阵列基板的制作方法

本申请涉及显示，尤其涉及一种阵列基板。

背景技术：

1、随着人们需求的提高，高刷新率，高画质，低成本越来越成为市场高端电子显示产品的必备要素。

2、为实现高画质，边缘场切换(fringe field switching，ffs)技术通过同一平面内像素间电极产生边缘电场，使电极间以及电极正上方的取向液晶分子都能在平面方向发生旋转转换，在宽视角的前提下，实现高的透光效率；而在边缘场切换模式的液晶显示面板(liquid crystal display，lcd)中，数据线与像素电极之间往往存在较大的侧向寄生电容，极易产生信号串扰，影响了显示效果。

技术实现思路

1、本发明的实施例提供了一种阵列基板，用以缓解相关技术中的不足。

2、为实现上述功能，本申请实施例提供的技术方案如下：

3、本申请实施例提供了一种阵列基板，包括：

4、衬底；

5、衬底；

6、源漏极层，设于衬底的一侧，所述源漏极层包括多条数据线；

7、像素电极层，设于所述源漏极层远离所述衬底的一侧，所述像素电极层包括多个间隔设置的像素电极；

8、公共电极层，设于所述像素电极层远离所述衬底的一侧；

9、其中，所述数据线包括设于相邻两个所述像素电极之间第一数据段，所述第一数据段在所述衬底上的正投影与所述像素电极层所述衬底上的正投影不交叠，所述第一数据段在所述衬底上的正投影与所述公共电极层所述衬底上的正投影不交叠。

10、在本申请实施例所提供的阵列基板中，所述像素电极层包括多个像素电极组，一所述像素电极组设于相邻两条所述数据线之间，所述像素电极组包括两个所述像素电极；

11、其中，其中，所述像素电极组中，任一所述像素电极与距离其较近的所述数据线连接。

12、在本申请实施例所提供的阵列基板中，所述阵列基板还包括设于所述衬底和所述源漏极层之间的第一金属层，所述第一金属层包括多条第一屏蔽线，所述第一屏蔽线的延伸方向与所述数据线的延伸方向相同；

13、其中，相邻两条所述第一屏蔽线在所述衬底上的正投影与一所述数据线在所述衬底上的正投影不交叠，且位于所述数据线在所述衬底上的正投影的两侧。

14、在本申请实施例所提供的阵列基板中，所述公共电极层在所述衬底上的正投影与所述第一屏蔽线在所述衬底上的正投影不交叠。

15、在本申请实施例所提供的阵列基板中，所述公共电极层还包括多条第一公共线，所述第一金属层包括多条第二屏蔽线，一所述公共电极线对应一所述第二屏蔽线设置，且所述第一公共线和所述第二屏蔽线均设于相邻两个所述像素电极之间；

16、其中，所述第一公共线在所述衬底上的正投影覆盖所述第二屏蔽线所述衬底上的正投影，且所述第一公共线与所述第二屏蔽线连接。

17、在本申请实施例所提供的阵列基板中，所述第一金属层还包括第三屏蔽线，所述第三屏蔽线沿第一方向延伸，所述第一屏蔽线和所述第二屏蔽线均沿第二方向延伸；

18、其中，所述第一屏蔽线的一端与所述第三屏蔽线连接，所述第二屏蔽线的一端与所述第三屏蔽线连接，所述第二屏蔽线的另一端与所述第一公共线连接，所述第一方向和所述第二方向呈一预设夹角。

19、在本申请实施例所提供的阵列基板中，所述公共电极层还包括第二公共线，所述第二公共线沿所述第一方向延伸，所述第一公共线沿所述第二方向延伸；

20、所述数据线还包括第二数据段，所述第二数据段由所述第一数据段的一端沿所述第二方向延伸；

21、其中，所述第一公共线的一端与所述第二公共线连接，所述第二数据段在所述衬底上的正投影至少与部分所述第二公共线在所述衬底上的正投影重叠。

22、在本申请实施例所提供的阵列基板中，所述公共电极层还包括多条第三公共线，一所述第三公共线位于相邻两条所述第一公共线之间，其中，所述第三公共线的一端连接一所述第一公共线，所述第三公共线的另一端连接另一所述第一公共线。

