一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置与流程

本申请实施例涉及显示器件，尤其涉及一种阵列基板、一种阵列基板的制作方法、一种显示面板以及一种显示装置。

背景技术：

1、液晶显示器(liquid crystal display,lcd)为了实现屏幕显示，往往采用彩色滤光膜精确选择需要通过的小范围波段的光线，而反射掉其他不希望通过的波段的光线。为了提高lcd显示设备的像素分辨率，相关技术提出利用加工精度更高的array工艺对彩色滤光膜进行图案化处理，形成阵列化的滤光单元，以突破现有彩色滤光膜技术对lcd显示设备的像素分辨率的限制。然而，对彩色滤光膜进行图案化处理，需要在透明基板上进行，而彩色滤光膜中的介质层往往高达十几层甚至数十层，其中折射率不同的介质层的厚度及薄膜应力也存在差异，因此，经过多层介质层逐层沉积所得到的滤光单元通常会存在较大的薄膜应力，这些薄膜应力会传导至下方的透明基板，使得透明基板出现翘曲，进而影响到显示面板乃至整个显示器的制造装配，并可能造成显示产品的显示效果变差、显示摩尔纹现象增加等显示问题。

2、需要说明的是，在上述背景技术区分发明的信息仅用于加强对本发明的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

技术实现思路

1、本申请实施例提供了一种阵列基板、一种阵列基板的制作方法、一种显示面板以及一种显示装置，旨在由多个第一滤光层起到彩色滤光功能，并由具有与多个第一滤光层的翘曲系数之和的负值基本相等的目标翘曲系数的第二滤光层对滤光单元的翘曲系数进行调节，使滤光单元的翘曲系数趋近于0或等于0，进而避免牵连衬底基板翘曲。

2、在一方面，本申请实施例提供了一种阵列基板，包括：衬底基板以及阵列排布于所述衬底基板一侧的多个滤光单元；各所述滤光单元包括：叠层设置的多个第一滤光层以及位于所述多个第一滤光层之间的第二滤光层；

3、所述第一滤光层，用于对光进行干涉，以使预设波长范围内的光能够透过所述滤光单元和使其余波长的光被滤除；

4、所述第二滤光层，具有与所述多个第一滤光层的翘曲系数之和的负值基本相等的目标翘曲系数，以使各所述滤光单元的翘曲系数趋近于0或者等于0。

5、可选地，所述第二滤光层具有预设厚度和预设薄膜应力，以使所述第二滤光层具有所述目标翘曲系数。

6、可选地，所述预设厚度在0到500纳米之间，并且，所述预设薄膜应力在-500mpa到500mpa之间。

7、可选地，所述第二滤光层的折射率在2.3到2.5之间。

8、可选地，所述多个第一滤光层包括：多个第一介质层和多个第二介质层，所述第一介质层与所述第二介质层沿远离所述衬底基板的方向交替设置，所述多个第一滤光层中距离所述衬底基板最近的第一滤光层为所述第一介质层；所述第一介质层和所述第二介质层的折射率不同；

9、其中，所述第二滤光层位于相邻的所述第一介质层和所述第二介质层之间。

10、可选地，所述第一介质层的材料包括以下一者：氧化硅、氟化镁；

11、所述第二介质层的材料包括以下一者：氮化硅、二氧化钛、五氧化二钛、五氧化二铌、二氧化锆、三氧化二钇、硫化锌。

12、可选地，所述第一介质层及所述第二介质层的数量分别为8，并且，所述第二滤光层的数量为1；

13、所述第二滤光层位于自所述衬底基板起的第六层第一介质层与自所述衬底基板起的第五层第二介质层之间。

14、可选地，所述第一介质层、所述第二介质层及所述第二滤光层的数量分别为8。

15、可选地，所述预设波长范围包括：多个预设波长子范围；

16、所述滤光单元包括：多个交替排布的子滤光单元，各所述子滤光单元用于对光进行干涉，以使任一所述预设波长子范围内的光能够透过该子滤光单元和使其余波长的光被滤除；

17、其中，所述子滤光单元对任一所述预设波长子范围的透过率大于第一预设透过率阈值，并对其余所述预设子波长范围的透过率小于第二预设透过率阈值。

18、可选地，所述衬底基板的翘曲量小于1毫米。

19、可选地，所述第二滤光层的材料包括以下一者：氮化硅、氮氧化硅。

20、与现有技术相比，本申请实施例提供的阵列基板具有以下优点：

21、本申请提供的阵列基板利用第二滤光层可以较为自由地调节厚度和薄膜应力的特性，第二滤光层的目标翘曲系数与多个第一滤光层的翘曲系数之和的负值基本相等，可以在由第一滤光层实现彩色滤光功能的情况下，由具有目标翘曲系数的第二滤光层对滤光单元的翘曲系数进行调节，使滤光单元的翘曲系数趋近于0，可以有效改善多个第一滤光层的厚度和应力差异牵连衬底基板翘曲的问题，提高阵列基板的平坦度，有助于保障显示产品的显示效果。

