含密闭碳层抗紫外辐射同时具备匀化功能的石英光纤结构的制作方法

文档序号:37211594发布日期:2024-03-05 14:54阅读:16来源:国知局
含密闭碳层抗紫外辐射同时具备匀化功能的石英光纤结构的制作方法

本发明涉及半导体芯片检测领域,尤其涉及光纤领域,具体是指一种含密闭碳层抗紫外辐射同时具备匀化功能的石英光纤结构。


背景技术:

1、众所周知,在半导体芯片检测领域经常会用到紫外180nm~325nm波长甚至更低一些的波长,称之为超低紫外波段。在这个波段下紫外辐射是相当强的,也就是所说的日晒效应。普通的uv紫外石英光纤在此波段下是可以传输的,但是初始att衰减损耗会比较大,同时由于日晒效应非常强,在很短的时间内普通uv紫外光纤的衰减就会在原来的基础上增大,而且随着时间越来越久att衰减损耗会越来越大,直至高羟基芯层被完全破坏。在以往的应用中如果要得到匀化能量的效果,就需要在复杂的光路后添加匀化器,匀化器成本很高。同时如果要得到特殊形状的出射光斑,也需要后续进行光学整形,来得到特殊形状的光斑。


技术实现思路

1、本发明的目的是克服了上述现有技术的缺点,提供了一种满足稳定性高、紫外传输高、抗辐射性能强的含密闭碳层抗紫外辐射同时具备匀化功能的石英光纤结构。

2、为了实现上述目的,本发明的含密闭碳层抗紫外辐射同时具备匀化功能的石英光纤结构如下:

3、该含密闭碳层抗紫外辐射同时具备匀化功能的石英光纤结构,其主要特点是,所述的光纤结构包括光纤芯层和密闭碳层,所述的密闭碳层包裹在光纤芯层外部,所述的光纤芯层为具有匀化功能的光纤;所述的具有匀化功能的光纤的出射光均匀,使被检测平面上每一点光强都是均匀的,所述的密闭碳层使光纤在深紫外波段实现紫外传输速度快以及抗日晒强的效果,同时能隔绝外部环境的辐射,所述的装置在超低紫外波长的使用条件下,具有低损耗、高传输效率、低紫外老化的特性,以及出色的抗辐射性能。

4、较佳地,所述的光纤的结构为非圆形石英芯层。

5、较佳地,所述的装置的出射光斑为特殊非圆形光斑。

6、较佳地,所述的装置还包括光缆,所述的光缆包括接头、接头外部塑料弯曲保护套、光缆外部pvc保护套管、光缆内部凯夫拉保护层,所述的光缆内部凯夫拉保护层包裹在密闭碳层外,所述的光缆外部pvc保护套管包裹在光缆内部凯夫拉保护层外,所述的接头外部塑料弯曲保护套包裹在光缆外部pvc保护套管的两侧外部,所述的接头安装在接头外部塑料弯曲保护套的外端,所述的接头为fc接头或pc接头。

7、采用了本发明的含密闭碳层抗紫外辐射同时具备匀化功能的石英光纤结构,在超低紫外波长下,实现超高紫外传输,超低紫外老化,具有出色的抗辐射性能,同时兼具能量平顶匀化功能。



技术特征:

1.一种含密闭碳层抗紫外辐射同时具备匀化功能的石英光纤结构,其特征在于,所述的光纤结构包括光纤芯层和密闭碳层,所述的密闭碳层包裹在光纤芯层外部,所述的光纤芯层为具有匀化功能的光纤;所述的具有匀化功能的光纤的出射光均匀,使被检测平面上每一点光强都是均匀的,所述的密闭碳层使光纤在深紫外波段实现紫外传输速度快以及抗日晒强的效果,同时能隔绝外部环境的辐射,所述的装置在超低紫外波长的使用条件下,具有低损耗、高传输效率、低紫外老化的特性,以及出色的抗辐射性能。

2.根据权利要求1所述的含密闭碳层抗紫外辐射同时具备匀化功能的石英光纤结构,其特征在于,所述的光纤的结构为非圆形石英芯层。

3.根据权利要求1所述的含密闭碳层抗紫外辐射同时具备匀化功能的石英光纤结构,其特征在于,所述的装置的出射光斑为特殊非圆形光斑。

4.根据权利要求1所述的含密闭碳层抗紫外辐射同时具备匀化功能的石英光纤结构,其特征在于,所述的装置还包括光缆,所述的光缆包括接头、接头外部塑料弯曲保护套、光缆外部pvc保护套管、光缆内部凯夫拉保护层,所述的光缆内部凯夫拉保护层包裹在密闭碳层外,所述的光缆外部pvc保护套管包裹在光缆内部凯夫拉保护层外,所述的接头外部塑料弯曲保护套包裹在光缆外部pvc保护套管的两侧外部,所述的接头安装在接头外部塑料弯曲保护套的外端,所述的接头为fc接头或pc接头。


技术总结
本发明涉及一种含密闭碳层抗紫外辐射同时具备匀化功能的石英光纤结构,包括光纤芯层和密闭碳层,所述的密闭碳层包裹在光纤芯层外部,所述的光纤芯层为具有匀化功能的光纤;所述的具有匀化功能的光纤的出射光均匀,使被检测平面上每一点光强都是均匀的,所述的密闭碳层使光纤在深紫外波段实现紫外传输速度快以及抗日晒强的效果,同时能隔绝外部环境的辐射,所述的装置在超低紫外波长的使用条件下,具有低损耗、高传输效率、低紫外老化的特性,以及出色的抗辐射性能。采用了本发明的含密闭碳层抗紫外辐射同时具备匀化功能的石英光纤结构,在超低紫外波长下,实现超高紫外传输,超低紫外老化,具有出色的抗辐射性能,同时兼具能量平顶匀化功能。

技术研发人员:田攀,王天华,沃尔夫冈·纽伯格
受保护的技术使用者:浙江赛瑞欧光电有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/3/4
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