涂布光刻胶的方法和半导体器件的制造方法与流程

本申请涉及半导体集成电路工艺制造领域，特别涉及一种涂布光刻胶的方法和半导体器件的制造方法。

背景技术：

1、旋转(spin)涂胶方法广泛运用于半导体集成电路制造的光刻工艺中。spin涂胶方法一般分为动态涂胶和静态涂胶。

2、动态涂胶是指：晶圆传输进涂胶机的涂布单元后，先通过溶剂的预润湿处理，在晶圆的高速旋转过程中，光刻胶喷嘴向晶圆中心位置喷出光刻胶，利用晶圆旋转产生的离心力将光刻胶均匀的分布在晶圆上。动态涂胶是指：晶圆传输进涂胶机的涂布单元后，一般不做溶剂的预润湿处理，在低速旋转或静止状态下，光刻胶喷嘴向晶圆中心位置喷出光刻胶，逐步提高晶圆的转速从而将光刻胶覆盖在晶圆表面。

3、一般来说，动态涂胶适用于低粘度光刻胶，静态涂胶适用于高粘度光刻胶。其中，低粘度光刻胶的粘度例如在100厘泊(cp)以下，高粘度光刻胶的粘度例如大于100厘泊(cp)。

4、通常，动态涂胶的均一性小于1％，静态涂胶的均一性小于5％。

5、应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本申请的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本申请的背景技术部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。

技术实现思路

1、本申请的发明人发现，利用静态涂胶过程涂覆光刻胶时，晶圆中心的离心力较小，因而晶圆中心的光刻胶偏厚从而光刻胶厚度的均一性较差。

2、例如，图1是静态涂胶后晶圆表面光刻胶厚度分布的一个示意图，如图1所示，位置1至位置9是晶圆直径上的多个位置，位置5对应于晶圆的中心，位置1和位置9对应于晶圆的边缘。如图1所示，位置5(即，晶圆的中心)处的光刻胶厚度较厚，因此，光刻胶厚度的均一性较差。

3、本申请实施例提供一种涂布光刻胶的方法和半导体器件的制造方法，通过在基板的径向的不同位置喷涂光刻胶，能够提高光刻胶的均一性。

4、根据本申请实施例的一个方面，提供一种涂布光刻胶的方法，所述方法包括：

5、在以第一转速旋转的基板的第一位置处喷涂光刻胶；

6、在所述基板的第二位置处喷涂光刻胶，在所述基板的径向上，所述第二位置和所述第一位置到所述基板边缘的距离不同；以及

7、使所述基板以第二转速旋转第一预定时间。

8、根据本申请实施例的另一个方面，其中，第一位置到所述基板边缘的距离为所述基板的半径的2/5至3/5。

9、根据本申请实施例的另一个方面，其中，所述第一位置到所述基板边缘的距离为所述基板的半径的1/2。

10、根据本申请实施例的另一个方面，其中，所述第二位置是所述基板的中心。

11、根据本申请实施例的另一个方面，其中，所述第二转速高于所述第一转速。

12、根据本申请实施例的另一个方面，其中，所述第一转速为40转每分钟至60转每分钟。

13、根据本申请实施例的另一个方面，其中，在向所述第一位置处喷涂光刻胶的过程中，所述基板旋转的角度至少为720度。

14、根据本申请实施例的另一个方面，其中，所述光刻胶的粘度大于100厘泊(cp)。

15、根据本申请实施例的另一个方面，提供一种半导体器件的制造方法，所述制造方法包括：

16、使用上述实施例的任一方面所述的方法在基板上涂布光刻胶；以及

17、对光刻胶进行曝光和显影。

18、本申请的有益效果在于：通过在基板的径向的不同位置喷涂光刻胶，能够提高光刻胶的均一性。

19、参照后文的说明和附图，详细公开了本申请的特定实施方式，指明了本申请的原理可以被采用的方式。应该理解，本申请的实施方式在范围上并不因而受到限制。在所附权利要求的精神和条款的范围内，本申请的实施方式包括许多改变、修改和等同。

20、针对一种实施方式描述和/或示出的特征可以以相同或类似的方式在一个或更多个其它实施方式中使用，与其它实施方式中的特征相组合，或替代其它实施方式中的特征。

21、应该强调，术语“包括/包含”在本文使用时指特征、整件、步骤或组件的存在，但并不排除一个或更多个其它特征、整件、步骤或组件的存在或附加。

技术特征：

1.一种涂布光刻胶的方法，其特征在于，所述方法包括：

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，

8.如权利要求1至6中任一项所述的方法，其特征在于，

9.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

技术总结
本申请提供一种涂布光刻胶的方法和半导体器件的制造方法，包括：在以第一转速旋转的基板的第一位置处喷涂光刻胶；在所述基板的第二位置处喷涂光刻胶，在所述基板的径向上，所述第二位置和所述第一位置到所述基板边缘的距离不同；以及使所述基板以第二转速旋转预定时间。通过在基板的径向的不同位置喷涂光刻胶，能够提高光刻胶的均一性。

技术研发人员：刘涛,龚燕飞,邰立,罗波涛,吴俊,王诗男
受保护的技术使用者：上海新微技术研发中心有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/16