本发明涉及精密光学元件,尤其涉及一种多层膜反射镜及其制备方法。
背景技术:
1、半导体工业商用下一代光刻系统的发展促使mo/si多层膜反射镜在13.5nm左右的极紫外光谱范围内的光学性能得到了提高。在过去的几年里,mo/si多层膜反射镜的发展集中在提高mo/si多层膜反射镜的功能特性上,如垂直入射反射率、热稳定性和在强euv曝光下的光学寿命。但不幸的是,mo/si多层膜反射镜关于寿命和热稳定性的进步仍然不能满足严格的商用euvl工具规格。
技术实现思路
1、有鉴于此,本发明的目的在于提供一种多层膜反射镜及其制备方法。本发明提供的多层膜反射镜使用寿命长、热稳定性好。
2、为了实现上述发明目的,本发明提供以下技术方案:
3、本发明提供了一种多层膜反射镜,包括依次层叠设置在基底上的打底层、多周期mo/sic/si层和保护层;
4、所述多周期mo/sic/si层包括若干个层叠设置的单周期mo/sic/si层;
5、所述单周期mo/sic/si层包括依次层叠设置的mo层、sic层和si层;
6、所述单周期mo/sic/si层中的mo层和所述打底层接触;
7、所述保护层的材质为nb2o5。
8、优选地,所述单周期mo/sic/si层中mo层的厚度为2.5~2.6nm,sic层的厚度为0.3~0.5nm,si层的厚度为3.95~4.05nm。
9、优选地,所述多周期mo/sic/si层中单周期mo/sic/si层的周期数为50~60。
10、优选地,所述打底层的材质为ti,所述打底层的厚度为5~10nm。
11、优选地,所述保护层的厚度为2~4nm。
12、优选地,所述基底为单晶硅片或非晶玻璃。
13、本发明还提供了上述技术方案所述的多层膜反射镜的制备方法,包括以下步骤:
14、在基底上制备打底层;
15、在所述打底层上依次制备mo层、sic层和si层,重复依次制备mo层、sic层和si层的过程,得到多周期mo/sic/si层;
16、在所述多周期mo/sic/si层上制备保护层,得到所述多层膜反射镜。
17、优选地,所述打底层的制备方法为磁控溅射,所述打底层的磁控溅射参数包括:靶材为ti靶,功率为100~120w,工作气体为氩气,工作气体的气压为0.2~0.25pa。
18、优选地,所述mo层的制备方法为磁控溅射,所述mo层的磁控溅射参数包括:靶材为mo靶,本底真空度≤1×10-4pa,功率为50~80w,工作气体为氩气,所述工作气体的气压为0.1~0.12pa;
19、所述sic层的制备方法为磁控溅射,所述sic层的磁控溅射参数包括:靶材为sic靶,本底真空度≤1×10-4pa,功率为30~50w,工作气体为氩气,所述工作气体的气压为0.1~0.12pa;
20、所述si层的制备方法为磁控溅射,所述si层的磁控溅射参数包括:靶材为si靶,本底真空度≤1×10-4pa,功率为100~120w,工作气体为氩气,所述工作气体的气压为0.1~0.12pa。
21、优选地,所述保护层的制备方法为磁控溅射,所述保护层的磁控溅射参数包括:靶材为nb靶,功率为50~80w,工作气体为ar和o2的混合气体,所述混合气体中ar和o2的流量比为8:1~4:1。
22、本发明提供了一种多层膜反射镜,包括依次层叠设置在基底上的打底层、多周期mo/sic/si层和保护层;所述多周期mo/sic/si层包括若干个层叠设置的单周期mo/sic/si层;所述单周期mo/sic/si层包括依次层叠设置的mo层、sic层和si层;所述单周期mo/sic/si层中的mo层和所述打底层接触;所述保护层的材质为nb2o5。本发明提供的多层膜反射镜在mo层和si层之间增设sic层,sic层的热稳定性高于si,因此理论上,多周期mo/sic/si层的热稳定性要优于传统的mo/si多层膜,提高了多层膜反射镜的热稳定性。此外,在多周期mo/sic/si层上增设保护层nb2o5层,能够防止多周期mo/sic/si层表面氧化和碳化形成水和碳氢化合物,最终提高了多层膜反射镜的使用寿命。
23、本发明还提供了上述技术方案所述的多层膜反射镜的制备方法,包括以下步骤:在基底上制备打底层;在所述打底层上依次制备mo层、sic层和si层,重复依次制备mo层、sic层和si层的过程,得到多周期mo/sic/si层;在所述多周期mo/sic/si层上制备保护层,得到所述多层膜反射镜。本发明提供的制备方法操作简单。
1.一种多层膜反射镜,其特征在于,包括依次层叠设置在基底上的打底层、多周期mo/sic/si层和保护层;
2.根据权利要求1所述的多层膜反射镜,其特征在于,所述单周期mo/sic/si层中mo层的厚度为2.5~2.6nm,sic层的厚度为0.3~0.5nm,si层的厚度为3.95~4.05nm。
3.根据权利要求1或2所述的多层膜反射镜,其特征在于,所述多周期mo/sic/si层中单周期mo/sic/si层的周期数为50~60。
4.根据权利要求1所述的多层膜反射镜,其特征在于,所述打底层的材质为ti,所述打底层的厚度为5~10nm。
5.根据权利要求1所述的多层膜反射镜,其特征在于,所述保护层的厚度为2~4nm。
6.根据权利要求1所述的多层膜反射镜,其特征在于,所述基底为单晶硅片或非晶玻璃。
7.权利要求1~6任一项所述的多层膜反射镜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
8.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于,所述打底层的制备方法为磁控溅射,所述打底层的磁控溅射参数包括:靶材为ti靶,本底真空度≤1×10-4pa,功率为100~120w,工作气体为氩气,工作气体的气压为0.2~0.25pa。
9.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于,所述mo层的制备方法为磁控溅射,所述mo层的磁控溅射参数包括:靶材为mo靶,本底真空度≤1×10-4pa,功率为50~80w,工作气体为氩气,所述工作气体的气压为0.1~0.12pa;
10.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于,所述保护层的制备方法为磁控溅射,所述保护层的磁控溅射参数包括:靶材为nb靶,功率为50~80w,工作气体为ar和o2的混合气体,所述混合气体中ar和o2的流量比为8:1~4:1。