曝光装置、控制曝光装置的方法和用于曝光的对齐方法
【专利摘要】公开了能够防止因例如老化效应或热效应引起其精确度降低的曝光装置。还公开了控制曝光装置的方法和用于曝光的对齐方法。在一个方面，该曝光装置包括：主台，被配置为调整基板的位置；光束照射单元，用于将光束照射到掩膜上；以及光束监视单元，具有相对于所述主台固定的位置，并且用于识别从所述光束照射单元发出且穿过所述掩膜中的开口以形成特定图案的光束。
【专利说明】曝光装置、控制曝光装置的方法和用于曝光的对齐方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2012年12月14日向韩国专利局递交的第10_2012_0146637号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的全部公开内容通过引用并入本文。
【技术领域】
[0003]公开的技术涉及用于薄膜沉积的曝光装置、控制曝光装置的方法、以及用于曝光的对齐方法，更具体地，涉及使用反馈回路更精确地控制装置的部件移动的位置并且由此精确地校准薄膜的图案化。
【背景技术】
[0004]在一般的薄膜曝光装置中，从光源发出的光照射到掩膜上，穿过在掩膜中图案化的开口，然后入射到基板上。这样，光以掩膜中图案化的开口的相应形状照射到基板的预设区域。
[0005]在上述的曝光过程中，为了以掩膜中图案化的开口的相应形状精确地曝光基板的预设区域，掩膜或基板的对齐是重点关注的问题。
[0006]例如，典型的工艺是激光热转印(LITI)工艺，在LITI工艺中，从光源发出的激光束穿过掩膜并且使用掩膜成形。成形的激光束到达供体膜以将特定量的有机或无极材料作为薄膜层转印至基板。在LITI工艺被初始化之前，激光束应该被精确地对齐以入射到形成有例如薄膜晶体管(TFT)的基板的预设区域(例如，特定的子像素区域)。这是因为如果激光束具有非预期的形状或者照射到基板的非预期的区域则会产生有缺陷的电子产品。
[0007]因此，由于掩膜的对齐和与激光束的形状相关的用于薄膜沉积(例如，TFT)的区域的位置被预先设置，激光束照射的区域所在的基板的对齐是至关重要的。
[0008]然而，在传统的薄膜曝光系统中，当曝光重复执行时，例如由于老化效应和热效应，曝光装置的曝光的精确度降低。也就是说，由于驱动单元因外界环境条件随时间变化而老化并且光源(典型地激光束)的位置因从曝光过程产生的热而变化，所以引入了曝光图案的位置误差。
【发明内容】
[0009]公开的技术提供了曝光装置、控制曝光装置的方法和用于曝光的对齐方法，该曝光装置能够防止因例如老化效应或热效应引起的曝光装置的曝光精确度的降低。然而，公开的技术不限于此。
[0010]根据本发明的一方面，提供了一种曝光装置，包括:主台，被配置为调整基板的位置；光束照射单元，被配置为将光束照射到掩膜上；以及光束监视单元，具有相对于所述主台固定的位置，并且被配置为识别从所述光束照射单元发出且穿过所述掩膜中的开口以形成特定图案的光束。
[0011]所述曝光装置还包括控制单元，所述控制单元被配置为输出表示所述主台的位置的基板位置调整信号以调整所述基板的位置。
[0012]所述控制单元可基于与所述光束监视单元获得的光束有关的信息，输出所述基板位置调整信号。更详细地，所述控制单元被配置为检查入射到所述光束监视单元的光束的被监视位置，其中所述被监视位置是基于与所述光束监视单元获得的光束有关的信息，所述控制单元基于所述被监视位置与预设参考位置之间的差别，输出所述基板位置调整信号。
[0013]从所述控制单元输出的所述基板位置调整信号包括:第一位置调整信号，用于允许所述基板的对齐键相对于所述光束照射单元被设置在预设对齐位置；以及第二位置调整信号，对应于具有作为起点的所述预设参考位置且具有作为终点的所述被监视位置的调整向量。
[0014]可选地，所述曝光装置还包括对齐键监视单元，所述对齐键监视单元被配置为获得与所述基板的对齐键的位置有关的信息，从所述控制单元输出的所述基板位置调整信号对应于具有作为起点的、由所述对齐键监视单元获得的所述基板的对齐键的被检测位置且具有作为终点的、相对于所述光束照射单元的所述预设对齐位置的基向量和具有作为起点的所述预设参考位置且具有作为终点的所述被监视位置的调整向量之和。
[0015]所述的光装置还包括用于调整所述掩膜的位置的掩膜台，所述控制单元输出表示所述掩膜台的位置的掩膜位置调整信号，以基于与所述光束监视单元获得的光束有关的信息调整所述掩膜的位置。在这种情况下，所述控制单元被配置为基于与所述光束监视单元获得的光束有关的信息，检查入射到所述光束监视单元的光束的被监视位置，并且所述控制单元基于所述被监视位置与预设参考位置之间的差别，输出所述掩膜位置调整信号。
[0016]所述曝光装置还包括对齐键监视单元，所述对齐键监视单元被配置为获得与所述基板的对齐键的位置有关的信息，所述控制单元输出被配置为对所述对齐键监视单元的位置进行调整的对齐键监视单元位置调整信号。在这种情况下，所述控制单元基于与由所述光束监视单元获得的光束有关的信息输出所述对齐键监视单元位置调整信号。
