阵列基板以及显示装置制造方法

阵列基板以及显示装置制造方法【专利摘要】本发明涉及阵列基板和具备该阵列基板的显示装置。其目的在于提供一种能提高像素的开口率、进而能提高显示质量的技术。阵列基板（AR）具备：第一电极（E1），隔着第一绝缘膜（24）形成在开关元件（W）上；第二电极（E2），隔着第二绝缘膜（26）形成在第一电极（E1）上；连接部（27），以贯通第一绝缘膜（24）、第一电极（E1）以及第二绝缘膜（26）的方式设置，将开关元件（W）的漏极电极（WD）与第二电极（E2）电连接。连接部（27）配置在挖通与开关元件（W）连接的栅极线（Y）而设置的回避区域（28）内。【专利说明】阵列基板以及显示装置【
技术领域：
】[0001]本发明涉及显示装置中的开关元件的阵列基板和具备该阵列基板的显示装置。【
背景技术：
】[0002]作为显示装置的一种的液晶显示装置的显示方方，TN(TwistedNematic:扭转向列)模式被广泛使用。可是，近年来，提出了如下的横向电场方式的液晶显示装置:对在一个基板上设置的第一电极和第二电极之间施加电压而在面板产生大致水平的电场，由此，在水平方向对液晶分子进行驱动。该横向电场方式有利于宽视角或高精细、高亮度化，可以说今后特别是在以智能电话或平板电脑(tablet)等为代表的中小型面板中成为主流。[0003]作为这样的横向电场方式的液晶显示装置，已知有IPS(InPlaneSwitching:板内切换)模式以及FFS(FringeFieldSwitching:边界电场切换)模式等显示方式。其中，在FFS模式中，具备隔着绝缘膜设置的第一电极和具有狭缝的第二电极，在将任意一个作为像素电极的情况下，将另一个作为对置电极。而且，经由上部电极的狭缝，能在其上方的液晶层中产生横向的电场，能根据该横向的电场对液晶进行驱动。[0004]例如，在专利文献I中公开了横向电场方式的液晶显示装置的一个例子。具体地说，在专利文献I中公开了如下的横向电场方式的液晶显示装置:以基于施加于栅极线的高电压的信号的直流电场不被施加于其附近的液晶的方式设置屏蔽电极，并且，将该屏蔽电极作为连接各像素的共用电极间的共同布线来利用。[0005]现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2010-66396号公报。【
发明内容】[0006]发明要解决的课题在专利文献I的液晶显示装置中，与像素电极对应的第二电极和开关元件的漏极电极利用设置在接触孔内的连接部而连接，该连接部设置在被相邻的两个栅极线和相邻的两个源极线包围的区域的内侧。然而，由于连接部(接触孔)的台阶差的原因，不能可靠地进行在连接部附近的区域上形成的取向膜的摩擦研磨(rubbing)处理，存在有时不能驱动液晶的问题。作为现状，液晶不被驱动的区域被与阵列基板对置配置的对置基板遮光，其结果是，各像素的区域变窄，存在像素的开口率降低的问题。[0007]因此，本发明是鉴于上述那样的问题而完成的，其目的在于提供一种能提高像素的开口率进而能提高显示质量的技术。[0008]用于解决课题的方案本发明提供一种显示装置中的开关元件的阵列基板，具备:第一电极，隔着第一绝缘膜形成在所述开关元件上；第二电极，隔着第二绝缘膜形成在所述第一电极上；连接部，以贯通所述第一绝缘膜、所述第一电极以及所述第二绝缘膜的方式设置，将所述开关元件的漏极电极与所述第二电极电连接。而且，所述连接部配置在挖通与所述开关元件连接的栅极线而设置的规定区域内。[0009]发明效果根据本发明，在挖通栅极线而设置的固定区域内配置连接部。由此，能减小难以进行摩擦研磨处理的区域，并且，能抑制从栅极线产生的电场的泄漏。其结果是，由于能抑制连接部附近的区域中的光泄漏的产生，所以，能提高像素的开口率，进而能提高显示质量。【专利附图】【附图说明】[0010]图1是概略性地示出实施方式I的液晶显示装置的结构的截面图。[0011]图2是概略性地示出实施方式I的阵列基板的结构的平面图。[0012]图3是概略性地示出实施方式I的阵列基板的结构的放大平面图。