一种可调法拉第光旋转器的制作方法

文档序号:2804867阅读:221来源:国知局
专利名称:一种可调法拉第光旋转器的制作方法
技术领域
本实用新型涉及磁光器件领域,尤其涉及到一种可调法拉第光旋转器。
背景技术
法拉第效应是指当线偏振光在介质中传播时,若在平行于光的传播方向上加一磁场,则光振动方向将发生偏转,偏转角度Θ与磁感应强度B和光穿越介质的长度L的乘积成正比,BP Θ = VBL ;其中比例系数V称为维尔德常数,与介质性质及光波频率有关。法拉第光旋转器即时利用法拉第效应制成的器件。对于制备成的器件,要想实现其可调性,改变磁场是关键。

实用新型内容本实用新型提供一种可调法拉第光旋转器,结构简单,磁场调节范围大,能够实现法拉第光旋转器的有效调控。本实用新型所采取的技术方案为,一种可调法拉第光旋转器,包括左永磁体、右永磁体、磁光晶体、活动软磁体、固定软磁体、基座、螺栓,其中,活动软磁体安装在左永磁体的下面,固定软磁体安装在右永磁体的下面,磁光晶体安装在右永磁体上,螺栓固定在固定软磁体上,螺栓与活动软磁体通过螺纹相连接,固定软磁体安装在基座上。本实用新型结构简单,通过左永磁体和右永磁体之间的空隙进行磁场的调节,磁场调节范围大,能够实现法拉第光旋转器的有效调控。`
图1为本实用新型的结构示意图。图中:1左永磁体、2右永磁体、3磁光晶体、4活动软磁体、5固定软磁体、6基座、7螺栓。
具体实施方式
以下结合附图实施例对本实用新型作进一步详细描述。图1为本实用新型的结构示意图,左永磁体1、右永磁体2、磁光晶体3、活动软磁体
4、固定软磁体5、基座6、螺栓7,其中,活动软磁体4安装在左永磁体I的下面,固定软磁体5安装在右永磁体2的下面,磁光晶体3安装在右永磁体2上,螺栓7固定在固定软磁体5上,螺栓7与活动软磁体4通过螺纹相连接,固定软磁体5安装在基座上。本实用新型结构简单,通过左永磁体I和右永磁体2之间的空隙进行磁场的调节,磁场调节范围大,能够实现法拉第光旋转器的有效调控。
权利要求1.一种可调法拉第光旋转器,包括左永磁体、右永磁体、磁光晶体、活动软磁体、固定软磁体、基座、螺栓,其特征在于:所述的活动软磁体安装在左永磁体的下面,固定软磁体安装在右永磁体的下面,磁光晶体安装在右永磁体上,螺栓固定在固定软磁体上,螺栓与活动软磁体通过螺纹相连接,固 定软磁体安装在基座上。
专利摘要法拉第光旋转器即时利用法拉第效应制成的器件。对于制备成的器件,要想实现其可调性,改变磁场是关键。本实用新型提供一种可调法拉第光旋转器,包括左永磁体、右永磁体、磁光晶体、活动软磁体、固定软磁体、基座、螺栓,其中,活动软磁体安装在左永磁体的下面,固定软磁体安装在右永磁体的下面,磁光晶体安装在右永磁体上,螺栓固定在固定软磁体上,螺栓与活动软磁体通过螺纹相连接,固定软磁体安装在基座上。本实用新型结构简单,通过左永磁体和右永磁体之间的空隙进行磁场的调节,磁场调节范围大,能够实现法拉第光旋转器的有效调控。
文档编号G02F1/09GK203149241SQ20132008292
公开日2013年8月21日 申请日期2013年2月22日 优先权日2013年2月22日
发明者胡雨航 申请人:胡雨航
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