[0017]而且，所述控制单元被配置为基于与所述光束监视单元获得的光束有关的信息，检查入射到所述光束监视单元的光束的被监视位置，并且所述控制单元基于所述被监视位置与预设参考位置之间的差别，输出对齐键监视单元位置调整信号。更详细地，从所述控制单元输出的所述对齐键监视单元位置调整信号对应于具有作为起点的所述预设参考位置且具有作为终点的所述被监视位置的调整向量。
[0018]根据本申请公开的技术的另一方面，提供了一种控制曝光装置的方法，所述方法包括:通过具有相对于主台固定的位置的光束监视单元获得与从光束照射单元发出且穿过掩膜中的开口以形成特定图案的光束有关的信息；基于与由所述光束监视单元获得的光束有关的信息，检查入射到所述光束监视单元的光束的被监视位置，并且检查所述被监视位置与预设参考位置之间的差别；将基板安装在所述主台上或安装在具有能够由所述主台调整的位置的基板安装单元上；以及通过基于所述被监视位置与所述预设参考位置之间的差别输出基板位置调整信号来调整所述基板的位置。
[0019]调整所述基板的位置包括:允许所述基板的对齐键相对于所述光束照射单元被设置在预设对齐位置；以及通过具有作为起点的所述预设参考位置且具有作为终点的所述被监视位置的调整向量附加地调整所述基板的位置。[0020]调整所述基板的位置包括基于最终向量调整所述基板的位置，所述最终向量对应于具有作为起点的、由用于获得与所述基板的对齐键的位置有关的信息的对齐键监视单元获得的所述基板的对齐键的被检测位置且具有作为终点的相对于所述光束照射单元的所述预设对齐位置的基向量和具有作为起点的所述预设参考位置且具有作为终点的所述被监视位置的调整向量的和。
[0021]根据公开的技术的另一方面，提供了一种控制曝光装置的方法，所述方法还包括:在具有相对于主台固定的位置的光束监视单元中获得与从光束照射单元发出且穿过具有能够由掩膜台调整位置的掩膜中的开口以形成特定图案的光束有关的信息；基于与由所述光束监视单元获得的光束有关的信息检查入射到所述光束监视单元的光束的被监视位置，并且检查所述被监视位置与预设参考位置之间的差别；以及通过基于所述被监视位置与所述预设参考位置之间的差别将掩膜位置调整信号输出至所述掩膜台来调整所述掩膜的位置。
[0022]根据公开的技术的另一方面，提供了一种控制曝光装置的方法，所述方法包括:在具有相对于主台固定的位置的光束监视单元中获得与从光束照射单元发出且穿过掩膜中的开口以形成特定图案的光束有关的信息；基于与由所述光束监视单元获得的光束有关的信息检查入射到所述光束监视单元的光束的被监视位置，并且检查所述被监视位置与预设参考位置之间的差别；以及基于所述被监视位置与所述预设参考位置之间的差别调整用于获得与所述基板的对齐键的位置有关的信息的对齐键监视单元的位置。
[0023]调整所述对齐键监视单元的位置对应于具有作为起点的所述预设参考位置且具有作为终点的所述被监视位置的调整向量。
[0024]根据公开的技术的另一方面，提供了一种用于曝光的对齐方法，所述对齐方法包括:检查从所述光束照射单元发出且穿过掩膜的开口以形成特定图案的光束的被监视位置，并且检查所述被监视位置与预设参考位置之间的差别；提供基板；以及基于所述被监视位置与所述预设参考位置之间的差别调整所述基板的位置。
[0025]调整所述基板的位置包括:允许所述基板的对齐键相对于所述光束照射单元被设置在预设对齐位置；以及通过具有作为起点的所述预设参考位置且具有作为终点的所述被监视位置的调整向量附加地调整所述基板的位置。
[0026]调整所述基板的位置可包括基于最终向量调整所述基板的位置，所述最终向量对应于作为起点的所述基板的对齐键的被检测位置且具有作为终点的相对于所述光束照射单元的所述预设对齐位置的基向量和具有作为起点的所述预设参考位置且具有作为终点的所述被监视位置的调整向量的和。
[0027]根据公开的技术的另一方面，提供了一种用于曝光的对齐方法，所述对齐方法包括:检查从光束照射单元且穿过掩膜中的开口以形成特定图案的光束的被监视位置，并且检查所述被监视位置与预设参考位置之间的差别；以及基于所述被监视位置与所述预设参考位置之间的差别调整所述掩膜的位置。
[0028]根据公开的技术的另一方面，提供了一种用于曝光的对齐方法，所述对齐方法包括:检查从光束照射单元发出且穿过掩膜中的开口以形成特定图案的光束的被监视位置，并且检查所述被监视位置与预设参考位置之间的差别；以及基于所述被监视位置与所述预设参考位置之间的差别调整用于获得与所述基板的对齐键的位置有关的信息的对齐键监视单元的位置。
[0029]调整所述对齐键监视单元的位置对应于具有作为起点的所述预设参考位置且具有作为终点的所述被监视位置的调整向量。
【专利附图】
【附图说明】
[0030]通过参考附图详细描述本发明的示例性实施方式，公开的技术的上面和其它特征和优点将变得更加明显，在附图中:
[0031]图1是根据公开的技术的实施方式的曝光装置的概念性立体视图；
