显示面板的制作方法

显示面板的制作方法
【专利摘要】本发明公开一种显示面板，其具有显示区以及非显示区，显示面板包括主动阵列基板以及相对于主动阵列基板配置的对向基板。主动阵列基板包括基板、像素阵列以及驱动电路。像素阵列与驱动电路配置在基板上，像素阵列位于显示区中，且驱动电路位于非显示区中。驱动电路包括第一透光电极层、第二透光电极层以及介电层。介电层位于第一透光电极层与第二透光电极层之间，其中，第一透光电极层与第二透光电极层彼此电性耦合，以形成至少一透光电容器。
【专利说明】显示面板
【技术领域】
[0001]本发明是有关于一种显示面板，且特别是有关于一种具有驱动电路结构的显示面板。
【背景技术】
[0002]近年来，随着科技的进步与半导体产业的日益发达，使用者对于数位产品的需求亦日渐提升，在数位产品中扮演重要角色的显示荧幕因此成为研发者关注的焦点，其中又以液晶显示面板(liquid crystal display panel, LCD panel)为显示突幕的主流。
[0003]一般而言，液晶显示面板是将元件基板与对向基板通过密封胶组立在一起，并在元件基板与对向基板之间注入液晶层。元件基板可以是主动式阵列基板(active arraysubstrate)或是被动式阵列基板，而对向基板可以是一般的空白基板或是配置有电极膜或彩色滤光层的基板。液晶显示面板包括显示区与非显示区。其中，会将液晶显示面板中用以显示影像的元件(例如是像素阵列与显示介质)配置于显示区，且为了窄边框，已发展出将驱动显示面板的栅极驱动电路(gate driver on array, GOA)结构配置于显示面板的非显示区的技术。
[0004]在GOA的设计中，GOA的元件经常会设置在显示面板的密封胶之处。为了顺利光固化密封胶，一般需在密封胶所在之处设置足够的透光区。然而，位于密封胶所在之处的GOA因使用不透光的金属做设计使得GOA元件无法设计得太密集，进而导致显示面板的窄边框目的无法实现。

【发明内容】

[0005]本发明的目的在于提供一种显示面板，可以改善GOA的元件使设计得较密集，进而使显示面板具有较佳的窄边框。
[0006]为了达到上述目的，本发明提供一种显示面板，其具有显示区以及非显示区。显示面板包括主动阵列基板以及相对于主动阵列基板配置的对向基板。主动阵列基板包括基板、像素阵列以及驱动电路，像素阵列与驱动电路配置在基板上，像素阵列位于显示区中，且驱动电路位于非显示区中。驱动电路包括第一透光电极层、第二透光电极层以及介电层，介电层位于第一透光电极层与第二透光电极层之间，其中，第一透光电极层与第二透光电极层彼此电性耦合以形成至少一透光电容器。
[0007]本发明还提供一种显示面板，其具有显示区以及非显示区。显示面板包括主动阵列基板、对向基板以及密封胶。主动阵列基板包括基板、像素阵列以及驱动电路。驱动电路包括至少一透光电容器。其中，对向基板相对于主动阵列基板配置，密封胶覆盖至少一透光电容器的至少一部分，像素阵列与驱动电路配置在基板上，其中，像素阵列位于显示区中，驱动电路位于非显示区中。
[0008]基于上述，本发明的显示面板的驱动电路包括第一透光电极层、第二透光电极层以及介电层所构成的透光电容器。由于透光电容器可增加密封胶固化程序所需的透光率，因而可使显示面板的驱动电路集中设计在密封胶内，进而缩小显示面板的边框。
[0009]为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。
[0010]图式简单说明
[0011]图I是根据本发明的实施例的显示面板的上视示意图。
[0012]图2是沿图I的显示面板的线1-1’所绘示的本发明的第一实施例的局部剖面图。
[0013]图3A至图3E是根据本发明的第一实施例的显示面板的制作工艺示意图。
[0014]图4是沿图I的显示面板的线1-1’所绘示的本发明的第二实施例的局部剖面图。
[0015]图5A至图是根据本发明的第二实施例的显示面板的制作工艺示意图。
[0016]图6是沿图I的显示面板的线1-1’所绘示的本发明的第三实施例的局部剖面图。
[0017]图7A至图7E是根据本发明的第三实施例的显示面板的制作工艺示意图。
[0018]图8是沿图I的显示面板的线1-1’所绘示的本发明的第四实施例的局部剖面图。
[0019]图9是沿图I的显示面板的线1-1’ 所绘示的本发明的第五实施例的局部剖面图。
[0020]图10是沿图I的显示面板的线1-1’所绘示的本发明的第六实施例的局部剖面图。
[0021]图11是沿图I的显示面板的线1-1’所绘示的本发明的第七实施例的局部剖面图。
[0022]图12是沿图I的显示面板的线1-1’所绘示的本发明的第八实施例的局部剖面图。
[0023]图13是根据本发明一实施例的栅极驱动电路的等效电路示意图。
[0024]符号说明
[0025]100、200、300、400、500、600、700、800 :显示面板
[0026]110 :主动(有源）阵列基板
[0027]1102、1104 :第一导电元件、第二导电元件
