本申请涉及显示，特别涉及一种相位差膜的制造方法以及一种相位差膜。
背景技术：
1、随着有机发光二极管(organic light emitting diode，oled)技术的迅速发展，越来越多的电子设备开始采用oled显示面板。在oled显示面板内部，为解决由于oled显示面板内部的金属对自然光的反射导致的对比度的问题，oled显示器可以使用相位延迟装置(如圆偏光片)来控制这种反射。
2、相位延迟装置中包含相位差膜，但相位差膜本身较为脆弱，因此，在相关技术中，通常通过在相位差膜下堆叠其他膜层实现对相位差膜的特性提升。
3、然而，在相关技术中，通常是分别制作相位差膜以及其他膜层，然后通过粘连工艺利用胶psa胶(pressure sensitive adhesive，压敏胶)将各个膜层堆叠粘连在一起，然而粘连工艺具有损坏膜层的风险，使得相位膜层受损概率较高。
技术实现思路
1、本申请实施例提供了一种相位差膜的制造方法以及一种相位差膜，可以减少在相位差膜制作过程中粘连工艺的操作步骤，提高制备效率，降低膜层受损的概率，提高产品良率；同时减小相位差膜厚度，提高相位差膜的柔韧性，所述技术方案如下：
2、一方面，提供了一种相位差膜的制造方法，所述方法包括：
3、对基底进行预处理；所述基底为显示材料；
4、在预处理后的所述基底上制作硬质涂层hard coating层；
5、在所述hard coating层上依次堆叠制作光学配向材料pam层以及反应性液晶rm层，以获得所述相位差膜。
6、另一方面，提供了一种相位差膜，所述相位差膜包括硬质涂层hard coating层，光学配向材料pam层以及反应性液晶rm层；
7、所述hard coating层通过在热固化过程中下移的胶黏部分与基底粘连，所述基底为显示材料；
8、所述pam层位于所述hard coating层与所述rm层之间，并通过热固化过程中下移的胶黏部分与所述hard coating层粘连；
9、所述rm层位于所述pam层的上层，与所述pam层相连。
10、另一方面，提供了一种相位差膜的制造装置，所述装置包括：
11、预处理模块，用于对基底进行预处理；所述基底为显示材料；
12、第一制作模块，用于在预处理后的所述基底上制作硬质涂层hard coating层；
13、第二制作模块，用于在所述硬质涂层上依次堆叠制作光学配向材料pam层以及反应性液晶rm层，以获得所述相位差膜。
14、在一种可能的实现方式中，所述预处理模块，用于，
15、在所述基底上进行薄膜封装，获得封装膜层；
16、对所述封装膜层进行表面处理，获得预处理后的所述基底。
17、在一种可能的实现方式中，所述表面处理包括等离子体表面处理以及uvc光处理中的至少一种。
18、在一种可能的实现方式中，所述第一制作模块，用于，
19、在预处理后的所述基底上进行hard coating溶液涂覆，获得hard coating湿膜；
20、对所述hard coating湿膜进行热固化处理，获得初始hard coating层；
21、对所述初始hard coating层进行uv曝光固化处理，以完成对所述hard coating层的制作。
22、在一种可能的实现方式中，所述第二制作模块，用于，
23、在所述硬质涂层上进行pam溶液涂覆，获得pam湿膜；
24、对所述pam湿膜进行热固化处理，获得初始pam层；
25、对所述初始pam层进行uv曝光取向处理，获得所述pam层；
26、在所述pam层上进行rm溶液涂覆，获得rm湿膜；
27、对所述rm湿膜进行热固化处理，获得初始rm层；
28、对所述初始rm层进行uv固化聚合处理，获得所述rm层。
29、在一种可能的实现方式中，对所述初始hard coating层进行uv曝光固化处理的uv光波长为300～380nm；
30、对所述初始hard coating层进行曝光固化处理的曝光能量为1～1000mj/cm2。
31、在一种可能的实现方式中，对所述初始pam层进行uv曝光取向处理的uv光为线偏振态uv光，波长为300～380nm；
32、对所述初始pam层进行曝光取向处理的曝光能量为1～500mj/cm2。
33、在一种可能的实现方式中，对所述初始rm层进行uv固化聚合处理的uv光波长为300～380nm；
34、对所述初始rm层进行固化聚合处理的固化能量为100～5000mj/cm2。
35、另一方面，提供了一种计算机设备，所述计算机设备包含处理器和存储器，所述存储器存储有至少一条计算机程序，所述至少一条计算机程序由所述处理器加载并执行以实现上述的相位差膜的制造方法。
36、另一方面，提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质中存储有至少一条计算机程序，所述计算机程序由处理器加载并执行以实现上述的相位差膜的制造方法。
37、另一方面，提供了一种计算机程序产品，所述计算机程序产品包括至少一条计算机程序，所述计算机程序由处理器加载并执行以实现上述各种可选实现方式中提供的相位差膜的制造方法。
38、本申请提供的技术方案可以包括以下有益效果：
39、本申请实施例提供的相位差膜的制造方法，在相位差膜的制作过程中，直接以显示材料为基底进行相位差膜的制作，该相位差膜包含hard coating层，pam层以及rm层，也就是说，该hard coating层是相位差膜中的一部分，相较于现有技术中hard coating层与其他膜层相互独立制作，且需要通过psa粘连堆叠的方案，本申请提供的方法通过将hardcoating层融入到相位差膜的制作过程中，可以减少粘连工艺的操作步骤，提高了制备效率，降低了膜层受损的概率，提高了产品良率；同时减小了相位差膜厚度，提高了相位差膜的柔韧性。
1.一种相位差膜的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对基底进行预处理，包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述表面处理包括等离子体表面处理以及uvc光处理中的至少一种。
4.根据权利要求1至3任一所述的方法，其特征在于，所述在预处理后的所述基底上制作硬质涂层hard coating层，包括：
5.根据权利要求1至3任一所述的方法，其特征在于，所述在所述硬质涂层上依次堆叠制作光校准材料pam层以及反应性液晶rm层，以获得所述相位差膜，包括：
6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，对所述初始hard coating层进行uv曝光固化处理的uv光波长为300～380nm；
7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，对所述初始pam层进行uv曝光取向处理的uv光为线偏振态uv光，波长为300～380nm；
8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，对所述初始rm层进行uv固化聚合处理的uv光波长为300～380nm；
9.一种相位差膜，其特征在于，所述相位差膜包括硬质涂层hard coating层，光学配向材料pam层以及反应性液晶rm层；
10.一种相位差膜的制造装置，其特征在于，所述装置包括：
11.一种计算机设备，其特征在于，所述计算机设备包括处理器和存储器，所述存储器存储有至少一条计算机程序，所述至少一条计算机程序由所述处理器加载并执行以实现如权利要求1至8任一所述的相位差膜的制造方法。
12.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质中存储有至少一条计算机程序，所述计算机程序由处理器加载并执行以实现如权利要求1至8任一所述的相位差膜的制造方法。