形成抗蚀图案的方法、制造半导体装置的方法、基板处理装置和存储介质与流程

本发明涉及形成抗蚀图案的方法、制造半导体装置的方法、基板处理装置和存储介质。

背景技术：

1、为了形成具有20nm尺寸的微细的抗蚀图案，在现有技术中应用使用了化学增幅型抗蚀材料的极紫外线(euv)光刻的技术(专利文献1)。在化学增幅型抗蚀材料时，通常通过由图案曝光产生的酸催化剂的作用，进行用于形成抗蚀图案的反应。为了通过euv光刻形成微细的抗蚀图案，还提出了应用非化学增幅型抗蚀材料的方案(专利文献2和非专利文献1)。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2020-101593号公报

5、专利文献2：美国专利申请公开第2020/0064733号

6、非专利文献

7、非专利文献1：j.micro/nanolith.mems moems16(2),023510(apr-jun 2017)

技术实现思路

1、发明要解决的技术问题

2、在形成微细的抗蚀图案时，希望抗蚀图案的粗糙度进一步降低。

3、用于解决技术问题的技术手段

4、本发明的一个发明涉及形成抗蚀图案的方法，其依次包括：对含有抗蚀材料的抗蚀膜的一部分照射第一射线的步骤；对上述抗蚀膜进行烘烤的步骤；对上述抗蚀膜中包括照射了上述第一射线的部分以及此外的部分的全部区域整体照射第二射线的步骤；和通过显影将上述抗蚀膜的一部分除去来形成抗蚀图案的步骤。上述第一射线为电离射线或非电离射线，上述第二射线为非电离射线，在上述第一射线为非电离射线时，上述第二射线为具有比上述第一射线的波长长的波长的非电离射线。

5、发明效果

6、根据本发明的方法，能够降低通过极紫外线(euv)光刻等形成的微细的抗蚀图案的粗糙度。

技术特征：

1.一种形成抗蚀图案的方法，其特征在于，依次包括：

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，

4.如权利要求1～3中任一项所述的方法，其特征在于，

5.如权利要求1～3中任一项所述的方法，其特征在于，

6.一种制造具有已图案化的膜的半导体装置的方法，其特征在于，该方法包括：

7.一种基板处理装置，其特征在于，具有：

8.一种计算机能够读取的存储介质，其特征在于，

技术总结
本发明公开了一种形成抗蚀图案的方法，其依次包括：对含有抗蚀材料的抗蚀膜的一部分照射第一射线的步骤；对抗蚀膜进行烘烤的步骤；对抗蚀膜中包括照射了第一射线的部分以及此外的部分的全部区域整体照射第二射线的步骤；和通过显影将抗蚀膜的一部分除去来形成抗蚀图案的步骤。

技术研发人员：永原诚司,C·丁恩,村松诚
受保护的技术使用者：东京毅力科创株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/4/29