23、在本申请实施例所提供的阵列基板中，所述阵列基板还包括设于所述衬底和所述源漏极层之间的凸台，所述凸台设于相邻两所述像素电极之间；

24、其中，所述数据线包括设于所述凸台顶部的第一数据子线和设于所述凸台侧壁的第二数据子线。

25、在本申请实施例所提供的阵列基板中，所述阵列基板还包括第一钝化层和第二钝化层，所述第一钝化层位于所述数据线和所述像素电极层之间，所述第二钝化层位于所述像素电极层和所述公共电极层之间

26、本申请实施例的有益效果：本申请实施例提供了一种阵列基板，通过设置所述数据线包括设于相邻两个所述像素电极之间第一数据段，所述第一数据段在所述衬底上的正投影与所述像素电极层所述衬底上的正投影不交叠，所述第一数据段在所述衬底上的正投影与所述公共电极层所述衬底上的正投影不交叠，从而减小数据线与像素电极之间的寄生电容，改善寄生电容对像素电极造成的信号串扰，并且减小了在数据线和所述公共电极之间的寄生电容，减小了信号通过数据线的延迟，进而提升所述像素电极的充电率。

技术特征：

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极层包括多个像素电极组，一所述像素电极组设于相邻两条所述数据线之间，所述像素电极组包括两个所述像素电极；

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括设于所述衬底和所述源漏极层之间的第一金属层，所述第一金属层包括多条第一屏蔽线，所述第一屏蔽线的延伸方向与所述数据线的延伸方向相同；

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极层在所述衬底上的正投影与所述第一屏蔽线在所述衬底上的正投影不交叠。

5.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极层还包括多条第一公共线，所述第一金属层包括多条第二屏蔽线，一所述公共电极线对应一所述第二屏蔽线设置，且所述第一公共线和所述第二屏蔽线均设于相邻两个所述像素电极之间；

6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第一金属层还包括第三屏蔽线，所述第三屏蔽线沿第一方向延伸，所述第一屏蔽线和所述第二屏蔽线均沿第二方向延伸；

7.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极层还包括第二公共线，所述第二公共线沿第一方向延伸，所述第一公共线沿第二方向延伸；

8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极层还包括多条第三公共线，一所述第三公共线位于相邻两条所述第一公共线之间，其中，所述第三公共线的一端连接一所述第一公共线，所述第三公共线的另一端连接另一所述第一公共线。

9.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括设于所述衬底和所述源漏极层之间的凸台，所述凸台设于相邻两所述像素电极之间；

10.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括第一钝化层和第二钝化层，所述第一钝化层位于所述数据线和所述像素电极层之间，所述第二钝化层位于所述像素电极层和所述公共电极层之间。

技术总结
本申请实施例提供了一种阵列基板，该阵列基板包括层叠设置的衬底、源漏极层、像素电极层以及公共电极层；源漏极层包括多条数据线；像素电极层设于源漏极层远离衬底的一侧，像素电极层包括多个分离设置的像素电极，公共电极层设于像素电极层远离衬底的一侧，公共电极层包括公共电极；通过设置数据线包括设于相邻两个像素电极之间第一数据段，第一数据段在衬底上的正投影与像素电极层在衬底上的正投影不交叠，第一数据段在衬底上的正投影与公共电极层在衬底上的正投影不交叠，从而减小数据线与像素电极之间的寄生电容，改善寄生电容对像素电极造成的信号串扰，进而提升像素电极的充电率。

技术研发人员：余萍
受保护的技术使用者：广州华星光电半导体显示技术有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/4/17