本发明实施例涉及显示,尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置。
背景技术:
1、随着显示技术的发展,人们希望进一步降低液晶显示屏(liquid crystaldisplay,lcd)的生产成本,这往往通过减少显示面板中膜层的光刻制程(即mask数)来实现。当前hd(high definition,hd)7mask技术已得到较为广泛的开发,其中,7mask技术指的是在玻璃上实现形成液晶显示屏阵列基板的薄膜晶体管(tft)和像素电极(ito)的过程,即在制备阵列基板的7个膜层时分别采用一道光刻工艺,以实现各个膜层的图案。
2、相对于8mask技术,7mask技术进一步去掉的是阵列基板的平坦化(planarizationlayer,pln)层的光刻制程,由于光刻制程减少,在减小制程工艺成本的同时,也带来了许多问题,尤其对产品的信赖性影响较大。
技术实现思路
1、本发明实施例提供了一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置,通过设置增加阵列基板的非显示区和显示区所能构成的段差,利用高段差断开第二金属层远离衬底基板一侧的液晶取向层,从而阻断外界水汽沿液晶取向层漫延至显示区内,避免形成气泡,从而提高产品的信赖性和显示效果。
2、第一方面,本发明实施例提供了一种阵列基板,包括:显示区和围绕所述显示区的非显示区;
3、所述阵列基板包括衬底基板以及位于所述衬底基板一侧层叠设置的第一金属层、第一绝缘层、第二金属层和液晶取向层,沿垂直于所述阵列基板所在平面的方向,所述显示区内的第一绝缘层厚度小于所述非显示区内的第一绝缘层厚度;
4、在所述非显示区内,所述第一金属层在所述衬底基板的垂直投影与所述第二金属层在所述衬底基板的垂直投影至少部分交叠,沿平行于所述衬底基板所在平面的方向,在所述第二金属层靠近所述显示区的一侧设置有至少一个第一凹槽,在所述第二金属层远离所述显示区的一侧设置有至少一个第二凹槽;
5、所述液晶取向层覆盖所述显示区和所述非显示区,且所述液晶取向层在所述第二金属层远离所述衬底基板一侧的至少部分区域断开。
6、第二方面,本发明实施例还提供了一种阵列基板的制备方法,用于制备第一方面提供的阵列基板。
7、第三方面,本发明实施例还提供了一种显示面板,该显示面板包括第一方面提供的阵列基板。
8、第四方面,本发明实施例还提供了一种显示装置,该显示装置包括第三方面提供的显示面板。
9、本发明实施例提供的阵列基板,通过在第一金属层和第二金属层之间设置厚度较厚的绝缘层,进而增加阵列基板的非显示区和显示区所能构成的段差,在非显示区内,设置第一金属层在衬底基板的垂直投影与第二金属层在衬底基板的垂直投影至少部分交叠,以压缩非显示区的体积,且在非显示区第二金属层的两侧分别设置至少一个凹槽,利用高段差断开第二金属层远离衬底基板一侧的液晶取向层,从而阻断外界水汽沿液晶取向层漫延至显示区内,避免形成气泡,提高产品的信赖性和显示效果。
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:显示区和围绕所述显示区的非显示区;
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,在所述非显示区内,所述第一金属层包括第一走线,所述第一走线围绕所述显示区一周设置,所述第二金属层包括第二走线,所述第二走线围绕所述显示区一周设置;
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述第一走线和所述第二走线与固定电位电连接。
4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一绝缘层包括有机层,所述显示区内的第一绝缘层厚度为0.5μm~0.6μm,所述非显示区内的第一绝缘层厚度为2μm~3μm。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述第一绝缘层为平坦化层。
6.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,在所述显示区内包括多个薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括半导体有源层、栅极、源极和漏极,所述半导体有源层位于所述第一金属层与所述衬底基板之间或所述第一金属层远离所述衬底基板的一侧,所述栅极位于所述第一金属层,所述源极和所述漏极位于所述第二金属层。
7.根据权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,还包括位于所述第二金属层远离所述衬底基板一侧的第二绝缘层;在所述显示区内,还包括像素电极层,所述像素电极层包括像素电极和公共电极,所述像素电极通过位于所述第二绝缘层的第二通孔与所述漏极电连接。
8.一种阵列基板的制备方法,其特征在于,所述阵列基板包括显示区和围绕所述显示区的非显示区,所述制备方法包括:
9.根据权利要求8所述的制备方法,其特征在于,所述第一绝缘层包括有机层,利用光刻工艺,通过控制所述显示区和所述非显示区对应的掩膜版的透光率不同,实现所述显示区内的第一绝缘层厚度小于所述非显示区内的第一绝缘层厚度。
10.一种显示面板,其特征在于,包括权利要求1~7任一所述的阵列基板。
11.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求10所述的显示面板。