对版图进行并行opc的方法
【专利摘要】本发明公开了一种对版图进行并行OPC的方法，包括如下步骤：抽取版图中的各个模块的最小包围矩形；选取版图的四个顶点分别作为四个初始块的中心；计算各模块到各初始块的中心的距离并把各模块分别归属于距离最近的初始块；根据各中间块所包括的各模块的位置计算各中间块的中心；计算各模块到各中间块的中心的距离并把各模块分别归属于距离最近的中间块；重复步骤四和五直到中间块的中心没有变化得到四个最终块；分别对版图的四个最终块进行OPC；将对版图的四个最终块的OPC结果进行合并。本发明能大幅提升处理大规模物理版图数据的速度，减少处理时间。
【专利说明】对版图进行并行OPC的方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种半导体集成电路制造工艺方法，特别是涉及一种对版图进行并行OPC的方法。
【背景技术】
[0002]随着设计规则越来越小，一些辅助技术也应运而生，目前0.18 μ m工艺以下最重要的步骤之一就是临近光学效应修正(optical proximity correct1n, 0PC)。在0.18 μ m以下工艺中，版图的图形如果不进行修正，在娃片(wafer)上的图像将变形(distort),所以OPC可以使最后在wafer上刻蚀的图像更接近于版图的形状。如图图1所示，是OPC在光刻流程中的作用的示意图；设计(design)的版图101进行OPC后得到版图102，版图102的边缘经过修正和和版图101不同；通过版图102制作光罩(Mask) 103，光罩103的形状和版图102完全相同；通过光罩103进行光刻工艺的曝光后形成光阻(Resist)图形104,由于光学临近效应，光阻图形104和光罩103的形状并不完全一样，但是由于光罩103是事先经过OPC修正的，故采用OPC修正后的光罩103光刻后得到的光阻图形104反而和设计的版图101接近，最后采用光阻图形104为掩膜对硅片进行刻蚀(etch)后形成位于硅片上的所需图形105，图形105和光阻图形104 —致。由图1所示可知，如果不进行OPC修正，则得到的光阻图形104会和设计的版图101相差较大。
[0003]一般一个系统级芯片设计中，物理版图数据的规模在几个GB到几十个GB量级，并有望发展到几百个GB到几个TB的量级，需要几天的时间来完成所有层次的0PC，而内存使用也会达到几十个GB的量级。
[0004]以往的技术主要是将产品数据的不同层次扔给不同的CPU进行处理，利用多处理器并行计算的方式来改善计算资源不足的问题。如图2所示，是现有对版图进行并行OPC的方法；将整个产品的版图201按层次分成各个层次所对应的版图，如层次I版图202a、层次2版图202b等；对应每一层次的版图分别采用不同的CPU进行处理，如CPU203a处理层次I版图202a，CPU203a处理层次I版图202a。当内存足够大的时候，多CPU的并行处理将使OPC性能大大提高。
【发明内容】
[0005]本发明所要解决的技术问题是提供一种对版图进行并行OPC的方法，能大幅提升处理大规模物理版图数据的速度，减少处理时间。
[0006]为解决上述技术问题，本发明提供的对版图进行并行OPC的方法，包括如下步骤:
[0007]步骤一、抽取版图中的各个模块的最小包围矩形。
[0008]步骤二、选取所述版图的四个顶点分别作为四个初始块的中心。
[0009]步骤三、计算各所述模块到各所述初始块的中心的距离，把各所述模块分别归属于距离最近的所述初始块，将分配了对应所述模块后的所述初始块作为中间块。
[0010]步骤四、根据各所述中间块所包括的各所述模块的位置计算各所述中间块的中心。
