光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质与流程

本发明实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质。

背景技术：

1、随着工艺越来越先进，器件的尺寸日益缩小，相应形成器件的掩膜版中图形的线宽和间距也越来越小，图形的种类和形状也愈发复杂，在经过光刻制程之后，芯片表面的图形与原始光罩图形之间的差异也随之增大。为了避免光学邻近效应造成芯片上的图形与掩膜版图形不一致，目前解决的方法通常是对掩膜版图形进行光学邻近修正(opticalproximity correction，opc)，然后再依据修正过的掩膜版图形进行图形转移。

2、在一些掩膜版中可能会出现存在含有台阶的图形，例如sram的插塞图层中的互连插塞图形。图形出现台阶的边在评价点(merit points)或采样点(site)的放置上很难处理，通常还需要做很多特殊处理，特殊处理不到位还容易导致对图形的光学邻近修正难以控制，也导致了图形的修正不合理，与理想线宽差距较大，造成良率下降。

技术实现思路

1、本发明实施例解决的问题是提供一种光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质，提高光学邻近修正的效果。

2、为解决上述问题，本发明实施例提供一种光学邻近修正方法，包括：提供设计图形；沿所述设计图形的轮廓，获取具有台阶的边作为折线边，所述折线边由多个沿所述折线边的延伸方向延伸的第一线段、以及连接相邻所述第一线段的第二线段交替构成；对所述设计图形的折线边进行台阶消除处理，将所述折线边替换为与所述第一线段的延伸方向相同的直线型参考边，并围成与所述设计图形相对应的参考图形；在所述参考边上设立多个初始评价点；将多个所述初始评价点沿垂直于参考边的方向映射至所述折线边上，形成位于所述折线边上的评价点；对所述设计图形进行光学邻近修正处理，直至所述评价点处的边缘放置误差满足预设条件，形成修正后图形。

3、相应的，本发明实施例还提供一种光学邻近修正系统，包括：图形提供模块，用于提供设计图形；折线边获取模块，用于沿所述设计图形的轮廓，获取具有台阶的边作为折线边，所述折线边由多个沿所述折线边的延伸方向延伸的第一线段、以及连接相邻所述第一线段的第二线段交替构成；参考边形成模块，用于对所述设计图形的折线边进行台阶消除处理，将所述折线边替换为与所述第一线段的延伸方向相同的直线型参考边，并围成与所述设计图形相对应的参考图形；初始评价点生成模块，用于在所述参考边上设立多个初始评价点；评价点生成模块，用于将多个所述初始评价点沿垂直于参考边的方向映射至所述折线边上，形成位于所述折线边上的评价点；光学邻近修正模块，用于对所述目标图形进行光学邻近修正处理，直至所述评价点处的边缘放置误差满足预设条件，形成修正后图形。

4、相应的，本发明实施例还提供一种掩膜版，包括利用本发明实施例提供的光学邻近修正方法获得的图形。

5、相应的，本发明实施例还提供一种设备，包括至少一个存储器和至少一个处理器，所述存储器存储有一条或多条计算机指令，其中，所述一条或多条计算机指令被所述处理器执行以实现本发明实施例提供的光学邻近修正方法。

6、相应的，本发明实施例还提供一种存储介质，所述存储介质存储有一条或多条计算机指令，所述一条或多条计算机指令用于实现本发明实施例提供的光学邻近修正方法。

7、与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下优点：

8、本发明实施例提供的光学邻近修正方法中，对所述设计图形的折线边进行台阶消除处理，将折线边替换为与所述第一线段的延伸方向相同的直线型参考边，并围成与所述设计图形相对应的参考图形；本发明实施例中，形成与设计图形的折线边相对应的直线型参考边，则在设立初始评价点时，以直线型的参考边为基准，所述初始评价点为针对参考边整体较为均匀的设立，相应的，映射至折线边上的评价点也为针对折线边整体较为均匀的设立，相比于直接在折线边上设立评价点的方案，本发明实施例有利于避免修正模型因识别了折线边的台阶位置，而将第一线段误认为不同的边，并分别针对每个第一线段设立评价点的问题，从而有利于避免评价点设立不均匀、且在台阶位置附近容易缺失评价点的问题，同时，本发明实施例还节约了为了防止评价点设立不均匀、以及在台阶位置附近缺失评价点的问题，而在台阶位置附近进行特殊处理的时间，提高了光学邻近修正处理的效率，而且，针对折线边整体较为均匀的设立评价点，有利于通过控制评价点处的边缘放置误差，使得所述折线边的修正更为精准，从而提高所述光学邻近修正的精准度。

