本发明属于光学膜制备技术领域，尤其涉及一种光学膜及其生产工艺。
背景技术：
光学膜，又称光学导电膜，具有导电功能的薄膜。导电薄膜的荷电载流子在输运过程中受到表面和界面的散射，当薄膜的厚度可与电子的自由程相比拟时，在表面和界面的影响将变得显著，这个现象称为薄膜的尺寸效应。它等效于载流子的自由程减小，因此与同样材料的块体相比，薄膜的电导率较小。
现有技术中光学膜由于制备技术欠完善，通常薄膜中的缺陷浓度比较高，主要缺陷为杂质、空位、填隙原子、位错、晶界，以及表面和界面的吸附和偏析等，且具有脆性，不能弯折。
技术实现要素：
本发明提供一种光学膜及其生产工艺，旨在解决现有技术中光学膜具有脆性，不能弯折且缺陷浓度比较高的问题。
本发明是这样实现的，一种光学膜，包括基膜、聚合物颗粒，金属膜层和导电高分子膜层，所述基膜设置有两层，两层所述基膜中添加所述聚合物颗粒，两层所述基膜远离所述聚合物颗粒一侧均设置有im层。
更进一步地，所述基膜为ito-pet基膜。
更进一步地，所述im层折射率为1.6。
更进一步地，所述金属膜层为铜纳米线薄膜层。
更进一步地，所述导电高分子膜层为聚(3，4-亚乙二氧基噻吩)﹣聚苯乙烯磺酸薄膜层。
具体步骤为：
(1)基膜表面除杂：选用ito-pet基膜，ito-pet基膜用丙酮和乙醇混合溶剂对基膜进行清洗除杂，用离子水对ito-pet基膜进行冲洗，去除表面残留的丙酮，用氮气对ito-pet基膜进行吹干；
(2)配制铜纳米线：铜纳米线为以氯化铜、油酸、油胺、葡萄糖、聚乙烯吡咯烷酮反应1～3h制成；
(3)配制金属膜层：由高长径比的铜纳米线配置成浓度为0.01～1.0g/l的醇溶液，以1000～1200r/min在基底膜层表面旋涂1～3层而成；
(4)制备导电高分子膜层：由聚(3，4-亚乙二氧基噻吩)﹣聚苯乙烯磺酸水溶液以800～1000r/min在基底膜层表面旋涂1～2层而成，并用蒸馏水反复冲洗，然后在烤箱中进行烘烤，得到透明导电薄膜。
更进一步地，步骤(2)在120～150℃下反应制成。
本发明所达到的有益效果：本发明条件温和，过程简单、易于操作、成本较低且具有较高的效率，制得的透明导电膜具有较好导电性能和良好的传导性，透射率优异且韧性较好，缺陷浓度低。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
一种光学膜，包括基膜、聚合物颗粒，金属膜层和导电高分子膜层，基膜设置有两层，两层基膜中添加聚合物颗粒，两层基膜远离聚合物颗粒一侧均设置有im层。
基膜为ito-pet基膜。
im层折射率为1.6。
金属膜层为铜纳米线薄膜层。
导电高分子膜层为聚(3，4-亚乙二氧基噻吩)﹣聚苯乙烯磺酸薄膜层。
一种光学膜的生产工艺，具体步骤为：
(1)基膜表面除杂：选用ito-pet基膜，ito-pet基膜用丙酮和乙醇混合溶剂对基膜进行清洗除杂，用离子水对ito-pet基膜进行冲洗，去除表面残留的丙酮，用氮气对ito-pet基膜进行吹干；
(2)配制铜纳米线：铜纳米线为以氯化铜、油酸、油胺、葡萄糖、聚乙烯吡咯烷酮反应1～3h制成；
(3)配制金属膜层：由高长径比的铜纳米线配置成浓度为0.01～1.0g/l的醇溶液，以1000～1200r/min在基底膜层表面旋涂1～3层而成；
(4)制备导电高分子膜层：由聚(3，4-亚乙二氧基噻吩)﹣聚苯乙烯磺酸水溶液以800～1000r/min在基底膜层表面旋涂1～2层而成，并用蒸馏水反复冲洗，然后在烤箱中进行烘烤，得到透明导电薄膜。
步骤(2)在120～150℃下反应制成。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。