[0011]步骤五、计算各所述模块到各所述中间块的中心的距离，把各所述模块分别归属于距离最近的所述中间块的中心所对应的中间块。
[0012]步骤六、重复步骤四，若所述中间块的中心有变化则重复步骤五，若所述中间块的中心没有变化将最后得到的各所述中间块作为四个最终块。
[0013]步骤七、分别对所述版图的四个所述最终块进行并行0PC。
[0014]步骤八、将对所述版图的四个所述最终块的OPC结果进行合并得到所述版图的OPC结果。
[0015]进一步的改进是，步骤一中的所述版图为产品的一个层次的版图。
[0016]进一步的改进是，步骤三中每一个所述初始块所分配的所述模块的数量限制为小于等于所有所述模块总数的四分之一，当有相应的所述初始块所分配的所述模块数量大于限制值时将该相应的所述初始块的距离中心较远的所述模块分配出去直到所包括的所述模块数量等于限制值，将相应的所述初始块的分配出去的所述模块分配到其它3个所述初始块中距离中心较近的一个。
[0017]步骤五中每一个所述中间块所分配的所述模块的数量限制为小于等于所有所述模块总数的四分之一，当有相应的所述中间块所分配的所述模块数量大于限制值时将该相应的所述中间块的距离中心较远的所述模块分配出去直到所包括的所述模块数量等于限制值，将相应的所述中间块的分配出去的所述模块分配到其它3个所述中间块中距离中心较近的一个。
[0018]进一步的改进是，步骤四中计算各所述中间块的中心的方法为:取所述中间块所包括的所有所述模块的横坐标的平均值作为所述中间块的中心的横坐标值，取所述中间块所包括的所有所述模块的纵坐标的平均值作为所述中间块的中心的纵坐标值。
[0019]进一步的改进是，步骤七中采用不同CPU分别对所述版图的四个所述最终块进行并行OPC。
[0020]本发明能将一块版图拆分成四块进行并行处理，且通过本发明方法将版图拆分成四块后能最大限度去除无效的空白区、且能使各区块的模块数目均匀；将一块版图拆分成四块能实现四个区块的并行处理；空白区的去除能节省处理空白区所耗费的资源，也即能省去处理空白区的时间；各区块的模块数目均匀能使各区块的数据处理量平均化从而使得四个区块处理时间较为均等、能节约四个区块分别并行处理时所耗费的时间，所以本发明能大幅提升处理大规模物理版图数据的速度、减少处理时间。
【专利附图】
【附图说明】
[0021]下面结合附图和【具体实施方式】对本发明作进一步详细的说明:
[0022]图1是OPC在光刻流程中的作用的示意图；
[0023]图2是现有对版图进行并行OPC的方法；
[0024]图3是本发明实施例对版图进行并行OPC的方法；
[0025]图4A-图4E是本发明实施例方法各步骤中的版图拆分示意图。
【具体实施方式】
[0026]如图3所示，是本发明实施例对版图进行并行OPC的方法；如图4A至图4E所示，是本发明实施例方法各步骤中的版图拆分示意图。本发明实施例对版图1进行并行OPC的方法包括如下步骤:
[0027]步骤一、如图4A所示，抽取版图1中的各个模块3的最小包围矩形。图4A中所示的所述模块 3 包括模块 r0、rl、r2、r3、r4、r5、r6、r7、r8、r9 和 rlO。
[0028]所述版图1为产品的一个层次的版图1，这样能在如图2所示的现有方法实现的分层并行OPC的基础上进一步进行各层版图的分块并行处理。
[0029]步骤二、如图4A所示，选取所述版图1的四个顶点分别作为四个初始块2的中心。
[0030]图4A中，分成的四个块分别用块A、B、C和D表示，块A的中心点用点Pl表示，块B的中心点用点P2表示，块C的中心点用点P3表示，块D的中心点用点P4表示。步骤二中还未对各初始块2进行模块3的分配。