[0028]112:基板
[0029]114:像素阵列
[0030]120 :对向基板
[0031]130 :密封胶
[0032]140 :显示介质
[0033]C、C1、C2、C3 :透光电容器
[0034]CH :通道层
[0035]CK1、CK2、GV、0UT1、0UT2、R、S :端子
[0036]com:共用电极
[0037]D :漏极
[0038]DC:驱动电路
[0039]El、E2 :第一透光电极层、第二透光电极层
[0040]G :栅极
[0041]GI :栅极绝缘层
[0042]Ι-I' :线
[0043]IL:介电层
[0044]L1、L2:导线
[0045]P:像素电极[0046]PL:绝缘层
[0047]150、160:保护层
[0048]Rl:显示区
[0049]R2:非显示区
[0050]S:源极
[0051]S1:密封胶区
[0052]ST:配向狭缝
[0053]TFT、M1_M13:薄膜晶体管
[0054]W、W，、W，，:开口
[0055]W1、W1，、W1”:第一开口
[0056]W2、W2，、W2”:第二开口
[0057]W3:接触开口
【具体实施方式】
[0058]图1是根据本发明的实施例的显示面板的示意图。请参照图1，在本实施例中，显示面板具有显示区Rl以及非显示区R2,其中非显示区R2包括密封胶区SI。显示面板在显示区Rl显示影像，因此显示面板中用以显示影像的元件(例如是像素阵列与显示介质)会配置于显示区Rl。相对地，非显示区R2不显示影像，故通常会将驱动电路配置于非显示区R2，以避免影响显示面板的外观。在本实施例中，显示区Rl为一矩形区域，而非显示区R2为一环绕并邻接显示区Rl的口字形区域。在本发明的其他实施例中，显示区Rl的形状亦可为圆形、椭圆形、多边形或其他形状，而非显示区R2的形状亦可搭配显示区Rl的形状而做适当的更动，本发明不限于此。此外，本实施例的显示面板例如是使用非晶硅(amorphoussilicon)、氧化物半导体(oxide semiconductor)或低温多晶娃(low-temperaturepolysilicon, LTPS)作为薄膜晶体管内的主动层的液晶显示(liquid crystal display,LCD)面板或有机发光二极管(organic light emitting diode,0LED)面板,但本发明不限制显示面板的种类。
[0059]第一实施例
[0060]图2是沿图1的显示面板的线1-1’所绘示的本发明的第一实施例的局部剖面图。请参照图1与图2，在本实施例中，显示面板100包括主动阵列基板110、对向基板120、密封胶130以及显示介质140。对向基板120相对于主动阵列基板110配置。主动阵列基板110包括基板112以及配置在基板112上的像素阵列114与驱动电路DC。基板112可为硬质基板或可挠性基板，而其材质可为玻璃、石英、有机聚合物或是其它适合的材料。像素阵列114位于显示区Rl中，而驱动电路DC位于非显示区R2中。像素阵列114包括薄膜晶体管(thin film transistor,TFT)阵列以及与薄膜晶体管阵列电性连接的像素电极P,其中，为方便说明，薄膜晶体管阵列114仅绘示一个薄膜晶体管TFT为例，但实际上薄膜晶体管阵列包括未绘示于图2的多个薄膜晶体管TFT。下文将对像素阵列114作更详细的说明。
[0061]驱动电路DC例如是显示面板100的栅极驱动电路(gate driver on array, GOA)或位移暂存器(shift register)，但本发明不限于此。具体而言，在本实施例中，驱动电路DC包括第一导电兀件1102、第二导电兀件1104、绝缘层PL、第一透光电极层E1、第二透光电极层E2、介电层IL、保护层150以及保护层160。
[0062]第一导电元件1102与第二导电元件1104可以是薄膜晶体管、导线或其组合。同样地，在第一导电元件1102或第二导电元件1104是薄膜晶体管的情况下，其包括栅极、通道层、源极以及漏极。
[0063]绝缘层PL的材质可以是无机材料，例如氧化硅（Si02)、氮化硅（SiN)、氮氧化硅(SiON)或其组合；或有机材料，例如聚酯类（PET)、聚烯类、聚丙酰类、聚碳酸酯类、聚环氧烷类、聚苯烯类、聚醚类、聚酮类、聚醇类、聚醛类或其组合。绝缘层PL的厚度可以根据实际所需而调整。举例来说，若绝缘层PL的材质为无机材料的情况下，绝缘层PL的厚度约为400纳米至1000纳米；而若绝缘层PL的材质为有机材料的情况下，其厚度约为800纳米至4500纳米。
[0064]第一透光电极层El与/或第二透光电极层E2与/或第三透光电极层E3的材质例如是透明导电材料，举例而言，铟锡氧化物、铟锌氧化物（indium zinc oxide, IZO)、招锡氧化物（aluminum tin oxide, ΑΤΟ)、招锋氧化物（aluminum zinc oxide, AZO)、铟错锋氧化物（indium gallium zinc oxide, IGZ0)、或其它合适的氧化物、或是上述至少二者的堆迭层，但本发明不限于此。
