谱波形的控制方法、激光装置、曝光装置和电子器件的制造方法与流程

本公开涉及谱波形的控制方法、激光装置、曝光装置和电子器件的制造方法。

背景技术：

1、近年来，在半导体曝光装置中，随着半导体集成电路的微细化和高集成化，要求分辨率的提高。因此，从曝光用光源发射的光的短波长化得以发展。例如，作为曝光用的气体激光装置，使用输出波长大约为248nm的激光的krf准分子激光装置、以及输出波长大约为193nm的激光的arf准分子激光装置。

2、krf准分子激光装置和arf准分子激光装置的自然振荡光的谱线宽度较宽，大约为350～400pm。因此，在利用使krf和arf激光这样的紫外线透过的材料构成投影透镜时，有时会产生色差。其结果，分辨率可能降低。因此，需要将从气体激光装置输出的激光的谱线宽度窄带化到能够无视色差的程度。因此，在气体激光装置的激光谐振器内，为了使谱线宽度窄带化，有时具有包含窄带化元件(标准具、光栅等)的窄带化模块(line narrowingmodule：lnm)。下面，将谱线宽度被窄带化的气体激光装置称为窄带化气体激光装置。

3、现有技术文献

4、专利文献

5、专利文献1：国际公开第2002/073670号

6、专利文献2：美国专利申请公开第2011/200922号说明书

技术实现思路

1、本公开的1个观点的谱波形的控制方法是从激光装置输出到曝光装置的激光的谱波形的控制方法，其中，控制方法包含以下步骤：取得曝光装置的纵向色差；使用纵向色差与谱波形的评价值之间的关系设定评价值的目标值；以及使用目标值对谱波形进行控制。

2、本公开的1个观点的激光装置能够与曝光装置连接，其中，激光装置具有：激光振荡器，其输出激光；谱波形调整器，其对激光的谱波形进行调整；以及处理器，其构成为取得曝光装置的纵向色差，使用纵向色差与谱波形的评价值之间的关系设定评价值的目标值，使用目标值对谱波形调整器进行控制。

3、本公开的1个观点的曝光装置能够与激光装置连接，其中，曝光装置具有：投影光学系统，其使用从激光装置输出的激光在晶片面上形成像；传感器，其计测晶片面中的对比度；台，其使传感器沿着激光的光路轴移动；以及处理器，其构成为使用台和传感器取得曝光装置的纵向色差，使用纵向色差与激光的谱波形的评价值之间的关系设定评价值的目标值，将目标值发送到激光装置。

4、本公开的1个观点的电子器件的制造方法包含以下步骤：取得曝光装置的纵向色差；使用纵向色差与评价值之间的关系设定评价值的目标值，评价值是从与曝光装置连接的激光装置输出的激光的谱波形的评价值；将使用目标值对谱波形进行控制而生成的激光输出到曝光装置；以及在曝光装置内使激光在感光基板上进行曝光以制造电子器件。

技术特征：

1.一种控制方法，其是从激光装置向曝光装置输出的激光的谱波形的控制方法，其中，所述控制方法包含以下步骤：

2.根据权利要求1所述的控制方法，其中，

3.根据权利要求1所述的控制方法，其中，

4.根据权利要求1所述的控制方法，其中，

5.根据权利要求4所述的控制方法，其中，

6.根据权利要求1所述的控制方法，其中，

7.根据权利要求1所述的控制方法，其中，

8.根据权利要求1所述的控制方法，其中，

9.根据权利要求1所述的控制方法，其中，

10.根据权利要求1所述的控制方法，其中，

11.根据权利要求10所述的控制方法，其中，

12.一种激光装置，其能够与曝光装置连接，其中，所述激光装置具有：

13.根据权利要求12所述的激光装置，其中，

14.根据权利要求12所述的激光装置，其中，

15.根据权利要求12所述的激光装置，其中，

16.一种曝光装置，其能够与激光装置连接，其中，所述曝光装置具有：

17.根据权利要求16所述的曝光装置，其中，

18.根据权利要求16所述的曝光装置，其中，

19.根据权利要求16所述的曝光装置，其中，

20.一种电子器件的制造方法，其包含以下步骤：

技术总结
目的在于，通过根据投影光学系统的纵向色差K对谱波形进行控制来得到所要求的曝光性能。从激光装置输出到曝光装置的激光的谱波形的控制方法包含以下步骤：取得曝光装置的纵向色差(S1)；使用纵向色差与谱波形的评价值之间的关系设定评价值的目标值(S2)；以及使用目标值对谱波形进行控制(S3)。

技术研发人员：古卷贵光,大贺敏浩
受保护的技术使用者：极光先进雷射株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15