确定SRAF曝光时的光强阈值的方法与流程

本发明涉及半导体，特别是涉及一种确定sraf曝光时的光强阈值的方法。

背景技术：

1、随着集成电路由微米级向纳米级发展，光刻工艺窗口变得越来越小(特别是一些特征尺寸较大而间距较小的图形)。现有的技术是通过添加亚分辨率辅助图形(sraf)来增加图形的工艺窗口。而亚分辨率辅助图形是不能在曝光在晶圆上的，因此，opc工程师需要找出亚分辨率辅助图形曝光时的光强阈值以避免其被曝光在晶圆上。

2、目前，opc工程师通过曝光能量-焦距矩阵(fem)的成像质量来判定sraf是否被曝光出来时，往往是人为判定的，该种方式会使得判断结果出现失误的概率比较大。因此，如何减少人为误差并保证工艺条件的准确性是我们所要解决的技术问题。

技术实现思路

1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种确定sraf曝光时的光强阈值的方法，用于解决以现有的人为判断的方法所造成的判断误差较多的问题。

2、为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种确定sraf曝光时的光强阈值的方法，所述方法包括：

3、于测试版图中选出添加有sraf的目标图形，且所述sraf在进行曝光时能够曝光于晶圆上；

4、设定光刻机曝光时的能量-焦距矩阵，对所述测试版图掩膜版进行曝光以得到曝光图形矩阵；

5、判断所述曝光图形矩阵中是否存在曝光所述sraf的第一曝光图形，若判断结果为是，获取所述第一曝光图形所对应的能量，并通过光学量测获取所述能量下所述目标图形的特征尺寸随焦距的变化曲线；

6、根据所述目标图形的所述特征尺寸与预设目标尺寸之间的偏差值以得到曝光出所述sraf的第二曝光图形，并根据所述第二曝光图形的曝光参数得到所述sraf曝光的光强阈值。

7、可选地，利用扫描式电子显微镜或光学线宽测量仪进行图形收集以获取所述曝光图形矩阵。

8、可选地，通过光学量测获取所述能量下所述目标图形的所述特征尺寸随焦距的变化曲线之前，所述方法还包括根据所述曝光图形矩阵确定光强范围的步骤。

9、可选地，通过扫描式电子显微镜或光学线宽量测仪量测所述曝光图形矩阵中所述目标图形的所述特征尺寸以确定所述光强范围。

10、可选地，根据所述目标图形的所述特征尺寸与所述预设目标尺寸之间的偏差值以得到曝光出所述sraf的第二曝光图形的方法包括：

11、通过计算得到所述变化曲线中所述特征尺寸与所述预设目标尺寸的最大偏差值；

12、根据所述最大偏差值从所述曝光图形矩阵中得到所述第二曝光图形。

13、可选地，根据所述第二曝光图形的曝光参数得到所述sraf曝光的光强阈值时，所述曝光参数包括所述能量及所述焦距。

14、可选地，所述目标图形为半密集图形或密集图形，包括图形区及相邻所述图形区之间的间隔区。

15、可选地，所述sraf添加于所述图形区内。

16、可选地，所述sraf添加于所述间隔区内。

17、可选地，所述目标图形为孤立图形，所述sraf添加于所述孤立图形的预设距离处。

18、如上所述，本发明的确定sraf曝光时的光强阈值的方法，通过能量-焦距矩阵得到曝光sraf的曝光图形的能量，再利用光学量测获取所述目标图形在同一能量不同焦距下的特征尺寸，以得到特征尺寸与预设目标尺寸的最大偏差值，并根据最大偏差值找到能够确定光强阈值的曝光图形，从而得到sraf被曝光的光强阈值。通过上述方式能够简单快速找到sraf的光强阈值，从而减少了人为判定的误差，提高生产能力。

技术特征：

1.一种确定sraf曝光时的光强阈值的方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的确定sraf曝光时的光强阈值的方法，其特征在于，利用扫描式电子显微镜或光学线宽测量仪进行图形收集以获取所述曝光图形矩阵。

3.根据权利要求2所述的确定sraf曝光时的光强阈值的方法，其特征在于，通过光学量测获取所述能量下所述目标图形的所述特征尺寸随焦距的变化曲线之前，所述方法还包括根据所述曝光图形矩阵确定光强范围的步骤。

4.根据权利要求3所述的确定sraf曝光时的光强阈值的方法，其特征在于，通过扫描式电子显微镜或光学线宽量测仪量测所述曝光图形矩阵中所述目标图形的所述特征尺寸以确定所述光强范围。

5.根据权利要求1所述的确定sraf曝光时的光强阈值的方法，其特征在于，根据所述目标图形的所述特征尺寸与所述预设目标尺寸之间的偏差值以得到曝光出所述sraf的第二曝光图形的方法包括：

6.根据权利要求5所述的确定sraf曝光时的光强阈值的方法，其特征在于，根据所述第二曝光图形的曝光参数得到所述sraf曝光的光强阈值时，所述曝光参数包括所述能量及所述焦距。

7.根据权利要求1所述的确定sraf曝光时的光强阈值的方法，其特征在于，所述目标图形为半密集图形或密集图形，包括图形区及相邻所述图形区之间的间隔区。

8.根据权利要求7所述的确定sraf曝光时的光强阈值的方法，其特征在于，所述sraf添加于所述图形区内。

9.根据权利要求7所述的确定sraf曝光时的光强阈值的方法，其特征在于，所述sraf添加于所述间隔区内。

10.根据权利要求1所述的确定sraf曝光时的光强阈值的方法，其特征在于，所述目标图形为孤立图形，所述sraf添加于所述孤立图形的预设距离处。

技术总结
本发明提供一种确定SRAF曝光时的光强阈值的方法，方法包括：于测试版图中选出添加有SRAF的目标图形；设定光刻机曝光时的能量‑焦距矩阵，对测试版图掩膜版进行曝光以得到曝光图形矩阵；判断曝光图形矩阵中是否存在曝光所述SRAF的第一曝光图形，若判断结果为是，获取第一曝光图形所对应的能量，并通过光学量测获取所述能量下目标图形的特征尺寸随焦距的变化曲线；根据目标图形的特征尺寸与预设目标尺寸之间的偏差值以得到曝光出所述SRAF的第二曝光图形，并根据第二曝光图形的曝光参数得到SRAF曝光的光强阈值。通过本发明解决了以现有的人为判断的方法所造成的判断误差较多的问题。

技术研发人员：孙晓雁,汪悦,张月雨
受保护的技术使用者：上海华力集成电路制造有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13