显示面板及其制备方法与流程

文档序号:36999486发布日期:2024-02-09 12:42阅读:20来源:国知局
显示面板及其制备方法与流程

本申请涉及显示,尤其涉及一种显示面板及其制备方法。


背景技术:

1、透明金属氧化物因其较高的透过率和较好的导电性,广泛应用于液晶显示面板的像素电极。现有技术通过在阵列基板上的公共电极和像素电极之间设置一层中间金属氧化物层,中间金属氧化物层与公共电极电连接,中间金属氧化物层起到公共信号线的作用和起到屏蔽源漏极层和像素电极之间的寄生电容的作用。但由于中间金属氧化物层在制备色阻层之后进行,色阻层造成的膜层表面的突起,会导致色阻上方的中间金属氧化物层与像素电极之间的有机平坦层过薄。现有技术通常以有机平坦层为掩膜,对下方的绝缘层进行刻蚀开孔,在刻蚀过程中,有机平坦层的缺失会导致中间金属氧化物层与像素电极短路。

2、综上,现有的显示面板有待于改进。


技术实现思路

1、本申请提供一种显示面板及其制备方法,以解决现有的显示面板中,以有机平坦层为掩膜,对下方的绝缘层进行开孔,在刻蚀过程中有机平坦层可能会缺失,导致中间金属氧化物层与像素电极短路的技术问题。

2、一方面,本申请提供一种显示面板,包括:

3、多个公共电极;

4、第一金属氧化物层,设置于所述公共电极上,包括本体部和凸出于所述本体部的第一凸出部;以及

5、第二金属氧化物层,设置于所述第一金属氧化物层上,所述第二金属氧化物层包括连接电极,所述连接电极通过第一过孔与所述公共电极电连接,所述连接电极通过所述第二过孔与所述本体部电连接;

6、其中,所述第一凸出部位于所述第一过孔周侧,且所述第一凸出部与所述第一过孔的侧壁之间的最小间距为零。

7、在本申请的一些实施例中,所述第一凸出部环绕所述第一过孔。

8、在本申请的一些实施例中,多个所述公共电极沿第一方向延伸,沿第二方向排列,所述本体部在所述公共电极上的正投影位于相邻的两所述公共电极之间,所述第一凸出部在所述公共电极上的投影与公共电极部分重叠。

9、在本申请的一些实施例中,所述第二金属氧化物层还包括与所述连接电极相互绝缘的像素电极,所述像素电极通过第三过孔与所述源漏极层的源极和漏极之一电连接。

10、在本申请的一些实施例中,所述第三过孔贯穿所述本体部,且所述本体部与所述第三过孔的侧壁之间的最小间距大于零。

11、另一方面,本申请还提供一种显示面板的制备方法,包括以下步骤:

12、提供一阵列基板,所述阵列基板包括依次层叠的第一金属层、栅绝缘层、有源层、源漏极层、钝化层,所述第一金属层至少包括公共电极;

13、在所述钝化层上形成第一金属氧化物预制膜层;

14、在所述第一金属氧化物预制膜层上形成第一光阻图案,所述第一光阻图案具有第一蚀刻孔和第二蚀刻孔,所述第一蚀刻孔与所述源漏极层的源极和漏极之一对应设置,所述第二蚀刻孔与所述公共电极对应设置;

15、以所述第一光阻图案为掩膜,对与所述第一蚀刻孔对应的所述钝化层进行刻蚀以形成第三过孔,所述第三过孔露出所述源漏极层的源极和漏极之一的至少部分表面;同时对与所述第二蚀刻孔对应的所述钝化层和所述栅绝缘层进行刻蚀以形成第一过孔,所述第一过孔露出所述公共电极的至少部分表面;以及

16、对所述第一光阻图案进行图案化形成第二光阻图案,以所述第二光阻图案为掩膜,对所述第一金属氧化物预制膜层进行刻蚀以形成图案化的第一金属氧化物层。

17、在本申请的一些实施例中,在第三过孔对所述钝化层和所述绝缘层刻蚀之前,所述制备方法还包括:

