一种TFT感光结构、TFT以及手机的制作方法

一种tft感光结构、tft以及手机
技术领域
1.本实用新型属于tft技术领域，具体涉及一种tft感光结构、tft以及手机。


背景技术：

2.感光器件叫做光度传感器或光线传感器，可调整电子产品显示屏亮度达人类眼睛可接受的亮度，此组件不单可节省能源，更可延长电池寿命。目前手机上都配置有感光器件，用于感应环境光线的强弱，调节屏幕亮度达到省电作用。目前现有的手机感光器件基本都是做在手机主板上，透过盖板光感孔来感应环境光线强弱的。


技术实现要素：

3.本实用新型需要解决的技术问题是提供一种节省成本、减少整机组装工序的tft感光结构、tft以及手机。
4.为解决上述问题，本实用新型所采取的技术方案是：
5.一种tft感光结构，包括tft以及感光器件，所述感光器件位于tft的aa区之外，且位于tft的va区内。
6.进一步的，所述tft包括上偏光片、下偏光片、cf基板、tft基板以及位于cf基板tft基板之间的液晶，所述tft基板上端一侧大于cf基板。
7.更进一步的，所述感光器件位于tft基板上端。
8.优选的，所述感光器件采用蚀刻工艺直接制作于tft基板上端。
9.优选的，所述感光器件为薄膜光晶体管。
10.优选的，所述感光器件绑定在tft基板上端大于cf基板的部分上。
11.优选的，所述感光器件为光晶体管、光电二极管以及光电ic中的任意一种。
12.进一步的，所述感光器件通过走线连接到pfc绑定引脚。
13.一种tft，采用上述任一技术方案所述的一种tft感光结构。
14.一种手机，包括盖板以及上述任一技术方案所述的一种tft感光结构或者上述的tft，所述盖板上对应感光器件的位置预留光感透光区，光感透光区与感光器件大小一致。
15.采用上述技术方案所产生的有益效果在于：
16.本实用新型将感光器件制作做在tft的aa区外，充分利用了tft资源，感光器件采用直接制作方式或者绑定方式集成在tft的tft基板上，节省了在主板上做感光器件的成本，减少了整机组装工序。
附图说明
17.图1是本现有感光结构示意图；
18.图2是本实用新型感光结构示意图；
19.其中：1、光感透光区，2、盖板，3、va区，4、aa区，5、感光器件，6、走线。
具体实施方式
20.下面结合附图对实用新型做进一步详细描述：
21.本实用新型是一种用于tft(液晶显示屏)的感光结构以及采用该感光结构的tft和手机，如图1所示，现有技术中，手机感光器件通常并不是制作在tft上，而是tft的va(view area，可视区)之外的手机主板上边缘靠近手机盖板的位置，透过盖板上的光感孔感应环境光线明暗，实现屏幕的亮度调节。本实用新型与现有技术不同，通过将感光器件制作在tft上，充分利用tft资源，从而节省了在主板上做感光器件的成本，减少了整机组装工序。
22.实施例1
23.如图2所示，本实施例的感光结构基于tft，其至少包括tft以及感光器件5，并且所述感光器件位于tft的aa(active area，可操作区)区4之外，且位于tft的va区3内。即感光器件位于tft的va区内aa区之外的位置。对于tft，其至少包括上偏光片、下偏光片、cf基板、tft基板(薄膜晶体管阵列基板)以及位于cf基板tft基板之间的液晶，tft的va区包含了整个aa区以及aa区外围的一部分区域，aa区外围的这一部分区域用于走线和绑定fpc、ic等。对于本实施例所述tft基板上端一侧大于cf基板，用于制作感光器件等，因此，所述感光器件位于tft基板上端。
24.对于本实施例，所述的感光器件采用薄膜光晶体管，采用和tft基板相同的蚀刻工艺直接制作于tft基板的上端。所述感光器件(薄膜光晶体管)的各引脚通过走线6连接到pfc绑定引脚，走线采用导电银浆制作。
25.本实施例还提供一种tft，采用上述技术方案所述的一种tft感光结构。
26.本实施例还提供一种手机，包括盖板2以及上述技术方案所述的一种tft感光结构或者上述的tft，所述盖板上对应感光器件的位置预留光感透光区1(即该区域不印刷黑色油墨遮蔽)，光感透光区与感光器件大小一致。
27.实施例2
28.本实施例与实施例1的不同之处在于，本实施例的感光器件虽然也是制作在tft的tft基板上，但是并不是采用薄膜晶体管工艺，而是采用绑定驱动ic的工艺，将感光器件直接绑定在tft基板上，并且感光器件位于tft基板上端大于cf基板的部分上。由于采用了绑定的方式，因此对于感光器件的选择，可以选择光晶体管、光电二极管以及光电ic中的任意一种。


技术特征：
1.一种tft感光结构，其特征在于：包括tft以及感光器件，所述感光器件位于tft的aa区之外，且位于tft的va区内。2.根据权利要求1所述的一种tft感光结构，其特征在于：所述tft包括上偏光片、下偏光片、cf基板、tft基板以及位于cf基板tft基板之间的液晶，所述tft基板上端一侧大于cf基板。3.根据权利要求2所述的一种tft感光结构，其特征在于：所述感光器件位于tft基板上端。4.根据权利要求3所述的一种tft感光结构，其特征在于：所述感光器件采用蚀刻工艺直接制作于tft基板上端。5.根据权利要求4所述的一种tft感光结构，其特征在于：所述感光器件为薄膜光晶体管。6.根据权利要求3所述的一种tft感光结构，其特征在于：所述感光器件绑定在tft基板上端大于cf基板的部分上。7.根据权利要求6所述的一种tft感光结构，其特征在于：所述感光器件为光晶体管、光电二极管以及光电ic中的任意一种。8.根据权利要求1-7任一项所述的一种tft感光结构，其特征在于：所述感光器件通过走线连接到pfc绑定引脚。9.一种tft，其特征在于：包括权利要求1-8任一项所述的一种tft感光结构。10.一种手机，其特征在于：包括权利要求1-8任一项所述的一种tft感光结构或者权利要求9所述的tft，以及盖板，所述盖板上对应感光器件的位置预留光感透光区，光感透光区与感光器件大小一致。

技术总结
本实用新型公开了一种TFT感光结构、TFT以及手机，属于TFT技术领域，所述感光结构包括TFT以及感光器件，所述感光器件位于TFT的AA区之外，且位于TFT的VA区内。本实用新型将感光器件制作做在TFT的AA区外，充分利用了TFT资源，感光器件采用直接制作方式或者绑定方式集成在TFT的TFT基板上，节省了在主板上做感光器件的成本，减少了整机组装工序。减少了整机组装工序。减少了整机组装工序。


技术研发人员：魏玲枫
受保护的技术使用者：信利光电股份有限公司
技术研发日：2021.09.17
技术公布日：2022/7/15