技术特征：

1.一种光学邻近修正方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，对所述设计图形的折线边进行台阶消除处理的步骤包括：在所述折线边中，选择任一个所述第一线段作为定位线段；

3.如权利要求2所述的光学邻近修正方法，其特征在于，在所述折线边中，选择任一个所述第一线段作为定位线段的步骤中，选择位于所述设计图形最外侧的第一线段作为所述定位线段。

4.如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，在所述参考边上设立多个初始评价点的步骤中，相邻所述初始评价点的间距均相等。

5.如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，沿所述设计图形的轮廓，获取具有台阶的边作为折线边的步骤中，所述第二线段的长度与所述第一线段的长度的比值小于或等于1:3。

6.如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，对所述设计图形进行光学邻近修正处理之前，还包括：对所述设计图形的边进行分割处理，获得依次相连的多个第三线段；

7.如权利要求6所述的光学邻近修正方法，其特征在于，在所述参考边上设立多个初始评价点之前，还包括：对所述设计图形进行基于经验的设置，获得理想模拟图形；

8.如权利要求7所述的光学邻近修正方法，其特征在于，对所述设计图形进行基于经验的设置，获得所述理想模拟图形的步骤包括：对所述设计图形的相邻边的拐角进行圆角处理，其中，所述折线边两端用于进行圆角处理的长度分别为第一长度和第二长度；

9.如权利要求8所述的光学邻近修正方法，其特征在于，在剩余长度的所述参考边上设立多个所述初始评价点的步骤包括：将剩余长度的所述参考边均分为多个第四线段；

10.如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，对所述设计图形进行光学邻近修正处理，直至所述评价点处的边缘放置误差满足预设条件的步骤中，所述预设条件为：所述边缘放置误差的绝对值小于或等于预设值。

11.如权利要求2所述的光学邻近修正方法，其特征在于，在所述参考边上设立多个初始评价点的步骤中，还包括：在所述参考图形的其他边上设立多个所述初始评价点；

12.如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，对所述设计图形的折线边进行台阶消除处理的步骤中，所述参考图形的形状为正方形或长方形。

13.如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述提供设计图形的步骤中，所述设计图形包括互连插塞图形。

14.一种光学邻近修正系统，其特征在于，包括：

15.一种掩膜版，其特征在于，包括：利用如权利要求1-13任一项所述的光学邻近修正方法获得的图形。

16.一种设备，其特征在于，包括至少一个存储器和至少一个处理器，所述存储器存储有一条或多条计算机指令，其中，所述一条或多条计算机指令被所述处理器执行以实现如权利要求1-13任一项所述的光学邻近修正方法。

17.一种存储介质，其特征在于，所述存储介质存储有一条或多条计算机指令，所述一条或多条计算机指令用于实现如权利要求1-13任一项所述的光学邻近修正方法。

技术总结
一种光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质，光学邻近修正方法包括：提供设计图形；沿设计图形的轮廓，获取具有台阶的边作为折线边，折线边由多个沿折线边的延伸方向延伸的第一线段、以及连接相邻第一线段的第二线段交替构成；对设计图形的折线边进行台阶消除处理，将折线边替换为与第一线段的延伸方向相同的直线型参考边，并围成与设计图形相对应的参考图形；在参考边上设立多个初始评价点；将多个初始评价点沿垂直于参考边的方向映射至折线边上，形成位于折线边上的评价点；对设计图形进行光学邻近修正处理，直至评价点处的边缘放置误差满足预设条件，形成修正后图形。本发明提高光学邻近修正的精准度。

技术研发人员：游林,张婉娟,严中稳,李文浩
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/14