感光性表面处理剂、层叠体、晶体管、图案形成方法及晶体管的制造方法与流程

本发明涉及一种感光性表面处理剂、层叠体、晶体管、图案形成方法及晶体管的制造方法。本申请基于2021年8月17日在日本提出申请的日本专利特愿2021-132671号主张优先权，并将其内容援用于本申请。

背景技术：

1、近年来，在半导体元件、集成电路、有机电致发光(electroluminescence，el)显示器用器件等微细器件等的制造中，提出了在基板上形成表面特性不同的图案，利用其表面特性的差异制成微细器件的方法。

2、作为利用基板上的表面特性的差异的图案形成方法，例如有在基板的一部分形成产生化学活性的取代基的区域的方法。通过所述方法，可在基板的一部分密接金属材料、有机材料或无机材料。

3、作为在基板上密接金属材料而形成金属膜的技术，有无电解镀敷处理。例如专利文献1公开了通过无电解镀敷处理形成微细的配线的技术。具体而言，专利文献1公开了使用催化剂活性化层与光致抗蚀剂，从在一面上镀敷的状态起利用蚀刻、或剥离进行光图案化。

4、现有技术文献

5、专利文献

6、专利文献1：日本专利特开2006-2201号公报

技术实现思路

1、本发明的第一实施例为一种感光性表面处理剂，包含下述式(1)所表示的化合物或由下述式(1)衍生的高分子化合物。

2、[化1]

3、

4、[式(1)中，r1为氢原子或碳数1～5的烷基，r2及r3分别独立地为碳数1～3的烷基或碳数1～13的氟烷基，r4为氢原子或硝基，n1为0或1，y为含聚合性基的基或碳数1～20的直链状或支链状的烷基]

5、本发明的另一实施例为一种晶体管，包含下述式(1)所表示的化合物或由下述式(1)衍生的高分子化合物。

6、[化2]

7、

8、[式(1)中，r1为氢原子或碳数1～5的烷基，r2及r3分别独立地为碳数1～3的烷基或碳数1～13的氟烷基，r4为氢原子或硝基，n1为0或1，y为含聚合性基的基或碳数1～20的直链状或支链状的烷基]

技术特征：

1.一种感光性表面处理剂，包含下述式(1)所表示的化合物或由下述式(1)衍生的高分子化合物，

2.根据权利要求1所述的感光性表面处理剂，其中，所述y由下述式(y1)表示，

3.根据权利要求1或2所述的感光性表面处理剂，其中，所述y由下述式(y2)表示，

4.根据权利要求1至3中任一项所述的感光性表面处理剂，其中，所述y由下述式(y3)表示，

5.根据权利要求1至4中任一项所述的感光性表面处理剂，其中，所述y由下述式(y3-2)表示，

6.根据权利要求1至5中任一项所述的感光性表面处理剂，其中，所述y由下述式(y4)表示，

7.根据权利要求1至6中任一项所述的感光性表面处理剂，其中，所述y由下述式(y5)表示，

8.根据权利要求1至7中任一项所述的感光性表面处理剂，其中，所述y由下述式(y5-2)表示，

9.根据权利要求1至8中任一项所述的感光性表面处理剂，其中，所述由式(1)所表示的化合物衍生的高分子化合物是下述式(1)-1所表示的高分子化合物，

10.根据权利要求9所述的感光性表面处理剂，其中，所述由式(1)所表示的化合物衍生的高分子化合物在主链的末端的至少一个上键结有下述式(1x)所表示的取代基，

11.根据权利要求1至10中任一项所述的感光性表面处理剂，其中，所述由式(1)衍生的高分子化合物的数量平均分子量为300～100,000。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的感光性表面处理剂，包含环戊酮。

13.一种层叠体，包含如权利要求1至12中任一项所述的感光性表面处理剂。

14.一种晶体管，包含如权利要求1至12中任一项所述的感光性表面处理剂。

15.一种图案形成方法，包括：将如权利要求1至12中任一项所述的感光性表面处理剂涂布于基板上，形成感光性树脂膜的工序；

16.一种图案形成方法，包括：将如权利要求1至12中任一项所述的感光性表面处理剂涂布于基板上，形成感光性树脂膜的工序；

17.一种图案形成方法，包括：将如权利要求1至12中任一项所述的感光性表面处理剂涂布于基板上，形成感光性树脂膜的工序；

18.一种晶体管的制造方法，包含通过如权利要求15至17中任一项所述的图案形成方法，形成源极电极、漏极电极、或栅极电极中的任意一个以上的电极的工序。

19.一种晶体管，包含下述式(1)所表示的化合物或由下述式(1)衍生的高分子化合物，

20.根据权利要求19所述的晶体管，其中，所述化合物或所述高分子化合物具有至少一部分硝基苄基脱离而产生硫醇基的部分。

技术总结
一种感光性表面处理剂，包含下述式(1)所表示的化合物或由下述式(1)衍生的高分子化合物。[式(1)中，R1为氢原子或碳数1～5的烷基，R2及R3分别独立地为碳数1～3的烷基或碳数1～13的氟烷基，R4为氢原子或硝基，n1为0或1，Y为含聚合性基的基或碳数1～20的直链状或支链状的烷基]

技术研发人员：川上雄介,山口和夫,伊藤伦子
受保护的技术使用者：株式会社尼康
技术研发日：
技术公布日：2024/4/8