[0031]步骤三、如图4A所示，计算各所述模块3到各所述初始块2的中心的距离，把各所述模块3分别归属于距离最近的所述初始块2的中心所对应的初始块2，将分配了对应所述模块3后的所述初始块2作为中间块2。注:本发明实施例方法中，初始块中间块以及后续的最终块都采用相同的标记2，在本发明实施例方法中块的范围会随着步骤的不同而变化，在块之前加上初始、中间和最终用于对四个块A、B、C和D在各步骤中进行区分定义。
[0032]图4A中示意出了模块rlO和点P1、P2、P3和P4的距离，可以看出模块rlO和点Pl的距离最近，故模块rlO归属于块A。同样模块rO、rl、r8和r9也归属于块A ;模块r2归属于块B ;模块r5、r5和r7归属于块C ;模块r4和r6归属于块D。
[0033]如图4B所示，较佳选择为，为了实现各区块所包括的模块3的数目均匀并最终实现各区块处理量的均衡，步骤三中每一个所述初始块2所分配的所述模块3的数量限制为小于等于所有所述模块3总数的四分之一，如图4A中共包括了 11个模块3，故每一个块2最多只能包括3个模块3，而块A中包括了 5个模块3。当有相应的所述初始块2所分配的所述模块3数量大于限制值时将该相应的所述初始块2的距离中心较远的所述模块3分配出去直到所包括的所述模块3数量等于限制值，将相应的所述初始块2的分配出去的所述模块3分配到其它3个所述初始块2中距离中心较近的一个。如图4B所示，需要将模块r8和r9分配出去，其中模块r8离点P4最近，故模块r8分配到块D中；同理，模块r9分配到块B中。
[0034]步骤四、如图4C所示，根据各所述中间块2所包括的各所述模块3的位置计算各所述中间块2的中心。
[0035]较佳为，计算各所述中间块2的中心的方法为:取所述中间块2所包括的所有所述模块3的横坐标的平均值作为所述中间块2的中心的横坐标值，取所述中间块2所包括的所有所述模块3的纵坐标的平均值作为所述中间块2的中心的纵坐标值。如点Pl的横纵坐标分别由块A所包括的模块rO、rl和rlO的横纵坐标的平均值得到。点P2的横纵坐标分别由块B所包括的模块r2和r9的横纵坐标的平均值得到。点P3的横纵坐标分别由块C所包括的模块r3、r5和r7的横纵坐标的平均值得到。点P4的横纵坐标分别由块D所包括的模块r4、r6和r8的横纵坐标的平均值得到。
[0036]步骤五、计算各所述模块3到各所述中间块2的中心的距离，把各所述模块3分别归属于距离最近的所述中间块2的中心所对应的中间块2。
[0037]各所述模块3的分配方法和如图4A所示的步骤三类似。
[0038]较佳为，每一个所述中间块2所分配的所述模块3的数量限制为小于等于所有所述模块3总数的四分之一，当有相应的所述中间块2所分配的所述模块3数量大于限制值时将该相应的所述中间块2的距离中心较远的所述模块3分配出去直到所包括的所述模块3数量等于限制值，将相应的所述中间块2的分配出去的所述模块3分配到其它3个所述中间块2中距离中心较近的一个。
[0039]如图4D所示，分配结束后，模块r7由块C调配到块B中。
[0040]步骤六、重复步骤四，若所述中间块2的中心有变化则重复步骤五，若所述中间块2的中心没有变化将最后得到的各所述中间块2作为四个最终块2。
[0041]本发明实施例方法的四个最终块2如图4D所示。模块r0、rl和rlO归属于块A，模块r2、r7和r9归属于块B，模块r3和r5归属于块C，模块r4、r6和r8归属于块D。如图4E所示，为最终块2分配完成后的树形结构图。
[0042]步骤七、采用不同CPU分别对所述版图1的四个所述最终块2进行并行0PC。
[0043]步骤八、将对所述版图1的四个所述最终块2的OPC结果进行合并得到所述版图1的OPC结果。
