一种光刻掩膜及其形成方法与流程

本申请涉及半导体，尤其涉及一种光刻掩膜及其形成方法。

背景技术：

1、光刻工艺是半导体制造中的一种关键工艺。光刻工艺主要包括：涂抹光刻胶、曝光和显影。其中，在进行曝光时，需要使用掩膜板。

2、目前的一些光刻掩膜中，针对外围切割道区域的设计仍然存在问题。外围切割道区域需要曝光的位置会由于双重曝光导致靠近外围切割道区域的部分不需要曝光的芯片也被曝光。进而后续刻蚀时会损伤这部分芯片。

3、因此，有必要提供更有效、更可靠的技术方案。

技术实现思路

1、本申请提供一种光刻掩膜及其形成方法，可以避免靠近外围切割道区域的芯片被刻蚀，避免对芯片造成损伤。

2、本申请的一个方面提供一种光刻掩膜，包括：透明基板，所述透明基板包括外圈切割道区，所述外圈切割道区包括遮光区和透光区，所述透光区关于所述透明基板的水平中轴线或垂直中轴线对称；第一遮光层，所述第一遮光层位于所述遮光区的透明基板表面；第二遮光层，所述第二遮光层位于所述透光区的部分透明基板表面。

3、在本申请的一些实施例中，位于相互对称位置的透光区的第二遮光层图案在所述透光区中互补。

4、在本申请的一些实施例中，位于相互对称位置的透光区的第二遮光层关于所述透明基板中心对称。

5、在本申请的一些实施例中，位于相互对称位置的透光区的第二遮光层位于所述外圈切割道区的外边缘。

6、在本申请的一些实施例中，所述第二遮光层的面积在所述透光区的占比大于0小于等于50％。

7、在本申请的一些实施例中，所述第二遮光层的面积在所述透光区的占比为50％。

8、本申请的另一个方面还提供一种光刻掩膜的形成方法，包括：提供透明基板，所述透明基板包括外圈切割道区，所述外圈切割道区包括遮光区和透光区，所述透光区关于所述透明基板的水平中轴线或垂直中轴线对称；在所述透明基板表面形成第一遮光层和第二遮光层，其中，所述第一遮光层位于所述遮光区的透明基板表面，所述第二遮光层位于所述透光区的部分透明基板表面。

9、在本申请的一些实施例中，位于相互对称位置的透光区的第二遮光层图案在所述透光区中互补。

10、在本申请的一些实施例中，位于相互对称位置的透光区的第二遮光层关于所述透明基板中心对称。

11、在本申请的一些实施例中，位于相互对称位置的透光区的第二遮光层位于所述外圈切割道区的外边缘。

12、在本申请的一些实施例中，所述第二遮光层的面积在所述透光区的占比大于0小于等于50％。

13、在本申请的一些实施例中，所述第二遮光层的面积在所述透光区的占比为50％。

14、在本申请的一些实施例中，在所述透明基板表面形成第一遮光层和第二遮光层的方法包括溅镀法。

15、在本申请的一些实施例中，在所述透明基板表面形成第一遮光层和第二遮光层的方法包括：在所述透明基板表面形成遮光材料层；刻蚀所述遮光材料层形成所述第一遮光层和所述第二遮光层。

16、本申请所述的一种光刻掩膜及其形成方法，在外围切割道区的透光区形成互补的第二遮光层，即使两次曝光也不会过量曝光，可以避免靠近外围切割道区域的芯片被刻蚀，避免对芯片造成损伤。

技术特征：

1.一种光刻掩膜，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的光刻掩膜，其特征在于，位于相互对称位置的透光区的第二遮光层图案在所述透光区中互补。

3.如权利要求1所述的光刻掩膜，其特征在于，位于相互对称位置的透光区的第二遮光层关于所述透明基板中心对称。

4.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，位于相互对称位置的透光区的第二遮光层位于所述外圈切割道区的外边缘。

5.如权利要求4所述的光刻掩膜，其特征在于，所述第二遮光层的面积在所述透光区的占比大于0小于等于50％。

6.如权利要求5所述的光刻掩膜，其特征在于，所述第二遮光层的面积在所述透光区的占比为50％。

7.一种光刻掩膜的形成方法，其特征在于，包括：

8.如权利要求7所述的形成方法，其特征在于，位于相互对称位置的透光区的第二遮光层图案在所述透光区中互补。

9.如权利要求7所述的形成方法，其特征在于，位于相互对称位置的透光区的第二遮光层关于所述透明基板中心对称。

10.如权利要求7所述的形成方法，其特征在于，位于相互对称位置的透光区的第二遮光层位于所述外圈切割道区的外边缘。

11.如权利要求10所述的形成方法，其特征在于，所述第二遮光层的面积在所述透光区的占比大于0小于等于50％。

12.如权利要求11所述的形成方法，其特征在于，所述第二遮光层的面积在所述透光区的占比为50％。

13.如权利要求7所述的形成方法，其特征在于，在所述透明基板表面形成第一遮光层和第二遮光层的方法包括溅镀法。

14.如权利要求7所述的形成方法，其特征在于，在所述透明基板表面形成第一遮光层和第二遮光层的方法包括：

技术总结
本申请提供一种光刻掩膜及其形成方法，所述光刻掩膜包括：透明基板，所述透明基板包括外圈切割道区，所述外圈切割道区包括遮光区和透光区，所述透光区关于所述透明基板的水平中轴线或垂直中轴线对称；第一遮光层，所述第一遮光层位于所述遮光区的透明基板表面；第二遮光层，所述第二遮光层位于所述透光区的部分透明基板表面。本申请提供一种光刻掩膜及其形成方法，在外围切割道区的透光区形成互补的第二遮光层，即使两次曝光也不会过量曝光，可以避免靠近外围切割道区域的芯片被刻蚀，避免对芯片造成损伤。

技术研发人员：宋春
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/12