一种智能眼镜的制作方法

本申请涉及智能眼镜，具体涉及一种智能眼镜。

背景技术：

1、随着计算机技术的发展，各种可穿戴产品应运而生，ar(增强现实，augmentedreality)眼镜、vr(虚拟现实，virtualreality)眼镜、mr(介导现实，mediatedreality)眼镜、xr(扩展现实，extendedreality)眼镜等智能眼镜越来越得到人们的关注。

2、目前，智能眼镜的通常为轻量化设计，续航能力较小，且智能眼镜通常采用充电孔与电源线相配合的方式来进行充电，现有的智能眼镜充电孔通常设置在眼镜镜架的最尾端，当电量耗尽时，需要取下智能眼镜来进行充电，处于充电阶段的智能眼镜无法使用，使用便利性不佳，同时，现有智能眼镜的充电孔分为无保护罩和有保护罩两种情况，在无保护罩的情况下，充电孔直接外露于空气中，易出现受潮及落尘的情况，而在有保护罩的情况下，其保护罩易脱落，具有遗失的风险，同时也影响美观度。

技术实现思路

1、本申请提出了一种智能眼镜。

2、第一方面，一种智能眼镜，包括镜架，所述镜架包括镜框；充电模组，所述充电模组设置于所述镜架的内部，所述充电模组包括设置于所述镜框内部的第一线圈及电连接于所述第一线圈的第一电池；附加模组，所述附加模组可分离的连接于所述镜框，所述附加模组包括支撑件、设置于所述支撑件以用于接合所述镜框的接合件、连接于所述支撑件以用于供电信号通过的第二线圈及电连接于所述第二线圈的第二电池。

3、在一些可选的实施方式中，所述附加模组的位置与所述镜框的位置相对应。

4、在一些可选的实施方式中，所述第一电池设置于所述镜框的内部。

5、在一些可选的实施方式中，所述第一线圈沿所述镜框延伸且呈环状。

6、在一些可选的实施方式中，所述第一电池靠近所述镜架的内侧，所述第一线圈靠近所述镜架的外侧。

7、在一些可选的实施方式中，所述第二线圈沿所述支撑件延伸且呈环状。

8、在一些可选的实施方式中，所述附加模组还包括功能扩充件，所述功能扩充件与所述第二线圈分别位于所述第二电池的两个相对侧。

9、在一些可选的实施方式中，所述支撑件包括供所述接合件设置的框体。

10、在一些可选的实施方式中，所述框体的内部嵌设有镜片。

11、在一些可选的实施方式中，所述支撑件包括供所述接合件设置的镜片。

12、在一些可选的实施方式中，所述镜片为透明镜片或抗uv镜片。

13、在一些可选的实施方式中，所述镜框上设有第一磁铁，所述接合件为第二磁铁，第一磁铁与第二磁铁互为异极磁铁。

14、在一些可选的实施方式中，所述接合件为卡扣。

15、为了解决目前智能眼镜充电时无法正常使用，使用便利性不佳的问题，本申请提出一种智能眼镜。本申请通过在镜框的内部设充电模组，在镜框的外部设置可分离的附加模组，由于附加模组可以对充电模组进行无线充电，使得智能眼镜充电灵活性提升，可以边配戴边充电，提升了智能眼镜的续航时间，另外，由于取消了充电孔，避免了充电孔与电源线充电方式中，充电孔易落尘、受潮，以及充电孔保护帽易脱落的情况，有效提升了使用的便利性。

技术特征：

1.一种智能眼镜，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的智能眼镜，其特征在于，所述附加模组的位置与所述镜框的位置相对应。

3.根据权利要求1所述的智能眼镜，其特征在于，所述第一电池设置于所述镜框的内部。

4.根据权利要求3所述的智能眼镜，其特征在于，所述第一线圈沿所述镜框延伸且呈环状。

5.根据权利要求4所述的智能眼镜，其特征在于，所述第一电池靠近所述镜架的内侧，所述第一线圈靠近所述镜架的外侧。

6.根据权利要求1所述的智能眼镜，其特征在于，所述第二线圈沿所述支撑件延伸且呈环状。

7.根据权利要求1所述的智能眼镜，其特征在于，所述附加模组还包括功能扩充件，所述功能扩充件与所述第二线圈分别位于所述第二电池的两个相对侧。

8.根据权利要求1所述的智能眼镜，其特征在于，所述支撑件包括供所述接合件设置的框体。

9.根据权利要求1所述的智能眼镜，其特征在于，所述支撑件包括供所述接合件设置的镜片。

10.根据权利要求1所述的智能眼镜，其特征在于，所述镜框上设有第一磁铁，所述接合件为第二磁铁，第一磁铁与第二磁铁互为异极磁铁。

技术总结
本申请一种智能眼镜，包括镜架，镜架包括镜框；充电模组，充电模组设置于镜架的内部，充电模组包括设置于镜框内部的第一线圈及电连接于第一线圈的第一电池；附加模组，附加模组可分离的连接于镜框，附加模组包括支撑件、设置于支撑件以用于接合镜框的接合件、连接于支撑件以用于供电信号通过的第二线圈及电连接于第二线圈的第二电池。本申请通过在镜框的内部设充电模组，在镜框的外部设置可分离的附加模组，由于附加模组可以对充电模组进行无线充电，使得智能眼镜充电灵活性提升，可以边配戴边充电，提升了智能眼镜的续航时间，同时，有效提升了使用的便利性。

技术研发人员：刘昭纬
受保护的技术使用者：日月光半导体制造股份有限公司
技术研发日：20230724
技术公布日：2024/2/8