[0044]本发明实施例方法中通过将一块版图拆分成四块进行并行处理，能大幅提升处理大规模物理版图数据的速度、减少处理时间。
[0045]如图4D所示，通过本发明实施例方法将版图拆分成四块后能最大限度去除无效的空白区，空白区即为图4D中各块区域之外的区域。空白区的去除能节省处理空白区所耗费的资源，也即能省去处理空白区的时间，这能更一步的提高处理效率、减少处理时间。。
[0046]本发明实施例方法能使各区块的模块数目均匀；相反，如果各所述中间块2所包括的所述模块3的数目不均衡，包括模块3数目多的块2最好在并行处理中所耗费的时间会较多，当四个块并行处理时，显然最终的处理时间由耗时最多的处理时间决定，其它3个处理时间较短的块在处理完后必须等待直到耗时最多的块处理完后才能进行合并处理。所述本发明实施例方法能使各区块的模块数目均匀，这能更一步的提高处理效率、减少处理时间。
[0047]以上通过具体实施例对本发明进行了详细的说明，但这些并非构成对本发明的限制。在不脱离本发明原理的情况下，本领域的技术人员还可做出许多变形和改进，这些也应视为本发明的保护范围。
【权利要求】
1.一种对版图进行并行OPC的方法，其特征在于，包括如下步骤: 步骤一、抽取版图中的各个模块的最小包围矩形； 步骤二、选取所述版图的四个顶点分别作为四个初始块的中心； 步骤三、计算各所述模块到各所述初始块的中心的距离，把各所述模块分别归属于距离最近的所述初始块，将分配了对应所述模块后的所述初始块作为中间块； 步骤四、根据各所述中间块所包括的各所述模块的位置计算各所述中间块的中心； 步骤五、计算各所述模块到各所述中间块的中心的距离，把各所述模块分别归属于距离最近的所述中间块的中心所对应的中间块； 步骤六、重复步骤四，若所述中间块的中心有变化则重复步骤五，若所述中间块的中心没有变化将最后得到的各所述中间块作为四个最终块； 步骤七、分别对所述版图的四个所述最终块进行并行OPC ； 步骤八、将对所述版图的四个所述最终块的OPC结果进行合并得到所述版图的OPC结果O
2.如权利要求1的所述对版图进行并行OPC的方法，其特征在于:步骤一中的所述版图为产品的一个层次的版图。
3.如权利要求1的所述对版图进行并行OPC的方法，其特征在于:步骤三中每一个所述初始块所分配的所述模块的数量限制为小于等于所有所述模块总数的四分之一，当有相应的所述初始块所分配的所述模块数量大于限制值时将该相应的所述初始块的距离中心较远的所述模块分配出去直到所包括的所述模块数量等于限制值，将相应的所述初始块的分配出去的所述模块分配到其它3个所述初始块中距离中心较近的一个； 步骤五中每一个所述中间块所分配的所述模块的数量限制为小于等于所有所述模块总数的四分之一，当有相应的所述中间块所分配的所述模块数量大于限制值时将该相应的所述中间块的距离中心较远的所述模块分配出去直到所包括的所述模块数量等于限制值，将相应的所述中间块的分配出去的所述模块分配到其它3个所述中间块中距离中心较近的一个。
4.如权利要求1的所述对版图进行并行OPC的方法，其特征在于:步骤四中计算各所述中间块的中心的方法为:取所述中间块所包括的所有所述模块的横坐标的平均值作为所述中间块的中心的横坐标值，取所述中间块所包括的所有所述模块的纵坐标的平均值作为所述中间块的中心的纵坐标值。
5.如权利要求1的所述对版图进行并行OPC的方法，其特征在于:步骤七中采用不同CPU分别对所述版图的四个所述最终块进行并行0PC。
【文档编号】G03F1/36GK104408246SQ201410673980
【公开日】2015年3月11日 申请日期:2014年11月21日 优先权日:2014年11月21日
【发明者】张兴洲, 张燕荣 申请人:上海华虹宏力半导体制造有限公司