本发明涉及显示技术领域，特别是涉及了一种ips显示屏走线间电阻均匀性的改善方法。
背景技术：
tft技术是二十世纪九十年代发展起来的，采用新材料和新工艺的大规模半导体全集成电路制造技术，是液晶（lc）、无机和有机薄膜电致发光（el和oel）平板显示器的基础。tft显示屏中的液晶分子是横向排列，液晶分子在空间内翻转。ips(in-planeswitching，平面转换)显示屏与tft显示屏相比，像素电极与公共电极设计在同一侧，形成平面电场，其液晶分子是在面内翻转。与tft显示屏相比，ips显示屏具有可视角大、色彩真实、动态画质出色、节能环保和色彩准确的优点，广泛的应用在我们的生活中。
ips显示屏中ic电流通过走线连接输入到aa区，传统的设计过程中，由aa区连接到sourceic的走线，在两侧的走线较长，中间的走线较短，导致走线间的电阻值不均匀，而电阻会影响ic输出的电流流入aa区的大小，进一步影响到显示屏的显示效果，即显示屏中间部分的显示效果要好于两边。
现有技术中常使上述走线呈z形排布来解决走线间电阻不均的问题，但z型走线占用空间较大，影响ips显示屏的性能。
技术实现要素：
为了弥补已有技术的缺陷，本发明提供一种ips显示屏走线间电阻均匀性的改善方法。
本发明所要解决的技术问题通过以下技术方案予以实现：
一种ips显示屏走线间电阻均匀性的改善方法，所述ips显示屏包括若干条走线，所述走线用于连接aa区和sourceic，其特征在于，在所述走线上设置ito块形成串联的电阻，通过调节ito块的电阻使各走线间的电阻均匀。
进一步地，所述ito块的宽度与所述走线的宽度相等，通过控制所述ito块的长度来调节ito块的电阻。
进一步地，所述走线从左至右分别编号为1、2、3…m-1、m…n，其中n为奇数时，m为(n+3)/2；n为偶数时，m为(n+2)/2；各走线的电阻为r1＞r2＞r3＞…＞rm-1，rm＜…＜rn；各走线上设置的ito块的电阻为l1＜l2＜l3＜……lm-1，lm＞…＞ln。
本发明具有如下有益效果：
本发明在走线上设置ito块，通过调节ito块的电阻大小，将低电阻走线的电阻拉高，使各走线间的电阻均匀，从而控制从ic中输出的电流值的均匀，达到显示效果更好的目的。
附图说明
图1为本发明中设置ito块后aa区到sourceic走线的等效电阻示意图。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明进行详细的说明，实施例仅是本发明的优选实施方式，不是对本发明的限定。
一种ips显示屏走线间电阻均匀性的改善方法，所述ips显示屏包括若干条走线，所述走线用于连接aa区和sourceic，在所述走线上设置ito块形成一个串联的电阻，通过调节ito块的电阻使各走线间的电阻均匀。
其中，所述ito块的宽度与所述走线的宽度相等，通过控制所述ito块的长度来调节ito块的电阻。本发明中，对ito块的厚度不作特别限定，本领域就似乎人员可以按照常规ito块的厚度制作。
具体地，参阅图1，所述走线从左至右分别编号为1、2、3…m-1、m…n，其中n为奇数时，m为(n+3)/2；n为偶数时，m为(n+2)/2。传统设计中，两侧走线较长，中间走线较短，导致走线间的电阻值不均匀，即各走线的电阻为r1＞r2＞r3＞…＞rm-1，rm＜…＜rn；本发明在走线上设置ito块，各走线上设置的ito块的电阻为l1＜l2＜l3＜……lm-1，lm＞…＞ln。各走线上ito块的电阻远远超过对应走线的电阻，优选地，各走线上ito块的电阻远远超过对应走线的电阻的100倍。本发明通过调节ito块的电阻大小，将电阻小的走线的电阻拉高，使各走线间的电阻均匀。
举例来说，选取9条走线，所述走线从左至右分别编号为1、2、3、4、5、6、7、8、9，测得其电阻r1为358.175ω，r2为356.076ω，r3为353.866ω，r4为234.338ω，r5为232.165ω，r6为110.501ω，r7为112.636ω，r8为114.810ω，r9为229.973ω，即r1＞r2＞r3＞r4＞r5，r6＜r7＜r8＜r9；在走线上设置ito块，各走线上设置的ito块的电阻为l1为21.825ω，l2为23.924ω，l3为26.134ω，l4为145.662ω，l5为147.835ω，l6为269.499ω，l7为267.364ω，l8为265.19ω，l9为150.027ω，即l1＜l2＜l3＜l4＜l5，l6＞l7＞l8＞l9，可见，添加ito块后，各走线间的电阻均匀。
以上所述实施例仅表达了本发明的实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制，但凡采用等同替换或等效变换的形式所获得的技术方案，均应落在本发明的保护范围之内。