光刻参数优化方法、装置及其相关设备

本发明实施例涉及半导体，具体涉及一种光刻参数优化方法、装置及其相关设备。

背景技术：

1、光刻胶是一种对光敏感的混合材料，用于在光照或辐射下变性，产生溶于或不溶于特定显影材料的特质。在半导体技术领域，利用光刻胶变性这一特性，可以实现对基底材料的图形化，从而实现对芯片的制备。其中，光刻所能实现的关键尺寸(criticaldimension,cd)和套刻精度直接决定了芯片的集成度，良率和成本。

2、目前，半导体行业中主要使用193nm浸没式光刻技术来实现集成电路先进技术节点的制备，其单次曝光可得到的关键尺寸仅为38nm。而极紫外(extreme ultraviolet，euv)光刻技术采用波长为13.5nm的曝光光源，单次曝光可获得30nm以下的关键尺寸分辨率，被认为是最有前途的光刻技术。但是，随着光刻技术中关键尺寸的逐渐缩小，对光刻胶成像性能的要求也在逐步升高。

3、因此，如何实现光刻参数的优化，提升光刻胶成像性能，成为了本领域技术人员亟需解决的技术问题。

技术实现思路

1、有鉴于此，本发明实施例提供一种光刻参数优化方法、装置及其相关设备，以实现对光刻参数的优化，提升光刻胶成像性能。

2、为实现上述目的，本发明实施例提供如下技术方案。

3、第一方面，本发明实施例提供一种光刻参数优化方法，包括：

4、获取多组待测参数组，所述待测参数组包括至少一个用于描述光刻工艺的工艺参数；

5、模拟确定各组待测参数组对应的结果数据组，所述结果数据组包括多个成像参数；

6、以所述结果数据组中的各成像参数均符合预设条件的待测参数组为目标参数组；

7、返回所述目标参数组。

8、第二方面，本发明实施例提供一种光刻参数优化装置，包括：

9、获取模块，用于获取多组待测参数组，所述待测参数组包括至少一个用于描述光刻工艺的工艺参数；

10、模拟确定模块，用于模拟确定各组待测参数组对应的结果数据组，所述结果数据组包括多个成像参数；

11、参数确定模块，用于以所述结果数据组中的各成像参数均符合预设条件的待测参数组为目标参数组；

12、返回模块，用于返回所述目标参数组。

13、第三方面，本发明实施例提供一种计算机设备，包括至少一个存储器和至少一个处理器；所述存储器存储一条或多条计算机可执行指令，所述处理器调用所述一条或多条计算机可执行指令，以执行上述所述的光刻参数优化方法。

14、第四方面，本发明实施例提供一种存储介质，所述存储介质存储一条或多条计算机可执行指令，所述一条或多条计算机可执行指令用于执行上述所述的光刻参数优化方法。

15、本发明实施例提供的光刻参数优化方法，通过获取多组待测参数组，所述待测参数组包括至少一个用于描述光刻工艺的工艺参数，进而模拟确定各组待测参数组对应的结果数据组，所述结果数据组包括多个成像参数，以结果数据组中各成像参数均符合预设条件的待测参数组为目标参数组，从而返回所述目标参数组。

16、可以看出，本发明实施例中以结果数据组中的多个成像参数为依据进行目标参数组的筛选，使得得到的目标参数组能够同时满足光刻胶成像性能的多个成像参数的要求，从而实现光刻参数的优化，提升光刻胶成像性能。

技术特征：

1.一种光刻参数优化方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的光刻参数优化方法，其特征在于，所述模拟确定各组待测参数组对应的结果数据组，具体为，利用光刻工艺模型模拟确定各组待测参数组对应的结果数据组；

3.根据权利要求2所述的光刻参数优化方法，其特征在于，所述光刻工艺模型包括多个光刻工艺子模型，一光刻工艺子模型用于模拟确定对应所述待测参数组的至少一个成像参数；

4.根据权利要求3所述的光刻参数优化方法，其特征在于，所述构建所述光刻工艺模型中的光刻工艺子模型，包括：

5.根据权利要求1所述的光刻参数优化方法，其特征在于，所述获取多组待测参数组，包括：

6.根据权利要求5所述的光刻参数优化方法，其特征在于，所述模拟确定各组待测参数组对应的结果数据组，包括：

7.根据权利要求6所述的光刻参数优化方法，其特征在于，所述以结果数据组中各成像参数均符合预设条件的待测参数组为目标参数组的步骤之前，还包括：

8.根据权利要求1-7任一项所述的光刻参数优化方法，其特征在于，所述待测参数组包括以下工艺参数中的任意一个或多个：

9.根据权利要求8所述的光刻参数优化方法，其特征在于，所述待测参数组中的工艺参数对应有参数范围；

10.根据权利要求1-7任一项所述的方法，其特征在于，所述结果数据组包括多个成像参数，所述成像参数为分辨率、线边粗糙度、线宽粗糙度或灵敏度。

11.一种光刻参数优化装置，其特征在于，包括：

12.根据权利要求11所述的光刻参数优化装置，其特征在于，所述模拟确定模块，用于模拟确定各组待测参数组对应的结果数据组，具体为，利用光刻工艺模型模拟确定各组待测参数组对应的结果数据组；

13.根据权利要求12所述的光刻参数优化装置，其特征在于，所述模型构建模块，构建的所述光刻工艺模型包括多个光刻工艺子模型，一光刻工艺子模型用于模拟确定对应所述待测参数组的至少一个成像参数；

14.根据权利要求11所述的光刻参数优化装置，其特征在于，所述获取模块，用于获取多组待测参数组，包括：

15.根据权利要求14所述的光刻参数优化装置，其特征在于，所述模拟确定模块，用于模拟确定各组待测参数组对应的结果数据组，包括：

16.根据权利要求15所述的光刻参数优化装置，其特征在于，所述参数确定模块之前，还包括：

17.一种计算机设备，其特征在于，包括：至少一个存储器和至少一个处理器；所述存储器存储一条或多条计算机可执行指令，所述处理器调用所述一条或多条计算机可执行指令，以执行如权利要求如权利要求1-10任一项所述的光刻参数优化方法。

18.一种存储介质，其特征在于，所述存储介质存储一条或多条计算机可执行指令，所述一条或多条计算机可执行指令用于执行如权利要求1-10任一项所述的光刻参数优化方法。

技术总结
本发明实施例提供一种光刻参数优化方法、装置及其相关设备，所述方法包括：获取多组待测参数组，所述待测参数组包括至少一个用于描述光刻工艺的工艺参数；模拟确定各组待测参数组对应的结果数据组，所述结果数据组包括多个成像参数；以所述结果数据组中的各成像参数均符合预设条件的待测参数组为目标参数组；返回所述目标参数组。本发明实施例能够实现光刻参数的优化，提升光刻胶成像性能。

技术研发人员：徐宏,何向明,赵荣波
受保护的技术使用者：清华大学
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15