一种掩模版冷却装置及光刻设备的制作方法

本技术涉及光刻，特别涉及一种掩模版冷却装置及光刻设备。

背景技术：

1、在光刻设备中，辐射束会在掩模版中导致热响应。一方面，会使掩模版被加热而膨胀，导致掩模版生成的图像变形；另一方面，已加热的掩模版还会导致在掩模版与投影透镜系统之间的所谓的气体透镜的变化，上述均会导致光刻系统中出现重叠误差。为了避免激光照射导致掩模版升温，需要对掩模版进行冷却。目前掩模版冷却的现有技术，都是采用向掩模版远离掩模版吸附台的一面喷射气体的方式进行冷却，但是通过气体冷却存在冷却效率低，难以抵消生产过程中的曝光加热的问题，而且还存在气体对光的扰流问题。因此，如何增加掩模版冷却效率和减弱气体对光的扰流，是本领域技术人员目前需要解决的技术问题。

技术实现思路

1、有鉴于此，本实用新型的目的在于提供一种掩模版冷却装置及光刻设备，用于增加掩模版冷却效率和减弱气体对光的扰流。

2、为解决上述技术问题，本实用新型提供了一种掩模版冷却装置，包括：第一掩模版冷却装置和第二掩模版冷却装置；

3、所述第一掩模版冷却装置包括气体喷射装置，用于喷射气体至掩模版的表面的第一区域；

4、所述第二掩模版冷却装置包括冷却板和冷却板伸缩装置；所述冷却板伸缩装置与所述冷却板连接，用于当使用所述冷却板时，使所述冷却板伸出覆盖所述掩模版的表面的第二区域；当不使用所述冷却板时，使所述冷却板收回；所述第二区域是所述掩模版的同一表面除所述第一区域外的区域。

5、可选的，所述掩模版冷却装置，包括：多个所述第一掩模版冷却装置和多个所述第二掩模版冷却装置。

6、可选的，各所述第一掩模版冷却装置和各所述第二掩模版冷却装置均设置在所述掩模版背离掩模工作台的一侧；

7、或者各所述第一掩模版冷却装置和各所述第二掩模版冷却装置均设置在所述掩模版靠近所述掩模工作台的一侧。

8、可选的，各所述第一掩模版冷却装置分别设置在所述掩模版背离所述掩模工作台的一侧和所述掩模版靠近所述掩模工作台的一侧，所述第二掩模版冷却装置分别设置在所述掩模版背离所述掩模工作台的一侧和所述掩模版靠近所述掩模工作台的一侧。

9、可选的，各所述第一掩模版冷却装置设置在中间，各所述第二掩模版冷却装置分别设置在所述第一掩模版冷却装置的两侧。

10、可选的，所述冷却板伸缩装置与掩模工作台固定连接。

11、可选的，所述冷却板是半导体式冷却板；所述半导体式冷却板的冷却端靠近所述掩模版的表面，所述半导体式冷却板的导热端背离所述掩模版的表面。

12、可选的，所述半导体式冷却板包括半导体制冷片和安装板；所述安装板的表面设置有导热结构；所述半导体制冷片的导热端固定在所述导热结构的表面，所述半导体制冷片的冷却端背离所述导热结构的表面。

13、可选的，所述半导体式冷却板包括多个半导体制冷片和安装板；多个所述半导体制冷片在所述安装板上呈阵列排布。

14、可选的，所述半导体制冷片包括pn型结构和控制系统；所述pn型结构包括多个交替排布的p型半导体和n型半导体，相邻所述p型半导体和所述n型半导体之间通过金属导体连接，且所述pn型结构的两端分别是所述p型半导体和所述n型半导体；所述控制系统与所述pn型结构的两端连接。

