光刻胶形成设备的制作方法

本申请涉及半导体，具体涉及一种光刻胶形成设备。

背景技术：

1、光刻工艺是半导体工艺中的重要工艺，该工艺能够在光照作用下，借助光致抗蚀剂将掩膜版上的图形转移到基片上。光刻工艺的过程可以包括：首先紫外光通过掩膜版照射到覆有一层光刻胶薄膜的基片表面，引起曝光区域的光刻胶发生化学反应；再通过显影技术溶解去除曝光区域或未曝光区域的光刻胶，使掩膜版上的图形被复制到光刻胶薄膜上；最后利用刻蚀技术将图形转移到基片上。其中光刻胶的质量对整个光刻工艺的质量具有重要作用，发明人在研究过程中发现，有些工艺中的光刻胶存在不平整的问题，容易影响后续工艺控制过程，从而影响光刻工艺的质量。

技术实现思路

1、鉴于此，本申请提供一种光刻胶形成设备，以解决有些工艺中的光刻胶存在不平整的问题，容易影响后续工艺控制过程，从而影响光刻工艺质量的技术问题。

2、本申请提供一种光刻胶形成设备，所述光刻胶形成设备包括旋转吸盘和热量调节设备；

3、所述旋转吸盘用于承载晶圆，并向所承载的晶圆表面旋涂初始膜层；

4、所述热量调节设备设于所述晶圆的至少一侧，用于调节光刻胶的受热状态。

5、可选地，所述热量调节设备包括位于所述晶圆边缘上方的第一调节设备和位于所述晶圆边缘下方的第二调节设备。

6、可选地，所述第一调节设备和所述第二调节设备关于所述晶圆对称。

7、可选地，所述光刻胶形成设备还包括所述热量调节设备至少一侧的第一挡光板；所述第一挡光板用于阻挡所述热量调节设备产生的热量射向除所述晶圆边缘以外的区域。

8、可选地，所述光刻胶形成设备还包括烘烤设备；所述烘烤设备设于所述旋转吸盘的正上方，用于烘烤所述旋转吸盘正上方的光刻胶。

9、可选地，所述热量调节设备为所述晶圆的边缘区域提供第一温度环境，所述烘烤设备为所述晶圆的中间区域提供第二温度环境，所述光刻胶在所述第一温度环境和所述第二温度环境中达到均匀受热的状态。

10、可选地，所述光刻胶形成设备还包括设于所述烘烤设备和所述旋转吸盘之间的第二挡光板；所述第二挡光板用于阻挡进入所述光刻胶中间区域的部分热量。

11、可选地，所述热量调节设备包括发热模块或者光发射模块。

12、本申请提供的光刻胶形成设备，通过旋转吸盘承载晶圆，在晶圆的至少一侧设置热调节设备，通过热量调节设备调节光刻胶的受热状态，使光刻胶在相关工艺过程中能够均匀受热，这样初始膜层能够均匀稳定地固化成对应的光刻胶，最终得到的光刻胶表面平整，采用上述光刻胶进行后续光刻等工艺，能够精准地进行相关工艺控制，提升对应工艺的质量。

技术特征：

1.一种光刻胶形成设备，其特征在于，所述光刻胶形成设备包括旋转吸盘和热量调节设备；

2.根据权利要求1所述的光刻胶形成设备，其特征在于，所述热量调节设备包括位于所述晶圆边缘上方的第一调节设备和位于所述晶圆边缘下方的第二调节设备。

3.根据权利要求2所述的光刻胶形成设备，其特征在于，所述第一调节设备和所述第二调节设备关于所述晶圆对称。

4.根据权利要求2所述的光刻胶形成设备，其特征在于，所述光刻胶形成设备还包括所述热量调节设备至少一侧的第一挡光板；

5.根据权利要求2所述的光刻胶形成设备，其特征在于，所述光刻胶形成设备还包括烘烤设备；

6.根据权利要求5所述的光刻胶形成设备，其特征在于，所述热量调节设备为所述晶圆的边缘区域提供第一温度环境，所述烘烤设备为所述晶圆的中间区域提供第二温度环境，所述光刻胶在所述第一温度环境和所述第二温度环境中达到均匀受热的状态。

7.根据权利要求5所述的光刻胶形成设备，其特征在于，所述光刻胶形成设备还包括设于所述烘烤设备和所述旋转吸盘之间的第二挡光板；

8.根据权利要求1所述的光刻胶形成设备，其特征在于，所述热量调节设备包括发热模块或者光发射模块。

技术总结
本申请公开一种光刻胶形成设备，其中光刻胶形成设备包括旋转吸盘和热量调节设备；所述旋转吸盘用于承载晶圆，并向所承载的晶圆表面旋涂初始膜层；所述热量调节设备设于所述晶圆的至少一侧，用于调节光刻胶的受热状态。本申请得到的光刻胶表面平整，采用上述光刻胶进行后续光刻等工艺，能够精准地进行相关工艺控制，提升对应工艺的质量。

技术研发人员：刘利晨
受保护的技术使用者：福建省晋华集成电路有限公司
技术研发日：20230104
技术公布日：2024/1/12