带电粒子射束描绘装置、带电粒子射束描绘方法及相位差板的调整方法与流程

本发明涉及带电粒子射束描绘装置、带电粒子射束描绘方法及相位差板的调整方法。

背景技术：

1、随着lsi的高集成化，半导体器件的电路线宽逐年被微细化。为了在半导体器件上形成期望的电路图案，采用如下方法：使用缩小投影型曝光装置在晶片上缩小转印形成在石英上的高精度的原图像图案(掩模、或者特别是在步进器、扫描仪中使用的掩模被称为中间掩模)。高精度的原图图案由电子射束描绘装置描绘，使用所谓的电子射束光刻技术。

2、以往的电子射束描绘装置在真空腔室内一边使载置有描绘对象的基板的载台移动，一边基于载台位置使电子射束偏转，向基板的期望的位置照射电子射束来描绘图案。驱动载台的致动器被固定于真空腔室的壁面。

3、在载台的位置的测定中使用激光干涉仪。激光干涉仪具有被固定于腔室壁面的偏振光分束器、λ/4板、反射镜等多个光学部件。激光入射到偏振光分束器时，被分为朝向载台的测定光(长度测量光)和朝向反射镜的参照光。由载台反射后的测定光及由反射镜反射后的参照光由偏振光分束器合成而成为干涉光。根据由测定光与参照光的光路差产生的干涉条纹来计测载台位置。

4、固定有偏振光分束器的腔室壁面由于大气压变动或气温变动等环境变化、致动器的载台驱动反力等，始终产生亚nm～数nm级的变形。若偏振光分束器的位置因腔室壁面的变形而变动，则产生载台位置的测定误差，有可能使描绘精度降低。

技术实现思路

1、本发明的一个实施方式提供一种能够高精度地计测载台位置并防止描绘精度降低的带电粒子射束描绘装置、带电粒子射束描绘方法及相位差板的调整方法。

2、本发明的一个方式的带电粒子射束描绘装置具备：描绘部，具有在内部设置有载置试样的能够移动的载台的描绘室，向所述试样照射带电粒子射束来描绘图案；激光源，输出第一频率及第二频率的激光；测长部，使用所述第一频率及所述第二频率的激光来计测所述载台的位置；壁面位移测定部，使用所述第一频率及所述第二频率的激光来测定所述描绘室的壁面位移；以及描绘控制部，控制所述描绘部，所述测长部具有设置在所述描绘室的壁面的第一激光干涉仪，检测将在该第一激光干涉仪与所述载台之间往复后的所述第一频率的激光与在该第一激光干涉仪内反射后的所述第二频率的激光合成而得到的第一合成光并输出第一脉动信号，所述壁面位移测定部具有设置在所述描绘室的壁面的第二激光干涉仪，检测将在该第二激光干涉仪与固定于该描绘室内的规定位置的固定镜之间往复后的所述第一频率的激光与在该第二激光干涉仪内反射后的所述第二频率的激光合成而得到的第二合成光并输出第二脉动信号，所述描绘控制部基于所述第一脉动信号与所述第二脉动信号的差量来计算所述载台的位置。

技术特征：

1.一种带电粒子射束描绘装置，其特征在于，具备：

2.根据权利要求1所述的带电粒子射束描绘装置，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的带电粒子射束描绘装置，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的带电粒子射束描绘装置，其特征在于，

5.根据权利要求3所述的带电粒子射束描绘装置，其特征在于，

6.一种带电粒子射束描绘方法，其特征在于，具备：

7.根据权利要求6所述的带电粒子射束描绘方法，其特征在于，

8.根据权利要求7所述的带电粒子射束描绘方法，其特征在于，还具备：

9.一种相位差板的调整方法，调整权利要求2所述的带电粒子射束描绘装置的所述第一相位差板，其特征在于，

10.一种相位差板的调整方法，调整权利要求2所述的带电粒子射束描绘装置的所述第二相位差板，其特征在于，

11.根据权利要求10所述的相位差板的调整方法，其特征在于，

12.根据权利要求11所述的相位差板的调整方法，其特征在于，

技术总结
提供一种能够高精度地计测载台位置并防止描绘精度降低的带电粒子射束描绘装置、带电粒子射束描绘方法及相位差板的调整方法。带电粒子射束描绘装置具备：测长部，使用第一频率及第二频率的激光来计测载台的位置；壁面位移测定部，使用第一频率及第二频率的激光来测定描绘室的壁面位移。测长部具有设置在描绘室的壁面的第一激光干涉仪，检测将在第一激光干涉仪与载台之间往复后的第一频率的激光与在第一激光干涉仪内反射后的第二频率的激光合成并输出第一脉动信号。壁面位移测定部具有设置在描绘室的壁面的第二激光干涉仪，检测将在第二激光干涉仪与描绘室内的固定镜之间往复后的第一频率的激光与在第二激光干涉仪内反射后的第二频率的激光合成并输出第二脉动信号。基于第一脉动信号与第二脉动信号的差量来计算载台的位置。

技术研发人员：佐藤保尚,朝仓裕登
受保护的技术使用者：纽富来科技股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/24