光阻膜及其应用的制作方法

本发明是关于一种光阻膜，尤其是关于一种高厚度光阻膜，以及该光阻膜的应用。

背景技术：

1、光阻膜一般由树脂、光敏材料及添加剂组成，根据曝光显影后的变化，分为正型光阻膜以及负型光阻膜。正型光阻膜在曝光之后，受到光照的部分在显影时将溶解，显影后留下未受曝光部分的图案。负型光阻膜在曝光之后，未受到光照的部分在显影时将溶解，显影后留下受曝光部分的图案。

2、在印刷电路板(pcb)产业中，必须利用光阻膜来进行蚀刻程序，以形成电路图案。由于电子元件越来越复杂，体积渐大，印刷电路板产业对于具有高深宽比的厚光阻膜需求逐渐增加。然而，既有光阻膜与基板的贴合性不佳，或外观存在皱纹，或者在贴合时会产生流胶，进而造成光阻膜的厚度不均，影响蚀刻精准度等问题，仍亟待改良。

技术实现思路

1、有鉴于上述技术问题，本发明旨在提供一种操作性、贴合性、及外观均良好的高厚度光阻膜。

2、因此，本发明的一个目的在于提供一种光阻膜，其具有在30℃下的剪切损耗模数(shear loss modulus)g”值以及在30℃下的剪切储存模数(shear storage modulus)g'值，其中该g”值相对于该g'值的比值(g"/g')为0.50至10.40。于本发明的部分实施方案中，该g”值相对于该g'值的比值为0.50至10.36。

3、于本发明的部分实施方案中，该30℃下的剪切储存模数g'值为0.001kpa至4300kpa，以及该30℃下的剪切损耗模数g”值为0.08kpa至1900kpa。

4、于本发明的部分实施方案中，该30℃下的剪切损耗模数g”值及30℃下的剪切储存模数g'值是借由流变仪以如下操作条件测得：夹具为25毫米平行平板式etc铝、模式为剪切模式、静置时间(soak time)为0秒、起始温度为30℃、升温速度为3℃/分钟、终温为150℃、升温后静置时间为0秒、压力为1000pa、单点测定、以及频率为1hz。

5、于本发明的部分实施方案中，该光阻膜的厚度为60微米至600微米，例如65微米至400微米。

6、于本发明的部分实施方案中，该光阻膜是负型光阻膜。

7、于本发明的部分实施方案中，该负型光阻膜包含：具有羧基的(甲基)丙烯酸系聚合物以及光聚合起始剂。

8、本发明的另一目的在于提供一种复合膜，其包含如上所述的光阻膜，以及一形成于该光阻膜的至少一表面上的保护膜。

9、于本发明的部分实施方案中，该保护膜选自以下群组：聚对苯二甲酸乙二酯膜、聚烯烃膜及前述的复合物。

10、为使本发明的上述目的、技术特征及优点能更明显易懂，下文以部分具体实施方案进行详细说明。

技术特征：

1.一种光阻膜，其特征在于，具有在30oc下的剪切损耗模数（shear loss modulus）g''值以及在30oc下的剪切储存模数（shear storage modulus）g'值，其中该g''值相对于该g'值的比值（g"/g'）为0.50至10.40。

2.如权利要求1所述的光阻膜，其特征在于，该g''值相对于该g'值的比值为0.50至10.36。

3.如权利要求1所述的光阻膜，其特征在于，该30oc下的剪切储存模数g'值为0.001 kpa至4300 kpa，以及该30oc下的剪切损耗模数g''值为0.08 kpa至1900 kpa。

4.如权利要求1所述的光阻膜，其特征在于，该30oc下的损耗模数g''值及30oc下的剪切储存模数g'值借由流变仪以如下操作条件测得：夹具为25毫米平行平板式etc铝、模式为剪切模式、静置时间（soak time）为0秒、起始温度为30oc、升温速度为3oc／分钟、终温为150oc、升温后静置时间为0秒、压力为1000 pa、单点测定、以及频率为1 hz。

5.如权利要求1至4中任一项所述的光阻膜，其特征在于，其厚度为60微米至600微米。

6.如权利要求5所述的光阻膜，其特征在于，其厚度为65微米至400微米。

7.如权利要求1至4中任一项所述的光阻膜，其特征在于，其是负型光阻膜。

8.如权利要求7所述的光阻膜，其特征在于，包含具有羧基的（甲基）丙烯酸系聚合物及光聚合起始剂。

9.一种复合膜，其特征在于，包含：

10.如权利要求9所述的复合膜，其特征在于，该保护膜选自以下群组：聚对苯二甲酸乙二酯膜、聚烯烃膜及前述的复合物。

技术总结
本发明提供一种光阻膜及其应用，该光阻膜具有在30oC下的剪切损耗模数（shear loss modulus）G''值以及在30oC下的剪切储存模数（shear storage modulus）G'值，其中该G''值相对于该G'值的比值为0.50至10.40。

技术研发人员：庄子毅,杜安邦
受保护的技术使用者：长春人造树脂厂股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/14