用于EUV光刻掩模的薄膜及其制造方法与流程

本公开涉及用于euv光刻掩模的薄膜及其制造方法。

背景技术：

1、薄膜(pellicle)是在粘合于光掩模的一侧之上的框架上拉伸的薄透明膜，以保护光掩模免受损坏、灰尘和/或湿气的影响。在极紫外(euv)光刻中，通常需要具有euv波长区域中的高透明度、高机械强度和低污染或无污染的薄膜。euv透射隔膜(transmittingmembrane)也用于euv光刻装置以代替薄膜。

技术实现思路

1、根据本公开的一个方面，提供了一种制造用于极紫外euv光掩模的薄膜的方法，包括：形成包括多个碳纳米管的纳米管层；将所述纳米管层附接到薄膜框架；以及通过施加电流经过所述纳米管层来对所述纳米管层执行焦耳加热处理。

2、根据本公开的另一方面，提供了一种制造用于极紫外euv光掩模的薄膜的方法，包括：形成包括多个碳纳米管和非晶碳的纳米管层；将所述纳米管层附接到薄膜框架；以及通过施加电流来对所述纳米管层执行焦耳加热处理，其中，所述非晶碳中的至少一部分通过所述焦耳加热处理被转换为结晶的非晶碳。

3、根据本公开的又一方面，提供了一种制造用于极紫外euv光掩模的薄膜的方法，包括：形成包括多个碳纳米管的纳米管层；将所述纳米管层附接到薄膜框架；以及通过施加电流来对所述纳米管层执行焦耳加热处理，其中，在所述焦耳加热处理之后，所述纳米管层包括多个碳纳米管束，在每个碳纳米管束中，所述碳纳米管被连接以形成无缝石墨结构。

技术特征：

1.一种制造用于极紫外euv光掩模的薄膜的方法，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述焦耳加热处理在等于或小于10pa的压力下执行。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述焦耳加热处理在惰性气体环境中执行5秒至60分钟。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述电流被施加为使得所述纳米管层在800℃至2000℃范围内的温度下被加热。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述电流是dc。

6.根据权利要求4所述的方法，其中，所述电流是ac。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述焦耳加热处理通过以下方式执行：

8.根据权利要求7所述的方法，其中，在所述夹住之前或之后，所述纳米管层被置于真空室中。

9.一种制造用于极紫外euv光掩模的薄膜的方法，包括：

10.一种制造用于极紫外euv光掩模的薄膜的方法，包括：

技术总结
本公开涉及用于EUV光刻掩模的薄膜及其制造方法。在一种制造用于极紫外(EUV)光掩模的薄膜的方法中，形成包括多个碳纳米管的纳米管层；将纳米管层附接到薄膜框架；以及通过施加电流经过纳米管层来对纳米管层执行焦耳加热处理。

技术研发人员：许倍诚,孙鼎弼,李信昌
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15