[0065]介电层IL、保护层150以及保护层160的材质例如是无机介电材料，举例而言，氮化硅（SiNx)、二氧化硅（Si02)或其他适合的材料。
[0066]在本实施例中，保护层150位于第一导电元件1102与第二导电元件1104上，绝缘层PL位于保护层150上，且保护层160位于绝缘层PL上。介电层IL位于保护层160上且位于第一透光电极层El与第二透光电极层E2之间。更详细地说，绝缘层PL中形成有开口W’、W1’、W2’，保护层160与介电层IL填入上述开口 W’、W1’、W2’，且介电层IL、保护层150与保护层160共同具有开口 W、第一开口 W1、第二开口 W2，此外，介电层IL还具有接触开口W3，其中，第一开口 Wl与第二开口 W2分别暴露出第一导电元件1102与第二导电元件1104。具体而言，第一透光电极层El通过接触开口 W3、第三透光电极层E3以及第一开口 Wl而与第一导电元件1102电性连接，第二透光电极层E2通过第二开口 W2而与第二导电元件1104电性连接。
[0067]值得一提的是，在本实施例中，先使用一道光掩模对绝缘层PL进行图案化程序以形成开口 r、第一开口 Wl ’、第二开口 W2’，再使用另一个光掩模对介电层IL、保护层150与保护层160进行光刻制作工艺与对应的蚀刻程序以形成开口 W、第一开口 W1、第二开口 W2以及接触开口 W3。然本发明不限于此，在其他实施例中，亦可使用一道光掩模或两道以上光掩模对绝缘层PL与介电层IL、保护层150以及保护层160进行光刻制作工艺与对应的蚀刻程序。此外，本发明亦不限定第一透光电极层El与第一导电兀件1102的电性连接方式,其电性连接方式可视制作工艺的光掩模数及设计而改变。下文将参照图式，以介电层IL、保护层150、160采用一道光掩模制作为例，更详细地说明制作工艺的步骤。
[0068]在本实施例中，第一透光电极层El与第二透光电极层E2彼此电性稱合,第一透光电极层E1、第二透光电极层E2以及作为介电层的介电层IL可于绝缘层PL上形成透光电容器C。如图2所示，本实施例的驱动电路DC具有一透光电容器C，然本发明不限于此，可视需要调整驱动电路DC的透光电容器C数量。当驱动电路DC为位移暂存器或栅极驱动电路时，透光电容器C可位于位移暂存器（shift register)或是栅极驱动器（gate driver)中。
[0069]由于介电层IL的厚度较薄，因此在电容值不变的情况下可以减少电容器C所占的面积。此外，绝缘层PL如上述具有一定的厚度，故可减少透光电容器C与第一导电元件1102以及第二导电元件1104之间的耦合现象，从而可以将透光电容器C通过绝缘层PL的隔绝而重迭配置于第一导电元件1102或第二导电元件1104上，亦可以使透光电容器C与第一导电元件1102或第二导电元件1104紧密排列，藉此缩小透光电容器C与第一导电元件1102以及第二导电元件1104之间的水平距离。基于上述，相较于将驱动电路DC的电容器C配置于第一导电元件1102与第二导电元件1104旁的显示面板，根据本实施例的显示面板100可具有较窄的边框。
[0070]值得一提的是，在非显示区R2中的第一透光电极层El与第二透光电极层E2之间的电压差为-40至+40伏特，较一般显示区Rl中的操作电压大，这使得在有水汽与通高电压的情况(高温高湿)下操作显示面板100时，绝缘层PL若采用有机材料容易吸湿而导致与其接触的透光电容器C发生变质，进而造成GOA的驱动问题。为了避免上述问题，在绝缘层PL与第一透光电极层El之间配置有保护层160，以作为阻挡水汽进入第一透光电极层El的阻隔层。保护层160与保护层150皆具有第一开口 Wl以及第二开口 W2，分别暴露出第一导电兀件1102与第二导电兀件1104。
[0071]在本实施例中，如图2所示，对向基板120位于主动阵列基板110的对向。对向基板120可为玻璃基板、配置有电极膜的基板或是配置有彩色滤光阵列的基板。密封胶130位于主动阵列基板110与对向基板120之间的非显示区R2中，以将主动阵列基板110与对向基板120组立在一起。请再参照图1，非显示区R2中的密封胶区SI环绕着显示区Rl，密封胶130位于密封胶区SI内。更明确地说，密封胶130位在主动阵列基板110与对向基板120之间且覆盖主动阵列基板110的驱动电路DC的至少一部分，亦即，如图2所示，密封胶130可覆盖透光电容器C的一部分，然本发明不限于此。密封胶130可以是光固化型胶材，然本发明不限于此。值得一提的是，当密封胶130采用光固化型胶材时，需要在密封胶130所在之处设置足够的透光区以进行固化程序，而由于本实施例的透光电容器C可增加密封胶130固化所需的透光率，即使密封胶130与透光电容器C完全重迭仍可保证具有足够的透光区，故相较于采用不透光电容器的显示面板，本实施例的显示面板100可将包括透光电容器C的驱动电路DC集中设计在密封胶130内，进而缩小显示面板100的边框。