[0032]图2是图1所示的曝光装置的截面图以描述曝光装置的操作；
[0033]图3是通过识别穿过图1所示的曝光装置的光束监视单元的掩膜的一个图案的光束而获得的信息的图像的概念视图；
[0034]图4是通过识别图1所示的曝光装置的对齐键监视单元中的基板的对齐键而获得的信息的图像的概念视图；
[0035]图5是示出了当使用根据比较示例的曝光装置时光束位置变化的曲线图；
[0036]图6是示出了当使用图1所示的曝光装置时光束位置变化的曲线图；
[0037]图7是示出了当使用图1所示的曝光装置并且改变掩膜的图案时光束位置变化的曲线图；
[0038]图8是根据公开的技术的一个实施方式的控制曝光装置的方法的流程图；
[0039]图9是根据公开的技术的另一实施方式的控制曝光装置的方法的流程图；以及
[0040]图10是根据公开的技术的另一实施方式的控制曝光装置的方法的流程图。
【具体实施方式】
[0041]参考附图更完整地描述所公开的技术，在附图中示出了本发明的示例性实施方式。然而，本发明可以许多不同的形式实现，并且不应该被解释为限制于本文所述的实施方式，这些实施方式被提供为使得此公开将是透彻和完整的，并且向本领域技术人员完全传达本发明的概念。元件的尺寸可在附图中被放大以方便说明。
[0042]在下面的描述中，x、y和z轴不限于正交坐标系上的三个轴，并且可在更宽泛的意义上被解释为包括它们。例如，X、y和z轴可以是彼此正交或非正交。
[0043]而且，附图中的元件的尺寸和厚度被任意提供以方便说明，因此不限制公开的技术的范围。
[0044]在附图中，为了更清楚，层和区域的厚度被放大。将理解，当元件(诸如层、区域或基板)被称为“位于”另一元件上，它可以“直接位于”其它元件或者可存在中间元件。
[0045]如本文中所使用的，词语“和/或”包括列出的相关项的一个或多个的任何或全部组合。
[0046]图1是根据公开的技术的实施方式的薄膜曝光装置的概念性立体视图。
[0047]根据各个实施方式的曝光装置包括主台10、光束照射单元(BIU)30和光束监视单元(BMU) 40。如图1所示，还包括掩膜台20、对齐键监视单元(AKMU) 41和对齐掩膜监视单元(AMMU) 42。
[0048]主台10调整基板12的位置。例如，主台10调整安装在主台10上、或安装在或可安装在连接至或可连接至主台10的安装单元(未示出)上的基板12的位置。而且，如图1所示，尽管基板12安装在主台10上，但是可在控制单元50的控制下例如在x-y平面上调整基板12的位置。例如，控制单元50输出基板位置调整信号，并且主台10根据该基板位置调整信号调整基板12的位置。
[0049]可选地，多种其它配置是可能的。例如，基板12可设置在垂直(+Z和-Z方向)延伸的多个基板销上，并且主台10可调整基板销的位置由此调整置于基板销上的基板12的位置。然后，基板销垂直移动以允许基板12被安装在安装单元上。
[0050]在对齐键监视单元41检查基板12上的对齐键的位置时，主台10可调整基板12的位置。也就是说，经由包括在对齐键监视单元41中的成像设备(例如，照相机)获得的图像信息，检查基板12的对齐键的位置，并且主台10调整基板12的位置使得对齐键被置于预设位置处。
[0051]掩膜台20调整掩膜22的位置。例如，掩膜台20可调整安装在掩膜台20上、或安装或可安装在连接或可连接至掩膜台20的安装单元(未示出)上的掩膜20的位置。而且，如图1所示，尽管掩膜22安装在掩膜台22上，但是可在控制单元50的控制下在例如x-y平面上调整掩膜22的位置。通过示例，控制单元50可输出掩膜位置调整信号，并且掩膜台20可根据掩膜位置调整信号调整掩膜22的位置。
[0052]可选地，多种其它配置是可能的。例如，掩膜22可设置在垂直(+z和-Z方向)延伸的多个掩膜销上，并且掩膜台20调整掩膜销的位置由此调整置于掩膜销上的掩膜22的位置。然后，掩膜销垂直移动以允许掩膜22被安装在安装单元上。在这种情况下，基板销的全部或一些可用作掩膜销，并且主台10可用作掩膜台20。
[0053]在对齐掩膜监视单元42检查掩膜22上的对齐标记的位置时，掩膜台20调整掩膜22的位置。也就是说，通过对齐标记监视单元42的成像设备获得的图像信息检查掩膜22的对齐标记的位置，并且掩膜台20调整掩膜22的位置使得对齐标记被置于预设位置。
[0054]与上面的描述相反，根据本申请公开技术的某些其它实施方式的曝光装置将不包括掩膜台20，并且掩膜22将被维持在特定且固定的位置处。
[0055]光束照射单元30将光束照射到掩膜22上。从光束照射单元30发出的光束穿过掩膜22的开口到达基板12或者到达位于掩膜22与基板12之间的部件以由此产生预期的图案。例如，供体材料部件可将薄膜图案沉积到与预定一组薄膜晶体管(TFT)相关联的基板。光束照射单元30照射例如以激光束为特征的电磁能量。电磁能量的光束为了方便将被称为光，但是可包含比与曝光系统相关联的典型热(红外)光能高的频率。
