测量衬底上的至少一个目标的方法与流程

本发明涉及在集成电路的制造中的量测应用。

背景技术：

1、光刻设备是一种被构造为将期望图案施加到衬底上的机器。光刻设备可以用于例如集成电路(ic)的制造中。光刻设备可以例如在图案形成装置(例如，掩模)处将图案(通常也称为“设计布局”或“设计”)投影到设置在衬底(例如，晶片)上的辐射敏感材料(抗蚀剂)的层上。

2、为了将图案投影到衬底上，光刻设备可以使用电磁辐射。该辐射的波长决定了可以在衬底上形成的特征的最小尺寸。当前使用的典型波长是365nm(i线)、248nm、193nm和13.5nm。与使用例如波长为193nm的辐射的光刻设备相比，使用波长在4nm至20nm的范围内(例如，6.7nm或13.5nm)的极紫外(euv)辐射的光刻设备可以用于在衬底上形成更小的特征。

3、低k1光刻可以用于处理尺寸小于光刻设备的经典分辨率极限的特征。在这样的过程中，分辨率公式可以表示为cd＝k1×λ/na，其中λ是所采用的辐射波长，na是光刻设备中的投影光学器件的数值孔径，cd是“临界尺寸”(通常印制的最小特征尺寸，但在这种情况下为半节距)，k1是经验分辨率因子。通常，k1越小，就越难以在衬底上复制与电路设计者为实现特定电气功能和性能而计划的形状和尺寸类似的图案。为了克服这些困难，可以将复杂的微调步骤应用于光刻投影设备和/或设计布局。这些微调步骤包括例如但不限于na的优化、定制的照射方案、相移图案形成装置的使用、设计布局的各种优化(诸如设计布局中的光学邻近校正(opc，有时也称为“光学过程校正”))、或通常定义为“分辨率增强技术”(ret)的其它方法。替代地，可以使用用于控制光刻设备的稳定性的严格控制回路来改善低k1下的图案的再现。

4、量测工具用于ic制造工艺的许多方面，例如作为用于在曝光之前正确定位衬底的对准工具和用于在过程控制中检查/测量曝光产品和/或蚀刻产品(例如，以测量重叠)的基于散射测量的工具。

技术实现思路

1、在本发明的第一方面中，提供了一种确定针对衬底上的一个或多个目标的各自测量结果的校正的方法，所述一个或多个目标包括多个感兴趣参数非敏感型子目标，所述一个或多个目标包括多个感兴趣参数非敏感型子目标使得每个目标包括一个或多个所述感兴趣参数敏感型子目标以及一个或多个感兴趣参数非敏感型子目标，所述感兴趣参数敏感型子目标各自对感兴趣参数敏感，所述感兴趣参数非敏感型子目标对感兴趣参数实质上较不敏感或不敏感，所述方法包括：获得与所述一个或多个感兴趣参数敏感型子目标中的每个感兴趣参数敏感型子目标相关的相应的第一测量参数值；获得多个第二测量参数值，所述多个第二测量参数值包括与所述多个感兴趣参数非敏感型子目标中的每个感兴趣参数非敏感型子目标相关的相应的第二测量参数值，所述多个第二测量参数值中的至少一些第二测量参数值与用于测量所述一个或多个目标的测量束的不同区域相关；以及使用所述第二测量参数值确定对每个所述第一测量参数值的光斑不均匀性校正，所述光斑不均匀性校正对所述测量束的不均匀性进行校正。

2、在本发明的第二方面中，提供了多个目标，每个目标包括一个或多个感兴趣参数敏感型子目标以及一个或多个感兴趣参数非敏感型子目标，所述一个或多个感兴趣参数敏感型子目标各自对感兴趣参数敏感，所述一个或多个感兴趣参数非敏感型子目标对所述感兴趣参数实质上较不敏感或不敏感；以及其中，对于所述多个目标中的各个不同目标，所述目标内的所述一个或多个感兴趣参数非敏感型子目标中的至少一个感兴趣参数非敏感型子目标相对于所述一个或多个感兴趣参数敏感型子目标中的每个感兴趣参数敏感型子目标的位置是变化的。