[0072]显示介质140位于主动阵列基板110、对向基板120以及密封胶130之间。更进一步地说，在主动阵列基板110与对向基板120通过密封胶130而组立在一起之后，主动阵列基板110、对向基板120以及密封胶130之间形成一容置空间，而显示介质140便配置于此容置空间内，并且对应于位在显示区Rl的像素阵列114。显示介质140例如是液晶层(liquid crystal layer)或有机发光二极管(OLED)材料,但本发明不限于此。
[0073]在上述实施例中，是通过设置保护层160的方式来防止水汽对透光电容器C造成影响，但本发明不限于此，在其他的实施例中，亦可通过改善制作工艺或材料的方式，在不需要保护层160的情况下来达到阻挡水汽的效果。举例而言，通过降低绝缘层PL或密封胶130的透湿性、将绝缘层PL挖沟槽填入密封胶来隔绝水汽或是改善介电层IL的致密性等等方式达成。接下来，将参照图式更详细地说明本实施例的显示面板100的制作工艺步骤。
[0074]图3A至图3E是根据本发明的第一实施例的显示面板的制作工艺示意图。为了清楚说明本实施例的显示面板100的制作工艺，图3A至图3E仅绘示显示面板100的非显示区R2中的元件，并省略显示区Rl中的元件。首先，请参照图3A，于基板112上形成第一导电元件1102、第二导电元件1104，接着在基板112上形成保护层150，以覆盖第一导电元件1102、第二导电元件1104。随后，形成绝缘层PL并且使用一道光掩模以在绝缘层PL中形成第一开口 W1’以及第二开口 W2’。
[0075]接着，如图3B所示，于绝缘层PL上形成保护层160。如图3C所示，在保护层160上依序形成第一透光电极层El以及介电层IL，第一透光电极层El可利用光掩模对透光电极层(未绘示)进行光刻以及蚀刻制作工艺后而形成。接着，请参照图3D，使用一道光掩模对介电层IL、保护层160以及保护层150进行光刻以及蚀刻制作工艺，并以第一透光电极层E1、第一导电元件1102与第二导电元件1104作为蚀刻终止层，从而于介电层IL、保护层150与保护层160中形成第一开口 W1、第二开口 W2，并于介电层IL中形成接触开口 W3。
[0076]最后，请参照图3E，于介电层IL上形成第二透光电极层E2以及第三透光电极层E3，第二透光电极层E2以及第三透光电极层E3可经由图案化同一层透光电极层而形成。其中，第一透光电极层El、第二透光电极层E2以及介电层IL可于绝缘层PL上形成透光电容器C，第一透光电极层El通过接触开口 W3、第三透光电极层E3以及第一开口 Wl而与第一导电元件1102电性连接，从而完成本实施例的显示面板100的主动阵列基板110的制作。
[0077]第二实施例
[0078]图4是沿图1的显示面板的线1-1’所绘示的本发明的第二实施例的局部剖面图。第二实施例与上述第一实施例相似，因此相同或相似的元件以相同或相似的符号表示，且不再重复说明。显示面板200与显示面板100的主要差异在于,显示面板200的绝缘层PL与第一透光电极层El之间不具有保护层160。值得一提的是，在本实施例中，先使用一道光掩模对绝缘层PL进行图案化程序以形成开口 W’、Wl’、W2’，再使用另一个光掩模对介电层IL与保护层150进行光刻制作工艺与对应的蚀刻程序以形成开口 W、第一开口 W1、第二开口 W2以及接触开口 W3。然本发明不限于此，在其他实施例中，亦可使用一道光掩模或两道以上光掩模对绝缘层PL与介电层IL、保护层150进行光刻制作工艺与对应的蚀刻程序。此外，本发明亦不限定第一透光电极层El与第一导电元件1102的电性连接方式，其电性连接方式可视制作工艺的光掩模数及设计而改变。下文将参照图式以介电层IL、保护层150采用一道光掩模制作为例，更详细地说明制作工艺的步骤。
[0079]根据本实施例的显示面板200可通过前述改善制作工艺或材料的方式，在不需要绝缘层PL与第一透光电极层El之间的保护层160的情况下，防止水汽造成透光电容器C的变质。如图3所示，密封胶130可覆盖透光电容器C的至少一部分，然本发明不限于此。同样地，由于本实施例的透光电容器C可增加密封胶130固化所需的透光率，即使密封胶130与透光电容器C完全重迭仍可保证具有足够的透光区，故本实施例的显示面板200可将包括透光电容器C的驱动电路DC集中设计在密封胶130内，进而缩小显示面板200的边框。接下来，将参照图式更详细地说明本实施例的显示面板200的制作工艺步骤。
[0080]图5A至图是根据本发明的第二实施例的显示面板的制作工艺示意图。为了清楚说明本实施例的显示面板200的制作工艺，图5A至图仅绘示显示面板200的非显示区R2中的元件，并省略显示区Rl中的元件。首先，请参照图5A，于基板112上形成第一导电元件1102、第二导电元件1104，接着在基板112上形成保护层150，以覆盖第一导电元件1102以及第二导电元件1104。随后，形成绝缘层PL并且使用一道光掩模以在绝缘层PL中形成第一开口 W1’以及第二开口 W2’。