[0056]光束监视单元40—般具有相对于主台10固定的位置。例如，如图1所示，光束监视单元40联接至主台10的侧边或者固定在与主台10连接的框架上。光束监视单元40识别从光束照射单元30发出且穿过掩膜22的一个图案22a的光束。
[0057]在传统的曝光系统中，尽管基板或掩膜被精确地置于预设位置，但是曝光的精确度可因例如随着一次或多次曝光逝去的时间流逝或在曝光期间产生的热效应而被降低。由于光束照射单元中的光学单元的对齐的甚至小变化或因曝光期间产生的热而导致的框架变形，即使基板和/或掩膜被精确定位，也可能不能在预期位置精确地产生曝光图案。
[0058]然而，根据各个实施方式的曝光装置可基本防止曝光装置的曝光精确度例如因老化或热效应而降低。也就是说，光束照射单元30的光学单元(例如，透镜)的对齐的变化(例如，甚至小变化)或曝光装置的框架的变形(因在曝光期间产生的热)是不期望的。由于光束监视单元40识别从光束照射单元30发出且穿过掩膜22的图案22a的光束，主台10的位置由此基于与所识别的光束有关的信息被调整。因此，根据各个实施方式，可在基板12的预期位置处或在置于掩膜22与基板12之间的部件精确地执行曝光。
[0059]图2是图1所示的曝光装置的截面图以描述曝光装置的操作。如图2所示，当掩膜22被安装且固定在掩膜台20上时，在基板12被设置在主台10上之前，光束监视单元40用于校准系统。它识别从光束照射单元30发出且穿过掩膜22的图案22a的光束的预设位置。为此，其上安装有光束监视单元40的主台10移动至图2所示的位置以允许光束监视单元40识别光束位置。
[0060]在此，掩膜22的图案22a可以是形成于掩膜22中的各种图案之一。例如，“图案”可以是在曝光过程中待曝光在基板12上的光束所穿过的图案，或者可以是不在曝光过程中使用而仅在曝光之前用于校准的对齐过程中使用的虚拟图案。
[0061]与穿过掩膜22的图案22a且被光束监视单元40识别的光束有关的信息被可视化为如图3所示的图像40i。当光束监视单元40在预设参考位置40r识别已经穿过掩膜22的图案22a的光束时，如果因例如老化或热而变化，则光束在由虚线表示的预设参考位置40r处被识别到。
[0062]如果在曝光装置中发生变化，如图3所示，光束被识别成位于不同于预设参考位置40r的被监视位置40d。在这种情况下，尽管通过由对齐键监视单元41的成像设备获得的图像信息来检查基板12的对齐键的位置并且主台10调整基板12的位置使得对齐键被置于预设位置，但是基板12的预期位置将不会被精确地曝光。
[0063]然而，在根据各个实施方式的曝光装置中，由于在基板12被设置之前考虑由光束监视单元40获得的光束的被监视位置40d与预设参考位置40r之间的差别执行曝光，基板12的预期位置将被精确地曝光。也就是说，在基板12被设置之前，控制单元50将基于与由光束监视单元40获得的光束有关的信息检查入射到光束监视单元40的光束的被监视位置40d,并且(在基板12被设置之前和/或之后)考虑被监视位置40d与预设参考位置40r之间的差别将基板位置调整信号输出至主台10。
[0064]在这种情况下，由控制单元50输出的基板位置调整信号可包括第一位置调整信号和第二位置调整信号，其中第一位置调整信号指示基板12的对齐键相对于光束照射单元30被设置在预设对齐位置41r (见图4)，以及第二位置调整信号对应于具有作为起点的预设参考位置40r且具有作为终点的被监视位置40d的调整向量Vad。现在提供这些实施方式的详细描述。
[0065]首先，在基板12被设置之前，控制单元50基于与由光束监视单元40获得的光束有关的信息检查入射到光束监视单元40的光束的被监视位置40d，并且获得与预设具有作为起点的预设参考位置40r且具有作为终点的被监视位置40d的调整向量Vad对应的调整信息。与调整信息有关的第二位置调整信号可在这个时间或随后被发送至主台10。
[0066]然后，如果基板12被设置，则对齐键监视单元41允许基板12的对齐键相对于光束照射单元30被设置在预设对齐位置41r。如果如图4中的图像41i所示，控制单元50向主台10发送第一位置调整信号，则可执行上面的过程，其中第一位置调整信号对应于具有作为起点的、由对齐键监视单元41检查的对齐键的被检测位置41d且具有作为终点的对齐键的预设对齐位置41r的基向量Vb。然后，上面的过程可被理解为如下的过程:主台10调整基板12的位置使得基板12的对齐键从被检测位置41d移动至预设对齐位置41r。
[0067]然而，如果控制单元50将与已经获得的调整向量Vad对应的第二位置调整信号发送至主台10，或者通过使用已经发送的第二位置调整信号，主台10将附加地调整基板12的位置以最终允许光束无误差地精确地到达基板12上的预期区域。