[0013]图4是概略性地示出关联阵列基板的结构的放大平面图。【具体实施方式】[0014]〈实施方式1>以下，作为本发明的实施方式I，将在液晶模式是FFS(FringeFieldSwitching)模式的液晶显示装置中应用本发明的情况作为例子进行说明。图1是示出本实施方式I的液晶显示装置的结构的截面图。另外，图是示意性的图，并不反映所示出的结构要素的准确的大小等。此外，适当地进行了发明的主要部分以外的省略或一部分简化等(在以下的图中也是同样的)，使得附图不会变得繁杂。进而，在以下的图中，对图中的与在已示出的图中进行了说明的结构要素相同或类似的结构要素标注相同的附图标记并且省略其说明。[0015]〈整体结构〉如图1所示，该液晶显示装置具备透过型的液晶显示面板LPN和照明单元即背光灯单元BL0[0016]液晶显示面板LPN具备显示装置中的开关元件W的阵列基板(第一基板)AR、与阵列基板AR对置地配置的对置基板(第二基板)CT、保持在这些阵列基板AR与对置基板CT之间的液晶层LQ而构成。阵列基板AR具备绝缘基板20和在其上形成的第一电极El以及第二电极E2等，在对这些电极间施加了电压的情况下，在液晶层LQ产生横向电场(与基板的主面大致平行的电场)。即，液晶显示面板LPN是主要利用横向电场对液晶层LQ的液晶分子的光透过率进行控制的FFS模式的液晶显示面板。关于该液晶显示面板LPN的细节在后面说明。[0017]背光灯单元BL配置在阵列基板AR侧，从阵列基板AR侧对液晶显示面板LPN进行照明。作为这样的背光灯单元BL，能应用各种方式，此外，作为光源，能应用利用了发光二极管(LED)的光源或利用了冷阴极管(CCFL)的光源等的任意一种。另外，关于背光灯单元BL的细节，省略说明。[0018]<液晶显示面板的平面结构>接着，设为液晶显示面板LPN是有源矩阵型的液晶显示面板，详细地说明液晶显示面板LPN的平面结构。图2是概略性地示出液晶显示面板LPN的结构的平面图。[0019]如图2所示，在液晶显示面板LPN设置有对图像进行显示的显示区域(有源区域)DSP,在显示区域DSP设置有mXn个(其中，m以及η是正整数)呈矩阵状配置的多个像素PX0[0020]阵列基板AR具备分别沿着各像素PX的行方向H延伸的η条栅极线Υ(Υ1?Υη)、分别沿着各像素PX的列方向V延伸的m条源极线X(XI?Xm)、mXn个薄膜晶体管(TFT)等开关元件W、上述的第一电极El以及第二电极E2，它们形成在显示区域DSP内的绝缘基板20上。[0021]另一方面，阵列基板AR具备与引出到显示区域DSP外的栅极线Y(Yl?Yn)连接的栅极驱动器YD、与引出到显示区域DSP外的源极线X(XI?Xm)连接的源极驱动器XD、对栅极驱动器YD以及源极驱动器XD进行控制的控制器CNT，它们形成在显示区域DSP外的绝缘基板20上。[0022]开关元件W的栅极电极WG与栅极线Y电连接，开关元件W的源极电极WS与源极线X电连接。此外，开关元件W的漏极电极WD与第二电极E2连接。[0023]第一电极El如后述那样大致在显示区域DSP的整个面一体地形成，被施加从控制器CNT等供给的共同电压COM。另一方面，第二电极E2如后述那样在各像素PX中单独地形成，被施加从开关元件W的漏极电极WD供给的电压。[0024]在以上那样的结构中，栅极驱动器YD基于控制器CNT的控制依次对η条栅极线Y供给扫描信号(驱动信号)。另一方面，源极驱动器XD基于控制器CNT的控制，在各行的开关元件W根据扫描信号而导通的定时，分别对m条源极线X供给影像信号(驱动信号)。由此，由于来自栅极线Y的扫描信号而导通的开关元件W能对与漏极电极WD连接的第二电极E2设定与来自源极线X的影像信号相应的像素电位即相对于第一电极El的电位的像素电位。[0025]图3是概略性地示出液晶显示面板LPN的结构的放大平面图。[0026]如图3所示，栅极线Y和源极线X交叉。另外，像后述的那样，在栅极线Y和源极线X之间形成有栅极绝缘膜22(图1)，即使是栅极线Y和源极线X的交叉部，也相互电切断。开关元件W在各像素PX中配置在栅极线Y和源极线X的交叉部附近。