相移掩模坯料、相移掩模、曝光方法及器件的制造方法与流程

本发明涉及相移掩模坯料、相移掩模、曝光方法及器件的制造方法。

背景技术：

1、已知有在透明基材上形成了由氧化氮化铬构成的相移层的相移掩模(专利文献1)。一直以来，希望提高相移掩模的品质。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2011～013283号公报

5、根据第一方式，提供一种相移掩模坯料，其具有基材和形成于上述基材上的包含锆(zr)、硅(si)和氮(n)的相移层，上述相移层中所含的氮浓度为51原子％以上。

6、根据第二方式，提供一种相移掩模，其中，第一方式的相移掩模坯料的上述相移层的一部分被去除，在上述相移层的表面形成有规定的图案。

7、根据第三方式，提供藉由第二方式的相移掩模对感光性基板进行曝光的曝光方法。

8、根据第四方式，提供包括第三方式的曝光方法的器件的制造方法。

技术实现思路

技术特征：

1.一种相移掩模坯料，其具有：

2.根据权利要求1所述的相移掩模坯料，其中，所述相移层中所含的氮浓度为51原子％～56原子％。

3.根据权利要求1或2所述的相移掩模坯料，其中，所述相移层中所含的锆浓度为20原子％～27原子％。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的相移掩模坯料，其中，所述相移层中的硅浓度为20原子％～27原子％。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的相移掩模坯料，其中，所述相移层对波长365nm的光的折射率为2.60～2.85。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的相移掩模坯料，其中，所述相移层对波长365nm的光的消光系数为0.13～0.18。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的相移掩模坯料，其中，所述相移层的波长330nm～470nm的光的透射率为20％以上。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的相移掩模坯料，其中，在对波长365nm的光赋予180°的相移的膜厚下，所述相移层对波长365nm的光的透射率为30％～40％。

9.根据权利要求1～7中任一项所述的相移掩模坯料，其中，在对波长405nm的光赋予180°的相移的膜厚下，所述相移层对波长405nm的光的透射率为45％～55％。

10.根据权利要求1～7中任一项所述的相移掩模坯料，其中，在对波长436nm的光赋予180°的相移的膜厚下，所述相移层对波长436nm的光的透射率为55％～75％。

11.根据权利要求1～10中任一项所述的相移掩模坯料，其中，所述相移层使透过所述相移层的光的相位偏移160°～200°。

12.根据权利要求11所述的相移掩模坯料，其中，所述相移层使透过所述相移层的光的相位偏移170°～190°。

13.根据权利要求1～12中任一项所述的相移掩模坯料，其还具有形成于所述相移层上的铬化合物层。

14.根据权利要求13所述的相移掩模坯料，其中，所述铬化合物层包含铬(cr)和氧(o)。

15.根据权利要求13或14所述的相移掩模坯料，其中，所述铬化合物层包括形成于所述相移层上的氮化铬(crn)层和形成于所述氮化铬层上的氧化铬(cro)层。

16.一种相移掩模，其中，权利要求1～15中任一项所述的相移掩模坯料的所述相移层的一部分被去除，在所述相移层的表面形成有规定的图案。

17.根据权利要求16所述的相移掩模，其中，在所述相移层的与所述基材表面正交的截面中，所述相移层的划分所述图案的侧面与所述基材表面所成的角度中的包含相移层的角度即倾斜角度为45°～90°。

18.根据权利要求17所述的相移掩模，其中，所述倾斜角度为60°～90°。

19.一种曝光方法，其藉由权利要求16～18中任一项所述的相移掩模对感光性基板进行曝光。

20.一种器件的制造方法，其包括权利要求19所述的曝光方法。

技术总结
本发明提供一种能够制造图案精度高的相移掩模的相移掩模坯料。相移掩模坯料(100)具有基材(10)和形成在上述基材(10)上的包含锆(Zr)、硅(Si)和氮(N)的相移层(20)。上述相移层(20)中所含的氮浓度为51原子％以上。

技术研发人员：林贤利,宫城茂彦,八神高史
受保护的技术使用者：株式会社 尼康
技术研发日：
技术公布日：2024/1/14