22、在又一方面，本申请实施例还提供了一种阵列基板的制作方法，包括：

23、提供衬底基板；

24、在所述衬底基板的一侧制作叠层设置的多个第一滤光层以及位于所述多个第一滤光层之间的第二滤光层，得到滤光单元；

25、所述第一滤光层，用于对透过的光进行干涉，以使所述滤光单元能够透过预设波长范围内的光，并滤除其余波长的光；

26、所述第二滤光层，具有与所述多个第一滤光层的翘曲系数之和的负值基本相等的目标翘曲系数，以使所述滤光单元的翘曲系数趋近于0或者等于0。

27、可选地，所述第二滤光层具有预设厚度和预设薄膜应力，以使所述第二滤光层具有所述目标翘曲系数；所述在所述衬底基板的一侧制作叠层设置的多个第一滤光层以及位于所述多个第一滤光层之间的第二滤光层的步骤，包括：

28、通过调节所述第二滤光层的成膜工艺参数，得到具有所述预设薄膜应力和所述预设厚度的所述第二滤光层；

29、所述成膜工艺参数包括以下至少一者：成膜功率、成膜气体流量、成膜环境温度、成膜环境湿度、成膜环境压强、成膜材料和成膜沉积速度。

30、与现有技术相比，本申请实施例提供的阵列基板的制作方法具有以下优点：

31、(1)该制作方法得到的阵列基板具有上述任一项实施例中的阵列基板所具有的优点。

32、(2)该制作方法可以依次制备多个第一滤光层以及位于多个第一滤光层之间的第二滤光层，在不影响用于第一滤光层实现彩色滤光功能的情况下，调节滤光单元的翘曲系数，避免衬底基板翘曲。

33、在又一方面，本申请实施例还提供了一种显示面板，包括上述任一项实施例中的阵列基板。

34、本申请实施例提供的显示面板，包括上述实施例中的阵列基板，也具有上述阵列基板的全部优点。

35、在又一方面，本申请实施例还提供了一种显示装置，包括上述任一项实施例中的显示面板。

36、本申请实施例提供的显示装置，包括上述实施例中的显示面板，也具有上述显示面板的全部优点。

技术特征：

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板以及阵列排布于所述衬底基板一侧的多个滤光单元；各所述滤光单元包括：叠层设置的多个第一滤光层以及位于所述多个第一滤光层之间的第二滤光层；

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二滤光层具有预设厚度和预设薄膜应力，以使所述第二滤光层具有所述目标翘曲系数。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述预设厚度在0到500纳米之间，并且，所述预设薄膜应力在-500mpa到500mpa之间。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二滤光层的折射率在2.3到2.5之间。

5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述多个第一滤光层包括：多个第一介质层和多个第二介质层，所述第一介质层与所述第二介质层沿远离所述衬底基板的方向交替设置，所述多个第一滤光层中距离所述衬底基板最近的第一滤光层为所述第一介质层；所述第一介质层和所述第二介质层的折射率不同；

6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第一介质层的材料包括以下一者：氧化硅、氟化镁；

7.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第一介质层及所述第二介质层的数量分别为8，并且，所述第二滤光层的数量为1；

8.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第一介质层、所述第二介质层及所述第二滤光层的数量分别为8。

9.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述预设波长范围包括：多个预设波长子范围；

10.根据权利要求1至9任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述衬底基板的翘曲量小于1毫米。

11.根据权利要求1至9任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述第二滤光层的材料包括以下一者：氮化硅、氮氧化硅。

12.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：

13.根据权利要求12所述的阵列基板，其特征在于，所述第二滤光层具有预设厚度和预设薄膜应力，以使所述第二滤光层具有所述目标翘曲系数；所述在所述衬底基板的一侧预设阵列位置上，制作叠层设置的多个第一滤光层以及位于所述多个第一滤光层之间的第二滤光层，得到阵列排布的多个滤光单元的步骤，包括：

14.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1至12任一项所述的阵列基板，或者利用如权利要求12或13所述的方法制作的阵列基板。

15.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求14所述的显示面板。

技术总结
本申请实施例提供了一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置，阵列基板包括：衬底基板以及阵列排布于衬底基板一侧的多个滤光单元；各滤光单元包括：叠层设置的多个第一滤光层以及位于多个第一滤光层之间的第二滤光层；第一滤光层，用于对光进行干涉，以使预设波长范围内的光能够透过滤光单元和使其余波长的光被滤除；第二滤光层，具有与多个第一滤光层的翘曲系数之和的负值基本相等的目标翘曲系数，以使各滤光单元的翘曲系数趋近于0或者等于0。本申请实施例在保障彩色滤光功能的情况下，由具有与多个第一滤光层的翘曲系数之和的负值基本相等的目标翘曲系数的第二滤光层，使滤光单元的翘曲系数趋近于0，进而避免牵连衬底基板翘曲。

技术研发人员：杨维,卢鑫泓
受保护的技术使用者：京东方科技集团股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13