[0068]自然，本申请公开的技术不限于此并且可在配置方面改变。例如，在基板12被设置之前，控制单元50基于与由光束监视单元40获得的光束有关的信息来检查入射到光束监视单元40上的光束的被监视位置，并且获得与具有作为起点的预设参考位置且具有作为终点的被监视位置40d的调整向量Vad对应的调整信息。然后，如果基板12被设置，如图4所示，检查与具有作为起点的由对齐键监视单元41检查的对齐键的被检测位置41d且具有作为终点的对齐键的预设对齐位置41r的基向量Vb对应的基本信息。然后，控制单元50可向主台10发送与基向量Vb和调整向量Vad之和相对应的位置调整信号，因此主台10可调整基板12的位置。
[0069]图5是示出了当使用根据比较示例的曝光装置时光束位置变化的曲线图。图6是示出了当使用图1所示的曝光装置时光束位置变化的曲线图。在图5和图6中，水平轴表示所设置的基板的次序，并且竖直轴表示以P m为单位的光束位置变化。从第一系列到第三系列执行三个系列的曝光，并且每个系列中设置有大约50个基板。
[0070]如图5和图6所示，当使用根据比较示例的曝光装置时，随着时间流逝，从光束照射单元30发出的光束的位置的变化增加，并且位置有时候相对于初始位置变化大于2 μ m或更多。这个结果意味着曝光的精确度显著降低。然而，当使用根据当前实施方式的曝光装置时，光束位置变化小于I μ m,因此曝光可以高精确度执行。
[0071]在上面的描述中，当通过固定掩膜22的位置然后按顺序设置基板12执行曝光时，光束监视单元40在每个基板12被设置之前获得用于调整基板12位置的信息，基板12被设置，并且基板12的位置根据已经获得的信息被调整。然而，本申请公开的技术不限于此。
[0072]例如，当掩膜22被更换以改变掩膜22的图案22a时或者当掩膜22的位置改变时，可应用本申请公开的技术。图7是示出了当使用图1所示的曝光装置并且掩膜22的图案22a改变时光束位置变化的曲线图。如图7所示，即使当在掩膜22的图案22a改变之后基板12被设置时，光束位置变化小于I μ m并且被有效地抑制。
[0073]在上面的描述中，主台10通过使用由光束监视单元40获得的信息调整基板12的位置。然而，本申请公开的技术不限于此。也就是说，如果掩膜22不是简单地设置在预设固定位置而是如图1所示设置在用于调整掩膜22位置的掩膜台20上，则控制单元50可考虑与由光束监视单元40获得的光束有关的信息输出掩膜位置调整信息，因此掩膜20可调整掩膜22的位置。在这种情况下，如果在这之后基板12被设置，则主台10可从控制单元50接收与具有作为起点的、由对齐键监视单元41检查的基板12的对齐键的被检测位置41d且具有作为终点的预设对齐位置41r的基向量Vb对应的基板位置调整信号，并且可调整基板12的位置，由此允许基板12的预期位置被精确地曝光。
[0074]在这种情况下，控制单元50可基于与由光束监视单元40获得的光束有关的信息检查入射到光束监视单元40的光束的被监视位置40d，并且可考虑被监视位置40d与预设参考位置40r之间的差别输出掩膜位置调整信号。[0075]在上面的描述中，主台10或掩膜台20通过使用由光束监视单元40获得的信息调整基板12或掩膜22的位置。然而，本申请公开的技术不限于此。例如，可考虑通过使用由光束监视单元40获得的信息调整对齐键监视单元41的位置。也就是说，控制单元50可考虑与由光束监视单元40获得的光束有关的信息，输出对齐键监视单元位置调整信号用于调整对齐键监视单元41的位置。
[0076]而且，如图3所示，控制单元50可基于与由光束监视单元40获得的光束有关的信息检查入射到光束监视单元40的光束的被监视位置40d，并且可考虑被监视位置40d与预设参考位置40r之间的差别输出对齐键监视单元位置调整信号。对齐键监视单元位置调整信号可对应于具有作为起点的预设参考位置40r且具有作为终点的被监视位置40d的调整向量Vad。在这种情况下，如果在这之后基板12被设置，主台10可从控制单元50接收与具有作为起点、由对齐键监视单元41检查的基板12的对齐键的被检测位置41d且具有作为终点的预设对齐位置41r的基向量Vb对应的基板位置调整信号，并且可调整基板12的位置，由此允许基板12的预期位置被精确地曝光。
[0077]图8是根据本申请公开的技术的一个实施方式的控制曝光装置的方法的流程图。
[0078]在根据各个实施方式的方法中，首先，相对于曝光装置(例如，光束照射单元)对齐掩膜(S10)。然而，如果已经对齐的掩膜存在于曝光装置中，可不执行操作S10。然后，具有相对于主台固定的位置的光束监视单元获得与从光束照射单元发出且穿过掩膜的图案的光束有关的信息，基于获得的信息检查入射到光束监视单元的光束的被监视位置，并且检查被监视位置与预设参考位置之间的差别(S20)。在此，检查到的差别确定随后执行的补偿的度。
[0079]然后，准备基板(S30)。操作S30例如可以是将基板安装在主台或安装在具有可由主台调整的位置的基板安装单元上的操作。然后，通过考虑被监视位置与预设参考位置之间的差别将基板位置调整信号输出至主台来调整基板的位置(S40)。如此，可相对于光束照射单元对齐基板并且还可补偿检查到的差别。