S卩，开关元件W沿着行方向H和列方向V设置有多个。[0027]另外，如图3所示，第一电极El大致在显示区域DSP的整个面一体地形成，相对于此，第二电极E2在各像素PX中单独地形成。[0028]<液晶显示面板的截面结构>接着，返回到图1，对液晶显示面板LPN的截面结构进行说明。此处，首先对阵列基板AR的截面结构进行说明。[0029]阵列基板AR的绝缘基板20由玻璃板或石英板等具有光透过性的基板构成。在该绝缘基板20上形成有开关元件W的栅极电极WG和栅极线Y。另外，栅极电极WG和栅极线Y相互连接(或者，它们也可以在绝缘基板20上一体地形成)。这些栅极线Y和栅极电极WG能使用同一材料(例如，钥、铝、钨、钛等导电材料)在同一工序中形成。[0030]在栅极电极WG和栅极线Y上形成有将它们覆盖的栅极绝缘膜22。该栅极绝缘膜22由例如氮化硅(SiN)等无机类材料构成。[0031]开关元件W的半导体层SC隔着栅极绝缘膜22形成在栅极电极WG上。该开关元件W的半导体层SC能由例如多晶硅或非晶硅等构成，此处，由非晶硅构成。[0032]开关元件W的源极电极WS、源极线X以及漏极电极WD也与半导体层SC同样地形成在栅极绝缘膜22上。其中，源极电极WS和源极线X相互连接(或者，它们也可以在栅极绝缘膜22上一体地形成)。另外，源极电极WS、源极线X以及漏极电极WD能使用同一材料(例如，钥、铝、钨、钛等导电材料)在同一工序中形成。[0033]源极电极WS以及漏极电极WD分别与半导体层SC的两个边缘部连接。而且，半导体层SC中的源极电极WS和漏极电极WD之间的区域起到根据栅极电极WG的栅极电压对载流子的流动进行控制的沟道区域CHN的功能。[0034]这样，在本实施方式I中，作为开关元件W，应用了栅极电极WG形成在下侧(绝缘基板20侧)并且沟道区域CHN形成在上侧(液晶层LQ侧)的结构即底栅型的薄膜晶体管。[0035]在源极电极WS、源极线X、漏极电极WD以及半导体层SC上形成有将它们覆盖的第一绝缘膜24。该第一绝缘膜24起到钝化膜的功能，由例如氮化硅(SiN)膜、氧化硅(SiO)膜或有机绝缘膜构成。另外，在本实施方式I中，第一绝缘膜24由两层绝缘膜24a、24b构成。[0036]在第一绝缘膜24上形成有上述的第一电极El。即，上述的第一电极El隔着第一绝缘膜24形成在开关元件W上。这样的第一电极El由例如ITO(IndiumTinOside:氧化铟锡)、IZO(IndiumZincOxide:氧化铟锌)等具有光透过性的导电材料构成。[0037]该第一电极El在显示区域DSP整体呈大致实心状(solidmanner)形成。S卩，第一电极El不仅形成在各像素PX内，也形成在像素PX之间，以覆盖栅极线Y和源极线X的方式形成。[0038]其中，如图1所示，在该第一电极El的与开关元件W的沟道区域CHN上方对应的区域设置有第一开口部(开口部)AP1，并且，在与漏极电极WD上方对应的区域的从沟道区域CHN离开的区域设置有第二开口部AP2。第一开口部APl是为了对从第一电极El向沟道区域CHN的多余的电场的产生进行抑制而减低老化(burn-1n)所设置的，第二开口部AP2是为了形成后述的连接部27(接触部)而设置的。另外，在图3中，用粗线示出第一和第二开口部AP1、AP2。[0039]返回到图1，在第一电极El上形成有将其覆盖的第二绝缘膜26。该第二绝缘膜26与第一绝缘膜24同样地起到钝化膜的功能，由例如氮化硅(SiN)膜、氧化硅(SiO)膜或有机绝缘膜构成。[0040]在第二绝缘膜26上形成有上述的第二电极E2。S卩，上述的第二电极E2隔着第二绝缘膜26形成在第一电极El上。这样的第二电极E2与第一电极El同样地由例如ITO(IndiumTinOside)、IZO(IndiumZincOxide)等具有光透过性的导电材料构成。[0041]该第二电极E2在各像素PX中单独地形成。在图3所示的例子中，第二电极E2在各像素PX中形成为与像素形状对应的岛状例如四边形的面状。此外，在该第二电极E2中在列方向V配设有与第一电极El对置的多个狭缝SL。