[0081]接着，如图5B所示，于绝缘层PL上依序形成第一透光电极层El以及介电层IL。接着，请参照图5C，使用一道光掩模对介电层IL以及保护层150进行光刻以及蚀刻制作工艺，并以第一透光电极层E1、第一导电元件1102与第二导电元件1104作为蚀刻终止层，从而于介电层IL与保护层150中形成第一开口 W1、第二开口 W2，并于介电层IL中形成接触开口 W3。
[0082]最后，请参照图5D,于介电层IL上形成第二透光电极层E2与第三透光电极层E3。其中，第一透光电极层E1、第二透光电极层E2以及介电层IL可于绝缘层PL上形成透光电容器C，第一透光电极层El通过接触开口 W3、第三透光电极层E3以及第一开口 Wl而与第一导电元件1102电性连接，从而完成本实施例的显示面板200的主动阵列基板110的制作。
[0083]第三实施例
[0084]图6是沿图1的显示面板的线1-1’所绘示的本发明的第三实施例的局部剖面图。第三实施例与上述第一实施例相似，因此相同或相似的元件以相同或相似的符号表示，且不再重复说明。显示面板300与显示面板100的主要差异在于，显示面板300的第一导电元件1102与第二导电元件1104上不具有保护层150，亦即，绝缘层PL直接位于第一导电元件1102与第二导电元件1104上。同样地，介电层IL与保护层160共同具有第一开口 W1、第二开口 W2，此外，介电层IL还具有接触开口 W3，其中，第一开口 Wl与第二开口 W2分别暴露出第一导电兀件1102与第二导电兀件1104。具体而言,第一透光电极层El通过接触开口 W3、第三透光电极层E3以及第一开口 Wl而与第一导电元件1102电性连接，第二透光电极层E2通过第二开口 W2而与第二导电元件1104电性连接。类似地，在本实施例中，先使用一道光掩模对绝缘层PL进行图案化程序以形成开口 W’、第一开口 W1’以及第二开口 W2’，再使用另一道光掩模对介电层IL与保护层160进行光刻制作工艺与对应的蚀刻程序以形成开口 W、第一开口 W1、第二开口 W2以及接触开口 W3。然本发明不限于此，在其他实施例中，亦可使用一道光掩模或两道以上光掩模对绝缘层PL与介电层IL以及保护层160进行光刻制作工艺与对应的蚀刻程序。此外，本发明亦不限定第一透光电极层El与第一导电兀件1102的电性连接方式，其电性连接方式可视制作工艺的设计而改变。下文将参照图式更详细地说明制作工艺的步骤。
[0085]如图6所示，密封胶130可覆盖透光电容器C的一部分，然本发明不限于此。同样地，由于本实施例的透光电容器C可增加密封胶130固化所需的透光率，即使密封胶130与透光电容器C完全重迭仍可保证具有足够的透光区，故本实施例的显示面板300可将包括透光电容器C的驱动电路DC集中设计在密封胶130内，进而缩小显示面板300的边框。接下来，将参照图式以介电层IL、保护层160采用一道光掩模制作为例，更详细地说明本实施例的显示面板300的制作工艺步骤。
[0086]图7A至图7E是根据本发明的第三实施例的显示面板的制作工艺示意图。为了清楚说明本实施例的显示面板300的制作工艺，图7A至图7E仅绘示显示面板300的非显示区R2中的元件，并省略显示区Rl中的元件。首先，请参照图7A，于基板112上形成第一导电元件1102以及第二导电元件1104，接着在基板112上形成绝缘层PL以覆盖第一导电元件1102、第二导电元件1104，使用一道光掩模以在绝缘层PL中形成第一开口 W1’以及第二开口 W2，。
[0087]接着，如图7B所示，于绝缘层PL上形成保护层160。如图7C所示，在保护层160上依序形成第一透光电极层El以及介电层IL。接着，请参照图7D，使用一道光掩模对介电层IL以及保护层160进行光刻以及蚀刻制作工艺，并以第一透光电极层E1、第一导电元件1102与第二导电元件1104作为蚀刻终止层，从而于介电层IL与保护层160中形成第一开口 W1、第二开口 W2，并于介电层IL中形成接触开口 W3。
[0088]最后，请参照图7E,于介电层IL上形成第二透光电极层E2与第三透光电极层E3。其中，第一透光电极层E1、第二透光电极层E2以及介电层IL可于绝缘层PL上形成透光电容器C，第一透光电极层El通过接触开口 W3、第三透光电极层E3以及第一开口 Wl而与第一导电元件1102电性连接，从而完成本实施例的显示面板300的主动阵列基板110的制作。
[0089]第四实施例
[0090]图8是沿图1的显示面板的线1-1’所绘示的本发明的第四实施例的局部剖面图。在图8的实施例中，显示面板中的薄膜晶体管将以非晶硅薄膜晶体管为例来说明，但本发明不限于此。在此，与上述图2的实施例相同或相似的元件以相同或相似的符号表示，且不再重复说明。在本实施例中，非显示区R2的导电元件例示为导线L1、L2，导线L1、L2例如可接收时脉信号、栅极驱动信号、下拉信号等。其中，透光电容器C的第一透光电极层El通过接触开口 W3、第三透光电极层E3以及第一开口 Wl而与导线L2电性连接，第二透光电极层E2通过第二开口 W2而与导线LI电性连接。显示面板400与显示面板100的主要差异在于显示区Rl的像素阵列114与透光电容器C以及导线L1、L2之间的相对配置关系。下文将以显示面板400作为边际场切换式(fringe field switching, FFS)液晶显示面板来作说明。