[0080]然后，执行曝光(S50)，并且卸下完全曝光的基板(S60)。在所设置的基板被曝光之后，确定是否终止过程(S70)。如果确定不终止过程，在下一个基板被设置之前，光束监视单元重新检查光束的被监视位置与预设参考位置之间的差别(S20)，然后顺序地执行用于曝光的随后过程。
[0081]在上面描述的根据各个实施方式的方法中，调整基板的位置可包括下面的两个步骤:允许基板的对齐键相对于光束照射单元被设置在预设对齐位置；以及通过具有作为起点的光束的预设参考位置且具有作为终点的由光束监视单元监视的光束的被监视位置的调整向量，附加地调整基板的位置。可选地，调整基板的位置可包括下面的一个步骤:考虑具有作为起点的、由用于获得与基板的对齐键的位置有关的信息的对齐键监视单元获得的基板的对齐键的被检测位置且具有作为终点的相对于光束照射单元的对齐键的预设对齐位置的基向量和具有作为起点的光束的预设参考位置且具有作为终点的由光束监视单元监视的光束的被监视位置的调整向量之和相对应的最终向量，调整基板的位置。
[0082]图9是根据本申请公开的技术的另一实施方式的控制曝光装置的方法的流程图。
[0083]在根据当前实施方式的方法中，首先相对于曝光装置(例如，光束照射单元)对齐掩膜(S10)。然而，如果已经对齐的掩膜存在于曝光装置中，则可不执行操作S10。然后，具有相对于主台固定的位置的光束监视单元获得与从光束照射单元发出且穿过掩膜的一个图案的光束有关的信息，基于获得的信息检查入射到光束监视单元的光束的被监视位置，并且检查被监视位置与预设参考位置之间的差别(S20)。在此，检查到的差别确定随后执行的补偿的度。
[0084]然后，在基板被设置之前，通过考虑光束的被监视位置与预设参考位置之间的差别将掩膜位置调整信号输出至掩膜台来调整掩膜的位置(S25)。如此，由于检查到的差别被补偿，因此，可防止因老化效应或热效应引起的曝光装置的曝光精确度的降低。
[0085]然后，准备基板(S30)。操作S30例如可以是将基板安装在主台或安装在具有可由主台调整位置的基板安装单元上的操作。然后，对齐键监视单元检查基板的对齐键的被检测位置，并且为了对齐键被设置在预设对齐位置，通过将基板位置调整信号输出至主台来调整基板的位置(S40’)。
[0086]然后,执行曝光(S50)并且移除完全曝光的基板(S60)。在所设置的基板被曝光之后，确定是否终止过程(S70)。如果确定不终止过程，在下一个基板被设置之前，光束监视单元重新检查光束的被监视位置与预设参考位置之间的差别(S20)，然后按顺序执行用于曝光的随后过程。
[0087]图10是根据本申请公开的技术的另一实施方式的控制曝光装置的方法的流程图。
[0088]在根据各个实施方式的方法中，首先，相对于曝光装置(例如，光束照射单元)对齐掩膜(S10)。然而，如果已经对齐的掩膜存在于曝光装置中，则可不执行操作S10。然后，具有相对于主台固定的位置的光束监视单元获得与从光束照射单元发出且穿过掩膜的图案的光束有关的信息，基于获得的信息检查入射到光束监视单元的光束的被监视位置，并且检查被监视位置与预设参考位置之间的差别(S20)。在此，所检查的差别确定随后执行的补偿的度。
[0089]然后，在基板被设置之前，考虑由光束监视单元监视的光束的被监视位置与光束的预设参考位置之间的差别，调整用于获得与基板的对齐键的位置有关的信息的对齐键监视单元的位置(S27)。如此，由于检查到的差别被补偿，可防止因例如老化效应或热效应引起的曝光装置的曝光精确度的降低。在此，对齐键监视单元的位置的调整可对应于具有作为起点的光束的预设参考位置且具有作为终点的由光束监视单元监视的光束的被监视位置的调整向量。
[0090]然后，准备基板(S30)。操作S30例如可以是将基板安装在主台或安装在具有可由主台调整的位置的基板安装单元上的操作。然后，对齐键监视单元检查基板的对齐键的被检测位置，并且为了允许对齐键被设置在预设对齐位置，通过将基板位置调整信号输出至主台来调整基板的位置(S40’)。
[0091]然后，执行曝光(S50)，并且卸下完全曝光的基板(S60)。在所设置的基板被曝光之后，确定是否终止过程(S70)。如果确定不终止过程，则在下一个基板被设置之前，光束监视单元重新检查光束的被监视位置与预设参考位置之间的差别(S20)，然后顺序地执行用于曝光的随后过程。
[0092]尽管上面描述了控制曝光装置的方法，但是本申请公开的技术不限于此。例如，本申请公开的技术还可覆盖用于曝光的对齐方法。[0093]在用于曝光的对齐方法中，根据本申请公开的技术的实施方式，首先，检查从光束照射单元发出且穿过掩膜的一个图案的光束的被监视位置，并且检查被监视位置与预设参考位置之间的差别。然后，准备基板，并且考虑光束的被监视位置与预设参考位置之间的差别调整基板的位置。如此，由于检查到的差别被补偿，可防止因例如老化效应或热效应引起的曝光装置的曝光的精确度的降低。
