掩膜版的制作方法及掩膜版与流程

本公开涉及集成电路，特别是涉及一种掩膜版的制作方法及掩膜版。

背景技术：

1、在集成电路的制作过程中，需要执行多次图形化处理在半导体基片上形成期望的图案，每次图形化处理都需要使用掩膜版。掩膜版直接应用于集成电路的制作工序中可能会受到损伤，掩膜版的使用寿命短、重复利用率低，并且掩膜版的成本比较高，频繁更换掩膜版导致集成电路的制作成本进一步增加。

技术实现思路

1、基于此，有必要针对提供一种掩膜版的制作方法及掩膜版。

2、为了实现上述目的，第一方面，本公开提供了一种掩膜版的制作方法，包括：

3、提供基板，所述基板包括承载基板以及固定在所述承载基板上的掩膜基板；

4、在所述掩膜基板上形成金属层；

5、图形化所述金属层得到金属掩膜，所述金属掩膜和所述掩膜基板共同形成掩膜版。

6、可选地，图形化所述金属层得到金属掩膜，包括：

7、在所述金属层上形成光刻胶层；

8、根据掩膜母版对所述光刻胶层进行曝光、显影处理，将所述掩膜母版的图形转移到所述光刻层中，得到图形化的光刻胶层；

9、根据所述图形化的光刻胶层刻蚀所述金属层，去除所述图形化的光刻胶层暴露出的所述金属层，将所述掩膜母版的图形转移到所述金属层中，得到所述金属掩膜。

10、可选地，图形化所述金属层得到金属掩膜之后，去除所述图形化的光刻胶层，暴露出所述金属掩膜。

11、可选地，图形化所述金属层得到金属掩膜之后，还包括：

12、检测所述金属掩膜是否满足掩膜标准；

13、所述金属掩膜满足掩膜标准时，拆分所述掩膜版和所述承载基板，将所述掩膜版装载在载板上。

14、可选地，所述金属掩膜不满足掩膜标准时，去除所述金属掩膜，再次在所述掩膜基板上形成金属层；再次图形化所述金属层得到金属掩膜，所述金属掩膜和所述掩膜基板共同形成掩膜版，至所述金属掩膜满足掩膜标准。

15、可选地，所述制作方法还包括：

16、去除所述掩膜基板上的所述金属掩膜；

17、将所述掩膜基板再次设置在所述承载基板上，和所述承载基板共同作为所述基板。

18、可选地，所述掩膜基板具有透光性。

19、可选地，所述金属层的材料包括金、银、铜、铝、铬、镍或钛中的至少一种元素；

20、所述金属层的厚度为0.5μm-1.5μm。

21、可选地，所述金属层的材料包括铬；所述金属层的厚度为0.8μm-1.2μm。

22、第二方面，本公开提供了一种掩膜版，采用第一方面所述的掩膜版的制作方法制作得到，所述掩膜版包括掩膜基板以及设置在所述掩膜基板上的金属掩膜。

23、本公开的掩膜版的制作方法及掩膜版，根据掩膜母版图形化金属层得到金属掩膜，以金属掩膜和掩膜基板共同作为掩膜版，金属掩膜具有高硬度、高耐磨性，掩膜版能够循环应用于图形化制程，同时用于形成金属掩膜的掩膜母版能够循环利用多次制作掩膜版，降低了掩膜版的成本。

技术特征：

1.一种掩膜版的制作方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的掩膜版的制作方法，其特征在于，根据掩膜母版图形化所述金属层得到金属掩膜，包括：

3.根据权利要求2所述的掩膜版的制作方法，其特征在于，图形化所述金属层得到金属掩膜之后，去除所述图形化的光刻胶层，暴露出所述金属掩膜。

4.根据权利要求1所述的掩膜版的制作方法，其特征在于，图形化所述金属层得到金属掩膜之后，还包括：

5.根据权利要求4所述的掩膜版的制作方法，其特征在于，所述金属掩膜不满足掩膜标准时，去除所述金属掩膜，再次在所述掩膜基板上形成金属层；再次图形化所述金属层得到金属掩膜，所述金属掩膜和所述掩膜基板共同形成掩膜版，至所述金属掩膜满足掩膜标准。

6.根据权利要求4所述的掩膜版的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：

7.根据权利要求1-6中任一项所述的掩膜版的制作方法，其特征在于，所述掩膜基板具有透光性。

8.根据权利要求7所述的掩膜版的制作方法，其特征在于，所述金属层的材料包括金、银、铜、铝、铬、镍或钛中的至少一种元素；

9.根据权利要求8所述的掩膜版的制作方法，其特征在于，所述金属层的材料包括铬；所述金属层的厚度为0.8μm-1.2μm。

10.一种掩膜版，其特征在于，采用如权利要求1-9中任一项所述的掩膜版的制作方法制作得到，所述掩膜版包括掩膜基板以及设置在所述掩膜基板上的金属掩膜。

技术总结
本公开涉及一种掩膜版的制作方法及掩膜版，掩膜版的制作方法包括：提供基板，基板包括承载基板以及固定在承载基板上的掩膜基板；在掩膜基板上形成金属层；根据掩膜母版图形化金属层得到金属掩膜，金属掩膜和掩膜基板共同形成掩膜版，金属掩膜具有高硬度、高耐磨性，掩膜版能够循环应用于图形化制程，同时用于形成金属掩膜的掩膜母版能够循环利用多次制作掩膜版，降低了掩膜版的成本。

技术研发人员：陆洋,张梦杰,陈伟,张孝伟,张兴祖
受保护的技术使用者：长电集成电路（绍兴）有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/27