15、为解决上述技术问题，本实用新型还提供了一种光刻设备，包括掩模版、掩模工作台和如上述所述的掩模版冷却装置；所述掩模版放置在所述掩模工作台上。

16、可见，本实用新型提供的掩模版冷却装置在第一掩模版冷却装置通过气冷循环对掩模版进行冷却的基础上，添加了第二掩模版冷却装置通过冷却板对掩模版进行冷却。当使用冷却板时，通过第二掩模版冷却装置中的冷却板伸缩装置使冷却板伸出，在气冷循环对掩模版进行冷却的基础上，由于又增加了冷却板，又形成了一个掩模板冷却微环境，与传统的冷却方式相比第一掩模版冷却装置只需要吹扫掩模版表面的部分区域，减少了吹扫冷却空间，增加了掩模版冷却效率，减弱了气体对光的扰流，同时气体冷却和固态冷却两种冷却方式叠加，还增强了掩模版冷却效果；当不使用冷却板时，通过冷却板伸缩装置使冷却板收回，避免冷却板伸出挡住激光而导致曝光失败或影响掩模对准工作的正常进行。本实用新型还提供一种光刻设备包括本实用新型提供的掩模版冷却装置，同样具有上述有益效果。

技术特征：

1.一种掩模版冷却装置，其特征在于，包括：第一掩模版冷却装置和第二掩模版冷却装置；

2.根据权利要求1所述的掩模版冷却装置，其特征在于，包括：多个所述第一掩模版冷却装置和多个所述第二掩模版冷却装置。

3.根据权利要求2所述的掩模版冷却装置，其特征在于，各所述第一掩模版冷却装置和各所述第二掩模版冷却装置均设置在所述掩模版背离掩模工作台的一侧；

4.根据权利要求2所述的掩模版冷却装置，其特征在于，各所述第一掩模版冷却装置分别设置在所述掩模版背离掩模工作台的一侧和所述掩模版靠近所述掩模工作台的一侧，各所述第二掩模版冷却装置分别设置在所述掩模版背离所述掩模工作台的一侧和所述掩模版靠近所述掩模工作台的一侧。

5.根据权利要求4所述的掩模版冷却装置，其特征在于，各所述第一掩模版冷却装置设置在中间，各所述第二掩模版冷却装置分别设置在所述第一掩模版冷却装置的两侧。

6.根据权利要求1所述的掩模版冷却装置，其特征在于，所述冷却板伸缩装置与掩模工作台固定连接。

7.根据权利要求1所述的掩模版冷却装置，其特征在于，所述冷却板是半导体式冷却板；所述半导体式冷却板的冷却端靠近所述掩模版的表面，所述半导体式冷却板的导热端背离所述掩模版的表面。

8.根据权利要求7所述的掩模版冷却装置，其特征在于，所述半导体式冷却板包括半导体制冷片和安装板；所述安装板的表面设置有导热结构；所述半导体制冷片的导热端固定在所述导热结构的表面，所述半导体制冷片的冷却端背离所述导热结构的表面。

9.根据权利要求8所述的掩模版冷却装置，其特征在于，所述半导体式冷却板包括多个半导体制冷片和安装板；多个所述半导体制冷片在所述安装板上呈阵列排布。

10.根据权利要求8所述的掩模版冷却装置，其特征在于，所述半导体制冷片包括pn型结构和控制系统；所述pn型结构包括多个交替排布的p型半导体和n型半导体，相邻所述p型半导体和所述n型半导体之间通过金属导体连接，且所述pn型结构的两端分别是所述p型半导体和所述n型半导体；所述控制系统与所述pn型结构的两端连接。

11.一种光刻设备，其特征在于，包括掩模版、掩模工作台和如权利要求1至10任一项所述的掩模版冷却装置；所述掩模版放置在所述掩模工作台上。

技术总结
本技术公开了一种掩模版冷却装置及光刻设备，应用于光刻技术领域，包括：第一掩模版冷却装置和第二掩模版冷却装置；第一掩模版冷却装置包括气体喷射装置，用于喷射气体至掩模版的表面的第一区域；第二掩模版冷却装置包括冷却板和冷却板伸缩装置；冷却板伸缩装置与冷却板连接，用于当使用冷却板时，使冷却板伸出覆盖掩模版的表面的第二区域；当不使用冷却板时，使冷却板收回；第二区域是掩模版的同一表面除第一区域外的区域。本技术在第一掩模版冷却装置通过气冷循环对掩模版进行冷却的基础上，添加了第二掩模版冷却装置通过冷却板对掩模版进行冷却。与传统冷却方式相比减少了吹扫冷却空间，增加了掩模版冷却效率，减弱了气体对光的扰流。

技术研发人员：董佳,朱灿成,施超,吴晨瑄,耿大卫
受保护的技术使用者：上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司
技术研发日：20230804
技术公布日：2024/3/17