第一阻挡部BRl和第二阻挡部BR2用作第一配向层ALNl的阻挡部和密封剂部分SLP的阻挡部。也就是说，当形成密封剂部分SLP时，通过第一阻挡部BRl和第二阻挡部BR2可以防止用于密封剂部分SLP的材料扩散到显示区DA中。
[0100]图9是示出根据本公开的另一示例性实施方式的显示面板的一部分的平面图。在图9中，参考标号表示与图1至图6中相同的元件，并且因此将省去相同元件的详细描述。
[0101]参照图9，第一阻挡部BRl和第二阻挡部BR2中的至少一者设置成多个。在本示例性实施方式中，设置有两个第一阻挡部BRl和两个第二阻挡部BR2，但第一阻挡部BRl和第二阻挡部BR2的数量不应局限于两个。此外，第二阻挡部BR2可以设置成多个，并且第一阻挡部BRl可以设置成单个。
[0102]这里，每个第一阻挡部BRl在凹部RCS所延伸的方向上延伸。此外，第一阻挡部BRl彼此间隔开。每个第二阻挡部BR2在凹部RCS的延伸方向上延伸，并且第二阻挡部BR2彼此间隔开。
[0103]当在平面图中观看时，第一阻挡部BRl和第二阻挡部BR2在长边和短边的部分中可以具有Z字形，或者可以相对于长边和短边在竖直方向上弯曲，只要第一阻挡部BRl和第二阻挡部BR2沿着长边和短边延伸即可。此外，桥接部BRG可以设置在彼此相邻的第一阻挡部BRl之间以及彼此相邻的第二阻挡部BR2之间，并且每个桥接部BRG与相邻的桥接部间隔开，以防止配向溶液沿着桥接部BRG移动，并且桥接部具有Z字形布置。桥接部BRG设置在与接触部分CP邻近的区域中，该接触部分连接公共线和公共电极CE。
[0104]在本示例性实施方式中，当第一阻挡部BRl和第二阻挡部BR2中的每一者均设置成多个时，可以有效地防止由第一配向层ALNl和密封剂部分SLP造成的缺陷。尽管图中未示出，但第三阻挡部和第四阻挡部中的一者可以设置成多个，如同第一阻挡部BRl和第二阻挡部BR2 —样。
[0105]图10是示出根据本公开的另一示例性实施方式的显示面板的截面图。
[0106]参照图10，配向层限定图案设置在上基板SUBl和下基板SUB2上。下基板SUB2的配向层限定图案具有突出部分，例如，具有坝形的突出部分，以在形成第二配向层ALN2时允许第二配向层ALN2形成在预定区域中。
[0107]设置在下基板SUB2上的配向层限定图案包括第二配向层阻挡部AB2，该第二配向层阻挡部从形成有像素电极PE的下基板SUB2突出。也就是说，第二配向层阻挡部AB2可以与间隔件SP —起形成。例如，当形成有像素电极PE的下基板SUB2上形成有机层并且有机层被图案化时，可以形成间隔件SP和第二配向层阻挡部AB2。
[0108]第二配向层阻挡部AB2包括第三阻挡部BR3和第四阻挡部BR4，第三阻挡部防止包含用于第二配向层ALN2的材料的配向溶液扩散到形成有密封剂部分SLP的区域中，第四阻挡部防止配向溶液回流到显示区DA。当在平面图中观看时，第三阻挡部BR3和第四阻挡部BR4设置在密封剂部分SLP与显示区DA之间，并且第三阻挡部BR3位于第四阻挡部BR4外侧(接近下基板SUB2的边缘)。
[0109]当在平面图中观看时，第三阻挡部BR3和第四阻挡部BR4不与第一阻挡部BRl和第二阻挡部BR2重叠。也就是说，当在平面图中观看时，第三阻挡部BR3和第四阻挡部BR4与第一阻挡部BRl和第二阻挡部BR2彼此间隔开。
[0110]第二配向层ALN2覆盖整个显示区DA以及非显示区NDA的一部分，并且第二配向层的端部位于与第二配向层阻挡部AB2邻近的位置处。具体地，第二配向层ALN2的端部受第三阻挡部BR3和第四阻挡部BR4的限制而设置在第三阻挡部BR3和第四阻挡部BR4之间。第四阻挡部BR4与第二配向层ALN2重叠。
