一种掩膜图案校正方法、装置、电子设备和可读存储介质与流程

本发明涉及掩膜校正领域，特别是涉及一种掩膜图案校正方法、装置、电子设备和计算机可读存储介质。

背景技术：

1、半导体光刻工艺中使用的掩膜通常由电子束曝光和蚀刻工艺制造获得。需要的目标掩膜图案一般包括亚分辨率辅助图形(sub-resolution assisting feature，sraf)和主要图形(main feature)。当电子束曝光时的曝光图案和目标掩膜图案完全相同，由于电子束散射、蚀刻偏差等效应，导致最终获得的掩膜图案和目标掩膜图案之间存在误差，且误差会随着掩膜尺寸变小而变大。因此，进行掩膜工艺校正非常必要。将电子束曝光区域在目标掩膜图案的基础上进行校正，使得到的掩膜图案更接近目标掩膜图案。

2、目前，掩膜工艺校正有两种方式，分别为基于规则的校正和基于模型的校正。在基于规则的掩膜工艺校正中，首先需要定义掩膜偏差规则表，在掩膜偏差规则表中指定对于特定线宽和特定间距的边缘段，其移动的方向和距离，再依据掩膜偏差规则表对掩膜图案中所有的边缘段进行移动。在基于模型的掩膜工艺校正中，首先需要建立掩膜工艺校正模型(mask process correction model)，对给定的电子束曝光图案，该模型可以预测其经过掩膜制造工艺后得到的最终掩膜图案，之后建立掩膜工艺校正程序，并对目标掩膜图案运行校正程序。基于规则的掩膜工艺校正，运行速度较快，但精度有限。基于模型的掩膜工艺校正，由于在运行掩膜校正程序时需要进行大量的模型仿真和迭代，校正速度显著变慢。