18、以所述第一光阻图案为掩膜,蚀刻位于所述第一蚀刻孔和所述第二蚀刻孔内的所述第一金属氧化物预制膜层。

19、在本申请的一些实施例中,所述第二光阻图案包括第三蚀刻孔和第四蚀刻孔,其中,

20、所述第三蚀刻孔露出所述第一金属氧化物预制膜层环绕所述第三过孔的环形表面,

21、所述第四蚀刻孔位于透光区和非透光区的交界处,并露出所述第一金属氧化物预制膜层。

22、在本申请的一些实施例中,以所述第二光阻图案为掩膜对所述第一金属氧化物预制膜层进行刻蚀的步骤包括:

23、以所述第二光阻图案为掩膜,蚀刻位于所述第三蚀刻孔和所述第四蚀刻孔内的所述第一金属氧化物预制膜层,以得到图案化的所述第一金属氧化物层。

24、在本申请的一些实施例中,所述制备方法还包括:

25、在所述第一金属氧化物层上形成图案化的有机平坦层,所述有机平坦层包括第二过孔,所述第二过孔露出所述第一金属氧化物层的至少部分表面;

26、在所述有机平坦层上形成图案化的第二金属氧化物层,其中,所述第二金属氧化物层包括相互绝缘的像素电极和连接电极,其中,所述像素电极通过所述第三过孔与所述源漏极层的源极和漏极之一连接,所述连接电极通过所述第一过孔与所述公共电极连接,所述连接电极通过所述第二过孔与所述第一金属氧化物层连接。

27、本申请的有益效果:本申请提供一种显示面板及其制备方法,通过利用同一光阻膜层为掩膜,同时实现第一金属氧化物层的图案化和钝化层和绝缘层的开孔,不仅可节省光罩制程,还能避免现有技术中由于以有机平坦层为掩膜进行栅绝缘层和钝化层上的开孔,有机平坦层在刻蚀过程中缺失,导致的第一金属氧化物层与其上层的第二金属氧化物层的像素电极短路的风险,同时也能节省有机平坦层的材料。



技术特征:

1.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括:

2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一凸出部环绕所述第一过孔。

3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,多个所述公共电极沿第一方向延伸,沿第二方向排列,所述本体部在所述公共电极上的正投影位于相邻的两所述公共电极之间,所述第一凸出部在所述公共电极上的投影与公共电极部分重叠。

4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第二金属氧化物层还包括与所述连接电极相互绝缘的像素电极,所述像素电极通过第三过孔与源漏极层的源极和漏极之一电连接。

5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述第三过孔贯穿所述本体部,且所述本体部与所述第三过孔的侧壁之间的最小间距大于零。

6.一种显示面板的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

7.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,在对与所述第二蚀刻孔对应的所述钝化层和所述栅绝缘层进行刻蚀以形成第一过孔之前,所述制备方法还包括:

8.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于,所述对所述第一光阻图案进行图案化形成第二光阻图案的步骤包括:

9.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于,以所述第二光阻图案为掩膜对所述第一金属氧化物预制膜层进行刻蚀的步骤包括:

10.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,所述制备方法还包括:


技术总结
本申请提供一种显示面板及其制备方法,显示面板包括:多个公共电极;第一金属氧化物层,设置于所述公共电极上,包括本体部和凸出于所述本体部的第一凸出部;以及第二金属氧化物层,设置于所述第一金属氧化物层上,所述第二金属氧化物层包括连接电极,所述连接电极通过第一过孔与所述公共电极电连接,所述连接电极通过所述第二过孔与所述本体部电连接;其中,所述第一凸出部位于所述第一过孔周侧,且所述第一凸出部与所述第一过孔的侧壁之间的最小间距为零。本申请提供的显示面板及其制备方法可降低第一金属氧化物层与第二金属氧化物层的像素电极短路的风险。

技术研发人员:陈钦盛,刘念
受保护的技术使用者:TCL华星光电技术有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/2/8
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