[0111]在本示例性实施方式中，密封剂部分SLP与第二配向层阻挡部AB2的第三阻挡部BR3部分地或完全重叠，或者与第三阻挡部BR3间隔开。虽然第三阻挡部BR3与密封剂部分SLP重叠，但由于配向层被限制于部分区域，所以密封剂部分SLP的粘附强度得以保持。
[0112]在具有上述结构的显示面板中，配向层可以形成在上基板SUBl和下基板SUB2的期望的位置或区域中，因此可以防止由配向层的失配导致的缺陷。
[0113]图11是示出根据本公开的另一示例性实施方式的显示面板的平面图，并且图12是在根据本公开的该另一示例性实施方式中沿着图1中的对应线P-P’截取的截面图。
[0114]参照图11和图12，除了电极的形状之外，根据本示例性实施方式的显示面板具有与图1至图5所示的显示面板相同的构造和功能。因此，将详细描述根据本示例性实施方式的显示面板的与图1至图5所示的显示面板的部件不同的部件。
[0115]在本示例性实施方式中，上基板SUBl的公共电极CE包括与第一子像素电极PEl和第二子像素电极PE2中的每个对应的第一槽缝SLTl。当在平面图中观看时，第一槽缝SLTl基本上平行于第一子像素电极PEl和第二子像素电极PE2中的每个的至少一边，并且与第一子像素电极PEl和第二子像素电极PE2中的每个的中心部分交叉。例如，第一槽缝SLTl具有十字形状，以与第一子像素电极PEl和第二子像素电极PE2中的每个的中心部分交叉，并且基本上平行于第一子像素电极PEl和第二子像素电极PE2中的每个的长边和短边。
[0116]第一子像素电极PEl和第二子像素电极PE2形成像素电极PE。图1至图5所示的像素电极PE设置有分支部，但根据本示例性实施方式的像素电极PE包括形成在其一部分中的第二槽缝SLT2。也就是说，第一子像素电极PEl和第二子像素电极PE2均包括与每个域对应的至少一个第二槽缝SLT2。例如，第一子像素电极PEl和第二子像素电极PE2具有矩形形状，并且第二槽缝SLT2设置在每个域的端部处，以基本上平行于该矩形的至少一边，或者沿着第一子像素电极PEl和/或第二子像素电极PE2的端部的至少一部分设置。第二槽缝SLT2包括多个子槽缝。这些子槽缝邻近并且沿着矩形的边延伸。当彼此相邻的子槽缝的端部之间的一部分称为连接部分CN时，该连接部分CN设置在域之间，即，设置在矩形的每个边的中心部分处。但是，第一槽缝SLTl和第二槽缝SLT2的布置和形状不应局限于此。也就是说，第一槽缝SLTl和第二槽缝SLT2可以沿着各域的端部以各种方式布置。
[0117]具有上述结构的显示面板在公共电极CE与第一子像素电极PEl和第二子像素电极PE2之间形成等位面，其基本上平行于基板的上表面。在该显示面板中，液晶分子可通过第一子像素电极PEl和第二子像素电极PE2在每个域中容易地预倾斜。第一子像素电极PEl和第二子像素电极PE2与公共电极CE配合形成电场，并且因此，图像的亮度分布均匀，这是因为垂直电场不失真的缘故。此外，由于不存在液晶分子的两个步进动作，所以可以显著提高液晶分子的响应速度。
[0118]为了制造具有上述结构的显示面板的上基板SUB1，需要在公共电极CE中形成第一槽缝。第一槽缝利用掩模通过照相平版印刷工艺形成。第一槽缝可通过与第一配向层阻挡部ABl相同的工艺形成，并且因此，第一槽缝具有与第一配向层阻挡部ABl的凹部RCS相同的深度。也就是说，第一槽缝通过以下步骤形成:在第一基底BSl上形成保护层OC和公共电极CE ;在公共电极CE形成光刻胶图案；以及利用光刻胶图案作为掩模蚀刻保护层OC的部分和公共电极CE。因此，可以基本上同时形成第一槽缝和第一配向层阻挡部AB1。
[0119]根据本示例性实施方式，上基板SUBl的第一配向层阻挡部ABl可以通过单个工艺与第一槽缝一起形成，而无需另外的工艺或掩模。