3、因此，如何解决上述技术问题应是本领域技术人员重点关注的。

技术实现思路

1、本发明的目的是提供一种掩膜图案校正方法、装置、电子设备和计算机可读存储介质，以提升校正精度，加快校正速度。

2、为解决上述技术问题，本发明提供一种掩膜图案校正方法，包括：

3、将目标掩膜图案划分为亚分辨率辅助图形目标图案和其他目标图案；

4、在所述其他目标图案固定的条件下，利用预先建立的掩膜工艺校正程序对所述亚分辨率辅助图形目标图案进行校正，得到校正后亚分辨率辅助图形图案；

5、利用预先建立的掩膜偏差规则表对所述其他目标图案进行校正，得到校正后其他图案；

6、合并所述校正后亚分辨率辅助图形图案和所述校正后其他图案，得到校正后掩膜图案。

7、可选的，还包括：

8、获取建模图案集合中各个建模图案的关键尺寸量测值；

9、利用所述关键尺寸量测值拟合掩膜工艺校正模型中参数，得到掩膜工艺校正模型；

10、基于所述掩膜工艺校正模型建立所述掩膜工艺校正程序。

11、可选的，还包括：

12、生成测试图形集合；所述测试图形集合包括不同线宽和间距的测试图形；

13、利用所述掩膜工艺校正程序对所述测试图形进行校正，得到校正后测试图形；

14、确定所述校正后测试图形与对应的所述测试图形的偏差；

15、根据所述线宽、所述间距、所述偏差建立所述掩膜偏差规则表。

16、可选的，利用预先建立的掩膜偏差规则表对所述其他目标图案进行校正包括：

17、确定所述其他目标图案的线宽；

18、确定所述其他目标图案的边缘与相邻目标图案的边缘之间的间距；所述相邻目标图案包括所述亚分辨率辅助图形目标图案和所述其他目标图案；

19、通过所述掩膜偏差规则表，并根据所述线宽和所述间距确定对应的移动距离；

20、根据所述移动距离对所述其他目标图案进行校正。

21、可选的，利用预先建立的掩膜工艺校正程序对所述亚分辨率辅助图形目标图案进行校正，得到校正后亚分辨率辅助图形图案包括：

22、利用所述掩膜工艺校正程序对亚分辨率辅助图形目标图案的边缘进行分段，形成边缘段；

23、在所述边缘段上设置控制点；

24、获取所述控制点的边缘放置误差；

25、根据所述边缘放置误差移动所述边缘段，得到校正后亚分辨率辅助图形图案。

26、可选的，获取所述控制点的边缘放置误差之前，还包括：

27、利用掩膜工艺校正模型确定所述控制点的所述边缘放置误差。

28、可选的，利用预先建立的掩膜偏差规则表对所述其他目标图案进行校正，得到校正后其他图案之后，还包括：

29、在所述校正后其他图案固定的条件下，利用所述掩膜工艺校正程序对所述校正后亚分辨率辅助图形图案进行校正，得到二次校正的亚分辨率辅助图形图案；

30、相应的，合并所述校正后亚分辨率辅助图形图案和所述校正后其他图案，得到校正后掩膜图案包括：

31、合并所述二次校正的亚分辨率辅助图形图案和所述校正后其他图案，得到校正后掩膜图案。

32、本发明还提供一种掩膜图案校正装置，包括：

33、划分模块，用于将目标掩膜图案划分为亚分辨率辅助图形目标图案和其他目标图案；

34、第一校正模块，用于在所述其他目标图案固定的条件下，利用预先建立的掩膜工艺校正程序对所述亚分辨率辅助图形目标图案进行校正，得到校正后亚分辨率辅助图形图案；

35、第二校正模块，用于利用预先建立的掩膜偏差规则表对所述其他目标图案进行校正，得到校正后其他图案；

36、合并模块，用于合并所述校正后亚分辨率辅助图形图案和所述校正后其他图案，得到校正后掩膜图案。

37、本发明还提供一种电子设备，包括：

38、存储器，用于存储计算机程序；

39、处理器，用于执行所述计算机程序时实现上述任一种所述掩膜图案校正方法的步骤。

40、本发明还提供一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述任一种所述掩膜图案校正方法的步骤。

41、本发明所提供的一种掩膜图案校正方法，包括：将目标掩膜图案划分为亚分辨率辅助图形目标图案和其他目标图案；在所述其他目标图案固定的条件下，利用预先建立的掩膜工艺校正程序对所述亚分辨率辅助图形目标图案进行校正，得到校正后亚分辨率辅助图形图案；利用预先建立的掩膜偏差规则表对所述其他目标图案进行校正，得到校正后其他图案；合并所述校正后亚分辨率辅助图形图案和所述校正后其他图案，得到校正后掩膜图案。

42、可见，本发明中的校正方法将目标掩膜图案分为亚分辨率辅助图形目标图案和其他目标图案，对于亚分辨率辅助图形目标图案，使用掩膜工艺校正程序进行校正，即仿真和迭代仅针对亚分辨率辅助图形目标图案进行，基于掩膜工艺校正程序的校正可以提升校正精度。对于其他目标图案，使用的掩膜偏差规则表进行校正，校正运行速度快。因此，本发明中的校正方法同时保证了的校正精度和校正运行速度。

43、此外，本发明还提供一种具有上述优点的装置、电子设备和计算机可读存储介质。

技术特征：

1.一种掩膜图案校正方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的掩膜图案校正方法，其特征在于，还包括：

3.如权利要求2所述的掩膜图案校正方法，其特征在于，还包括：

4.如权利要求1所述的掩膜图案校正方法，其特征在于，利用预先建立的掩膜偏差规则表对所述其他目标图案进行校正包括：

5.如权利要求1所述的掩膜图案校正方法，其特征在于，利用预先建立的掩膜工艺校正程序对所述亚分辨率辅助图形目标图案进行校正，得到校正后亚分辨率辅助图形图案包括：

6.如权利要求5所述的掩膜图案校正方法，其特征在于，获取所述控制点的边缘放置误差之前，还包括：

7.如权利要求1至6任一项所述的掩膜图案校正方法，其特征在于，利用预先建立的掩膜偏差规则表对所述其他目标图案进行校正，得到校正后其他图案之后，还包括：

8.一种掩膜图案校正装置，其特征在于，包括：

9.一种电子设备，其特征在于，包括：

10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至7任一项所述掩膜图案校正方法的步骤。

技术总结
本发明涉及掩膜校正领域，公开了一种掩膜图案校正方法、装置、电子设备和可读存储介质，包括：将目标掩膜图案划分为亚分辨率辅助图形目标图案和其他目标图案；在所述其他目标图案固定的条件下，利用预先建立的掩膜工艺校正程序对所述亚分辨率辅助图形目标图案进行校正，得到校正后亚分辨率辅助图形图案；利用预先建立的掩膜偏差规则表对所述其他目标图案进行校正，得到校正后其他图案；合并所述校正后亚分辨率辅助图形图案和所述校正后其他图案，得到校正后掩膜图案。本发明对于亚分辨率辅助图形目标图案，使用掩膜工艺校正程序进行校正，可以提升校正精度；对于其他目标图案，使用的掩膜偏差规则表进行校正，校正运行速度快。

技术研发人员：请求不公布姓名
受保护的技术使用者：华芯程（杭州）科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/25