[0091]图8仅绘示一个薄膜晶体管TFT与一个像素电极P，但实际上像素阵列114包括未绘示出的多个薄膜晶体管TFT与多个像素电极P。薄膜晶体管TFT包括栅极G、源极S、通道层CH以及漏极D，其中，栅极G与源极S以及漏极D之间具有栅极绝缘层GI，而栅极绝缘层GI与源极S以及漏极D之间具有通道层CH。如图8所示，栅极G为第一金属层(未标示)图案化而成，而源极S以及漏极D为第二金属层(未标示)图案化而成，其中，导线L1、L2与源极S、漏极D于同一道制作工艺中形成而同样为第二金属层(未标示)图案化而成，然本发明不限于此。在本实施例中，保护层150覆盖导线L1、L2以及源极S与漏极D。作为边际场切换式(FFS)液晶显示面板，显示面板400的像素阵列114包括多个像素电极P与共用电极com。
[0092]在本实施例中，每个像素电极P具有多个配向狭缝ST，且本发明不限定配向狭缝ST的形状，其例如是直条形或V形。如图8所示，共用电极com与透光电容器C的第一透光电极层El于同一道制作工艺中形成而位于相同的膜层，且其所处膜层与绝缘层PL之间配置有保护层160。像素电极P与第二透光电极层E2于同一道制作工艺中形成而位于相同的膜层，且像素电极P与共用电极com之间配置有介电层IL而彼此电性绝缘。像素电极P与薄膜晶体管TFT通过开口 W电性连接，然本发明不限于此。
[0093]如图8所示，密封胶130可覆盖透光电容器C的一部分，然本发明不限于此。同样地，由于本实施例的透光电容器C可增加密封胶130固化所需的透光率，即使密封胶130与透光电容器C完全重迭仍可保证具有足够的透光区，故本实施例的显示面板400可将包括透光电容器C的驱动电路DC集中设计在密封胶130内，进而缩小显示面板400的边框。
[0094]第五实施例
[0095]图9是沿图1的显示面板的线1-1’所绘示的本发明的第五实施例的局部剖面图。在图9的实施例中，显示面板中的薄膜晶体管将以非晶硅薄膜晶体管为例来说明，但本发明不限于此。在此，与上述图4的实施例相同或相似的元件以相同或相似的符号表示，且不再重复说明。下文将以显示面板500作为边际场切换式液晶显示面板来作说明。在本实施例中，非显示区R2的导电元件例示为导线L1、L2，导线L1、L2例如可接收时脉信号、栅极驱动信号或下拉信号等。其中，透光电容器C的第一透光电极层El通过接触开口 W3、第三透光电极层E3以及第一开口 Wl而与导线L2电性连接，第二透光电极层E2通过第二开口 W2而与导线LI电性连接。显示面板500与显示面板200的主要差异在于显示区Rl的像素阵列114与透光电容器C以及导线L1、L2之间的相对配置关系。下文将以显示面板500作为边际场切换式液晶显示面板来作说明。
[0096]同样地，图9仅绘示一个薄膜晶体管TFT与一个像素电极P，但实际上像素阵列114包括未绘示出的多个薄膜晶体管TFT与多个像素电极P。薄膜晶体管TFT包括栅极G、源极S、通道层CH以及漏极D，其中，栅极G与源极S以及漏极D之间具有栅极绝缘层GI，而栅极绝缘层GI与源极S以及漏极D之间具有通道层CH。如图6所示，栅极G位于第一金属层，而源极S以及漏极D位于第二金属层，其中，导线L1、L2与源极S、漏极D于同一道制作工艺中形成而同样位于第二金属层，然本发明不限于此。在本实施例中，保护层150覆盖导线L1、L2以及源极S与漏极D。作为边际场切换式液晶显示面板，显示面板500的像素阵列114包括多个像素电极P与共用电极com。
[0097]在本实施例中，每个像素电极P具有多个配向狭缝ST，且本发明不限定配向狭缝ST的形状，其可以例如是直条形或V形。如图9所示，共用电极com与透光电容器C的第一透光电极层El于同一道制作工艺中形成而位于相同膜层，且其所处膜层直接位于绝缘层PL上；像素电极P、第三透光电极层E3与第二透光电极层E2于同一道制作工艺中形成而位于相同的膜层，且像素电极P与共用电极com之间配置有介电层IL而彼此电性绝缘。像素电极P与薄膜晶体管TFT通过开口 W电性连接，然本发明不限于此。
[0098]如图9所示，密封胶130可覆盖透光电容器C的一部分，然本发明不限于此。同图4的显示面板200，显示面板500亦可在绝缘层PL与第一透光电极层El之间不具有保护层160的情况下,通过前述改善制作工艺或材料的方式，防止水汽造成透光电容器C的变质。同样地，由于本实施例的透光电容器C可增加密封胶130固化所需的透光率，即使密封胶130与透光电容器C完全重迭仍可保证具有足够的透光区，故本实施例的显示面板500可将包括透光电容器C的驱动电路DC集中设计在密封胶130内，进而缩小显示面板500的边框。
[0099]第六实施例