该狭缝SL形成为例如大致长方形形状或椭圆形形状，在图3所示的例子中，其长轴L不与行方向H以及列方向V平行。[0042]返回到图1，阵列基板AR所具备的连接部28贯通第一绝缘膜24、第一电极El以及第二绝缘膜26而设置，将开关元件W的漏极电极WD和第二电极E2电连接。此处，在第一电极El的第二开口部AP2的内侧形成有贯通第一绝缘膜24、第一电极El以及第二绝缘膜26的接触孔，将第二电极E2的一部分延伸设置在该接触孔内而使其与漏极电极W)连接，由此，形成上述连接部28。其中，连接部28并不限于此，也可以通过在第二电极E2和漏极电极WD之间设置其它的导电构件而形成。[0043]在第二电极E2上形成有将其覆盖的第一取向膜ALl。即，阵列基板AR所具备的第一取向膜ALl(取向膜)形成在第二电极E2上。该第一取向膜ALl由例如聚酰亚胺构成。[0044]接着，说明对置基板CT的截面结构。对置基板CT具备玻璃板或石英板等具有光透过性的绝缘基板30。特别是，在彩色显示型的液晶显示装置中，如图1所示，在绝缘基板30的液晶层LQ侧的面具备划分各像素PX的黑矩阵BM和与被黑矩阵BM包围的各像素PX对应地形成的滤色片层CF等。另外，虽然在此没有图示，但是，为了使滤色片层CF的表面的凹凸平坦化，对置基板CT也可以具备膜厚比较厚的外涂层。[0045]黑矩阵BM以与设置于阵列基板AR的栅极线Y和源极线X等布线部以及开关元件W等对置的方式配置。该黑矩阵BM由例如着色为黑色的着色树脂构成。[0046]滤色片层CF由分别着色为相互不同的多个颜色例如红色、蓝色、绿色这三原色的着色树脂构成。红色着色树脂、蓝色着色树脂以及绿色着色树脂分别与红色像素、蓝色像素以及绿色像素对应地配置。[0047]在这样的滤色片层CF上形成有将其覆盖的第二取向膜AL2。该第二取向膜AL2由例如聚酰亚胺构成。[0048]上述的阵列基板AR和对置基板CT以阵列基板AR的第一取向膜ALl与对置基板CT的第二取向膜AL2对置的方式配置。在阵列基板AR与对置基板CT之间配置有未图示的隔离物(例如，由树脂材料与一个基板一体地形成的柱状隔离物)，由此，形成规定的间隙。阵列基板AR与对置基板CT以形成有规定的间隙的状态利用密封材料进行贴合。[0049]液晶层LQ是通过在阵列基板AR的第一取向膜ALl与对置基板CT的第二取向膜AL2之间形成的间隙封入包含液晶分子的介电常数各向异性为正的液晶组成物而构成的。[0050]第一取向膜ALl和第二取向膜AL2以限制液晶层LQ所包含的液晶分子的取向的方式进行摩擦研磨处理。液晶分子由于第一取向膜ALl和第二取向膜AL2的限制而被均匀取向。第一取向膜ALl和第二取向膜AL2的摩擦研磨方向是与狭缝SL的长轴不平行且不垂直的方向。在本实施方式中，第一取向膜ALl是沿着栅极线Y延伸的延伸方向(图3所不的行方向H)进行摩擦研磨处理而形成的。[0051]此外，阵列基板AR具备在绝缘基板20的与液晶层LQ相反一侧的面(液晶显示面板LPN的一个外表面)设置的光学元件ODl，对置基板CT具备在绝缘基板30的与液晶层LQ相反一侧的面(液晶显不面板LPN的另一个外表面)设置的光学兀件0D2。[0052]这些光学元件ODl、0D2分别包含偏光板。由此，例如在第一电极El与第二电极E2之间未形成电位差(即，在第一电极El与第二电极E2之间以及液晶层LQ未形成电场)的无电场时，实现液晶显示面板LPN的光透过率最低(即，显示黑色画面)的常黑模式。[0053]在第一电极El与第二电极E2之间未形成电位差的无电场时，液晶层LQ的液晶分子以其长轴朝向与第一取向膜ALl以及第二取向膜AL2的摩擦研磨方向平行的方位的方式取向。在该状态下，从背光灯单元BL射出的背光灯光在透过光学元件ODl和液晶层LQ等之后，该光基本全部被光学元件0D2吸收(黑色画面显示)。[0054]另一方面，在第一电极El与第二电极E2之间形成有电位差的情况下(S卩，对第二电极E2施加了与第一电极El不同的电位的电压的电压施加时)，在液晶层LQ形成横向电场(边缘电场)。