本发明涉及薄膜晶体管,更具体地涉及一种用于tft-lcd的长寿命多制程兼容性水系剥离液及其制备和应用。
背景技术:
1、薄膜晶体管(thin film transistor,tft)技术是采用新材料和新工艺的大规模半导体集成电路技术,它是在玻璃或塑料基板等非单晶片上,通过溅射、化学沉积等多步工艺构造各种极微细的膜,并通过蚀刻、剥离等膜加工工艺及金属连线制造集成电路。薄膜晶体管的加工工艺对金属连线尺寸变化、侧掏(side-wall trenching)等容忍度较高。湿法蚀刻技术以其高蚀刻速率、低成本、易操作等优点,是薄膜晶体管常用的加工技术。
2、随着市场需求和行业技术的不断发展,富含多道薄膜电晶体制程的薄膜晶体管研发及生产受到日益广泛的关注和重视。现有技术中用于薄膜晶体管的蚀刻液大多仍只针对单一制程,如铝制程或铜制程,已渐渐不能满足市场和技术发展的需求。因此,研制出一种制作多道薄膜电晶体的多制程兼容且寿命长、兼容性好的水性剥离液刻不容缓。
技术实现思路
1、为此,需要提供一种用于tft-lcd的长寿命多制程兼容性水系剥离液及其制备和应用,以解决目前市面上缺少适用于含多道薄膜电晶体的薄膜晶体管多制程研发生产需要的多制程水系剥离液的燃眉之急,以及由于多个单一制程剥离液的工艺和交叉使用带来的负面影响和生产效率低下问题。
2、为实现上述目的,第一方面,本发明提供了一种用于tft-lcd的长寿命多制程兼容性水系剥离液,以重量百分比计,包括:
3、胺类5%-15%;
4、极性溶剂60%-80%;
5、缓蚀剂0.05%-0.3%;
6、表面活性剂0.05%-0.3%,所述表面活性剂选自三乙二醇或聚乙二醇;
7、螯合剂0.05%-0.3%;
8、余量去离子水。
9、作为本发明优选的实施方案,所述胺类选自n-甲基乙醇胺、n-甲基二乙醇胺、n,n-二甲基丙酰胺、二甘醇胺、amp-95和单乙醇胺中的至少一种。
10、作为本发明优选的实施方案,所述极性溶剂选自二乙二醇丁醚、二乙二醇甲醚、乙二醇乙醚和丙二醇单甲醚中的至少一种。
11、作为本发明优选的实施方案,所述缓蚀剂选自钼酸铵、尿嘧啶、甲基-苯丙三氮唑、己二酸、肌酸酐和山梨糖醇中的至少一种。
12、作为本发明优选的实施方案,所述螯合剂选自乙二胺四亚甲基膦酸或膦羧酸。
13、第二方面,发明人提供了一种用于tft-lcd的长寿命多制程兼容性水系剥离液的制备方法,包括以下步骤:
14、以重量百分比计,向含有去离子水的容器内加入缓蚀剂0.05%-0.3%,混合均匀后加入螯合剂0.05%-0.3%,再次混合均匀后依次加入胺类5%-15%、极性溶剂60%-80%和表面活性剂0.05%-0.3%,其中,所述表面活性剂选自三乙二醇或聚乙二醇,将温度保持在20℃-25℃。
15、作为本发明优选的实施方案,所述螯合剂选自乙二胺四亚甲基膦酸或膦羧酸。
16、作为本发明优选的实施方案,所述胺类选自n-甲基乙醇胺、n-甲基二乙醇胺、n,n-二甲基丙酰胺、二甘醇胺、amp-95和单乙醇胺中的至少一种。选用醇胺而非羟胺,可高效、充分地渗透分解光刻胶,同时保护金属免受氧化和腐蚀的伤害。
17、作为本发明优选的实施方案,所述极性溶剂选自二乙二醇丁醚、二乙二醇甲醚、乙二醇乙醚和丙二醇单甲醚中的至少一种。
18、作为本发明优选的实施方案,所述缓蚀剂选自钼酸铵、尿嘧啶、甲基-苯丙三氮唑、己二酸、肌酸酐和山梨糖醇中的至少一种。
19、第三方面,发明人提供了一种用于tft-lcd的长寿命多制程兼容性水系剥离液的应用,所述用于tft-lcd的长寿命多制程兼容性水系剥离液为本发明第一方面所述的剥离液。
20、作为本发明进一步优选的实施方案,上述应用针对的是包含cu-ito制程的tft-lcd多制程加工工艺中。
21、区别于现有技术,上述技术方案提供的长寿命多制程兼容性水系剥离液的配方组分及其用量比例,摒弃了传统的羟胺类和酚类缓蚀剂成分,得到的剥离液可充分保护金属不受腐蚀或氧化,并实现了各制程兼容。同时,经过实际应用发现,用本发明的剥离液溶解光刻胶,溶解后混合液中光刻胶的质量浓度可达到5%再进行更换,且剥离液的性能稳定,因此,使用寿命得到明显延长。进一步地,发明人意外地发现本发明剥离液配方很好地兼容cu-ito制程,且加入表面活性剂,在清洗过程中无剥离液残留,大大降低了后端制程的不良率。本发明剥离液的制备方法简单、所需设备常规、制备条件温和,容易实现规模化生产制备。本发明剥离液的应用过程环境友好,可很好地推广至多制程兼容的液晶显示器、面板等工业生产应用过程。
22、上述
技术实现要素:
相关记载仅是本申请技术方案的概述,为了让本领域普通技术人员能够更清楚地了解本申请的技术方案,进而可以依据说明书的文字及附图记载的内容予以实施,并且为了让本申请的上述目的及其它目的、特征和优点能够更易于理解,以下结合本申请的具体实施方式及附图进行说明。
1.一种用于tft-lcd的长寿命多制程兼容性水系剥离液,其特征在于,以重量百分比计,包括:
2.根据权利要求1所述的一种用于tft-lcd的长寿命多制程兼容性水系剥离液,其特征在于,所述胺类选自n-甲基乙醇胺、n-甲基二乙醇胺、n,n-二甲基丙酰胺、二甘醇胺、amp-95和单乙醇胺中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的一种用于tft-lcd的长寿命多制程兼容性水系剥离液,其特征在于,所述极性溶剂选自二乙二醇丁醚、二乙二醇甲醚、乙二醇乙醚和丙二醇单甲醚中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的一种用于tft-lcd的长寿命多制程兼容性水系剥离液,其特征在于,所述缓蚀剂选自钼酸铵、尿嘧啶、甲基-苯丙三氮唑、己二酸、肌酸酐和山梨糖醇中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的一种用于tft-lcd的长寿命多制程兼容性水系剥离液,其特征在于,所述螯合剂选自乙二胺四亚甲基膦酸或膦羧酸。
6.一种用于tft-lcd的长寿命多制程兼容性水系剥离液的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
7.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,所述螯合剂选自乙二胺四亚甲基膦酸或膦羧酸。
8.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,所述胺类选自n-甲基乙醇胺、n-甲基二乙醇胺、n,n-二甲基丙酰胺、二甘醇胺、amp-95和单乙醇胺中的至少一种。
9.一种用于tft-lcd的长寿命多制程兼容性水系剥离液的应用,其特征在于,所述用于tft-lcd的长寿命多制程兼容性水系剥离液为权利要求1-5中任一项所述。
10.根据权利要求9所述的应用,其特征在于,所述多制程包含cu-ito制程。