[0094]在此，调整基板的位置可包括两个步骤:允许基板的对齐键相对于光束照射单元被设置在预设对齐位置；以及通过具有作为起点的光束的预设参考位置且具有作为终点的由光束监视单元监视的光束的被监视位置的调整向量，附加地调整基板的位置。可选地，调整基板的位置可包括下面的一个步骤:考虑与具有作为起点的基板的对齐键的被检测位置且具有作为终点的相对于光束照射单元的对齐键的预设对齐位置的基向量和具有作为起点的光束的预设参考位置且具有作为终点的光束的被监视位置的调整向量之和相对应的最终向量，调整基板的位置。
[0095]在根据当前实施方式的对齐方法中，还可通过检查从光束照射单元发出且穿过掩膜的图案的光束的被监视位置、以及通过检查和考虑光束的被监视位置与预设参考位置之间的差别来调整掩膜的位置。
[0096]在这种情况下，如果在这之后基板被设置，即使当典型地相对于光束发射单元对齐基板时，基板的预期位置可被精确地曝光。
[0097]在上面的描述中，通过移动基板或掩膜补偿误差。然而，本申请公开的技术不限于此。例如，可考虑通过检查从光束照射单元发出且穿过掩膜的一个图案的光束的被监视位置，以及通过检查和考虑光束的被监视位置与预设参考位置之间的差别，调整用于获得与基板的对齐键的位置有关的信息的对齐键监视单元的位置。在此，调整对齐键监视单元的位置可对应于具有作为起点的光束的预设参考位置且具有作为终点的光束的被监视位置的调整向量。
[0098]在这种情况下，如果在这之后基板被设置，即使当典型地相对于光束照射单元对齐基板时，基板的预期位置可被精确地曝光。
[0099]上面描述的曝光装置、控制曝光装置的方法和用于曝光的对齐方法可使用激光热转印(LITI)工艺。也就是说，激光束可从光束照射单元30照射，供体膜可设置在掩膜22与基板12之间，并且激光束可照射到供体膜的特定区域使得供体膜的特定有机层可转印至基板12。由于通过使用上述LITI工艺形成有包括发射层的有机或无机层的有机发光显示装置仅在有机或无机层形成于精确位置时恰当起作用，如果使用上述的曝光装置、控制曝光装置的方法和用于曝光的对齐方法，可以高出品率制造高分辨率的有机发光显示装置。
[0100]如上所述，根据本申请公开的技术的实施方式，可实现能够防止因例如老化效应或热效应引起的曝光装置的曝光精确度的降低的曝光装置、控制该曝光装置的方法和用于曝光的对齐方法。然而，本申请公开的技术不限于上述效果。
[0101]尽管已经参考本发明的示例性的实施方式具体地示出和描述了本发明，但是本领域技术人员将理解可在本文内进行形式和细节的各种改变而不背离如由权利要求限定的本发明的精神和范围。
【权利要求】
1.一种曝光装置，包括: 主台，被配置为调整基板的位置； 光束照射单元，被配置为将光束照射到掩膜上；以及 光束监视单元，具有相对于所述主台固定的位置，并且被配置为识别从所述光束照射单元发出且穿过所述掩膜中的开口以形成特定图案的光束。
2.如权利要求1所述的曝光装置，还包括控制单元，所述控制单元被配置为输出表示所述主台的位置的基板位置调整信号以调整所述基板的位置。
3.如权利要求2所述的曝光装置，其中，所述控制单元基于与所述光束监视单元获得的光束有关的信息，输出所述基板位置调整信号。
4.如权利要求3所述的曝光装置，其中，所述控制单元被配置为检查入射到所述光束监视单元的光束的被监视位置，其中所述被监视位置是基于与所述光束监视单元获得的光束有关的信息，所述控制单元基于所述被监视位置与预设参考位置之间的差别，输出所述基板位置调整信号。
5.如权利要求4所述的曝光装置，其中，从所述控制单元输出的所述基板位置调整信号包括: 第一位置调整信号，用于允许所述基板的对齐键相对于所述光束照射单元被设置在预设对齐位置；以及 第二位置调整信号，对应于以所述预设参考位置为起点以及以所述被监视位置为终点的调整向量。
6.如权利要求4所述的曝光装置`，还包括对齐键监视单元，所述对齐键监视单元被配置为获得与所述基板的对齐键的位置有关的信息，其中，从所述控制单元输出的所述基板位置调整信号对应于基向量与调整向量之和，所述基向量以所述对齐键监视单元获得的所述基板的对齐键的被检测位置作为起点，以相对于所述光束照射单元的所述预设对齐位置作为终点，所述调整向量以所述预设参考位置作为起点，以所述被监视位置作为终点。
7.如权利要求2所述的曝光装置，还包括用于调整所述掩膜的位置的掩膜台，其中，所述控制单元输出表示所述掩膜台的位置的掩膜位置调整信号，以基于与所述光束监视单元获得的光束有关的信息调整所述掩膜的位置。
8.如权利要求7所述的曝光装置，其中，所述控制单元被配置为基于与所述光束监视单元获得的光束有关的信息，检查入射到所述光束监视单元的光束的被监视位置，并且所述控制单元基于所述被监视位置与预设参考位置之间的差别，输出所述掩膜位置调整信号。
9.如权利要求2所述的曝光装置，还包括对齐键监视单元，所述对齐键监视单元被配置为获得与所述基板的对齐键的位置有关的信息，所述控制单元输出被配置为对所述对齐键监视单元的位置进行调整的对齐键监视单元位置调整信号。
10.如权利要求9所述的曝光装置，其中，所述控制单元基于与所述光束监视单元获得的光束有关的信息，输出所述对齐键监视单元位置调整信号。
