激光装置和电子器件的制造方法与流程

本公开涉及激光装置和电子器件的制造方法。

背景技术：

1、近年来，在半导体曝光装置中，随着半导体集成电路的微细化和高集成化，要求分辨率的提高。因此，从曝光用光源发射的光的短波长化得以发展。例如，作为曝光用的气体激光装置，使用输出波长大约为248nm的激光的krf准分子激光装置、以及输出波长大约为193nm的激光的arf准分子激光装置。

2、krf准分子激光装置和arf准分子激光装置的自然振荡光的谱线宽度较宽，大约为350～400pm。因此，在利用使krf和arf激光这种紫外线透过的材料构成投影透镜时，有时产生色差。其结果，分辨率可能降低。因此，需要将从气体激光装置输出的激光的谱线宽度窄带化到能够无视色差的程度。因此，在气体激光装置的激光谐振器内，为了使谱线宽度窄带化，有时具有包含窄带化元件(标准具、光栅等)的窄带化模块(line narrowing module：lnm)。下面，将谱线宽度被窄带化的气体激光装置称为窄带化气体激光装置。

3、现有技术文献

4、专利文献

5、专利文献1：美国专利申请公开第2005/0083983号说明书

技术实现思路

1、本公开的1个观点的激光装置具有：光栅系统；致动器系统，其对入射到光栅系统的光束的第1部分相对于光栅系统的第1入射角和光束的第2部分相对于光栅系统的第2入射角进行调整；以及处理器，其对致动器系统进行控制，由此使第1和第2入射角以相位和变动范围中的至少一方不同的方式周期性地变动。

2、本公开的1个观点的电子器件的制造方法包含以下步骤：通过激光装置生成激光，将激光输出到曝光装置，在曝光装置内在感光基板上曝光激光，以制造电子器件，激光装置具有：光栅系统；致动器系统，其对入射到光栅系统的光束的第1部分相对于光栅系统的第1入射角和光束的第2部分相对于光栅系统的第2入射角进行调整；以及处理器，其对致动器系统进行控制，由此使第1和第2入射角以相位和变动范围中的至少一方不同的方式周期性地变动。

技术特征：

1.一种激光装置，其具有：

2.根据权利要求1所述的激光装置，其中，

3.根据权利要求2所述的激光装置，其中，

4.根据权利要求1所述的激光装置，其中，

5.根据权利要求4所述的激光装置，其中，

6.根据权利要求5所述的激光装置，其中，

7.根据权利要求5所述的激光装置，其中，

8.根据权利要求1所述的激光装置，其中，

9.根据权利要求8所述的激光装置，其中，

10.根据权利要求9所述的激光装置，其中，

11.根据权利要求8所述的激光装置，其中，

12.根据权利要求8所述的激光装置，其中，

13.根据权利要求8所述的激光装置，其中，

14.根据权利要求1所述的激光装置，其中，

15.根据权利要求14所述的激光装置，其中，

16.根据权利要求1所述的激光装置，其中，

17.根据权利要求16所述的激光装置，其中，

18.根据权利要求1所述的激光装置，其中，

19.根据权利要求1所述的激光装置，其中，

20.一种电子器件的制造方法，其包含以下步骤：

技术总结
激光装置具有：光栅系统；致动器系统，其对入射到光栅系统的光束的第1部分相对于光栅系统的第1入射角和光束的第2部分相对于光栅系统的第2入射角进行调整；以及处理器，其对致动器系统进行控制，由此使第1和第2入射角以相位和变动范围中的至少一方不同的方式周期性地变动。

技术研发人员：藤井光一,若林理
受保护的技术使用者：极光先进雷射株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/14