[0100]图10是沿图1的显示面板的线1-1’所绘示的本发明的第六实施例的局部剖面图。图10的实施例与上述图2的实施例相似，因此相同或相似的元件以相同或相似的符号表示，且不再重复说明。显示面板600与显示面板100的主要差异在于制作工艺中所使用的光掩模数。相对于第一实施例而言，在本实施例中，对绝缘层PL与介电层IL、保护层150以及保护层160使用同一道光掩模来进行光刻制作工艺并搭配对应的蚀刻程序，以同时形成开口 W”、第一开口 W1”、第二开口 W2”与接触开口 W3。因此，本实施例相较于图2的实施例可以节省一道光掩模数。此外，本发明亦不限定第一透光电极层El与第一导电兀件1102的电性连接方式，其电性连接方式可视制作工艺的设计而改变。
[0101]第七实施例
[0102]图11是沿图I的显示面板的线1-1’所绘示的本发明的第七实施例的局部剖面图。图11的实施例与上述图4的实施例相似，因此相同或相似的元件以相同或相似的符号表示，且不再重复说明。显示面板700与显示面板200的主要差异在于制作工艺中所使用的光掩模数。相对于第二实施例而言，在本实施例中，对绝缘层PL与介电层IL、保护层150使用同一道光掩模来进行光刻制作工艺并搭配对应的蚀刻程序，以同时形成开口 W”、第一开口 W1”、第二开口 W2”与接触开口 W3。因此，本实施例相较于图4的实施例可以节省一道光掩模数。此外，本发明亦不限定第一透光电极层El与第一导电元件1102的电性连接方式，其电性连接方式可视制作工艺的设计而改变。
[0103]第八实施例
[0104]图12是沿图I的显示面板的线1-1’所绘示的本发明的第八实施例的局部剖面图。图12的实施例与上述图6的实施例相似，因此相同或相似的元件以相同或相似的符号表示，且不再重复说明。显示面板800与显示面板300的主要差异在于制作工艺中所使用的光掩模的道数。相对于第三实施例而言，在本实施例中，对绝缘层PL与介电层IL、保护层160使用同一道光掩模来进行光刻制作工艺并搭配对应的蚀刻程序，以同时形成开口 W”、第一开口 W1”、第二开口 W2”与接触开口 W3。因此，本实施例相较于图6的实施例可以节省一道光掩模数。此外，本发明亦不限定第一透光电极层El与第一导电元件1102的电性连接方式，其电性连接方式可视制作工艺的设计而改变。
[0105]图13是根据本发明一实施例的栅极驱动电路的等效电路示意图。本实施例为第一实施例至第八实施例中任一者的栅极驱动电路结构的应用。在本实施例中，透光电容器Cl、C2、C3可以是第一实施例至第八实施例中任一个透光电容器C,且电容器的电极层可各自电性连接至栅极驱动电路的端子CK1、CK2、GV、0UT1、0UT2、R、S或薄膜晶体管M1-M13中的栅极、源极或漏极。在本实施例中，薄膜晶体管M1-M13可以是本领域具有通常知识者所已知的薄膜晶体管。应注意，本实施例仅以透光电容器的应用为例作说明，然栅极驱动电路中的薄膜晶体管的数目与透光电容器的数目可视驱动电路设计方式的不同而改变，本发明并不限定于此。此外，本发明的第一至第八实施例中的透光电容器C亦可应用于源极驱动电路中，即本发明的第一至第八实施例中的驱动电路DC架构可视需求做适当变更后应用为源极驱动电路。
[0106]以上各实施例的第一透光电极层E1、第二透光电极层E2以及/或第三透光电极层E3的材料例如是铟锡氧化物、铟锌氧化物（indium zinc oxide, ΙΖ0)、招锡氧化物(aluminum tin oxide, ΑΤΟ)、招锋氧化物(aluminum zinc oxide, AZO)、铟错锋氧化物(indium gallium zinc oxide, IGZ0)、或其它合适的氧化物、或是上述至少二者的堆迭层等透明导电材料，但亦可以使用较薄的金属导电材料或其合金或其迭层构成的透明或半透明膜层，只要其透光能力足够使密封胶130成功地被光固化均属本发明的范畴。
[0107]综上所述，本发明的显示面板的驱动电路包括第一透光电极层、第二透光电极层以及介电层所构成的透光电容器。由于透光电容器可增加密封胶固化程序所需的透光面积，进而缩小显示面板的边框。再者，本发明的显示面板将透光电容器通过绝缘层的隔绝而重迭配置于导电元件上或紧密排列于导电元件间，藉以缩小透光电容器与导电元件之间的水平距离而达到窄边框的效果，如此可进一步缩小应用显示面板的电子装置的边框及尺寸，提高电子装置的附加价值。
[0108]虽然结合以上具体实施例揭露了本发明，然而其并非用以限定本发明，任何所属【技术领域】中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，故本发明的保护范围应以附上的权利要求所界定的为准。
【权利要求】
1.一种显示面板，其具有显示区以及非显示区，该显示面板包括： 主动阵列基板，包括： 基板；以及 像素阵列以及驱动电路，配置在该基板上，该像素阵列位于该显示区中，且该驱动电路位于该非显示区中，其中该驱动电路包括： 第一透光电极层； 第二透光电极层；以及 介电层，位于该第一透光电极层与该第二透光电极层之间，其中该第一透光电极层与该第二透光电极层彼此电性耦合，以形成至少一透光电容器；以及 对向基板，相对于该主动阵列基板配置。