11.如权利要求10所述的曝光装置，其中，所述控制单元被配置为基于与所述光束监视单元获得的光束有关的信息，检查入射到所述光束监视单元的光束的被监视位置，并且所述控制单元基于所述被监视位置与预设参考位置之间的差别，输出所述对齐键监视单元位置调整信号。
12.如权利要求11所述的曝光装置，其中，从所述控制单元输出的所述对齐键监视单元位置调整信号对应于以所述预设参考位置为起点且以所述被监视位置为终点的调整向量。
13.—种控制曝光装置的方法，所述方法包括: 通过具有相对于主台固定的位置的光束监视单元，获得与从光束照射单元发出且穿过掩膜中的开口以形成特定图案的光束有关的信息； 基于与所述光束监视单元获得的光束有关的信息，检查入射到所述光束监视单元的光束的被监视位置，并且检查所述被监视位置与预设参考位置之间的差别； 将基板安装在所述主台上或安装在具有能够由所述主台调整的位置的基板安装单元上；以及 通过基于所述被监视位置与所述预设参考位置之间的差别输出基板位置调整信号，调整所述基板的位置。
14.如权利要求13所述的方法，其中，调整所述基板的位置包括: 允许所述基板的对齐键相对于所述光束照射单元被设置在预设对齐位置；以及通过以所述预设参考位置为起点且以所述被监视位置为终点的调整向量，附加地调整所述基板的位置。
15.如权利要求13所述的方法，其中，调整所述基板的位置包括:基于最终向量调整所述基板的位置，其中所述最终向量对应于基向量与调整向量之和，所述基向量以由用于获得与所述基板的对齐键的位置有关的信息的对齐键监视单元获得的所述基板的对齐键的被检测位置作为 起点，且以相对于所述光束照射单元的所述预设对齐位置作为终点，所述调整向量以所述预设参考位置作为起点，且以所述被监视位置作为终点。
16.一种控制曝光装置的方法，所述方法包括: 在具有相对于主台固定的位置的光束监视单元中，获得与从光束照射单元发出且穿过具有能够由掩膜台调整位置的掩膜中的开口以形成特定图案的光束有关的信息； 基于与所述光束监视单元获得的光束有关的信息，检查入射到所述光束监视单元的光束的被监视位置，并且检查所述被监视位置与预设参考位置之间的差别；以及 通过基于所述被监视位置与所述预设参考位置之间的差别，将掩膜位置调整信号输出至所述掩膜台来调整所述掩膜的位置。
17.—种控制曝光装置的方法，所述方法包括: 在具有相对于主台固定的位置的光束监视单元中，获得与从光束照射单元发出且穿过掩膜中的开口以形成特定图案的光束有关的信息； 基于与所述光束监视单元获得的光束有关的信息，检查入射到所述光束监视单元的光束的被监视位置，并且检查所述被监视位置与预设参考位置之间的差别；以及 基于所述被监视位置与所述预设参考位置之间的差别，调整用于获得与所述基板的对齐键的位置有关的信息的对齐键监视单元的位置。
18.如权利要求17所述的方法，其中，调整所述对齐键监视单元的位置对应于以所述预设参考位置为起点且以所述被监视位置为终点的调整向量。
19.一种用于曝光的对齐方法，所述对齐方法包括:检查从所述光束照射单元发出且穿过掩膜的开口以形成特定图案的光束的被监视位置，并且检查所述被监视位置与预设参考位置之间的差别； 设置基板；以及 基于所述被监视位置与所述预设参考位置之间的差别，调整所述基板的位置。
20.如权利要求19所述的对齐方法，其中，调整所述基板的位置包括: 允许所述基板的对齐键相对于所述光束照射单元被设置在预设对齐位置；以及 通过以所述预设参考位置为起点且以所述被监视位置为终点的调整向量，附加地调整所述基板的位置。
21.如权利要求19所述的对齐方法，其中，调整所述基板的位置包括基于最终向量调整所述基板的位置，所述最终向量对应于基向量与调整向量之和，所述基向量以所述基板的对齐键的被检测位置作为起点且以相对于所述光束照射单元的所述预设对齐位置作为终点，所述调整向量以所述预设参考位置作为起点且以所述被监视位置作为终点。
22.—种用于曝光的对齐方法,所述对齐方法包括: 检查从光束照射单元发出且穿过掩膜中的开口以形成特定图案的光束的被监视位置，并且检查所述被监视位置与预设参考位置之间的差别；以及 基于所述被监视位置与所述预设参考位置之间的差别，调整所述掩膜的位置。
23.—种用于曝光的对齐方法,所述对齐方法包括: 检查从光束照射单元发`出且穿过掩膜中的开口以形成特定图案的光束的被监视位置，并且检查所述被监视位置与预设参考位置之间的差别；以及 基于所述被监视位置与所述预设参考位置之间的差别，调整用于获得与所述基板的对齐键的位置有关的信息的对齐键监视单元的位置。
24.如权利要求23所述的对齐方法，其中，调整所述对齐键监视单元的位置对应于以所述预设参考位置为起点且以所述被监视位置为终点的调整向量。
【文档编号】G03F7/20GK103869631SQ201310364831
【公开日】2014年6月18日 申请日期:2013年8月20日 优先权日:2012年12月14日
【发明者】全镇弘, 李石柱, 延政勳 申请人:三星显示有限公司