[0120]虽然已经描述了示例性实施方式，但是可以理解，本发明不应局限于这些示例性实施方式，而是在包括所附权利要求的本公开的精神和范围内，本领域技术人员可以进行各种变化和修改。
【权利要求】
1.一种显不面板，包括: 第一基板，包括第一基底、设置在所述第一基底上的公共电极、以及设置在所述公共电极上的第一配向层； 第二基板，包括第二基底、设置在所述第二基底上的像素电极、以及设置在所述像素电极上的第二配向层；以及 液晶层，介于所述第一基板与所述第二基板之间， 其中，所述第一基板包括:凹部，从所述公共电极的表面凹入到所述第一基板中；以及第一配向层阻挡部，在所述第一基板的与所述第一配向层的端部的至少一部分的位置对应的区域中从所述凹部突出。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述第一配向层阻挡部包括与所述第一配向层隔开的第一阻挡部和与所述第一配向层重叠的第二阻挡部，并且所述第一配向层的所述端部介于所述第一阻挡部与所述第二阻挡部之间。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其中，所述第一阻挡部和所述第二阻挡部中的至少一者设置成多个。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其中，所述第一阻挡部和所述第二阻挡部设置在所述显示面板的非显示区中，所述非显示区位于所述显示面板的显示区的外部，并且所述第一阻挡部和所述第二阻挡部中的每个的至少一部分沿着所述第一基板的端部延伸。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其中，所述第一阻挡部进一步包括连接所述第一阻挡部和所述第二阻挡部的桥接部。
6.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述第一配向层阻挡部的上表面位于与所述公共电极的表面相同的平面中。
7.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述第一基板进一步包括设置在所述第一基底与所述公共电极之间的保护层，并且所述凹部通过去除所述公共电极和所述保护层的一部分而形成。
8.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述第二基板进一步包括: 间隔件，设置在所述第二基板上，以保持所述第一基板与所述第二基板之间的距离；以及 第二配向层阻挡部，设置在所述第二基底的非显示区中，并在与所述第二配向层的端部的至少一部分的位置对应的区域中从所述第二基底突出。
9.根据权利要求8所述的显示面板，其中，所述第二配向层阻挡部设置在与所述凹部的区域对准的区域中，并且从平面图观看时，所述第二配向层阻挡部与所述第一配向层阻挡部间隔开。
10.根据权利要求9所述的显示面板，其中，所述第二配向层阻挡部包含与所述间隔件相同的材料。
11.根据权利要求8所述的显示面板，其中，所述第二配向层阻挡部包括与所述第二配向层间隔开的第三阻挡部以及与所述第二配向层重叠的第四阻挡部，并且所述第二配向层的所述端部介于所述第三阻挡部与所述第四阻挡部之间。
12.根据权利要求11所述的显示面板，其中，所述第三阻挡部和所述第四阻挡部中的至少一者设置成多个。
【文档编号】G02F1/1337GK103809327SQ201310165059
【公开日】2014年5月21日 申请日期:2013年5月7日 优先权日:2012年11月14日
【发明者】金晒玹, 朴帝亨, 宋荣九, 洪基表, 洪成喜, 皇甫尚佑 申请人:三星显示有限公司