3、本发明还提供了一种计算机程序产品以及相关联的量测设备，所述计算机程序产品包括用于使处理器执行根据第一方面所述的方法的机器可读指令。

4、将通过考虑以下描述的示例，理解本发明的上述方面和其他方面。

技术特征：

1.一种确定针对衬底上的一个或多个目标的各自测量结果的校正的方法，所述一个或多个目标包括多个感兴趣参数非敏感型子目标，所述一个或多个目标包括一个或多个感兴趣参数敏感型子目标使得每个目标包括一个或多个所述感兴趣参数敏感型子目标以及一个或多个感兴趣参数非敏感型子目标，所述感兴趣参数敏感型子目标分别对感兴趣参数敏感，所述感兴趣参数非敏感型子目标对所述感兴趣参数实质上较不敏感或不敏感，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述感兴趣参数非敏感型子目标中的至少一些感兴趣参数非敏感型子目标中每个包括周期性校准子目标，所述周期性校准子目标包括对称的周期性结构。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述第二测量参数值包括来自所述多个感兴趣参数非敏感型子目标的每个感兴趣参数非敏感型子目标的至少一个衍射阶的强度值或相关度量。

4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，包括确定描述测量束的至少一个或多个部分内的强度的强度图；和

5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述一个或多个目标中的至少一个目标中每个包括多个感兴趣参数非敏感型子目标。

6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述一个或多个目标包括所述衬底上的多个目标，并且其中，对于所述多个目标中的各个不同目标，所述目标内的所述一个或多个感兴趣参数非敏感型子目标中的至少一个感兴趣参数非敏感型子目标相对于所述一个或多个感兴趣参数敏感型子目标中的每个感兴趣参数敏感型子目标的位置是变化的。

7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，包括初始测量步骤，所述初始测量步骤用于测量所述一个或多个目标中的每个目标，以获得所述第一测量参数值和所述第二测量参数值；

8.根据前述权利要求中任一项所述的方法，还包括：

9.根据前述权利要求中任一项所述的方法，还包括使用所述第二测量参数值来检测导致来自所述感兴趣参数非敏感型子目标的衍射辐射的变化的过程变化。

10.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述一个或多个感兴趣参数非敏感型子目标中的至少一个感兴趣参数非敏感型子目标包括空校准子目标，所述空校准子目标不包括衍射结构；所述方法包括：

11.根据前述权利要求中任一项所述的方法，包括：

12.根据前述权利要求中任一项所述的方法，包括确定每个所述多个感兴趣参数敏感型子目标中的不对称度以获得所述第一测量参数值。

13.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述第一测量参数值和所述第二测量参数值通过在像平面处的散射测量而获得。

14.一种量测装置，所述量测装置能够操作为执行根据权利要求1至13中任一项所述的方法。

15.一种衬底，所述衬底包括：

技术总结
公开了一种确定针对衬底上的至少一个目标的测量结果的校正的方法，该目标包括一个或多个感兴趣参数敏感型子目标以及一个或多个感兴趣参数非敏感型子目标，感兴趣参数敏感型子目标各自对感兴趣参数敏感，感兴趣参数非敏感型子目标对感兴趣参数实质上较不敏感或不敏感，该方法包括。所述方法包括：获得与所述一个或多个感兴趣参数敏感型子目标中的每个感兴趣参数敏感型子目标相关的相应的第一测量参数值；获得与所述一个或多个感兴趣参数非敏感型子目标中的每个感兴趣参数非敏感型子目标相关的相应的第二测量参数值；以及使用所述第二测量参数值确定对每个所述第一测量参数值的校正，和/或根据所述第二测量参数值检测可能影响第一测量参数值的准确性的效应的存在。

技术研发人员：M·加西亚格兰达,K·H·W·范德伯斯,J·A·T·雅各布斯,岳正恬
受保护的技术使用者：ASML荷兰有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/5/12