该横向电场形成在从一个狭缝SL以最短距离朝向另一个狭缝SL的方位，即，形成在与狭缝SL的长轴L正交的方位。此时，液晶层LQ的液晶分子的取向状态以其长轴从摩擦研磨方向朝向与横向电场平行的方向的方式变化。这样，当该液晶分子的长轴的方位从摩擦研磨方向发生变化时，针对透过液晶层LQ的光的调制率发生变化。因此，从背光灯单兀BL射出的背光灯光透过光学兀件ODl和液晶层LQ等之后,该光的一部分透过光学元件0D2(白色画面显示)。[0055]通过在各像素PX中选择性地进行以上那样的黑色画面显示和白色画面显示，从而能在液晶显示面板LPN显示所希望的图像。[0056]在像以上那样构成的阵列基板AR中，如图1所示，在第一电极El的上侧(对置基板CT侧)形成有构成像素PX的液晶层LQ以及液晶驱动部，在第一电极El的下侧(背光灯单元BL侧)形成有栅极线Y、源极线X等的驱动控制部以及布线部。根据这样的结构，能利用第一电极El将上侧的液晶层LQ等与下侧的栅极线Y等电隔离(屏蔽)。[0057]此处，在本实施方式I的阵列基板AR中，如图3所示，对开关元件W的漏极电极WD和第二电极E2进行电连接的连接部27配置在挖通栅极线Y而设置的回避区域(规定区域)28内。根据这样的结构，能提高像素PX的开口率，进而能提高液晶显示装置的显示质量(亮度)。接着，比较本实施方式I的阵列基板AR和与其关联的阵列基板(以下，称为“关联阵列基板”)，对该结构的效果进行说明。[0058]图4是概略性地示出具备关联阵列基板的液晶显示面板的结构的放大平面图。在该关联阵列基板中，连接部27设置在被相邻的两个栅极线Y和相邻的两个源极线X包围的矩形区域的内侧。试制具备这样的关联阵列基板的液晶显示装置并实际进行驱动，其结果是，在连接部27附近的区域，在黑画面显示时确认到光泄露(露白(white-out))。进行分析的结果是，可知由于连接部27(接触孔)的台阶差的原因，在连接部27附近的区域，不能可靠地进行第一取向膜ALl的摩擦研磨处理。[0059]因此，发明人想到了将连接部27配置在栅极线Y上的阵列基板。然而，根据这样的阵列基板的结构，虽然能减小难以进行摩擦研磨处理的区域，但是，依然存在抑制光泄漏的余地。[0060]因此，试制液晶显示装置，关于栅极线Y、对置基板CT以及第一电极El(其开口部AP1、AP2)的位置关系，评价了黑画面显示时的光泄漏(露白)。其结果是，可知由于来自栅极线Y的电场经由第二开口部AP2(连接部27的区域)和第一开口部APl波及到液晶层LQ的原因，产生了光泄漏(露白)。即，可知在连接部27附近(第二开口部AP2附近)的区域、开关元件W附近(第一开口部Pl附近)的区域，由第一电极El进行的电屏蔽不充分，在这些区域产生了光泄漏等。[0061]因此，发明人想到了上述的实施方式I的阵列基板AR的结构。S卩，想到了在挖通栅极线Y设置的回避区域28内配置连接部27的阵列基板AR。根据这样的阵列基板AR的结构，能扩大连接部27的区域(在此是第二开口部AP2)与栅极线Y的间隔。因此，能抑制从栅极线Y产生的电场从连接部27的区域(在此是第二开口部AP2)泄漏，S卩，能抑制经由该区域波及到液晶层LQ，能抑制连接部27附近的区域的光泄漏的产生。其结果是，由于能在像素PX中扩大有效的区域，所以，能提闻像素PX的开口率，进而能提闻液晶显不装置的显示质量(亮度)。[0062]另外，优选栅极线Y的回避区域28附近的端部被第一电极El覆盖。S卩，优选在平面视图(图3)中以不与栅极线Y重叠的方式设置第二开口部AP2。根据这样的结构，能可靠地抑制从栅极线Y产生的电场经由第二开口部AP2波及到液晶层LQ。因此，能可靠地抑制连接部27附近的区域的光泄漏的产生。[0063]同样地，优选在平面视图(图3)中，第一开口部APl设置在栅极线Y的线宽方向的两端部的内侧，由此，栅极线Y的该两端部被第一电极El覆盖。根据这样的结构，能减小第一开口部AP1，所以，能抑制从栅极线Y产生的电场经由第一开口部APl波及到液晶层LQ。因此，能抑制开关元件W附近的区域的光泄漏的产生。