2.如权利要求1所述的显示面板，该驱动电路还包括： 第一导电元件以及第二导电元件，该第一导电元件或该第二导电元件为一薄膜晶体管、一导线或是其组合；以及 绝缘层，覆盖该第一导电元件以及该第二导电元件，其中该至少一透光电容器位于该绝缘层上。
3.如权利要求2所述的显示面板，其中： 该绝缘层具有第一开口以及第二开口，分别暴露出该第一导电元件与该第二导电元件； 该第一透光电极层和该第二透光电极层分别通过该第一开口和该第二开口而与该第一导电元件和该第二导电元件电性连接。
4.如权利要求2所述的显示面板,还包括： 保护层，位于该第一导电元件以及该第二导电元件上，且该绝缘层位于该第一保护层上，其中 该绝缘层与该第一保护层具有第一开口以及第二开口，分别暴露出该第一导电元件与该第二导电元件；且 该第一透光电极层和该第二透光电极层分别通过该第一开口和该第二开口而与该第一导电元件和该第二导电元件电性连接。
5.如权利要求2所述的显示面板,还包括： 保护层，位于该绝缘层与该第一透光电极层之间，其中该绝缘层具有第一开口以及第二开口，分别暴露出该第一导电兀件与该第二导电兀件；该第一透光电极层和该第二透光电极层分别通过该第一开口和该第二开口而与该第一导电元件和该第二导电元件电性连接。
6.如权利要求5所述的显示面板，其中： 该介电层具有一接触开口，该第一透光电极层通过该接触开口以及该第一开口而与该第一导电元件电性连接；且 该第二透光电极层通过该第二开口而与该第二导电元件电性连接。
7.如权利要求2所述的显示面板,还包括： 第一保护层，位于该第一导电元件以及该第二导电元件上，且该绝缘层位于该第一保护层上；以及第二保护层，位于该绝缘层与该第一透光电极层之间。
8.如权利要求7所述的显示面板，其中： 该绝缘层、该第一保护层与该第二保护层均具有第一开口以及第二开口，以分别暴露出该第一导电元件与该第二导电元件；该第一透光电极层和该第二透光电极层分别通过该第一开口和该第二开口而与该第一导电元件和该第二导电元件电性连接。
9.如权利要求8所述的显示面板，其中： 该介电层具有接触开口，该第一透光电极层通过该接触开口以及该第一开口而与该第一导电元件电性连接；且 该第二透光电极层通过该第二开口而与该第二导电元件电性连接。
10.如权利要求1所述的显示面板,还包括： 密封胶，位于该主动阵列基板与该对向基板之间，其中该密封胶覆盖该驱动电路的至少一部分，以定义出一空间；以及显示介质，位于该空间内。
11.如权利要求10所述的显示面板，其中该密封胶覆盖该至少一透光电容器的至少一部分。
12.如权利要求1所述的显示面板，其中该驱动电路为一栅极驱动电路，且该第一透光电极层与该第二透光电极层之间的电压差为-40~+40V。
13.—种显示面板，其具有一显示区以及一非显示区，该显示面板包括： 主动阵列基板，包括： 基板；以及 像素阵列以及驱动电路，配置在该基板上，该像素阵列位于该显示区中，且该驱动电路位于该非显示区中，其中该驱动电路包括至少一透光电容器； 对向基板，相对于该主动阵列基板配置；以及 密封胶，位于该主动阵列基板以及该对向基板之间，其中该密封胶覆盖该驱动电路的至少一部分。
14.如权利要求13所述的显示面板，其中该密封胶包括光固化型密封胶，且该密封胶覆盖该至少一透光电容器的至少一部分。
15.如权利要求13所述的显示面板，该驱动电路还包括： 至少一导电元件；以及 绝缘层，覆盖该至少一导电元件。
16.如权利要求15所述的显示面板，其中： 该绝缘层具有一开口，暴露出该导电元件；且 该透光电容器通过该开口而与该导电元件电性连接。
17.如权利要求15所述的显示面板,还包括： 保护层，位于该至少一导电元件上，且该绝缘层位于该第一保护层上；其中该绝缘层与该第一保护层具有一开口，暴露出该导电元件；且该透光电容器通过该开口而与该导电元件电性连接。
18.如权利要求15所述的显示面板,还包括： 保护层，位于该绝缘层与该透光电容器之间，其中该绝缘层具有一开口，暴露出该导电元件； 该保护层位于该绝缘层上且未完全覆盖该开口，以暴露出该导电元件；且该透光电容器通过该开口而与该导电元件电性连接。
19.如权利要求18所述的显示面板，其中： 该介电层具有一接触开口，该透光电容器通过该接触开口以及该开口而与该导电元件电性连接。
20.如权利要求15所述的显示面板,还包括： 第一保护层，位于该至少一导电元件上，且该绝缘层位于该第一保护层上；以及 第二保护层，位于该绝缘层与该透光电容器之间。
21.如权利要求20所述的显示面板，其中： 该绝缘层与该第一保护层具有一开口，以暴露出该导电元件； 该第二保护层位于该绝缘层上且未完全覆盖该开口，以暴露出该导电元件；且该透光电容器通过该开口而与该导电元件电性连接。
22.如权利要求21所述的显示面板，其中： 该介电层具有一接触开口，该透光电容器通过该接触开口以及该开口而与该导电元件电性连接。
【文档编号】G02F1/133GK103760702SQ201410043145
【公开日】2014年4月30日 申请日期:2014年1月29日 优先权日:2013年11月20日
【发明者】黄德群, 黄国有, 黄郁涵, 蔡易积 申请人:友达光电股份有限公司