此外，还能在某种程度上得到设置第一开口部APl所带来的效果，S卩，得到减少由从第一电极El向沟道区域CHN的多余的电场产生的老化的效果。[0064]另外，作为第一开口部AP1，只要在第一电极El的与沟道区域CHN对置的所需最小限度的区域形成就足够了，但是，有时会由于制造时的掩模对齐等而使沟道区域CHN与第一开口部APl的位置关系偏离。因此，作为相应的余量，只要形成比沟道区域CHN的外形尺寸稍微大的尺寸的第一开口部API，就能有效减少老化。[0065]另一方面，在栅极线Y小且沟道区域CHN大的情况下，不能充分地屏蔽来自栅极线Y的电场。在这样的情况下，以沟道区域CHN整体被第一电极El覆盖的方式构成也可以。即，以除了连接部27以外在第一绝缘膜24整个面形成第一电极El的方式构成也可以。根据这样的结构，能可靠地抑制从栅极线Y产生的电场经由第一开口部APl波及到液晶层LQ。[0066]此外，在本实施方式I中，以具备沿着栅极线Y的延伸方向(在此是行方向H)进行摩擦研磨处理而形成的第一取向膜ALl的方式构成。根据这样的结构，能避开连接部27，进行第一取向膜ALl的摩擦研磨处理。因此，能可靠地减小难以进行摩擦研磨处理的区域，所以，能可靠地抑制连接部27附近的区域的光泄漏的产生。[0067]实际上，以图1以及图3所示的布局试制FFS模式的液晶显示装置，其结果是，能减小由摩擦研磨处理不良造成的不良显示区域(即，存在光泄漏的区域)。[0068]另外，在图3所示的例子中，回避区域28是呈矩形地挖通栅极线Y的线宽度方向的一端部分而形成的，但是并不限于此。例如，回避区域28可以是从栅极线Y的线宽度方向的两端挖通内侧的部分而形成的，此外，回避区域28的形状也可以是圆形等。[0069]此外，本发明在本发明的范围内能对实施方式适宜地进行变形、省略。[0070]附图标记说明:AR:阵列基板；CT:对置基板；W:开关元件；El:第一电极；E2:第二电极；Y:栅极线；WD:漏极电极；SL:狭缝；ALl:第一取向膜；APl:第一开口部；24:第一绝缘膜；26:第二绝缘膜；27:连接部；28:回避区域。【权利要求】1.一种显示装置中的开关元件的阵列基板，其特征在于，具备:第一电极，隔着第一绝缘膜形成在所述开关元件上；第二电极，隔着第二绝缘膜形成在所述第一电极上；以及连接部，以贯通所述第一绝缘膜、所述第一电极以及所述第二绝缘膜的方式设置，将所述开关元件的漏极电极与所述第二电极电连接，所述连接部配置在挖通与所述开关元件连接的栅极线而设置的预先决定的区域内。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极线的所述预先决定的区域附近的端部被所述第一电极覆盖。3.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，还具备:取向膜，形成在所述第二电极上，沿着所述栅极线延伸的延伸方向进行了摩擦研磨处理。4.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述开关元件沿着行方向以及列方向设置有多个，在所述第二电极上设置有长轴与所述行方向以及所述列方向的任意一个都不平行的狭缝。5.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，在所述第一电极的与所述开关元件上方对应的区域设置有开口部，所述开口部设置在所述栅极线的线宽度方向的两端部的内侧，由此，所述栅极线的该两端部被所述第一电极覆盖。6.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极除了所述连接部以外形成在所述第一绝缘膜整个面。7.—种显示装置，其特征在于，具备:权利要求1或2所述的阵列基板；以及对置基板，与所述阵列基板对置配置。【文档编号】G02F1/1368GK103869567SQ201310523328【公开日】2014年6月18日申请日期:2013年10月30日优先权日:2012年12月10日【发明者】外德仁,棚原学,岛村武志申请人:三菱电机株式会社